一種薄膜晶體管制作方法、系統(tǒng)及薄膜晶體管的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種薄膜晶體管制作方法、系統(tǒng)及薄膜晶體管，通過在驅(qū)動(dòng)基板上分別形成掃描線路層、絕緣層、氧化物半導(dǎo)體層及數(shù)據(jù)線路層，將掃描線路層上的掃描線路的一端、絕緣層以及數(shù)據(jù)線路層的轉(zhuǎn)接線的一端熔融在一起，使掃描線路層的掃描線路與轉(zhuǎn)接線連通，并將與掃描線路熔融后的轉(zhuǎn)接線的另一端與驅(qū)動(dòng)基板的控制器連接，實(shí)現(xiàn)了掃描線路與控制器的連接，并且，無需專門打孔即可實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)接線通過絕緣層，并使掃描線路、絕緣層、轉(zhuǎn)接線熔融在一起，使得工藝簡(jiǎn)單，并節(jié)約了成本。
【專利說明】一種薄膜晶體管制作方法、系統(tǒng)及薄膜晶體管
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電子紙領(lǐng)域，尤其涉及一種薄膜晶體管制作方法、系統(tǒng)及薄膜晶體管。
【背景技術(shù)】
[0002]電子紙技術(shù)多采用電泳顯示技術(shù)作為顯示面板，其顯示效果接近自然紙張效果，免于閱讀疲勞，然而，其需要額外的數(shù)字設(shè)備來閱讀，如電子詞典、個(gè)人電腦等。
[0003]目前，電子紙的顯示面板通常采用薄膜晶體管制作。
[0004]薄膜晶體管包括基板、掃描線路層、絕緣層、數(shù)據(jù)線路層，其中，掃描線路層是由在基板上形成的柵電極圖案、與柵電極圖案連接的柵線、掃描線組成的。
[0005]通常掃描線路是通過轉(zhuǎn)接線與驅(qū)動(dòng)基板的控制器連接的，而轉(zhuǎn)接線是設(shè)置于數(shù)據(jù)線路層的，要實(shí)現(xiàn)掃描線路通過轉(zhuǎn)接線與基板的控制器連接，需要使轉(zhuǎn)接線穿過絕緣層，這就需要打穿絕緣層。
[0006]顯然，通過打穿絕緣層來實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)接線穿過絕緣層，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)掃描線路通過轉(zhuǎn)接線與基板的控制器的連接需要浪費(fèi)人力，并且，工藝制作過程復(fù)雜。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0007]有鑒于此，本發(fā)明提供一種薄膜晶體管制作方法、系統(tǒng)及薄膜晶體管，以解決現(xiàn)有技術(shù)中實(shí)現(xiàn)掃描線路通過轉(zhuǎn)接線與基板的控制器連接的工藝過程復(fù)雜，不易實(shí)現(xiàn)的問題，其具體方案如下:
[0008]一種薄膜晶體管制作方法，包括:
[0009]選取驅(qū)動(dòng)基板；
[0010]在所述驅(qū)動(dòng)基板上沉積金屬導(dǎo)電膜層，形成柵電極圖案、與柵電極圖案相連的掃描線路，所述柵電極圖案及掃描線路位于掃描線路層上；
[0011]在所述掃描線路層上方設(shè)置絕緣層；
[0012]在所述絕緣層上方形成氧化物半導(dǎo)體層；
[0013]在所述氧化物半導(dǎo)體層上設(shè)置數(shù)據(jù)線路層，所述數(shù)據(jù)線路層設(shè)置有源電極、漏電極、數(shù)據(jù)線路及轉(zhuǎn)接線；
[0014]通過熔融方式使掃描線路的一端、轉(zhuǎn)接線的一頓及絕緣層熔融在一起；
[0015]所述與掃描線路熔融后的轉(zhuǎn)接線的另一端與驅(qū)動(dòng)基板的控制器相連。
[0016]進(jìn)一步的，通過熔融方式使掃描線路的一端、轉(zhuǎn)接線的一端及絕緣層熔融在一起，具體為:
[0017]通過激光熔融方式使掃描線路的一端、轉(zhuǎn)接線的一端及絕緣層熔融在一起。
[0018]進(jìn)一步的，在所述驅(qū)動(dòng)基板上沉積金屬導(dǎo)電膜層，形成柵電極圖案、與柵電極圖案相連的掃描線路，具體為:
[0019]在所述驅(qū)動(dòng)基板上沉積金屬導(dǎo)電膜層，采用黃光、蝕刻方式形成柵電極圖案、與柵電極圖案相連的掃描線路。
[0020]一種薄膜晶體管制作系統(tǒng)，包括:選取單元，與所述選取單元相連的第一制作單元，與所述第一制作單元相連的第二制作單元，與所述第二制作單元相連的第三制作單元，與所述第三制作單元相連第四制作單元，與所述第四制作單元相連的熔融模塊，
[0021 ] 所述選取單元用于選取驅(qū)動(dòng)基板；
[0022]所述第一制作單元用于在所述驅(qū)動(dòng)基板上沉積金屬導(dǎo)電膜層，形成柵電極圖案、與柵電極圖案相連的掃描線路，所述柵電極圖案及掃描線路位于掃描線路層上；
[0023]所述第二制作單元用于在所述掃描線路層上方設(shè)置絕緣層；
[0024]所述第三制作單元用于在所述絕緣層上方形成氧化物半導(dǎo)體層；
[0025]所述第四制作單元用于在所述氧化物半導(dǎo)體層上方設(shè)置數(shù)據(jù)線路層，所述數(shù)據(jù)線路層設(shè)置有源電極、漏電極、數(shù)據(jù)線路及轉(zhuǎn)接線；
[0026]所述熔融模塊用于通過熔融方式將掃描線路的一端、轉(zhuǎn)接線的一端與絕緣層熔融在一起，并使與所述掃描線路熔融后的轉(zhuǎn)接線的另一端與驅(qū)動(dòng)基板的控制器相連。
[0027]進(jìn)一步的，所述熔融模塊具體為:激光器，
[0028]所述激光器通過熔融方式將掃描線路的一端、轉(zhuǎn)接線的一端與絕緣層熔融在一起，并使與所述掃描線路熔融后的轉(zhuǎn)接線的另一端與驅(qū)動(dòng)基板的控制器相連。
[0029]進(jìn)一步的，還包括:與所述第一制作單元相連的蝕刻單元，
[0030]所述蝕刻單元用于在所述第一制作單元在所述驅(qū)動(dòng)基板上沉積金屬導(dǎo)電膜層之后，利用黃光、蝕刻方式形成柵電極圖案及掃描線路。
[0031]一種薄膜晶體管，包括:由下至上依次設(shè)置的驅(qū)動(dòng)基板、掃描線路層單元、絕緣層單元、半導(dǎo)體層單元及數(shù)據(jù)線路層單元，其中，所述掃描線路層單元設(shè)置于所述驅(qū)動(dòng)基板上，
[0032]所述掃描線路層單元包括:柵電極圖案、與柵電極圖案相連的掃描線路；
[0033]所述數(shù)據(jù)線路層單元包括:源電極、漏電極、數(shù)據(jù)線路和轉(zhuǎn)接線；
[0034]所述掃描線路的一端、轉(zhuǎn)接線的一端及絕緣層熔融在一起，使所述與掃描線路熔融后的轉(zhuǎn)接線的另一端與驅(qū)動(dòng)基板的控制器相連。
[0035]進(jìn)一步的，所述掃描線路層單元具體為:
[0036]在所述驅(qū)動(dòng)基板上沉積金屬導(dǎo)電膜層，采用黃光、蝕刻方式形成柵電極圖案、與柵電極圖案相連的掃描線路。
[0037]從上述技術(shù)方案可以看出，本申請(qǐng)公開的薄膜晶體管制作方法、系統(tǒng)及薄膜晶體管，通過在驅(qū)動(dòng)基板上分別形成掃描線路層、絕緣層及數(shù)據(jù)線路層，將掃描線路層上的掃描線路的一端、絕緣層以及數(shù)據(jù)線路層的轉(zhuǎn)接線的一端熔融在一起，使掃描線路層的掃描線路與轉(zhuǎn)接線連通，并將與掃描線路熔融后的轉(zhuǎn)接線的另一端與驅(qū)動(dòng)基板的控制器連接，實(shí)現(xiàn)了掃描線路與控制器的連接，并且，無需專門打孔即可實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)接線通過絕緣層，并使柵線、絕緣層、轉(zhuǎn)接線熔融在一起，使得工藝簡(jiǎn)單，并節(jié)約了成本。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0038]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0039]圖1為本發(fā)明實(shí)施例公開的一種薄膜晶體管制作方法的流程圖；
[0040]圖2為本發(fā)明實(shí)施例公開的一種薄膜晶體管制作系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0041]圖3為本發(fā)明實(shí)施例公開的一種薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0042]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0043]本發(fā)明公開了一種薄膜晶體管制作方法，其流程圖如圖1所示，包括:
[0044]步驟SI 1、選取驅(qū)動(dòng)基板；
[0045]步驟S12、在驅(qū)動(dòng)基板上沉積金屬導(dǎo)電膜層，形成柵電極圖案、與柵電極圖案相連的掃描線路，柵電極圖案及掃描線路位于掃描線路層上；
[0046]具體為:在驅(qū)動(dòng)基板上沉積金屬導(dǎo)電膜層，采用黃光、蝕刻方式形成柵電極圖案、與柵電極圖案連接的掃描線路。
[0047]步驟S13、在掃描線路層上方設(shè)置絕緣層；
[0048]步驟S14、在絕緣層上方形成氧化物半導(dǎo)體層；
[0049]步驟S15、在氧化物半導(dǎo)體層上方設(shè)置數(shù)據(jù)線路層，數(shù)據(jù)線路層設(shè)置有源電極、漏電極、數(shù)據(jù)線路及轉(zhuǎn)接線；
[0050]步驟S16、通過熔融方式使掃描線路的一端、轉(zhuǎn)接線的一端及絕緣層熔融在一起；
[0051]熔融，即溫度升高時(shí)，分子熱運(yùn)動(dòng)的動(dòng)能增加，導(dǎo)致結(jié)晶破壞，物質(zhì)由晶相變?yōu)橐合嗟倪^程。
[0052]而實(shí)現(xiàn)物質(zhì)熔融的方式有多種，此處，采用激光熔融的方式。
[0053]步驟S17、與掃描線路熔融后的轉(zhuǎn)接線的另一端與驅(qū)動(dòng)基板的控制器相連。
[0054]本實(shí)施例公開的薄膜晶體管制作方法，通過在驅(qū)動(dòng)基板上分別形成掃描線路層、絕緣層及數(shù)據(jù)線路層，將掃描線路層上的掃描線路的一端、絕緣層以及數(shù)據(jù)線路層的轉(zhuǎn)接線的一端熔融在一起，使掃描線路層的掃描線路與轉(zhuǎn)接線連通，并將與掃描線路熔融后的轉(zhuǎn)接線的另一端與驅(qū)動(dòng)基板的控制器連接，實(shí)現(xiàn)了掃描線路與控制器的連接，并且，無需專門打孔即可實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)接線通過絕緣層，并使柵線、絕緣層、轉(zhuǎn)接線熔融在一起，使得工藝簡(jiǎn)單，并節(jié)約了成本。
[0055]本實(shí)施例公開了一種薄膜晶體管制作系統(tǒng)，其結(jié)構(gòu)示意圖如圖2所示，包括:
[0056]選取單元21，與選取單元21相連的第一制作單元22，與第一制作單元22相連的第二制作單元23，與第二制作單元23相連的第三制作單元24，與第三制作單元24相連的第四制作單元25，與第四制作單元25相連的熔融模塊26。
[0057]選取單元21用于選取驅(qū)動(dòng)基板。
[0058]第一制作單元22用于在驅(qū)動(dòng)基板上沉積金屬導(dǎo)電膜層，形成柵電極圖案、與柵電極圖案相連的掃描線路，其中，柵電極圖案和掃描線路位于掃描線路層上。
[0059]具體的，本實(shí)施例公開的薄膜晶體管制作系統(tǒng)，還可以包括:蝕刻單元。
[0060]蝕刻單元用于在第一制作單元在驅(qū)動(dòng)基板上將沉積金屬導(dǎo)電膜層之后，利用黃光、蝕刻方式形成柵電極圖案及掃描線路。
[0061]第二制作單元23用于在掃描線路層上方設(shè)置絕緣層。
[0062]第三制作單元24用于在絕緣層上方形成氧化物半導(dǎo)體層。
[0063]第四制作單元25用于在氧化物半導(dǎo)體層上方設(shè)置數(shù)據(jù)線路層，數(shù)據(jù)線路層設(shè)置有源電極、漏電極、數(shù)據(jù)線路及轉(zhuǎn)接線。
[0064]熔融模塊26用于通過熔融方式將掃描線路的一端、轉(zhuǎn)接線的一端與絕緣層熔融在一起，并使與掃描線路熔融后的轉(zhuǎn)接線的另一端與驅(qū)動(dòng)基板的控制器相連。
[0065]熔融模塊26具體可以為激光器，由激光器通過熔融方式將掃描線路的一端、轉(zhuǎn)接線的一端及絕緣層熔融在一起，使掃描線路與轉(zhuǎn)接線連通，并使與掃描線路熔融后的轉(zhuǎn)接線的另一端與驅(qū)動(dòng)基板的控制器相連，即實(shí)現(xiàn)了掃描線路與驅(qū)動(dòng)基板的控制器的連接。
[0066]本實(shí)施例公開的薄膜晶體管制作系統(tǒng)，通過在驅(qū)動(dòng)基板上分別形成掃描線路層、絕緣層及數(shù)據(jù)線路層，將掃描線路層上的掃描線路的一端、絕緣層以及數(shù)據(jù)線路層的轉(zhuǎn)接線的一端熔融在一起，使掃描線路層的掃描線路與轉(zhuǎn)接線連通，并將與掃描線路熔融后的轉(zhuǎn)接線的另一端與驅(qū)動(dòng)基板的控制器連接，實(shí)現(xiàn)了掃描線路與控制器的連接，并且，無需專門打孔即可實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)接線通過絕緣層，并使柵線、絕緣層、轉(zhuǎn)接線熔融在一起，使得工藝簡(jiǎn)單，并節(jié)約了成本。
[0067]本實(shí)施例公開了一種薄膜晶體管，其結(jié)構(gòu)示意圖如圖3所示，包括:
[0068]驅(qū)動(dòng)基板31，掃描線路層單元32，絕緣層單元33，半導(dǎo)體層單元34及數(shù)據(jù)線路層單元35。
[0069]其中，驅(qū)動(dòng)基板31，掃描線路層單元32，絕緣層單元33，半導(dǎo)體層單元34及數(shù)據(jù)線路層單元35由下至上依次設(shè)置，并且，掃描線路層單元32設(shè)置于驅(qū)動(dòng)基板31上。
[0070]掃描線路層單元32包括:柵電極圖案、與柵電極圖案相連的掃描線路。
[0071]具體的，掃描線路層單元的形成為:在驅(qū)動(dòng)基板上沉積金屬導(dǎo)電膜層，采用黃光、蝕刻方式形成柵電極圖案、與柵電極圖案相連的掃描線路，即形成了掃描線路層單元。
[0072]數(shù)據(jù)線路層單元35包括:源電極、漏電極、數(shù)據(jù)線路和轉(zhuǎn)接線。
[0073]其中，掃描線路的一端、轉(zhuǎn)接線的一端及絕緣層熔融在一起，使掃描線路與轉(zhuǎn)接線連通，同時(shí)，使與掃描線路熔融后的轉(zhuǎn)接線的另一端與驅(qū)動(dòng)基板的控制器相連，實(shí)現(xiàn)掃描線路與驅(qū)動(dòng)基板的控制器的連接，通過熔融方式將掃描線路、轉(zhuǎn)接線、絕緣層熔融在一起，避免了對(duì)絕緣層的單獨(dú)打孔及連接，直接融合在一起，實(shí)現(xiàn)電氣連接。
[0074]本實(shí)施例公開的薄膜晶體管，通過在驅(qū)動(dòng)基板上分別形成掃描線路層、絕緣層及數(shù)據(jù)線路層，將掃描線路層上的掃描線路的一端、絕緣層以及數(shù)據(jù)線路層的轉(zhuǎn)接線的一端熔融在一起，使掃描線路層的掃描線路與轉(zhuǎn)接線連通，并將與掃描線路熔融后的轉(zhuǎn)接線的另一端與驅(qū)動(dòng)基板的控制器連接，實(shí)現(xiàn)了掃描線路與控制器的連接，并且，無需專門打孔即可實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)接線通過絕緣層，并使柵線、絕緣層、轉(zhuǎn)接線熔融在一起，使得工藝簡(jiǎn)單，并節(jié)約了成本。
[0075]本說明書中各個(gè)實(shí)施例采用遞進(jìn)的方式描述，每個(gè)實(shí)施例重點(diǎn)說明的都是與其他實(shí)施例的不同之處，各個(gè)實(shí)施例之間相同相似部分互相參見即可。對(duì)于實(shí)施例公開的裝置而言，由于其與實(shí)施例公開的方法相對(duì)應(yīng)，所以描述的比較簡(jiǎn)單，相關(guān)之處參見方法部分說明即可。
[0076]專業(yè)人員還可以進(jìn)一步意識(shí)到，結(jié)合本文中所公開的實(shí)施例描述的各示例的單元及算法步驟，能夠以電子硬件、計(jì)算機(jī)軟件或者二者的結(jié)合來實(shí)現(xiàn)，為了清楚地說明硬件和軟件的可互換性，在上述說明中已經(jīng)按照功能一般性地描述了各示例的組成及步驟。這些功能究竟以硬件還是軟件方式來執(zhí)行，取決于技術(shù)方案的特定應(yīng)用和設(shè)計(jì)約束條件。專業(yè)技術(shù)人員可以對(duì)每個(gè)特定的應(yīng)用來使用不同方法來實(shí)現(xiàn)所描述的功能，但是這種實(shí)現(xiàn)不應(yīng)認(rèn)為超出本發(fā)明的范圍。
[0077]結(jié)合本文中所公開的實(shí)施例描述的方法或算法的步驟可以直接用硬件、處理器執(zhí)行的軟件模塊，或者二者的結(jié)合來實(shí)施。軟件模塊可以置于隨機(jī)存儲(chǔ)器(RAM)、內(nèi)存、只讀存儲(chǔ)器(ROM)、電可編程ROM、電可擦除可編程ROM、寄存器、硬盤、可移動(dòng)磁盤、CD-ROM、或【技術(shù)領(lǐng)域】?jī)?nèi)所公知的任意其它形式的存儲(chǔ)介質(zhì)中。
[0078]對(duì)所公開的實(shí)施例的上述說明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。對(duì)這些實(shí)施例的多種修改對(duì)本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會(huì)被限制于本文所示的這些實(shí)施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種薄膜晶體管制作方法，其特征在于，包括: 選取驅(qū)動(dòng)基板； 在所述驅(qū)動(dòng)基板上沉積金屬導(dǎo)電膜層，形成柵電極圖案、與柵電極圖案相連的掃描線路，所述柵電極圖案及掃描線路位于掃描線路層上； 在所述掃描線路層上方設(shè)置絕緣層； 在所述絕緣層上方形成氧化物半導(dǎo)體層； 在所述氧化物半導(dǎo)體層上設(shè)置數(shù)據(jù)線路層，所述數(shù)據(jù)線路層設(shè)置有源電極、漏電極、數(shù)據(jù)線路及轉(zhuǎn)接線； 通過熔融方式使掃描線路的一端、轉(zhuǎn)接線的一端及絕緣層熔融在一起； 所述與掃描線路熔融后的轉(zhuǎn)接線的另一端與驅(qū)動(dòng)基板的控制器相連。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，通過熔融方式使掃描線路的一端、轉(zhuǎn)接線及絕緣層熔融在一起，具體為: 通過激光熔融方式使掃描線路的一端、轉(zhuǎn)接線的一端及絕緣層熔融在一起。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述驅(qū)動(dòng)基板上沉積金屬導(dǎo)電膜層，形成柵電極圖案、與柵電極圖案相連的掃描線路，具體為: 在所述驅(qū)動(dòng)基板上沉積金屬導(dǎo)電膜層，采用黃光、蝕刻方式形成柵電極圖案、與柵電極圖案相連的掃描線路。
4.一種薄膜晶體管制作系統(tǒng)，其特征在于，包括:選取單元，與所述選取單元相連的第一制作單元，與所述第一制作單元相連的第二制作單元，與所述第二制作單元相連的第三制作單元，與所述第三制作單元相連第四制作單元，與所述第四制作單元相連的熔融模塊， 所述選取單元用于選取驅(qū)動(dòng)基板； 所述第一制作單元用于在所述驅(qū)動(dòng)基板上沉積金屬導(dǎo)電膜層，形成柵電極圖案、與柵電極圖案相連的掃描線路，所述柵電極圖案及掃描線路位于掃描線路層上； 所述第二制作單元用于在所述掃描線路層上方設(shè)置絕緣層； 所述第三制作單元用于在所述絕緣層上方形成氧化物半導(dǎo)體層； 所述第四制作單元用于在所述氧化物半導(dǎo)體層上方設(shè)置數(shù)據(jù)線路層，所述數(shù)據(jù)線路層設(shè)置有源電極、漏電極、數(shù)據(jù)線路及轉(zhuǎn)接線； 所述熔融模塊用于通過熔融方式將掃描線路的一端、轉(zhuǎn)接線的一端與絕緣層熔融在一起，并使與所述掃描線路熔融后的轉(zhuǎn)接線的另一端與驅(qū)動(dòng)基板的控制器相連。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述熔融模塊具體為:激光器， 所述激光器通過熔融方式將掃描線路的一端、轉(zhuǎn)接線的一端與絕緣層熔融在一起，并使與所述掃描線路熔融后的轉(zhuǎn)接線的另一端與驅(qū)動(dòng)基板的控制器相連。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的系統(tǒng)，其特征在于，還包括:與所述第一制作單元相連的蝕刻單元， 所述蝕刻單元用于在所述第一制作單元在所述驅(qū)動(dòng)基板上沉積金屬導(dǎo)電膜層之后，利用黃光、蝕刻方式形成柵電極圖案及掃描線路。
7.一種薄膜晶體管，其特征在于，包括:由下至上依次設(shè)置的驅(qū)動(dòng)基板、掃描線路層單元、絕緣層單元、半導(dǎo)體層單元及數(shù)據(jù)線路層單元，其中，所述掃描線路層單元設(shè)置于所述驅(qū)動(dòng)基板上， 所述掃描線路層單元包括:柵電極圖案、與柵電極圖案相連的掃描線路； 所述數(shù)據(jù)線路層單元包括:源電極、漏電極、數(shù)據(jù)線路和轉(zhuǎn)接線； 所述掃描線路的一端、轉(zhuǎn)接線的一端及絕緣層熔融在一起，使所述與掃描線路的一端熔融后的轉(zhuǎn)接線的另一端與驅(qū)動(dòng)基板的控制器相連。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述掃描線路層單元具體為: 在所述驅(qū)動(dòng)基板上沉積金屬導(dǎo)電膜層，采用黃光、蝕刻方式形成柵電極圖案、與柵電極圖案相連的掃描線路。
【文檔編號(hào)】G02F1/167GK104183502SQ201410424006
【公開日】2014年12月3日 申請(qǐng)日期:2014年8月26日 優(yōu)先權(quán)日:2014年8月26日
【發(fā)明者】王金科, 劉丹軍, 包順 申請(qǐng)人:湖南普照愛伯樂平板顯示器件有限公司