一種陣列基板及其維修方法、顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)了一種陣列基板及其維修方法、顯示裝置，涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，能夠通過(guò)簡(jiǎn)單有效的方法維修斷線并且可以確保維修成功率，從而降低了生產(chǎn)周期并且提升了產(chǎn)品良率。該陣列基板包括：在陣列基板上形成的第一信號(hào)線和第二信號(hào)線，第一信號(hào)線和第二信號(hào)線交叉定義像素單元，每一像素單元包括薄膜晶體管和像素電極，還包括：與第一信號(hào)線并排設(shè)置的連接結(jié)構(gòu)，其中，連接結(jié)構(gòu)包括與第二信號(hào)線同層設(shè)置的第一部分和與像素電極同層設(shè)置的第二部分，第一信號(hào)線、第二信號(hào)線與像素電極分別不同層，第一部分與第一信號(hào)線部分交疊，第二部分與第一部分部分交疊，第一部分與第二部分間隔設(shè)置。
【專利說(shuō)明】一種陣列基板及其維修方法、顯示裝置【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種陣列基板及其維修方法、顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]薄膜晶體管液晶顯不器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display,簡(jiǎn)稱TFT-LCD)由于具有體積小、功耗低、無(wú)輻射等特點(diǎn)而備受關(guān)注，在平板顯示領(lǐng)域中占據(jù)了主導(dǎo)地位，被廣泛的應(yīng)用到各行各業(yè)中。在TFT-LCD的實(shí)際制造過(guò)程中，不可避免的會(huì)出現(xiàn)柵線斷線不良或數(shù)據(jù)線斷線不良，一般常用的維修方法是在斷線處沉積金屬進(jìn)行維修，但是采用這種方法需要額外的沉積工藝，會(huì)造成生產(chǎn)周期的延長(zhǎng)，甚至有可能影響顯示裝置的開(kāi)口率，降低用戶的觀賞效果。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題在于提供一種陣列基板及其維修方法、顯示裝置，能夠通過(guò)簡(jiǎn)單有效的方法維修斷線并且可以確保維修成功率，從而降低了生產(chǎn)周期并且提升了廣品良率。
[0004]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案:
[0005]本發(fā)明第一方面提供了一種陣列基板，包括:在所述陣列基板上形成的第一信號(hào)線和第二信號(hào)線，所述第 一信號(hào)線和所述第二信號(hào)線交叉定義多個(gè)像素單元，每一像素單元包括薄膜晶體管和像素電極，其特征在于，還包括:與所述第一信號(hào)線并排設(shè)置的連接結(jié)構(gòu)，其中，
[0006]所述連接結(jié)構(gòu)包括與所述第二信號(hào)線同層設(shè)置的第一部分和與所述像素電極同層設(shè)置的第二部分，所述第一信號(hào)線、第二信號(hào)線與所述像素電極分別不同層，所述第一部分與所述第一信號(hào)線部分交疊，所述第二部分與所述第一部分部分交疊。
[0007]所述第二部分橫跨于所述第二信號(hào)線之上，所述第二部分與所述第二信號(hào)線之間設(shè)置有絕緣層。
[0008]兩條相鄰的第一信號(hào)線設(shè)置于相鄰的兩排或兩列像素單元之間，所述連接結(jié)構(gòu)與所述兩條相鄰的第一信號(hào)線并排設(shè)置，且所述連接結(jié)構(gòu)的第一部分與所述兩條相鄰的第一信號(hào)線均部分交疊。
[0009]所述第一部分與所述第二信號(hào)線在同一次構(gòu)圖工藝中形成，所述第二部分與所述像素電極在同一次構(gòu)圖工藝中形成。
[0010]所述第一信號(hào)線為柵線，所述第二信號(hào)線為數(shù)據(jù)線。
[0011]所述第一信號(hào)線為數(shù)據(jù)線，所述第二信號(hào)線為柵線。
[0012]本發(fā)明第二方面提供了一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。
[0013]本發(fā)明第三方面提供了一種陣列基板的維修方法，包括:
[0014]若第一信號(hào)線斷開(kāi)，連接連接結(jié)構(gòu)的第一部分與所述第一信號(hào)線的交疊處，同時(shí)連接所述第一部分與所述連接結(jié)構(gòu)的第二部分的交疊處。[0015]所述連接連接結(jié)構(gòu)的第一部分與所述第一信號(hào)線的交疊處，同時(shí)連接所述第一部分與所述連接結(jié)構(gòu)的第二部分的交疊處包括:
[0016]通過(guò)熔接的方法連接連接結(jié)構(gòu)的第一部分與所述第一信號(hào)線的交疊處，同時(shí)通過(guò)熔接的方法連接所述第一部分與所述連接結(jié)構(gòu)的第二部分的交疊處。
[0017]所述第一信號(hào)線為柵線。
[0018]所述第一信號(hào)線為數(shù)據(jù)線。
[0019]在本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案中，由于連接結(jié)構(gòu)與第一信號(hào)線并排設(shè)置，并且，所述連接結(jié)構(gòu)包括與所述第二信號(hào)線同層設(shè)置的第一部分和與所述像素電極同層設(shè)置的第二部分，所述第一部分與所述第一信號(hào)線部分交疊，所述第二部分與所述第一部分部分交疊。因此，當(dāng)?shù)谝恍盘?hào)線斷開(kāi)時(shí)，僅需要熔接連接結(jié)構(gòu)的第一部分與所述第一信號(hào)線的交疊處，同時(shí)熔接所述第一部分與所述連接結(jié)構(gòu)的第二部分的交疊處，即可將斷開(kāi)的第一信號(hào)線的兩端連接，操作方法簡(jiǎn)單便捷，從而降低了生產(chǎn)周期并且可以確保維修成功率。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0020]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0021]圖1為本發(fā)明實(shí)施例中的基板的結(jié)構(gòu)示意圖一；
[0022]圖2為本發(fā)明實(shí)施例中的基板的結(jié)構(gòu)示意圖二 ；
[0023]圖3為本發(fā)明實(shí)施例中的圖2的A-A截面示意圖；
[0024]圖4為本發(fā)明實(shí)施例中的基板的結(jié)構(gòu)不意圖二 ；
[0025]圖5為本發(fā)明實(shí)施例中的圖3的B-B截面示意圖。
[0026]附圖標(biāo)記說(shuō)明:
[0027]I—第一信號(hào)線； 2一第二信號(hào)線；3一薄膜晶體管；
[0028]4 一像素電極； 5—連接結(jié)構(gòu)； 51—第一部分；
[0029]52—第二部分； 6—熔接點(diǎn)；7—柵線；
[0030]8一數(shù)據(jù)線；9一襯底基板； 10—第一絕緣層；
[0031]11一第二絕緣層。
【具體實(shí)施方式】
[0032]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0033]實(shí)施例一
[0034]本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板，如圖1所示，該陣列基板包括:
[0035]在所述陣列基板上形成的第一信號(hào)線I和第二信號(hào)線2，所述第一信號(hào)線I和所述第二信號(hào)線2交叉定義多個(gè)像素單元，每一像素單元包括薄膜晶體管3和像素電極4，還包括:
[0036]與所述第一信號(hào)線I并排設(shè)置的連接結(jié)構(gòu)5，其中，所述連接結(jié)構(gòu)5包括與所述第二信號(hào)線2同層設(shè)置的第一部分51和與所述像素電極4同層設(shè)置的第二部分52，所述第一信號(hào)線1、第二信號(hào)線2與所述像素電極4分別不同層，所述第一部分51與所述第一信號(hào)線I部分交疊，所述第二部分52與所述第一部分51部分交疊，所述第一部分51與所述第二部分52間隔設(shè)置。
[0037]在本實(shí)施例的技術(shù)方案中，由于連接結(jié)構(gòu)與第一信號(hào)線并排設(shè)置，并且，所述連接結(jié)構(gòu)包括與所述第二信號(hào)線同層設(shè)置的第一部分和與所述像素電極同層設(shè)置的第二部分，所述第一部分與所述第一信號(hào)線部分交疊，所述第二部分與所述第一部分部分交疊。因此，當(dāng)?shù)谝恍盘?hào)線斷開(kāi)時(shí)，僅需要熔接連接結(jié)構(gòu)的第一部分與所述第一信號(hào)線的交疊處，同時(shí)熔接所述第一部分與所述連接結(jié)構(gòu)的第二部分的交疊處，即可將斷開(kāi)的第一信號(hào)線的兩端連接，操作方法簡(jiǎn)單便捷，從而降低了生產(chǎn)周期并且可以確保維修成功率。
[0038]其中，對(duì)連接結(jié)構(gòu)5的第一部分51與所述第一信號(hào)線I的交疊處熔接后，以及對(duì)第一部分51和第二部分52熔接后，會(huì)形成如圖1中所示的熔接點(diǎn)6，從而第一部分51與所述第一信號(hào)線I連接，所述第一部分51與所述第二部分52連接。
[0039]進(jìn)一步的，由于所述第一部分51與所述第二部分52間隔設(shè)置，同時(shí)一般來(lái)說(shuō)，第一信號(hào)線I和第二信號(hào)線2等信號(hào)線在陣列基板中位于較底層，像素電極4位于其上，因此，與像素電極4同層設(shè)置的所述第二部分52橫跨于所述第二信號(hào)線2之上，且所述第二部分52與所述第二信號(hào)線2之間設(shè)置有絕緣層，實(shí)現(xiàn)該第二部分52與第二信號(hào)線2之間的絕緣。
[0040]為了提高陣列基板的開(kāi)口率，兩條相鄰的第一信號(hào)線I設(shè)置于相鄰的兩排或兩列像素單元之間；所述連接結(jié)構(gòu)5與所述兩條相鄰的第一信號(hào)線I并排設(shè)置，且所述連接結(jié)構(gòu)5的第一部分51與所述兩條相鄰的第一信號(hào)線I均部分交疊。
[0041]由于將兩條相鄰的第一信號(hào)線I設(shè)置于相鄰的兩排或兩列像素單元之間，而相鄰的第一信號(hào)線I之間必須絕緣，因此，相鄰的第一信號(hào)線I之間具有一定的空隙，由于連接結(jié)構(gòu)5的第一部分51或第二部分52均與第一信號(hào)線I錯(cuò)層設(shè)置，同時(shí)由于相鄰的兩條第一信號(hào)線I同時(shí)斷線的可能性較小，因此，可以考慮將連接結(jié)構(gòu)5設(shè)置于兩條相鄰的第一信號(hào)線I之間，保證了陣列基板的開(kāi)口率。
[0042]由于第一部分51與所述第二信號(hào)線2同層設(shè)置，為了節(jié)省制作工藝，優(yōu)選的，所述第一部分51與所述第二信號(hào)線2在同一次構(gòu)圖工藝中形成；類似的，由于第二部分52與像素電極4同層設(shè)置，優(yōu)選的所述第二部分52與所述像素電極4在同一次構(gòu)圖工藝中形成。
[0043]其中，在本發(fā)明實(shí)施例中，如圖2所示，所述第一信號(hào)線I可為柵線7，此時(shí)所述第二信號(hào)線2為數(shù)據(jù)線8，或如圖3所示，所述第一信號(hào)線I為數(shù)據(jù)線8，所述第二信號(hào)線2為柵線7。
[0044]在本發(fā)明實(shí)施例的一個(gè)具體實(shí)施場(chǎng)景中，以所述第一信號(hào)線I為柵線7，所述第二信號(hào)線2為數(shù)據(jù)線8為例進(jìn)行具體說(shuō)明:
[0045]其中，如圖3所示，兩條相鄰的柵線7設(shè)置于相鄰的兩排像素單元之間，連接結(jié)構(gòu)5設(shè)置在兩條相鄰的柵線7之間，則，若是柵線7斷線，可將斷線的柵線7周圍的連接結(jié)構(gòu)5的第一部分51和第二部分52熔接，以修復(fù)斷線的柵線7。[0046]具體的，如圖3所示，為圖2中的A-A截面圖，從圖3中可以看到，柵線7位于整個(gè)結(jié)構(gòu)的最底層，即柵線7直接設(shè)置在襯底基板9之上，在柵線7之上形成有第一絕緣層10，由于柵線7與柵極通常同層設(shè)置并且在同一次構(gòu)圖工藝中形成，因此該第一絕緣層10又稱為柵極絕緣層，通常采用氧化硅、氮化硅、氧化鉿、樹(shù)脂等絕緣材料，將柵極、柵線與其他結(jié)構(gòu)絕緣并且保護(hù)柵極、柵線7在后續(xù)的各層形成工藝中不被破壞。
[0047]在第一絕緣層10之上依次形成像素單元的薄膜晶體管3的有源層、數(shù)據(jù)線8、與數(shù)據(jù)線8同層的像素單元的薄膜晶體管3的源極和漏極以及連接結(jié)構(gòu)5的第一部分51，其中，如前文所述，數(shù)據(jù)線8、源極、漏極以及第一部分51均在同一次構(gòu)圖工藝中形成。
[0048]之后，在同層的數(shù)據(jù)線8、源極、漏極以及第一部分51之上形成第二絕緣層11。其中，該第二絕緣層3通常又稱為鈍化層，通常采用氧化硅、氮化硅、氧化鉿、樹(shù)脂等絕緣材料，采用鈍化層工藝不僅提高了顯示裝置的耐嚴(yán)酷環(huán)境的能力，而且有助于改善薄膜晶體管單元3的光電參數(shù)性能。
[0049]最后，在第二絕緣層11之上形成像素電極4以及與像素電極4同層的連接結(jié)構(gòu)5的第二部分52，類似的，第二部分52和像素電極4在同一次構(gòu)圖工藝中形成，其中，優(yōu)選氧化銦錫或氧化銦鋅等常見(jiàn)的透明導(dǎo)電材料形成第二部分52和像素電極4。
[0050]結(jié)合圖2和圖3所示，當(dāng)陣列基板上的柵線7斷線時(shí)，可通過(guò)多次熔接第一部分51和柵線7、第一部分51和第二部分52的交疊處，形成導(dǎo)電的熔接點(diǎn)6來(lái)修復(fù)柵線7的斷線，同時(shí)該修復(fù)方法簡(jiǎn)便易行，不會(huì)對(duì)陣列基板的開(kāi)口率造成影響。
[0051]類似的，在本發(fā)明實(shí)施例的另一個(gè)具體實(shí)施場(chǎng)景中，以所述第一信號(hào)線I為數(shù)據(jù)線8，所述第二信號(hào)線2為柵線7為例進(jìn)行具體說(shuō)明:
[0052]其中，與圖2類似的，如圖4所示，兩條相鄰的數(shù)據(jù)線8設(shè)置于相鄰的兩列像素單元之間，連接結(jié)構(gòu)5設(shè)置在兩條相鄰的數(shù)據(jù)線8之間，則，結(jié)合圖4和圖5可知，其中，圖5為圖4中的B-B截面圖，若是數(shù)據(jù)線8斷線，可通過(guò)多次熔接第一部分51和柵線7、第一部分51和第二部分52的交疊處，形成導(dǎo)電的熔接點(diǎn)6修復(fù)數(shù)據(jù)線8的斷線，在此不再贅述。
[0053]需要說(shuō)明的是，本發(fā)明實(shí)施例前文中提及的薄膜晶體管3的結(jié)構(gòu)為底柵型薄膜晶體管，也可采用頂柵型薄膜晶體管，此時(shí)，數(shù)據(jù)線8位于柵線7下層。
[0054]本發(fā)明實(shí)施例進(jìn)一步還提供了一種顯示裝置，包括上述任意一種陣列基板。具體的，該顯示裝置可以為:液晶面板、電子紙、OLED面板、液晶電視、液晶顯示器、數(shù)碼相框、手機(jī)、平板電腦等具有任何顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0055]實(shí)施例二
[0056]本發(fā)明實(shí)施例提供一種實(shí)施例一所記載的陣列基板的維修方法，包括:
[0057]若第一信號(hào)線斷開(kāi)，連接連接結(jié)構(gòu)的第一部分與所述第一信號(hào)線的交疊處，同時(shí)連接所述第一部分與所述連接結(jié)構(gòu)的第二部分的交疊處。
[0058]具體的，可通過(guò)熔接的方法連接連接結(jié)構(gòu)的第一部分與所述第一信號(hào)線的交疊處，同時(shí)通過(guò)熔接的方法連接所述第一部分與所述連接結(jié)構(gòu)的第二部分的交疊處。
[0059]其中，熔接時(shí)，激光不僅可在第一部分和第一信號(hào)線的交疊處形成連通第一部分和第一信號(hào)線的過(guò)孔，而且還可利用瞬間高溫將第一部分熔化，使其填充進(jìn)過(guò)孔中，實(shí)現(xiàn)第一部分和第一信號(hào)的電連接。
[0060]類似的，激光也可使得第一部分和第二部分的交疊處熔接，從而實(shí)現(xiàn)第一部分和第二部分的電連接。
[0061]需要說(shuō)明的是，在實(shí)際生產(chǎn)操作中，可能需要通過(guò)數(shù)次熔接，直至將第一信號(hào)線的斷線修復(fù)為止。例如，如圖1所示的結(jié)構(gòu)中，需要經(jīng)過(guò)四次熔接，即將距離斷線處最近的第二部分52的兩端分別熔接至對(duì)應(yīng)的第一部分51上，并且將于第二部分52熔接的第一部分51分別熔接至對(duì)應(yīng)的與第一信號(hào)線I的交疊處，方可實(shí)現(xiàn)斷線修復(fù)。
[0062]具體的，第一信號(hào)線I可以是柵線7或是數(shù)據(jù)線8，因此，若柵線7斷開(kāi)，熔接連接結(jié)構(gòu)5的第一部分51與所述柵線7的交疊處，同時(shí)熔接所述第一部分51與所述連接結(jié)構(gòu)5的第二部分52的交疊處；或若數(shù)據(jù)線8斷開(kāi)，熔接連接結(jié)構(gòu)5的第一部分51與所述數(shù)據(jù)線8的交疊處，同時(shí)熔接所述第一部分51與所述連接結(jié)構(gòu)5的第二部分52的交疊處。
[0063]以上所述，僅為本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板，包括:在所述陣列基板上形成的第一信號(hào)線和第二信號(hào)線，所述第一信號(hào)線和所述第二信號(hào)線交叉定義多個(gè)像素單元，每一像素單元包括薄膜晶體管和像素電極，其特征在于，還包括:與所述第一信號(hào)線并排設(shè)置的連接結(jié)構(gòu)，其中， 所述連接結(jié)構(gòu)包括與所述第二信號(hào)線同層設(shè)置的第一部分和與所述像素電極同層設(shè)置的第二部分，所述第一信號(hào)線、第二信號(hào)線與所述像素電極分別不同層，所述第一部分與所述第一信號(hào)線部分交疊，所述第二部分與所述第一部分部分交疊，所述第一部分與所述第二部分間隔設(shè)置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于， 所述第二部分橫跨于所述第二信號(hào)線之上，所述第二部分與所述第二信號(hào)線之間設(shè)置有絕緣層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于， 兩條相鄰的第一信號(hào)線設(shè)置于相鄰的兩排或兩列像素單元之間，所述連接結(jié)構(gòu)與所述兩條相鄰的第一信號(hào)線并排設(shè)置，且所述連接結(jié)構(gòu)的第一部分與所述兩條相鄰的第一信號(hào)線均部分交疊。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于， 所述第一部分與所述第二信號(hào)線在同一次構(gòu)圖工藝中形成，所述第二部分與所述像素電極在同一次構(gòu)圖工藝中形成。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于， 所述第一信號(hào)線為柵線，所述第二信號(hào)線為數(shù)據(jù)線。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于， 所述第一信號(hào)線為數(shù)據(jù)線，所述第二信號(hào)線為柵線。
7.—種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的陣列基板。
8.—種陣列基板的維修方法，其特征在于，包括: 若第一信號(hào)線斷開(kāi)，連接連接結(jié)構(gòu)的第一部分與所述第一信號(hào)線的交疊處，同時(shí)連接所述第一部分與所述連接結(jié)構(gòu)的第二部分的交疊處。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的維修方法，其特征在于，所述連接連接結(jié)構(gòu)的第一部分與所述第一信號(hào)線的交疊處，同時(shí)連接所述第一部分與所述連接結(jié)構(gòu)的第二部分的交疊處包括: 通過(guò)熔接的方法連接連接結(jié)構(gòu)的第一部分與所述第一信號(hào)線的交疊處，同時(shí)通過(guò)熔接的方法連接所述第一部分與所述連接結(jié)構(gòu)的第二部分的交疊處。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的維修方法，其特征在于， 所述第一信號(hào)線為柵線。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的維修方法，其特征在于， 所述第一信號(hào)線為數(shù)據(jù)線。
【文檔編號(hào)】G02F1/1362GK103955097SQ201410122924
【公開(kāi)日】2014年7月30日 申請(qǐng)日期:2014年3月28日 優(yōu)先權(quán)日:2014年3月28日
【發(fā)明者】陳曦, 毛國(guó)琪, 李梁梁, 劉耀 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 北京京東方顯示技術(shù)有限公司