高效制作高精度多臺階微透鏡陣列的方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種高效制作高精度多臺階微透鏡陣列的方法，將待制作的臺階陣列分為若干組，包括第一組、第二組，第一組與第二組首尾相接，每組的各臺階是深度連續(xù)的；同步制作第一組與第二組的各臺階，形成對應(yīng)深度相同的兩組臺階；將第二組臺階整體刻蝕一定的深度，與第一組臺階形成深度連續(xù)的臺階陣列。采用本發(fā)明的方法，分組同步制作，大大提升了制作效率，節(jié)省了成本。
【專利說明】高效制作高精度多臺階微透鏡陣列的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及一種制作多臺階微透鏡陣列的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]微透鏡陣列是一系列直徑為毫米、微米量級的微小型透鏡按一定排列組成的陣列。微光學(xué)技術(shù)所制造出的微透鏡與微透鏡陣列以其體積小、重量輕、便于集成化、陣列化等優(yōu)點(diǎn)，已成為新的科研發(fā)展方向。
[0003]隨著現(xiàn)代信息技術(shù)的迅猛發(fā)展，微透鏡在各個領(lǐng)域的應(yīng)用日趨廣泛。從目前來看，微透鏡無論在軍事上還是在民用上都發(fā)揮著舉足輕重的作用。在日、美、英、德等一些發(fā)達(dá)國家，對微透鏡的研究已經(jīng)引起政府部門的高度重視，競相投資發(fā)展這一光學(xué)前沿領(lǐng)域及其在軍事上，如紅外探測、精確制導(dǎo)、偵察、搜索和預(yù)警以及夜間和惡劣天氣時的作戰(zhàn)輔助等方面的應(yīng)用。在民用領(lǐng)域，微透鏡也已應(yīng)用在復(fù)印機(jī)、圖像掃描器、傳真機(jī)、照相機(jī)以及醫(yī)療衛(wèi)生器械中。利用微透鏡可以匯聚光線、提高器件的填空因子，解決由于面陣探測器像元尺寸要求的不斷減小而出現(xiàn)的光學(xué)串音、填充因子不高及探測靈敏度下降等問題。
[0004]衍射微透鏡是根據(jù)菲涅爾波帶片原理設(shè)計的，制作環(huán)狀臺階，每個環(huán)狀臺階以光軸為中心，每一個圓環(huán)都相當(dāng)于一個獨(dú)立的折射面，這些圓形環(huán)帶均能使入射光線會聚到同一個焦點(diǎn).臺階數(shù)越多，其衍射效率就越高。
[0005]微透鏡陣列常采用光刻刻蝕的制作方法。自二元光學(xué)提出以來，套刻法技術(shù)特別適合于衍射微透鏡陣列的制作，其中微透鏡的邊界容易做到整齊和尖銳，填充系數(shù)可達(dá)100 %，而且重量輕、造價低、易于微型化、陣列化。
[0006]傳統(tǒng)的制作方法其精度是由掩膜版來保證的。由于在光刻過程中曝光精度、對準(zhǔn)精度及顯影精度的影響及誤差等問題，微透鏡累積誤差更大，嚴(yán)重降低了其衍射效率等光學(xué)性能。所以利用傳統(tǒng)的制作方法很難制作高精度的微透鏡。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0007]本發(fā)明的目的是提供一種制作多臺階微透鏡陣列的方法，用以解決現(xiàn)有制作方法制作時間長、成本高的問題。
[0008]為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的方案包括:
[0009]高效制作高精度多臺階微透鏡陣列的方法，在基底上等間隔制作出初始深度的臺階，然后將待制作的臺階陣列分為若干組，包括第一組、第二組，第一組與第二組首尾相接，每組的各臺階是深度連續(xù)的；同步制作第一組與第二組的各臺階，形成對應(yīng)深度相同的兩組臺階；將第二組臺階整體刻蝕一定的深度，與第一組臺階形成深度連續(xù)的臺階陣列。
[0010]所述制作多臺階微透鏡陣列的方法適用于犧牲層制作方式或者背面曝光制作方式；在工序中采用遮擋層或不采用遮擋層。
[0011]制作過程中，對已刻蝕完成的臺階區(qū)域進(jìn)行保護(hù)，對未保護(hù)區(qū)域進(jìn)行刻蝕；在工序中采用遮擋層或不采用遮擋層。
[0012]所述犧牲層制作方式為:在制作層上表面制作犧牲層，在犧牲層上表面制作遮擋層，在遮擋層上表面旋涂光刻膠，用掩膜版遮擋非光刻區(qū)域，只露出第一光刻區(qū)域、第三光刻區(qū)域、第五光刻區(qū)域、第七光刻區(qū)域、第九光刻區(qū)域、第十一光刻區(qū)域、第十三光刻區(qū)域、第十五光刻區(qū)域，對所述第一光刻區(qū)域、第三光刻區(qū)域、第五光刻區(qū)域、第七光刻區(qū)域、第九光刻區(qū)域、第十一光刻區(qū)域、第十三光刻區(qū)域、第十五光刻區(qū)域去掉遮擋層和犧牲層后，進(jìn)行刻蝕，獲得擁有平齊的第一臺面、第三準(zhǔn)臺面、第五準(zhǔn)臺面、第七次臺面、第九臺面、第十一準(zhǔn)臺面、第十三準(zhǔn)臺面、第十五準(zhǔn)臺面的第一半成品；
[0013]在所述第一半成品上表面制作光刻膠，用掩膜版遮擋非光刻區(qū)域，只露出第三光刻區(qū)域和所述第三光刻區(qū)域的鄰接區(qū)域、第七光刻區(qū)域和所述第七光刻區(qū)域的鄰接區(qū)域、第十一光刻區(qū)域和所述第十一光刻區(qū)域的鄰接區(qū)域以及第十五光刻區(qū)域和所述第十五光刻區(qū)域的鄰接區(qū)域，去掉第三光刻區(qū)域和第三光刻區(qū)域鄰接區(qū)域表面光刻膠，第七光刻區(qū)域和所述第七光刻區(qū)域的鄰接區(qū)域表面的光刻膠，第十一光刻區(qū)域和所述第十一光刻區(qū)域的鄰接區(qū)域表面的光刻膠，以及第十五光刻區(qū)域和所述第十五光刻區(qū)域的鄰接區(qū)域表面的光刻膠，對第三光刻區(qū)域、第七光刻區(qū)域、第十一光刻區(qū)域和第十五光刻區(qū)域進(jìn)行刻蝕，獲得比第一臺面更低的第三臺面、第七準(zhǔn)臺面、第十一準(zhǔn)臺面和第十五準(zhǔn)臺面，去掉剩余的光刻膠，獲得第二半成品；
[0014]在所述第二半成品上表面制作保護(hù)層，剝離第二半成品上剩余的犧牲層和遮擋層，以及除第一臺面、第三臺面、第五準(zhǔn)臺面、第七準(zhǔn)臺面、第九準(zhǔn)臺面、第十一準(zhǔn)臺面、第十三準(zhǔn)臺面和第十五準(zhǔn)臺面上表面的保護(hù)層，在保留第一臺面、第三臺面、第五準(zhǔn)臺面、第七準(zhǔn)臺面、第九準(zhǔn)臺面、第十一準(zhǔn)臺面、第十三準(zhǔn)臺面和第十五準(zhǔn)臺面上表面的保護(hù)層的第二半成品上表面制作犧牲層，在犧牲層上表面制作遮擋層，在遮擋層上表面制作光刻膠，用掩膜版遮擋非光刻區(qū)域，只露出第二光刻區(qū)域和第二光刻區(qū)域鄰接區(qū)域、第六光刻區(qū)域和第六光刻區(qū)域鄰接區(qū)域、第十光刻區(qū)域和第十光刻區(qū)域鄰接區(qū)域以及第十四光刻區(qū)域和第十四光刻區(qū)域鄰接區(qū)域，對所述第二光刻區(qū)域、第六光刻區(qū)域、第十光刻區(qū)域和第十四光刻區(qū)域去掉遮擋層和犧牲層后，進(jìn)行刻蝕，獲得比第一臺面低且比第三臺面高的第二臺面、第六準(zhǔn)臺面、第十準(zhǔn)臺面和第十四準(zhǔn)臺面，去掉剩余的保護(hù)層，獲得第三半成品；
[0015]在所述第三半成品上表面制作光刻膠，用掩膜版遮擋非光刻區(qū)域，只露出第五光刻區(qū)域、第六光刻區(qū)域、第七光刻區(qū)域、第十三光刻區(qū)域、第十四光刻區(qū)域和第十五光刻區(qū)域，對所述第五光刻區(qū)域、第六光刻區(qū)域、第七光刻區(qū)域、第十三光刻區(qū)域、第十四光刻區(qū)域和第十五光刻區(qū)域進(jìn)行刻蝕，獲得依次降低的第五臺面、第六臺面、第七臺面、第十三準(zhǔn)臺面、第十四準(zhǔn)臺面和第十五準(zhǔn)臺面的第四半成品；
[0016]在所述第四半成品上表面制作保護(hù)層，剝離第四半成品上剩余的犧牲層和遮擋層，以及除第四臺面、第十二臺面上表面的保護(hù)層，在保留第二臺面、第三臺面、第五臺面、第六臺面、第七臺面、第八臺面、第九臺面、第十臺面、第十一臺面、第十三臺面、第十四臺面、第十五臺面上表面的保護(hù)層的第四半成品上表面制作犧牲層，在犧牲層上表面制作遮擋層，在遮擋層上表面制作光刻膠，用掩膜版遮擋非光刻區(qū)域，只露出第四光刻區(qū)域和第四光刻區(qū)域鄰接區(qū)域，第十二光刻區(qū)域和第十二光刻區(qū)域鄰接區(qū)域，對所述第四光刻區(qū)域、第十二光刻區(qū)域去掉遮擋層和犧牲層后，進(jìn)行刻蝕，獲得比第三臺面低且比第五臺面高的第四臺面，比第十一臺面低且比第十三臺面高的第十二準(zhǔn)臺面，獲得第五半成品；
[0017]在所述第五半成品上表面制作光刻膠，用掩膜版遮擋非光刻區(qū)域，只露出第九光刻區(qū)域、第十光刻區(qū)域、第十一光刻區(qū)域、第十二光刻區(qū)域、第十三光刻區(qū)域、第十四光刻區(qū)域和第十五光刻區(qū)域，對所述第九光刻區(qū)域、第十光刻區(qū)域、第十一光刻區(qū)域、第十二光刻區(qū)域、第十三光刻區(qū)域、第十四光刻區(qū)域和第十五光刻區(qū)域進(jìn)行刻蝕，獲得依次降低的第九臺面、第十臺面、第十一臺面、第十二臺面、第十三臺面、第十四臺面和第十五臺面的第六半成品；
[0018]在所述第六半成品上表面制作保護(hù)層，剝離第五半成品上剩余的犧牲層和遮擋層，以及除第九臺面上表面的保護(hù)層，在保留第一臺面、第二、第三臺面、第四臺面、第五臺面、第六臺面、第七臺面、第九臺面、第十臺面、第十一臺面、第十二臺面、第十三臺面、第十四臺面、第十五臺面上表面的保護(hù)層的第六半成品上表面制作光刻膠，用掩膜版遮擋非光刻區(qū)域，只露出第八光刻區(qū)域和第八光刻區(qū)域鄰接區(qū)域，對第八光刻區(qū)域進(jìn)行刻蝕，獲得比第七臺面低且比第九臺面高的第八臺面，去掉剩余的保護(hù)層，獲得上表面有十六個階梯臺面的制作層。
[0019]所述犧牲層采用聚酰亞胺或者光刻膠，所述遮擋層采用鉻，所述保護(hù)層采用二氧化硅。
[0020]制作層為石英、硅、鍺。
[0021]所述背面曝光方式為:在制作層上表面制作遮擋層，在遮擋層上表面旋涂正性光刻膠，用掩膜版遮擋非光刻區(qū)域，只露出第一光刻區(qū)域、第三光刻區(qū)域、第五光刻區(qū)域、第七光刻區(qū)域、第九光刻區(qū)域、第十一光刻區(qū)域、第十三光刻區(qū)域、第十五光刻區(qū)域，對所述第一光刻區(qū)域、第三光刻區(qū)域、第五光刻區(qū)域、第七光刻區(qū)域、第九光刻區(qū)域、第十一光刻區(qū)域、第十三光刻區(qū)域、第十五光刻區(qū)域去掉遮擋層后，進(jìn)行刻蝕，獲得擁有平齊的第一臺面、第三準(zhǔn)臺面、第五準(zhǔn)臺面、第七次臺面、第九臺面、第十一準(zhǔn)臺面、第十三準(zhǔn)臺面、第十五準(zhǔn)臺面的第一半成品；
[0022]在所述第一半成品上表面制作正性光刻膠，用掩膜版遮擋非光刻區(qū)域，只露出第三光刻區(qū)域和所述第三光刻區(qū)域的鄰接區(qū)域、第七光刻區(qū)域和所述第七光刻區(qū)域的鄰接區(qū)域、第十一光刻區(qū)域和所述第十一光刻區(qū)域的鄰接區(qū)域以及第十五光刻區(qū)域和所述第十五光刻區(qū)域的鄰接區(qū)域，去掉第三光刻區(qū)域和第三光刻區(qū)域鄰接區(qū)域表面的正性光刻膠，第七光刻區(qū)域和所述第七光刻區(qū)域的鄰接區(qū)域表面的正性光刻膠，第十一光刻區(qū)域和所述第十一光刻區(qū)域的鄰接區(qū)域表面的正性光刻膠，以及第十五光刻區(qū)域和所述第十五光刻區(qū)域的鄰接區(qū)域表面的正性光刻膠，對第三光刻區(qū)域、第七光刻區(qū)域、第十一光刻區(qū)域和第十五光刻區(qū)域進(jìn)行刻蝕，獲得比第一臺面更低的第三臺面、第七準(zhǔn)臺面、第十一準(zhǔn)臺面和第十五準(zhǔn)臺面，去掉剩余的正性光刻膠，獲得第二半成品；
[0023]在所述第二半成品上表面制作保護(hù)層，通過背面曝光顯影保留第一臺面、第三臺面、第五準(zhǔn)臺面、第七準(zhǔn)臺面、第九準(zhǔn)臺面、第十一準(zhǔn)臺面、第十三準(zhǔn)臺面和第十五準(zhǔn)臺面上表面的保護(hù)層的第二半成品上表面制作正性光刻膠，用掩膜版遮擋非光刻區(qū)域，只露出第二光刻區(qū)域和第二光刻區(qū)域鄰接區(qū)域、第六光刻區(qū)域和第六光刻區(qū)域鄰接區(qū)域、第十光刻區(qū)域和第十光刻區(qū)域鄰接區(qū)域以及第十四光刻區(qū)域和第十四光刻區(qū)域鄰接區(qū)域，對第二光刻區(qū)域、第六光刻區(qū)域、第十光刻區(qū)域和第十四光刻區(qū)域去掉遮擋層后，進(jìn)行刻蝕，獲得比第一臺面低且比第三臺面高的第二臺面、第六準(zhǔn)臺面、第十準(zhǔn)臺面和第十四準(zhǔn)臺面，去掉剩余的保護(hù)層，獲得第三半成品；
[0024]在所述第三半成品上表面制作正性光刻膠，用掩膜版遮擋非光刻區(qū)域，只露出第五光刻區(qū)域、第六光刻區(qū)域、第七光刻區(qū)域、第十三光刻區(qū)域、第十四光刻區(qū)域和第十五光刻區(qū)域，對所述第五光刻區(qū)域、第六光刻區(qū)域、第七光刻區(qū)域、第十三光刻區(qū)域、第十四光刻區(qū)域和第十五光刻區(qū)域進(jìn)行刻蝕，獲得依次降低的第五臺面、第六臺面、第七臺面、第十三準(zhǔn)臺面、第十四準(zhǔn)臺面和第十五準(zhǔn)臺面的第四半成品；
[0025]在所述第四半成品上表面制作保護(hù)層，通過背面曝光顯影在保留第二臺面、第三臺面、第五臺面、第六臺面、第七臺面、第八臺面、第九臺面、第十臺面、第十一臺面、第十三臺面、第十四臺面、第十五臺面上表面的保護(hù)層的第四半成品上表面制作正性光刻膠，用掩膜版遮擋非光刻區(qū)域，只露出第四光刻區(qū)域和第四光刻區(qū)域鄰接區(qū)域，第十二光刻區(qū)域和第十二光刻區(qū)域鄰接區(qū)域，對第四光刻區(qū)域、第十二光刻區(qū)域去掉遮擋層后，進(jìn)行刻蝕，獲得比第三臺面低且比第五臺面高的第四臺面，比第十一臺面低且比第十三臺面高的第十二準(zhǔn)臺面，獲得第五半成品；
[0026]在所述第五半成品上表面制作正性光刻膠，用掩膜版遮擋非光刻區(qū)域，只露出第九光刻區(qū)域、第十光刻區(qū)域、第十一光刻區(qū)域、第十二光刻區(qū)域、第十三光刻區(qū)域、第十四光刻區(qū)域、第十五光刻區(qū)域和第十六光刻區(qū)域，對所述第九光刻區(qū)域、第十光刻區(qū)域、第十一光刻區(qū)域、第十二光刻區(qū)域、第十三光刻區(qū)域、第十四光刻區(qū)域、第十五光刻區(qū)域和第十六光刻區(qū)域進(jìn)行刻蝕，獲得依次降低的第九臺面、第十臺面、第十一臺面、第十二臺面、第十三臺面、第十四臺面第十五臺面和第十六臺面的第六半成品；
[0027]在所述第六半成品上表面制作保護(hù)層，通過背面曝光顯影在保留第一臺面、第二、第三臺面、第四臺面、第五臺面、第六臺面、第七臺面、第九臺面、第十臺面、第十一臺面、第十二臺面、第十三臺面、第十四臺面、第十五臺面、第十六臺面上表面的保護(hù)層的第六半成品上表面制作正性光刻膠，用掩膜版遮擋非光刻區(qū)域，只露出第八光刻區(qū)域和第八光刻區(qū)域鄰接區(qū)域，對第八光刻區(qū)域去掉遮擋層后，進(jìn)行刻蝕，獲得比第七臺面低且比第九臺面高的第八臺面，去掉保護(hù)層和正性光刻膠，獲得上表面有十六個階梯臺面的制作層。
[0028]所述保護(hù)層采用負(fù)性聚酰亞胺或者負(fù)性光刻膠，所述遮擋層采用鉻。
[0029]所述制作層為透紫外光材料的石英。
[0030]采用本發(fā)明的方法，分組同步制作，大大提升了制作效率，節(jié)省了成本。如對于十六臺階，通過工藝優(yōu)化，將光刻版數(shù)量進(jìn)行優(yōu)化減少，使得制作十六臺階高精度微透鏡陣列只需七塊版,大大節(jié)省了制作成本。
[0031]另外，本發(fā)明通過將已刻蝕區(qū)域進(jìn)行保護(hù)，對未保護(hù)區(qū)域進(jìn)行刻蝕，有效的阻擋非刻蝕的區(qū)域，精確刻蝕所需刻蝕區(qū)域，巧妙地解決了微透鏡制作因掩模版對準(zhǔn)、光刻、刻蝕等工序中極易出現(xiàn)的誤差問題，滿足了微透鏡制作過程中高精度要求，有效的保證和提高了微透鏡衍射效益等光學(xué)性能。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0032]圖1?圖10為本發(fā)明采用犧牲層技術(shù)制作十六臺階微透鏡陣列過程示意圖；圖1為本發(fā)明一次刻蝕過程示意圖；圖2為本發(fā)明二次刻蝕過程示意圖；圖3為本發(fā)明一次剝離犧牲層保護(hù)過程示意圖；圖4為本發(fā)明三次刻蝕過程示意圖；圖5為本發(fā)明四次刻蝕過程示意圖；圖6為本發(fā)明二次剝離犧牲層保護(hù)過程示意圖；圖7為本發(fā)明五次刻蝕過程示意圖；圖8為本發(fā)明六次刻蝕過程示意圖；圖9為本發(fā)明三次剝離犧牲層保護(hù)過程示意圖；圖10為本發(fā)明七次刻蝕過程示意圖；
[0033]其中:al為制作層；a2為犧牲層；a3為遮擋層；a4為正性光刻膠；a501、a502、a503、a504、a505、a506、a507為多臺階衍射微透鏡掩膜版；a6為保護(hù)層；
[0034]圖11?圖20為本發(fā)明采用背面曝光技術(shù)制作十六臺階微透鏡陣列過程示意圖；圖11為本發(fā)明一次刻蝕過程示意圖；圖12為本發(fā)明二次刻蝕過程示意圖；圖13為本發(fā)明一次背面曝光保護(hù)過程示意圖；圖14為本發(fā)明三次刻蝕過程示意圖；圖15為本發(fā)明四次刻蝕過程示意圖；圖16為本發(fā)明二次背面曝光保護(hù)過程示意圖；圖17為本發(fā)明五次刻蝕過程示意圖；圖18為本發(fā)明六次刻蝕過程示意圖；圖19為本發(fā)明三次背面曝光保護(hù)過程示意圖；圖20為本發(fā)明七次刻蝕過程示意圖；
[0035]其中:bl為制作層；b2為遮擋層；b3為正性光刻膠；b4保護(hù)層；b501、b502、b503、b504、b505、b506、b507為多臺階微透鏡陣列掩膜版。
[0036]圖21為本發(fā)明制作好的十六臺階微透鏡示意圖。
【具體實施方式】
[0037]下面結(jié)合附圖對本發(fā)明做進(jìn)一步詳細(xì)的說明。
[0038]實施例1
[0039]本發(fā)明提供一種巧妙制作多臺階微透鏡陣列的方法，應(yīng)用于十六臺階硅微透鏡陣列，具體的實施方案包括:
[0040]1.1.1、一次刻蝕，見圖1。
[0041]I)將硅基片al清洗干凈，旋涂一層犧牲層a2，然后生長好鉻膜a3，最后旋涂一層正性光刻膠a4 ；
[0042]2)用掩膜版a501進(jìn)行光刻顯影，此處掩膜版a501包括八個環(huán)帶，光刻膠曝光顯影區(qū)域與干法刻蝕區(qū)域相等；
[0043]3)去除硅基片al表面鉻膜a3，清洗正性光刻膠a4 ；
[0044]4)刻蝕犧牲層a2，露出需要進(jìn)行干法刻蝕的區(qū)域，采用干法刻蝕技術(shù)進(jìn)行一次刻蝕，刻蝕后取出硅基片al。
[0045]1.1.2、二次刻蝕，請參閱圖2。
[0046]I)將硅基片al先清洗干凈，旋涂一層正性光刻膠a4 ；
[0047]2)用掩膜版a502進(jìn)行對準(zhǔn)光刻顯影腐蝕，此處掩膜版a502包括四個環(huán)帶，光刻膠曝光顯影區(qū)域大于干法刻蝕區(qū)域，一方面降低掩膜版對準(zhǔn)精度的要求，另一方面刻蝕時光刻膠和鉻膜共同當(dāng)刻蝕阻擋層，刻蝕精度由兩者來保證，刻蝕時鉻膜可補(bǔ)償正性光刻膠光刻顯影和對準(zhǔn)造成的誤差；
[0048]3)將硅基片al采用干法刻蝕技術(shù)進(jìn)行二次刻蝕，刻蝕后取出硅基片1，去除剩余的光刻膠。
[0049]1.1.3、三次刻蝕，見圖3、圖4。
[0050]I)將硅基片al清洗干凈，制作保護(hù)層a6 ；
[0051]2)用剝離方法去除犧牲層a2的同時去除鉻膜a3，剩下的保護(hù)層需保護(hù)前兩步刻蝕過的區(qū)域；
[0052]3)在硅基片al上旋涂一層犧牲層a2，然后生長好鉻膜a3 ；
[0053]4)在硅基片al表面旋涂一層正性光刻膠a4，用掩膜版a503進(jìn)行光刻顯影腐蝕，露出需要進(jìn)行干法刻蝕的區(qū)域。此處掩膜版a503包括四個環(huán)帶，光刻膠曝光顯影區(qū)域大于干法刻蝕區(qū)域，因保護(hù)層的存在，形成一種自對準(zhǔn)的方式，降低了對準(zhǔn)過程中的精度要求，卻很好的保證了刻蝕的精度，刻蝕精度由保護(hù)層來保證；
[0054]5)去除硅基片al表面鉻膜a3，刻蝕犧牲層a2，露出需要進(jìn)行干法刻蝕的區(qū)域；
[0055]6)采用干法刻蝕技術(shù)進(jìn)行三次刻蝕，刻蝕后取出硅基片；將硅基片al表面剩下的光刻膠去除。
[0056]1.1.4、四次刻蝕，請參閱圖5。
[0057]I)將硅基片al制作正性光刻膠a4 ；
[0058]2)用掩膜版a504進(jìn)行對準(zhǔn)光刻顯影腐蝕，此處掩膜版a504包括六個環(huán)帶，光刻膠曝光顯影區(qū)域大于干法刻蝕區(qū)域，一方面降低掩膜版對準(zhǔn)精度的要求，另一方面刻蝕時光刻膠和鉻膜共同當(dāng)刻蝕阻擋層，刻蝕精度由兩者來保證，刻蝕時鉻膜可補(bǔ)償正性光刻膠光刻顯影和對準(zhǔn)造成的誤差；
[0059]3)將硅基片al采用干法刻蝕技術(shù)進(jìn)行四次刻蝕，刻蝕后取出硅基片1，去除剩余的光刻膠。
[0060]1.1.5、五次刻蝕，見圖6、圖7。
[0061]I)將硅基片al制作保護(hù)層a6 ；
[0062]2)用剝離方法去除犧牲層a2的同時去除鉻膜a3，剩下的保護(hù)層需保護(hù)前四步刻蝕過的區(qū)域；
[0063]3)在硅基片上旋涂一層犧牲層a2，然后生長好鉻膜a3 ；
[0064]4)在娃基片al表面制作正性光刻膠a4,用掩膜版a505進(jìn)行光刻顯影腐蝕,露出需要進(jìn)行干法刻蝕的區(qū)域。此處掩膜版a505包括兩個環(huán)帶，光刻膠曝光顯影區(qū)域大于干法刻蝕區(qū)域，原理同前，因犧牲層的存在，形成一種自對準(zhǔn)的方式，降低了對準(zhǔn)過程中的精度要求，卻很好的保證了刻蝕的精度，刻蝕精度由保護(hù)層來保證；
[0065]5)去除硅基片al表面鉻膜a3，刻蝕犧牲層a2，露出需要進(jìn)行干法刻蝕的區(qū)域；
[0066]6)米用干法刻蝕技術(shù)進(jìn)行五次刻蝕,刻蝕后取出娃基片；將娃基片al表面剩下的光刻膠去除。
[0067]1.1.6、六次刻蝕，請參閱圖8。
[0068]I)將硅基片al制作正性光刻膠a4 ；
[0069]2)用掩膜版a506進(jìn)行對準(zhǔn)光刻顯影腐蝕，此處掩膜版a506包括七個環(huán)帶，光刻膠曝光顯影區(qū)域大于干法刻蝕區(qū)域，一方面降低掩膜版對準(zhǔn)精度的要求，另一方面刻蝕時光刻膠和鉻膜共同當(dāng)刻蝕阻擋層，刻蝕精度由兩者來保證，刻蝕時鉻膜可補(bǔ)償正性光刻膠光刻顯影和對準(zhǔn)造成的誤差；
[0070]3)將硅基片al采用干法刻蝕技術(shù)進(jìn)行六次刻蝕，刻蝕后取出硅基片1，去除剩余的光刻膠。
[0071]1.1.7、七次刻蝕，見圖9、圖10、圖21。
[0072]I)將硅基片al制作保護(hù)層a6 ；
[0073]2)用剝離方法去除犧牲層a2的同時去除鉻膜a3，剩下的保護(hù)層需保護(hù)前六步刻蝕過的區(qū)域；
[0074]3)在硅基片al表面制作正性光刻膠a4，用掩膜版a507進(jìn)行光刻顯影腐蝕，露出需要進(jìn)行干法刻蝕的區(qū)域。此處掩膜版a507包括一個環(huán)帶，光刻膠曝光顯影區(qū)域大于干法刻蝕區(qū)域，原理同前，因犧牲層的存在，形成一種自對準(zhǔn)的方式，降低了對準(zhǔn)過程中的精度要求，卻很好的保證了刻蝕的精度，刻蝕精度由保護(hù)層來保證；
[0075]4)將硅基片al采用干法刻蝕技術(shù)進(jìn)行七次刻蝕，刻蝕后取出硅基片al ;將硅基片al表面剩下的光刻膠和保護(hù)層去掉。
[0076]本發(fā)明采用犧牲層技術(shù)，不僅適用于透紫外光的石英等材料，而且適用于不透紫外光但匹配性較高、成本低的硅、鍺等材料。以上實施例采用了遮擋層，相對于不采用遮擋層，效果更好。
[0077]實施例2
[0078]本發(fā)明提供一種巧妙制作多臺階微透鏡陣列的方法，應(yīng)用于十六臺階石英微透鏡陣列，具體的實施方案包括:
[0079]2.1.1、一次刻蝕，見圖 11。
[0080]I)將石英基片bl清洗干凈，生長好鉻膜b2，然后旋涂一層正性光刻膠b4 ；
[0081]2)用掩膜版b501進(jìn)行光刻顯影，此處掩膜版b501包括八個環(huán)帶，光刻膠曝光顯影區(qū)域與干法刻蝕區(qū)域相等；
[0082]3)去除石英基片bl表面鉻膜b2，清洗正性光刻膠b3 ；
[0083]4)采用干法刻蝕技術(shù)對需要進(jìn)行干法刻蝕的區(qū)域進(jìn)行一次刻蝕，刻蝕后取出石英基片bl。
[0084]2.1.2、二次刻蝕，請參閱圖12。
[0085]I)將石英基片bl先清洗干凈，旋涂一層正性光刻膠b3 ；
[0086]2)用掩膜版b502進(jìn)行對準(zhǔn)光刻顯影腐蝕，此處掩膜版b502包括四個環(huán)帶，光刻膠曝光顯影區(qū)域大于干法刻蝕區(qū)域，一方面降低掩膜版對準(zhǔn)精度的要求，另一方面刻蝕時光刻膠和鉻膜共同當(dāng)刻蝕阻擋層，刻蝕精度由兩者來保證，刻蝕時鉻膜可補(bǔ)償正性光刻膠光刻顯影和對準(zhǔn)造成的誤差；
[0087]3)將石英基片bl采用干法刻蝕技術(shù)進(jìn)行二次刻蝕，刻蝕后取出石英基片bl，去除剩余的光刻膠。
[0088]2.1.3、三次刻蝕，見圖13、圖14。
[0089]I)將石英基片bl清洗干凈，制作保護(hù)層b4 ；
[0090]2)用背面曝光技術(shù)，鉻膜b2充當(dāng)光刻版，剩下的保護(hù)層需保護(hù)前兩步刻蝕過的區(qū)域；
[0091]3)在石英基片bl表面旋涂一層正性光刻膠b3，用掩膜版b503進(jìn)行光刻顯影腐蝕，露出需要進(jìn)行干法刻蝕的區(qū)域。此處掩膜版b503包括四個環(huán)帶，光刻膠曝光顯影區(qū)域大于干法刻蝕區(qū)域，因保護(hù)層的存在，形成一種自對準(zhǔn)的方式，降低了對準(zhǔn)過程中的精度要求，卻很好的保證了刻蝕的精度，刻蝕精度由保護(hù)層來保證；
[0092]4)去除石英基片bl表面鉻膜b2 ；
[0093]5)將石英基片bI采用干法刻蝕技術(shù)進(jìn)行三次刻蝕，刻蝕后取出石英基片bl ;將石英基片bl表面剩下的光刻膠去除。
[0094]2.1.4、四次刻蝕，請參閱圖15。
[0095]I)將石英基片bl制作正性光刻膠b3 ；
[0096]2)用掩膜版b504進(jìn)行對準(zhǔn)光刻顯影腐蝕，此處掩膜版b504包括六個環(huán)帶，光刻膠曝光顯影區(qū)域大于干法刻蝕區(qū)域，一方面降低掩膜版對準(zhǔn)精度的要求，另一方面刻蝕時光刻膠和鉻膜共同當(dāng)刻蝕阻擋層，刻蝕精度由兩者來保證，刻蝕時鉻膜可補(bǔ)償正性光刻膠光刻顯影和對準(zhǔn)造成的誤差；
[0097]3)將石英基片bl采用干法刻蝕技術(shù)進(jìn)行四次刻蝕，刻蝕后取出石英基片1，去除剩余的光刻膠。
[0098]2.1.5、五次刻蝕，見圖16、圖17。
[0099]I)將石英基片bl制作保護(hù)層b4 ；
[0100]2)用背面曝光技術(shù)，鉻膜b2充當(dāng)光刻版，剩下的保護(hù)層需保護(hù)前四步刻蝕過的區(qū)域；
[0101]3)在石英基片bl表面制作正性光刻膠b3，用掩膜版b505進(jìn)行光刻顯影腐蝕，露出需要進(jìn)行干法刻蝕的區(qū)域。此處掩膜版b505包括兩個環(huán)帶，光刻膠曝光顯影區(qū)域大于干法刻蝕區(qū)域，原理同前，因犧牲層的存在，形成一種自對準(zhǔn)的方式，降低了對準(zhǔn)過程中的精度要求，卻很好的保證了刻蝕的精度，刻蝕精度由保護(hù)層來保證；
[0102]4)去除石英基片bl表面鉻膜b2 ；
[0103]5)將石英基片bl采用干法刻蝕技術(shù)進(jìn)行五次刻蝕，刻蝕后取出石英基片bl ;將石英基片bl表面剩下的光刻膠和保護(hù)層去掉。
[0104]2.1.6、六次刻蝕，請參閱圖18。
[0105]I)將石英基片bl制作正性光刻膠b3 ；
[0106]2)用掩膜版b506進(jìn)行對準(zhǔn)光刻顯影腐蝕，此處掩膜版b506包括七個環(huán)帶，光刻膠曝光顯影區(qū)域大于干法刻蝕區(qū)域，一方面降低掩膜版對準(zhǔn)精度的要求，另一方面刻蝕時光刻膠和鉻膜共同當(dāng)刻蝕阻擋層，刻蝕精度由兩者來保證，刻蝕時鉻膜可補(bǔ)償正性光刻膠光刻顯影和對準(zhǔn)造成的誤差；
[0107]3)將石英基片b I采用干法刻蝕技術(shù)進(jìn)行六次刻蝕，刻蝕后取出石英基片b I，去除剩余的光刻膠。
[0108]2.1.7、七次刻蝕，見圖19、圖20、圖21。
[0109]I)將石英基片bl制作保護(hù)層b4 ；
[0110]2)用背面曝光技術(shù)，鉻膜b2充當(dāng)光刻版，剩下的保護(hù)層需保護(hù)前四步刻蝕過的區(qū)域；
[0111]3)在石英基片bl表面制作正性光刻膠b3，用掩膜版b507進(jìn)行光刻顯影腐蝕，露出需要進(jìn)行干法刻蝕的區(qū)域。此處掩膜版b507包括一個環(huán)帶，光刻膠曝光顯影區(qū)域大于干法刻蝕區(qū)域，原理同前，因犧牲層的存在，形成一種自對準(zhǔn)的方式，降低了對準(zhǔn)過程中的精度要求，卻很好的保證了刻蝕的精度，刻蝕精度由保護(hù)層來保證；
[0112]4)去除石英基片bl表面鉻膜b2 ；
[0113]5)將石英基片bl采用干法刻蝕技術(shù)進(jìn)行七次刻蝕，刻蝕后取出石英基片bl ;將石英基片bl表面剩下的光刻膠和保護(hù)層去掉。
[0114]本發(fā)明采用背面曝光技術(shù)，適用于透紫外光的石英等材料。以上實施例采用了遮擋層，相對于不采用遮擋層，效果更好。
[0115]實施例3
[0116]本發(fā)明提供一種巧妙制作多臺階微透鏡陣列的方法，應(yīng)用于十一臺階微透鏡陣列，只需保留十一臺階及其以下臺階的制作工藝即可，將十一臺階以上的制作工藝去掉。在具體的實施方案中，一次刻蝕中掩膜版501a或501b只包括五個環(huán)帶；二次刻蝕中掩膜版502a或502b只包括二個環(huán)帶；三次刻蝕中掩膜版503a或503b只包括三個環(huán)帶；四次刻蝕中掩膜版504a或504b只包括三個環(huán)帶；五次刻蝕中掩膜版505a或505b只包括一個環(huán)帶；六次刻蝕中掩膜版506a或506b只包括二個環(huán)帶；七次刻蝕中掩膜版507a或507b只包括一個環(huán)帶，其他工藝與實施例1類同。
[0117]以上給出了具體的實施方式，但本發(fā)明不局限于所描述的實施方式。
[0118]總結(jié)來看，本發(fā)明的基本方案在于:首先，在基底上等間隔制作出初始深度的臺階；然后再在各初始深度的臺階上、以及各臺階之間的間隔上，進(jìn)行刻蝕，形成設(shè)定深度的臺階。然后將待制作的臺階分為若干個依次首尾相接的組，即每個組中各臺階是深度連續(xù)的；也就是說，必定包括第一組與第二組。如實施例1，實施例2，首先，將16個臺階(dl、d2、d3…dl6)分為兩個阻，每組8個臺階，dl-d8為第一組，d9-dl6為第二組。
[0119]然后對這若干個組，同步進(jìn)行制作，使每個組都形成一組連續(xù)臺階，各組的對應(yīng)臺階深度相同。如實施例1，同步制作，直至圖7所示狀態(tài)。
[0120]最后，再將未完成的其他組整體刻蝕，直到形成所要求的臺階陣列。如實施例1，將圖7中的第二組臺階(其深度與第一組相同，為dl-d8)整體刻蝕，形成深度d9-dl6。
[0121]作為其他實施方式，若還存在第三組臺階，如dl7-d24，則需要將三組臺階均刻蝕為dl-d8連續(xù)深度的臺階，然后將第二組臺階整體刻蝕，以達(dá)到d8-dl6，再將第三組臺階整體刻蝕，以達(dá)到深度dl7-d24。也可以將第二組、第三組同時整體刻蝕到深度d8-dl6，最后再整體刻蝕第三組臺階達(dá)到深度dl7-d24。也就是說，在此階段，可以一次整體刻蝕一個未完成的組，整體刻蝕的深度與對應(yīng)組臺階深度相關(guān)；也可以每次整體刻蝕所有未完成的組，整體刻蝕深度相同。
[0122]進(jìn)一步的，在本發(fā)明中，在進(jìn)行分組后，每一個組中，也可以再次進(jìn)行分組，然后依照上述基本方案進(jìn)行操作。如實施例1中，dl-d8在此分組為前4個臺階，后四個臺階，然后再同步操作、整體刻蝕形成深度dl-d8。
[0123]通過實施例3可以看出，本發(fā)明的方案各分組的臺階數(shù)量不是必須相同。
[0124]本發(fā)明的基本思路在于上述基本方案，對本領(lǐng)域普通技術(shù)人員而言，根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)，設(shè)計出各種變形的模型、公式、參數(shù)并不需要花費(fèi)創(chuàng)造性勞動。在不脫離本發(fā)明的原理和精神的情況下對實施方式進(jìn)行的變化、修改、替換和變型仍落入本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.高效制作高精度多臺階微透鏡陣列的方法，其特征在于，在基底上等間隔制作出初始深度的臺階，然后將待制作的臺階陣列分為若干組，包括第一組、第二組，第一組與第二組首尾相接，每組的各臺階是深度連續(xù)的；同步制作第一組與第二組的各臺階，形成對應(yīng)深度相同的兩組臺階；將第二組臺階整體刻蝕一定的深度，與第一組臺階形成深度連續(xù)的臺階陣列。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述制作多臺階微透鏡陣列的方法適用于犧牲層制作方式或者背面曝光制作方式；在工序中采用遮擋層或不采用遮擋層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，制作過程中，對已刻蝕完成的臺階區(qū)域進(jìn)行保護(hù)，對未保護(hù)區(qū)域進(jìn)行刻蝕；在工序中采用遮擋層或不采用遮擋層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述犧牲層制作方式為:在制作層上表面制作犧牲層，在犧牲層上表面制作遮擋層，在遮擋層上表面旋涂光刻膠，用掩膜版遮擋非光刻區(qū)域，只露出第一光刻區(qū)域、第三光刻區(qū)域、第五光刻區(qū)域、第七光刻區(qū)域、第九光刻區(qū)域、第十一光刻區(qū)域、第十三光刻區(qū)域、第十五光刻區(qū)域，對所述第一光刻區(qū)域、第三光刻區(qū)域、第五光刻區(qū)域、第七光刻區(qū)域、第九光刻區(qū)域、第十一光刻區(qū)域、第十三光刻區(qū)域、第十五光刻區(qū)域去掉遮擋層和犧牲層后，進(jìn)行刻蝕，獲得擁有平齊的第一臺面、第三準(zhǔn)臺面、第五準(zhǔn)臺面、第七次臺面、第九臺面、第十一準(zhǔn)臺面、第十三準(zhǔn)臺面、第十五準(zhǔn)臺面的第一半成品； 在所述第一半成品上表面制作光刻膠，用掩膜版遮擋非光刻區(qū)域，只露出第三光刻區(qū)域和所述第三光刻區(qū)域的鄰接區(qū)域、第七光刻區(qū)域和所述第七光刻區(qū)域的鄰接區(qū)域、第十一光刻區(qū)域和所述第十一光刻區(qū)域的鄰接區(qū)域以及第十五光刻區(qū)域和所述第十五光刻區(qū)域的鄰接區(qū)域，去掉第三光刻區(qū)域和第三光刻區(qū)域鄰接區(qū)域表面光刻膠，第七光刻區(qū)域和所述第七光刻區(qū)域的鄰接區(qū)域表面的光刻膠，第十一光刻區(qū)域和所述第十一光刻區(qū)域的鄰接區(qū)域表面的光刻膠，以及第十五光刻區(qū)域和所述第十五光刻區(qū)域的鄰接區(qū)域表面的光刻膠，對第三光刻區(qū)域、第七光刻區(qū)域、第十一光刻區(qū)域和第十五光刻區(qū)域進(jìn)行刻蝕，獲得比第一臺面更低的第三臺面、第七準(zhǔn)臺面、第十一準(zhǔn)臺面和第十五準(zhǔn)臺面，去掉剩余的光刻膠，獲得第二半成品； 在所述第二半成品上表面制作保護(hù)層，剝離第二半成品上剩余的犧牲層和遮擋層，以及除第一臺面、第三臺面、第五準(zhǔn)臺面、第七準(zhǔn)臺面、第九準(zhǔn)臺面、第十一準(zhǔn)臺面、第十三準(zhǔn)臺面和第十五準(zhǔn)臺面上表面的保護(hù)層，在保留第一臺面、第三臺面、第五準(zhǔn)臺面、第七準(zhǔn)臺面、第九準(zhǔn)臺面、第十一準(zhǔn)臺面、第十三準(zhǔn)臺面和第十五準(zhǔn)臺面上表面的保護(hù)層的第二半成品上表面制作犧牲層，在犧牲層上表面制作遮擋層，在遮擋層上表面制作光刻膠，用掩膜版遮擋非光刻區(qū)域，只露出第二光刻區(qū)域和第二光刻區(qū)域鄰接區(qū)域、第六光刻區(qū)域和第六光刻區(qū)域鄰接區(qū)域、第十光刻區(qū)域和第十光刻區(qū)域鄰接區(qū)域以及第十四光刻區(qū)域和第十四光刻區(qū)域鄰接區(qū)域，對所述第二光刻區(qū)域、第六光刻區(qū)域、第十光刻區(qū)域和第十四光刻區(qū)域去掉遮擋層和犧牲層后，進(jìn)行刻蝕，獲得比第一臺面低且比第三臺面高的第二臺面、第六準(zhǔn)臺面、第十準(zhǔn)臺面和第十四準(zhǔn)臺面，去掉剩余的保護(hù)層，獲得第三半成品； 在所述第三半成品上表面制作光刻膠，用掩膜版遮擋非光刻區(qū)域，只露出第五光刻區(qū)域、第六光刻區(qū)域、第七光刻區(qū)域、第十三光刻區(qū)域、第十四光刻區(qū)域和第十五光刻區(qū)域，對所述第五光刻區(qū)域、第六光刻區(qū)域、第七光刻區(qū)域、第十三光刻區(qū)域、第十四光刻區(qū)域和第十五光刻區(qū)域進(jìn)行刻蝕，獲得依次降低的第五臺面、第六臺面、第七臺面、第十三準(zhǔn)臺面、第十四準(zhǔn)臺面和第十五準(zhǔn)臺面的第四半成品； 在所述第四半成品上表面制作保護(hù)層，剝離第四半成品上剩余的犧牲層和遮擋層，以及除第四臺面、第十二臺面上表面的保護(hù)層，在保留第二臺面、第三臺面、第五臺面、第六臺面、第七臺面、第八臺面、第九臺面、第十臺面、第十一臺面、第十三臺面、第十四臺面、第十五臺面上表面的保護(hù)層的第四半成品上表面制作犧牲層，在犧牲層上表面制作遮擋層，在遮擋層上表面制作光刻膠，用掩膜版遮擋非光刻區(qū)域，只露出第四光刻區(qū)域和第四光刻區(qū)域鄰接區(qū)域，第十二光刻區(qū)域和第十二光刻區(qū)域鄰接區(qū)域，對所述第四光刻區(qū)域、第十二光刻區(qū)域去掉遮擋層和犧牲層后，進(jìn)行刻蝕，獲得比第三臺面低且比第五臺面高的第四臺面，比第十一臺面低且比第十三臺面高的第十二準(zhǔn)臺面，獲得第五半成品； 在所述第五半成品上表面制作光刻膠，用掩膜版遮擋非光刻區(qū)域，只露出第九光刻區(qū)域、第十光刻區(qū)域、第十一光刻區(qū)域、第十二光刻區(qū)域、第十三光刻區(qū)域、第十四光刻區(qū)域和第十五光刻區(qū)域，對所述第九光刻區(qū)域、第十光刻區(qū)域、第十一光刻區(qū)域、第十二光刻區(qū)域、第十三光刻區(qū)域、第十四光刻區(qū)域和第十五光刻區(qū)域進(jìn)行刻蝕，獲得依次降低的第九臺面、第十臺面、第十一臺面、第十二臺面、第十三臺面、第十四臺面和第十五臺面的第六半成品; 在所述第六半成品上表面制作保護(hù)層，剝離第五半成品上剩余的犧牲層和遮擋層，以及除第九臺面上表面的保護(hù)層，在保留第一臺面、第二、第三臺面、第四臺面、第五臺面、第六臺面、第七臺面、第九臺面、第十臺面、第十一臺面、第十二臺面、第十三臺面、第十四臺面、第十五臺面上表面的保護(hù)層的第六半成品上表面制作光刻膠，用掩膜版遮擋非光刻區(qū)域，只露出第八光刻區(qū)域和第八光刻區(qū)域鄰接區(qū)域，對第八光刻區(qū)域進(jìn)行刻蝕，獲得比第七臺面低且比第九臺面高的第八臺面，去掉剩余的保護(hù)層，獲得上表面有十六個階梯臺面的制作層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述犧牲層采用聚酰亞胺或者光刻膠，所述遮擋層采用鉻，所述保護(hù)層采用二氧化硅。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，制作層為石英、硅、鍺。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述背面曝光方式為:在制作層上表面制作遮擋層，在遮擋層上表面旋涂正性光刻膠，用掩膜版遮擋非光刻區(qū)域，只露出第一光刻區(qū)域、第三光刻區(qū)域、第五光刻區(qū)域、第七光刻區(qū)域、第九光刻區(qū)域、第十一光刻區(qū)域、第十三光刻區(qū)域、第十五光刻區(qū)域，對所述第一光刻區(qū)域、第三光刻區(qū)域、第五光刻區(qū)域、第七光刻區(qū)域、第九光刻區(qū)域、第十一光刻區(qū)域、第十三光刻區(qū)域、第十五光刻區(qū)域去掉遮擋層后，進(jìn)行刻蝕，獲得擁有平齊的第一臺面、第三準(zhǔn)臺面、第五準(zhǔn)臺面、第七次臺面、第九臺面、第十一準(zhǔn)臺面、第十三準(zhǔn)臺面、第十五準(zhǔn)臺面的第一半成品； 在所述第一半成品上表面制作正性光刻膠，用掩膜版遮擋非光刻區(qū)域，只露出第三光刻區(qū)域和所述第三光刻區(qū)域的鄰接區(qū)域、第七光刻區(qū)域和所述第七光刻區(qū)域的鄰接區(qū)域、第十一光刻區(qū)域和所述第十一光刻區(qū)域的鄰接區(qū)域以及第十五光刻區(qū)域和所述第十五光刻區(qū)域的鄰接區(qū)域，去掉第三光刻區(qū)域和第三光刻區(qū)域鄰接區(qū)域表面的正性光刻膠，第七光刻區(qū)域和所述第七光刻區(qū)域的鄰接區(qū)域表面的正性光刻膠，第十一光刻區(qū)域和所述第十一光刻區(qū)域的鄰接區(qū)域表面的正性光刻膠，以及第十五光刻區(qū)域和所述第十五光刻區(qū)域的鄰接區(qū)域表面的正性光刻膠，對第三光刻區(qū)域、第七光刻區(qū)域、第十一光刻區(qū)域和第十五光刻區(qū)域進(jìn)行刻蝕，獲得比第一臺面更低的第三臺面、第七準(zhǔn)臺面、第十一準(zhǔn)臺面和第十五準(zhǔn)臺面，去掉剩余的正性光刻膠，獲得第二半成品； 在所述第二半成品上表面制作保護(hù)層，通過背面曝光顯影保留第一臺面、第三臺面、第五準(zhǔn)臺面、第七準(zhǔn)臺面、第九準(zhǔn)臺面、第十一準(zhǔn)臺面、第十三準(zhǔn)臺面和第十五準(zhǔn)臺面上表面的保護(hù)層的第二半成品上表面制作正性光刻膠，用掩膜版遮擋非光刻區(qū)域，只露出第二光刻區(qū)域和第二光刻區(qū)域鄰接區(qū)域、第六光刻區(qū)域和第六光刻區(qū)域鄰接區(qū)域、第十光刻區(qū)域和第十光刻區(qū)域鄰接區(qū)域以及第十四光刻區(qū)域和第十四光刻區(qū)域鄰接區(qū)域，對第二光刻區(qū)域、第六光刻區(qū)域、第十光刻區(qū)域和第十四光刻區(qū)域去掉遮擋層后，進(jìn)行刻蝕，獲得比第一臺面低且比第三臺面高的第二臺面、第六準(zhǔn)臺面、第十準(zhǔn)臺面和第十四準(zhǔn)臺面，去掉剩余的保護(hù)層，獲得第三半成品； 在所述第三半成品上表面制作正性光刻膠，用掩膜版遮擋非光刻區(qū)域，只露出第五光刻區(qū)域、第六光刻區(qū)域、第七光刻區(qū)域、第十三光刻區(qū)域、第十四光刻區(qū)域和第十五光刻區(qū)域，對所述第五光刻區(qū)域、第六光刻區(qū)域、第七光刻區(qū)域、第十三光刻區(qū)域、第十四光刻區(qū)域和第十五光刻區(qū)域進(jìn)行刻蝕，獲得依次降低的第五臺面、第六臺面、第七臺面、第十三準(zhǔn)臺面、第十四準(zhǔn)臺面和第十五準(zhǔn)臺面的第四半成品； 在所述第四半成品上表面制作保護(hù)層，通過背面曝光顯影在保留第二臺面、第三臺面、第五臺面、第六臺面、第七臺面、第八臺面、第九臺面、第十臺面、第十一臺面、第十三臺面、第十四臺面、第十五臺面上表面的保護(hù)層的第四半成品上表面制作正性光刻膠，用掩膜版遮擋非光刻區(qū)域，只露出第四光刻區(qū)域和第四光刻區(qū)域鄰接區(qū)域，第十二光刻區(qū)域和第十二光刻區(qū)域鄰接區(qū)域，對第四光刻區(qū)域、第十二光刻區(qū)域去掉遮擋層后，進(jìn)行刻蝕，獲得比第三臺面低且比第五臺面高的第四臺面，比第十一臺面低且比第十三臺面高的第十二準(zhǔn)臺面，獲得第五半成品； 在所述第五半成品上表面制作正性光刻膠，用掩膜版遮擋非光刻區(qū)域，只露出第九光刻區(qū)域、第十光刻區(qū)域、第十一光刻區(qū)域、第十二光刻區(qū)域、第十三光刻區(qū)域、第十四光刻區(qū)域、第十五光刻區(qū)域和第十六光刻區(qū)域，對所述第九光刻區(qū)域、第十光刻區(qū)域、第十一光刻區(qū)域、第十二光刻區(qū)域、第十三光刻區(qū)域、第十四光刻區(qū)域、第十五光刻區(qū)域和第十六光刻區(qū)域進(jìn)行刻蝕，獲得依次降低的第九臺面、第十臺面、第十一臺面、第十二臺面、第十三臺面、第十四臺面第十五臺面和第十六臺面的第六半成品； 在所述第六半成品上表面制作保護(hù)層，通過背面曝光顯影在保留第一臺面、第二、第三臺面、第四臺面、第五臺面、第六臺面、第七臺面、第九臺面、第十臺面、第十一臺面、第十二臺面、第十三臺面、第十四臺面、第十五臺面、第十六臺面上表面的保護(hù)層的第六半成品上表面制作正性光刻膠，用掩膜版遮擋非光刻區(qū)域，只露出第八光刻區(qū)域和第八光刻區(qū)域鄰接區(qū)域，對第八光刻區(qū)域去掉遮擋層后，進(jìn)行刻蝕，獲得比第七臺面低且比第九臺面高的第八臺面，去掉保護(hù)層和正性光刻膠，獲得上表面有十六個階梯臺面的制作層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述保護(hù)層采用負(fù)性聚酰亞胺或者負(fù)性光刻膠，所述遮擋層采用鉻。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述制作層為透紫外光材料的石英。
【文檔編號】G03F7/20GK104237983SQ201410519354
【公開日】2014年12月24日 申請日期:2014年9月30日 優(yōu)先權(quán)日:2014年9月30日
【發(fā)明者】侯治錦, 司俊杰, 韓德寬, 陳洪許, 呂衍秋, 王巍 申請人:中國空空導(dǎo)彈研究院