陣列基板、顯示裝置及陣列基板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明實(shí)施例公開了一種陣列基板、顯示裝置及陣列基板的制作方法，該陣列基板，包括：相對(duì)設(shè)置的第一導(dǎo)電連接條；和形成于所述第一導(dǎo)電連接條之間的多個(gè)電極條，所述多個(gè)電極條通過所述第一導(dǎo)電連接條電連通為一體，相鄰的電極條之間形成有狹縫；所述多個(gè)電極條中存在至少一個(gè)電極條，所述至少一個(gè)電極條的一端與所述第一導(dǎo)電連接條中的一個(gè)電連接，另一端與所述第一導(dǎo)電連接條中的另一個(gè)間隔一定距離，形成一開口，連通相鄰的所述狹縫。本發(fā)明能夠提高顯示質(zhì)量。
【專利說明】陣列基板、顯示裝置及陣列基板的制作方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，特別是一種陣列基板、顯示裝置及陣列基板的制作方法。

【背景技術(shù)】
[0002]對(duì)于液晶顯不而言，其從總體上包括兩種模式:橫向電場(chǎng)模式和垂直電場(chǎng)模式。垂直電場(chǎng)模式的液晶顯示器又包括多種類型，如:邊緣場(chǎng)開關(guān)叩3模式、平面轉(zhuǎn)換1？3模式和高級(jí)超維場(chǎng)轉(zhuǎn)換技術(shù)纟03模式等。
[0003]垂直電場(chǎng)模式的液晶顯示裝置中，當(dāng)亞像素的亮度最高時(shí)，對(duì)應(yīng)的液晶分子處于最大偏轉(zhuǎn)狀態(tài)。此時(shí)，當(dāng)顯示裝置的顯示面受到外界壓力(如用戶進(jìn)行觸摸控制操作時(shí)指點(diǎn)屏幕帶來到壓力)時(shí)，會(huì)導(dǎo)致液晶分子發(fā)生反向偏轉(zhuǎn)。
[0004]而在液晶分子發(fā)生反向偏轉(zhuǎn)時(shí)，由于液晶受回復(fù)力的存在，會(huì)導(dǎo)致液晶分子難以恢復(fù)或者難以快速恢復(fù)到水平的最大偏轉(zhuǎn)狀態(tài)，導(dǎo)致顯示的實(shí)際亮度低于目標(biāo)亮度，影響顯示質(zhì)量。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明實(shí)施例的目的在于提供一種陣列基板、顯示裝置及陣列基板的制作方法，提高顯示質(zhì)量。
[0006]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板，包括:對(duì)應(yīng)于亞像素設(shè)置的像素電極和對(duì)應(yīng)于亞像素設(shè)置的公共電極，所述像素電極和公共電極之間設(shè)置有絕緣層，所述像素電極和公共電極形成作用于液晶的橫向電場(chǎng)，所述像素電極和公共電極之中的至少一個(gè)包括:
[0007]相對(duì)設(shè)置的第一導(dǎo)電連接條；和
[0008]形成于所述第一導(dǎo)電連接條之間的多個(gè)電極條，所述多個(gè)電極條通過所述第一導(dǎo)電連接條電連通為一體，相鄰的電極條之間形成有狹縫；
[0009]所述多個(gè)電極條中存在至少一個(gè)電極條，所述至少一個(gè)電極條的一端與所述第一導(dǎo)電連接條中的一個(gè)電連接，另一端與所述第一導(dǎo)電連接條中的另一個(gè)間隔一定距離，形成一開口，連通相鄰的所述狹縫。
[0010]上述的陣列基板，其中，還包括:相對(duì)設(shè)置的第二導(dǎo)電連接條，和所述第一導(dǎo)電連接條形成一導(dǎo)電連接框，所述多個(gè)電極條通過所述導(dǎo)電連接框相互電連接。
[0011]上述的陣列基板，其中，所述多個(gè)電極條相互平行。
[0012]上述的陣列基板，其中，所述開口包括多個(gè)時(shí)，在所述電極條的延伸方向上存在相對(duì)設(shè)置的開口。
[0013]上述的陣列基板，其中，所述陣列基板為邊緣場(chǎng)開關(guān)叩3模式或平面轉(zhuǎn)換1？3模式或高級(jí)超維場(chǎng)轉(zhuǎn)換技術(shù)八03模式的陣列基板。
[0014]上述的陣列基板，其中，所述導(dǎo)電連接框和所述多個(gè)電極條通過一次構(gòu)圖工藝形成。
[0015]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。
[0016]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種陣列基板的制作方法，包括:像素電極形成步驟和公共電極形成步驟，在形成像素電極和/或形成公共電極的過程中，通過掩膜版，使得形成的像素電極和/或公共電極包括:相對(duì)設(shè)置的第一導(dǎo)電連接條；和形成于所述第一導(dǎo)電連接條之間的多個(gè)電極條，所述多個(gè)電極條通過所述第一導(dǎo)電連接條電連通為一體，相鄰的電極條之間形成有狹縫；所述多個(gè)電極條中存在至少一個(gè)電極條，所述至少一個(gè)電極條的一端與所述第一導(dǎo)電連接條中的一個(gè)電連接，另一端與所述第一導(dǎo)電連接條中的另一個(gè)間隔一定距離，形成一開口，連通相鄰的所述狹縫。
[0017]本發(fā)明實(shí)施例具有以下的有益效果:
[0018]本發(fā)明實(shí)施例中，設(shè)置至少一個(gè)電極條，其一端與所述導(dǎo)電框電連接，另一端與所述導(dǎo)電框間隔一定距離，形成一開口，連通所述狹縫。上述方式設(shè)置的電極條使得在開口處，電場(chǎng)的方向與亞像素內(nèi)其它位置的電場(chǎng)方向不同，從而使得該開口處的液晶的偏轉(zhuǎn)程度較小，進(jìn)而利用該偏轉(zhuǎn)程度較小的液晶來影響其它位置的液晶，加快亞像素內(nèi)的其它液晶分子的恢復(fù)，提高了顯示效果。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0019]圖匕表示本發(fā)明實(shí)施例的陣列基板中的電極的一種結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020]圖表示本發(fā)明實(shí)施例的陣列基板中的電極的另一種結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖1(3表示本發(fā)明實(shí)施例的陣列基板中的電極的再一種結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖2表示現(xiàn)有技術(shù)的陣列基板中的電極的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖33表示本發(fā)明實(shí)施例的圖1所示的陣列基板中其中一個(gè)具有缺口的電極條形成的電場(chǎng)的示意圖；
[0024]圖36表示本發(fā)明實(shí)施例的開口處的液晶分子在圖3所示的電場(chǎng)影響下的偏轉(zhuǎn)示意圖；
[0025]圖如-仙表示本發(fā)明實(shí)施例中的電極條的形狀和位置的示意圖；
[0026]圖5表示本發(fā)明實(shí)施例的陣列基板中，處于最高灰度時(shí)，亞像素內(nèi)不同位置對(duì)應(yīng)的液晶的偏轉(zhuǎn)不意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0027]本發(fā)明實(shí)施例的中，通過電極條的設(shè)計(jì)來改變亞像素邊緣處的液晶分子的狀態(tài)，使得亞像素邊緣處的液晶分子能夠?qū)喯袼貎?nèi)的其它液晶分子形成一個(gè)粘滯作用，加快其它液晶分子恢復(fù)到原本偏轉(zhuǎn)狀態(tài)的速度，提高顯示效果。
[0028]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板，包括:對(duì)應(yīng)于亞像素設(shè)置的像素電極和對(duì)應(yīng)于亞像素設(shè)置的公共電極，所述像素電極和公共電極之間設(shè)置有絕緣層，所述像素電極和公共電極形成作用于液晶的橫向電場(chǎng)，所述像素電極和公共電極之中的至少一個(gè)，如圖匕所示包括:
[0029]相對(duì)設(shè)置的第一導(dǎo)電連接條1011 ；和
[0030]形成于所述第一導(dǎo)電連接條1011之間的多個(gè)電極條102，所述多個(gè)電極條102和所述第一導(dǎo)電連接條1011整體電連通，相鄰的電極條之間形成有狹縫103 ；
[0031]所述多個(gè)電極條102中存在至少一個(gè)電極條1021，所述至少一個(gè)電極條1021的一端與所述第一導(dǎo)電連接條1011中的一個(gè)電連接，另一端與所述第一導(dǎo)電連接條1011中的另一個(gè)間隔一定距離，形成一開口 104，連通相鄰的所述狹縫103。
[0032]如圖匕所示，本發(fā)明實(shí)施例的陣列基板還包括:相對(duì)設(shè)置的第二導(dǎo)電連接條1012，和所述第一導(dǎo)電連接條1011形成一導(dǎo)電連接框，所述多個(gè)電極條102通過所述導(dǎo)電連接框相互電連接。
[0033]在圖匕中，形成了一個(gè)導(dǎo)電連接框，但本發(fā)明具體實(shí)施例并不局限于導(dǎo)電連接框的結(jié)構(gòu)，如圖化所示，為本發(fā)明實(shí)施例的陣列基板中的電極的另一種結(jié)構(gòu)示意圖。與圖所示的結(jié)構(gòu)相比，并沒有第二導(dǎo)電連接條1012，此時(shí)，只需要其中一個(gè)電極條同時(shí)連通相對(duì)設(shè)置的第一導(dǎo)電連接條1011，即可使得所述多個(gè)電極條102和所述第一導(dǎo)電連接條1011形成整體電連通的結(jié)構(gòu)。
[0034]如圖1(3所示，為本發(fā)明實(shí)施例的陣列基板中的電極的再一種結(jié)構(gòu)示意圖。其中，只包括一條第二導(dǎo)電連接條1012，而任意一條電極條都只與第一導(dǎo)電連接條1011之中的一個(gè)電連接，而所有的電極條都通過第一導(dǎo)電連接條1011和第二導(dǎo)電連接條1012形成整體電連通的結(jié)構(gòu)。
[0035]以上列舉了本發(fā)明實(shí)施例中形成開口結(jié)構(gòu)的各種實(shí)現(xiàn)方式，但本發(fā)明實(shí)施例并不局限于以上的實(shí)現(xiàn)方式，只要電極條能夠與導(dǎo)電連接條之間形成開口結(jié)構(gòu)，同時(shí)形成的任意一個(gè)像素電極或公共電極呈現(xiàn)整體電連通即可。
[0036]本發(fā)明實(shí)施例中如圖1所示的結(jié)構(gòu)中，與圖2所示的現(xiàn)有技術(shù)的像素電極或公共電極相比，其設(shè)置的電極條中存在至少一個(gè)電極條，其一端與所述導(dǎo)電框(由第二導(dǎo)電連接條1012和第一導(dǎo)電連接條1011形成)電連接，另一端與所述導(dǎo)電框間隔一定距離，形成一開口，連通所述狹縫。上述方式設(shè)置的電極條使得在開口處，電場(chǎng)的方向與亞像素內(nèi)其它位置的電場(chǎng)方向不同，從而使得該開口處的液晶的偏轉(zhuǎn)程度較小，進(jìn)而利用該偏轉(zhuǎn)程度較小的液晶來影響其它位置的液晶，加快亞像素內(nèi)的其它液晶分子的恢復(fù)，提高了顯示效果。
[0037]下面對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的陣列基板能夠提高顯示效果作進(jìn)一步詳細(xì)說明如下。
[0038]如圖2所示，現(xiàn)有技術(shù)中的狹縫狀的公共電極或像素電極中，其電極條的兩端分別搭接到導(dǎo)電連接框的兩個(gè)相對(duì)側(cè)邊，因此，對(duì)于整個(gè)電極條而言，其和另一個(gè)板狀電極形成的電場(chǎng)在電極條的各個(gè)位置都是相同的。
[0039]而本發(fā)明實(shí)施例中，如圖1所示，電極條1021的一端與所述導(dǎo)電框間隔一定距離，形成一開口 104，在開口 104處不再有電極條的存在，所以在所述開口處的電場(chǎng)與電極條1021所在位置的電場(chǎng)的方向和大小都會(huì)發(fā)生變化，而這種改變的電場(chǎng)就能夠加快液晶的恢復(fù)，解釋如下。
[0040]相對(duì)于圖2所示的現(xiàn)有技術(shù)的陣列基板結(jié)構(gòu)而言，當(dāng)亞像素處于最高灰度時(shí)，如圖33所示，對(duì)于電極條1021而言，由施加到像素電極和公共電極的電信號(hào)的共同作用下，在開口 104處產(chǎn)生了平面電場(chǎng)21。如圖33所示，￡1垂直于電極條1021的短邊，而￡1會(huì)對(duì)液晶分子產(chǎn)生使之向V方向偏轉(zhuǎn)的作用力。而對(duì)于電極條1021其他位置，如圖33所示，施加到像素電極和公共電極的電信號(hào)的共同作用下產(chǎn)生了平面電場(chǎng)22。如圖％所示，￡2垂直于電極條1021的長邊，其會(huì)對(duì)液晶分子產(chǎn)生使之向X方向偏轉(zhuǎn)的作用力。
[0041]如圖36所示，在上述的電場(chǎng)￡1和￡2作用下，開口中心處的液晶分子由于受到電場(chǎng)￡2的影響較小，因此基本呈無偏轉(zhuǎn)狀態(tài)，而越靠近開口邊緣的液晶分子，由于受到電場(chǎng)￡2的作用越來越大，因此偏轉(zhuǎn)程度越來越大。但由于￡1的作用，最邊緣的液晶分子也無法達(dá)到最大偏轉(zhuǎn)狀態(tài)。
[0042]也就是說，在上述電場(chǎng)￡1和￡2的作用下，當(dāng)亞像素處于最高灰度時(shí)，將開口 104區(qū)域內(nèi)的液晶會(huì)維持如圖5所示的相對(duì)較小的偏轉(zhuǎn)狀態(tài)，而其他位置的液晶會(huì)維持如圖5所示的最大偏轉(zhuǎn)狀態(tài)(即液晶分子平行于X軸)。
[0043]也就是說，由于上述的電場(chǎng)￡1和￡2的存在，當(dāng)亞像素處于最高灰度時(shí)，如圖5所示，開口 104處的液晶的偏轉(zhuǎn)程度相對(duì)亞像素內(nèi)的其它位置的液晶的偏轉(zhuǎn)程度相對(duì)較小，而沒有達(dá)到水平的最大偏轉(zhuǎn)狀態(tài)。
[0044]當(dāng)亞像素受到按壓時(shí)，由于開口 104處的液晶的偏轉(zhuǎn)程度到水平的最大偏轉(zhuǎn)狀態(tài)之間還有一段預(yù)留量，所以開口 104處的液晶不會(huì)發(fā)生反向偏轉(zhuǎn)。當(dāng)按壓作用力消失時(shí)，由于開口 104處的液晶并沒有發(fā)生反向偏轉(zhuǎn)，所以能夠以相對(duì)較快的速度恢復(fù)到原本位置，在液晶分子之間的粘滯力的作用下，開口 104處的液晶分子會(huì)加快其他位置的液晶分子恢復(fù)到水平偏轉(zhuǎn)狀態(tài)的速度。
[0045]在本發(fā)明的具體實(shí)施例中，并不限定電極條的具體形狀，如電極條可以設(shè)計(jì)為如圖如-仙的多個(gè)電極條相互平行的各種形狀。
[0046]上述的陣列基板，所述第一導(dǎo)電連接條、第二導(dǎo)電連接條和所述多個(gè)電極條可以通過一次構(gòu)圖工藝形成。
[0047]上述的開口可以設(shè)置一個(gè)，也可以設(shè)置多個(gè)，當(dāng)所述開口包括多個(gè)時(shí)，由于能夠從各個(gè)方向?qū)Ψ聪蚱D(zhuǎn)的液晶分子產(chǎn)生作用，加快其恢復(fù)到水平偏轉(zhuǎn)狀態(tài)的速度，在本發(fā)明的具體實(shí)施例中，如圖1所示，在所述電極條的延伸方向X上存在相對(duì)設(shè)置的開口。
[0048]同時(shí)，上述開口的數(shù)量、位置以及尺寸可以通過仿真或者實(shí)際測(cè)試得到，在此不作詳細(xì)描述。
[0049]采用上述的設(shè)置，如圖1所示，處于上方開口處的液晶會(huì)從上往下對(duì)亞像素內(nèi)的其它位置的發(fā)生反向偏轉(zhuǎn)的液晶分子進(jìn)行作用，使之恢復(fù)到水平偏轉(zhuǎn)狀態(tài)，而處于下方開口處的液晶會(huì)從下往上對(duì)亞像素內(nèi)的其它位置的發(fā)生反向偏轉(zhuǎn)的液晶分子進(jìn)行作用，使之恢復(fù)到水平偏轉(zhuǎn)狀態(tài)。，相對(duì)于從一個(gè)方向?qū)喯袼貎?nèi)的其它位置的液晶進(jìn)行恢復(fù)的方式而言，開口相對(duì)設(shè)置的方式能夠進(jìn)一步加快亞像素內(nèi)液晶的恢復(fù)速度。
[0050]本發(fā)明實(shí)施例的陣列基板可以是邊緣場(chǎng)開關(guān)叩3模式或平面轉(zhuǎn)換1？3模式或高級(jí)超維場(chǎng)轉(zhuǎn)換技術(shù)八03模式的陣列基板。
[0051]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。
[0052]下面以陣列基板為像素電極位于公共電極上方的八03陣列基板為例來說明本發(fā)明實(shí)施例的陣列基板的形成過程，其包括如下步驟:
[0053]步驟一，形成柵極和柵線。
[0054]此步驟可以采用任何可以通過一次構(gòu)圖工藝實(shí)現(xiàn)的現(xiàn)有技術(shù)來實(shí)現(xiàn)。其中，構(gòu)圖工藝包括曝光、顯影、刻蝕等形成圖形的工藝；一次構(gòu)圖工藝，是指使用一張掩模板此4的構(gòu)圖工藝。例如，利用普通掩摸工藝實(shí)現(xiàn)，借助普通掩膜版對(duì)玻璃襯底上的柵極金屬薄膜進(jìn)行圖案化，以形成的圖案化的包括柵極和柵線的圖形。具體地，包括:在基板(襯底)上沉積柵金屬薄膜，利用普通掩摸板進(jìn)行曝光、顯影和刻蝕，得到包括柵極和柵線的圖形。
[0055]普通(常規(guī))掩膜版指通常所使用的具有透光區(qū)和非透光區(qū)的掩膜版，借助該第一常規(guī)掩膜版對(duì)形成在柵極金屬薄膜上的光刻膠層進(jìn)行曝光顯影后，需要保留的柵極金屬薄膜上覆蓋有光刻膠，而不需要保留的柵極金屬薄膜上的光刻膠被去除，通過刻蝕步驟，將不需要的柵極金屬薄膜刻蝕掉，剩余的柵極金屬薄膜即為所需的圖案化的柵極。
[0056]形成柵極金屬薄膜的工藝可以為濺射工藝，也可以為本領(lǐng)域技術(shù)人員所知的其它工藝。
[0057]步驟二，在完成所述步驟一的所述襯底上形成柵絕緣層。
[0058]其中，形成柵極絕緣層的工藝可以為化學(xué)氣相沉積工藝，也可以是本領(lǐng)域技術(shù)人員所知的其它工藝。
[0059]步驟三，形成有源層、源極、漏極。
[0060]可以采用多色調(diào)掩模板來實(shí)現(xiàn)，也可采用雙色調(diào)掩模板并結(jié)合等離子體灰化工藝實(shí)現(xiàn)，具體實(shí)現(xiàn)過程包括:
[0061]首先，在所述柵絕緣層上方依次形成用于制作所述有源層的半導(dǎo)體薄膜及用于制作源極和漏極的金屬薄膜。
[0062]其次，同時(shí)刻蝕掉預(yù)定形成所述薄膜晶體管的區(qū)域之外的所述半導(dǎo)體薄膜和金屬薄膜。
[0063]最后，對(duì)保留的所述金屬薄膜進(jìn)行刻蝕處理，形成所述源極和漏極。
[0064]步驟四，形成公共電極。
[0065]形成公共電極的過程也與上述過程相似，在此不再詳細(xì)描述。
[0066]步驟五，形成像素電極過孔。
[0067]首先，形成鈍化層，具體地，鈍化層的形成工藝可以為化學(xué)氣相沉積工藝，或是本領(lǐng)域技術(shù)人員所知的其它工藝。
[0068]然后，同樣可以利用涂布光刻膠，通過雙色調(diào)掩膜版進(jìn)行曝光、顯影，去除需要形成像素電極層過孔區(qū)域的光刻膠，形成像素電極過孔。
[0069]步驟六，形成像素電極。
[0070]其中一種實(shí)現(xiàn)方法可以為，具體包括:在所述鈍化層上及所述像素電極過孔中形成110氧化銦錫薄膜等；利用普通掩膜版對(duì)所述110薄膜進(jìn)行圖案化，以形成像素電極薄膜的圖形。
[0071]在此，不同的是，本發(fā)明實(shí)施例的像素電極所包括的電極條中，如圖匕-化所示，部分或全部電極條的一端與相對(duì)設(shè)置的第一導(dǎo)電連接條1011中的一條電連接，另一端與相對(duì)設(shè)置的第一導(dǎo)電連接條1011中的另一條間隔一定距離，形成一開口。
[0072]因此，本發(fā)明實(shí)施例的陣列基板的制作過程與現(xiàn)有技術(shù)的區(qū)別在于，掩膜版的形狀不同。
[0073]具體地，像素電極薄膜的形成工藝可以為濺射工藝，或是本領(lǐng)域技術(shù)人員所知的其它工藝。
[0074]借助該普通掩膜版對(duì)形成在氧化銦錫薄膜上的光刻膠層進(jìn)行曝光、顯影后，需要保留的像素電極薄膜上覆蓋有光刻膠，而不需要保留的像素電極薄膜上的光刻膠被去除，通過刻蝕步驟，將不需要的氧化銦錫薄膜刻蝕掉，剩余的像素電極薄膜即為所需的像素電極。
[0075]當(dāng)然，應(yīng)當(dāng)理解的是，本發(fā)明實(shí)施例的上述過程僅僅是舉例描述，本發(fā)明實(shí)施例并不限定上述陣列基板的制作過程。
[0076]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板，包括:對(duì)應(yīng)于亞像素設(shè)置的像素電極和對(duì)應(yīng)于亞像素設(shè)置的公共電極，所述像素電極和公共電極之間設(shè)置有絕緣層，所述像素電極和公共電極形成作用于液晶的橫向電場(chǎng)，其特征在于，所述像素電極和公共電極之中的至少一個(gè)包括: 相對(duì)設(shè)置的第一導(dǎo)電連接條；和 形成于所述第一導(dǎo)電連接條之間的多個(gè)電極條，所述多個(gè)電極條通過所述第一導(dǎo)電連接條電連通為一體，相鄰的電極條之間形成有狹縫； 所述多個(gè)電極條中存在至少一個(gè)電極條，所述至少一個(gè)電極條的一端與所述第一導(dǎo)電連接條中的一個(gè)電連接，另一端與所述第一導(dǎo)電連接條中的另一個(gè)間隔一定距離，形成一開口，連通相鄰的所述狹縫。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，還包括:相對(duì)設(shè)置的第二導(dǎo)電連接條，和所述第一導(dǎo)電連接條形成一導(dǎo)電連接框，所述多個(gè)電極條通過所述導(dǎo)電連接框相互電連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述多個(gè)電極條相互平行。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述的陣列基板，其特征在于，所述開口包括多個(gè)時(shí)，在所述電極條的延伸方向上存在相對(duì)設(shè)置的開口。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板為邊緣場(chǎng)開關(guān)FFS模式或平面轉(zhuǎn)換IPS模式或高級(jí)超維場(chǎng)轉(zhuǎn)換技術(shù)ADS模式的陣列基板。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述導(dǎo)電連接框和所述多個(gè)電極條通過一次構(gòu)圖工藝形成。
7.—種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求1-6中任意一項(xiàng)所述的陣列基板。
8.—種陣列基板的制作方法，包括:像素電極形成步驟和公共電極形成步驟，其特征在于，在形成像素電極和/或形成公共電極的過程中，通過掩膜版，使得形成的像素電極和/或公共電極包括: 相對(duì)設(shè)置的第一導(dǎo)電連接條；和 形成于所述第一導(dǎo)電連接條之間的多個(gè)電極條，所述多個(gè)電極條通過所述第一導(dǎo)電連接條電連通為一體，相鄰的電極條之間形成有狹縫； 所述多個(gè)電極條中存在至少一個(gè)電極條，所述至少一個(gè)電極條的一端與所述第一導(dǎo)電連接條中的一個(gè)電連接，另一端與所述第一導(dǎo)電連接條中的另一個(gè)間隔一定距離，形成一開口，連通相鄰的所述狹縫。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括:所述開口包括多個(gè)時(shí)，在所述電極條的延伸方向上存在相對(duì)設(shè)置的開口。
【文檔編號(hào)】G02F1/1343GK104317119SQ201410616456
【公開日】2015年1月28日 申請(qǐng)日期:2014年11月5日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月5日
【發(fā)明者】王振偉, 范宇光, 方業(yè)周, 朱紅, 于洪俊 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 北京京東方光電科技有限公司