一種加熱式lcd灌晶設(shè)備的制作方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種加熱式LCD灌晶設(shè)備，包括真空腔體、真空泵及液晶器皿平臺，所述液晶器皿平臺設(shè)置在真空腔體內(nèi)，真空腔體開有抽氣孔，真空泵與抽氣孔連接，所述液晶器皿平臺的外側(cè)部設(shè)有加熱裝置。所述加熱裝置還連接有溫度控制器。本實用新型通過對現(xiàn)有的灌晶設(shè)備進行改造，增加加熱裝置，提高液晶的溫度，從而降低液晶粘度，實現(xiàn)提高灌晶效率的目的；并且通過溫度控制器控制在40-50℃的溫度下灌晶，既能保證高效的流動性，又能避免溫度不均差異大對產(chǎn)品造成傷害。
【專利說明】 —種加熱式LCD灌晶設(shè)備

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及信息顯示屏制作加工設(shè)備領(lǐng)域，，特別涉及一種加熱式LCD灌晶設(shè)備。

【背景技術(shù)】
[0002]在液晶屏生產(chǎn)制造環(huán)節(jié)中，其中有一個工藝步驟是需要通過灌晶裝置將液晶灌入至液晶盒。已有的液晶盒的灌晶設(shè)備主體結(jié)構(gòu)由真空腔體1、真空泵2以及液晶器皿平臺3三部分組成，如圖1所示，液晶器皿平臺3置于真空腔體I內(nèi)，將待灌空液晶盒主體7置于液晶器皿平臺上，真空腔體I通過真空泵抽真空，此種灌晶設(shè)備能滿足常規(guī)盒厚產(chǎn)品(5-8um)的灌晶需求，但為達到最佳的顯示效果(如快的響應(yīng)時間、高的對比度等)，現(xiàn)LCD盒厚越做越低；已經(jīng)從普通的6.5um、5.8um盒厚,研發(fā)量產(chǎn)至VA型的3.5um盒厚,甚至3D產(chǎn)品的2.5um盒厚。眾所周知，產(chǎn)品空盒盒厚越低，其液晶8越難注入，灌晶效率越慢，以現(xiàn)在3.5umVA型產(chǎn)品為例，4英寸屏灌晶需要耗時7小時，7英寸屏灌晶需要耗時21小時。現(xiàn)有的灌晶工藝已經(jīng)嚴重影響此類低盒厚產(chǎn)品的灌晶量產(chǎn)，成為瓶頸工序。
實用新型內(nèi)容
[0003]本實用新型的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)中的不足之處，提供一種提高灌晶效率的加熱式LCD灌晶設(shè)備。
[0004]本實用新型的目的是通過以下技術(shù)方案來實現(xiàn)的:
[0005]一種加熱式IXD灌晶設(shè)備，包括真空腔體、真空泵及液晶器皿平臺，所述液晶器皿平臺設(shè)置在真空腔體內(nèi)，真空腔體開有抽氣孔，真空泵與抽氣孔連接，所述液晶器皿平臺的外側(cè)部設(shè)有加熱裝置。
[0006]作為上述方案的一種優(yōu)選，所述加熱裝置還連接有溫度控制器。
[0007]具體的，所述加熱裝置包括加熱板，所述加熱板四周開有多條加熱通道且加熱通道內(nèi)置有加熱元件。
[0008]作為上述方案的一種優(yōu)選，所述加熱裝置設(shè)置在液晶器皿平臺的底部。
[0009]優(yōu)選的，所述液晶器皿平臺嵌設(shè)在加熱板的內(nèi)部。
[0010]本實用新型相比現(xiàn)有技術(shù)具有以下優(yōu)點及有益效果:
[0011]本實用新型通過對現(xiàn)有的灌晶設(shè)備進行改造，增加加熱裝置，提高液晶的溫度，從而降低液晶粘度，實現(xiàn)提高灌晶效率的目的；并且通過溫度控制器控制在40-50°C的溫度下灌晶，既能保證高效的流動性，又能避免溫度不均差異大對產(chǎn)品造成傷害。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0012]圖1為已有的液晶盒的灌晶設(shè)備主體結(jié)構(gòu)不意圖。
[0013]圖2為本實用新型的加熱式LCD灌晶設(shè)備結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實施方式】
[0014]下面結(jié)合實施例及附圖對本實用新型作進一步詳細的描述，但本實用新型的實施方式不限于此。
[0015]實施例
[0016]如圖2所示，本實施例提供一種加熱式IXD灌晶設(shè)備，包括真空腔體1、真空泵2及液晶器皿平臺3，所述液晶器皿平臺3設(shè)置在真空腔體I內(nèi)，真空腔體I開有抽氣孔4，真空泵2與抽氣孔4連接，所述液晶器皿平臺3的外側(cè)部設(shè)有加熱裝置5。通過上述結(jié)構(gòu)，加熱裝置對液晶器皿平臺中的液晶進行加熱，降低液晶的粘度，從而提高灌晶效率。
[0017]為了保證高效的流動性，又能避免溫度不均差異大對產(chǎn)品造成傷害，所述加熱裝置5還連接有溫度控制器6。
[0018]所述加熱裝置5包括加熱板501，所述加熱板501四周開有多條加熱通道且加熱通道內(nèi)置有加熱元件502。具體的,所述加熱元件502加熱管或加熱絲。
[0019]本實施例中，所述加熱裝置5設(shè)置在液晶器皿平臺3的底部，作為一種優(yōu)選，所述液晶器皿平臺3嵌設(shè)在加熱板501的內(nèi)部，從而有效增加兩者的接觸面積，提高熱傳導(dǎo)效率。
[0020]使用時，將待灌空液晶盒主體7置于液晶器皿平臺上，真空腔體I通過真空泵抽真空，使待灌空液晶盒主體7內(nèi)基本達到盒外腔體的真空度，開始灌注液晶8并同時通過加熱裝置5對其進行加熱，并由溫度控制器6控制溫度在40-50°C之間，直至完成，最后密封灌晶□。
[0021]與現(xiàn)有的常溫灌晶設(shè)備相比，采用本實用新型提供的加熱式LCD灌晶設(shè)備能提高灌晶效率。以現(xiàn)在3.5um VA型產(chǎn)品為例，4英寸常溫灌晶需要耗時7小時，7英寸灌晶需要耗時21小時，而采用本實用新型的加熱式LCD灌晶設(shè)備，4英寸只需3.5小時，7英寸只需10小時左右，其加熱灌晶較常溫灌晶其生產(chǎn)效率可提升I倍以上。
[0022]上述實施例為本實用新型較佳的實施方式，但本實用新型的實施方式并不受上述實施例的限制，其他的任何未背離本實用新型的精神實質(zhì)與原理下所作的改變、修飾、替代、組合、簡化，均應(yīng)為等效的置換方式，都包含在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種加熱式1X0灌晶設(shè)備，包括真空腔體、真空泵及液晶器皿平臺，所述液晶器皿平臺設(shè)置在真空腔體內(nèi)，真空腔體開有抽氣孔，真空泵與抽氣孔連接，其特征在于:所述液晶器皿平臺的外側(cè)部設(shè)有加熱裝置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述加熱式1X0灌晶設(shè)備，其特征在于:所述加熱裝置還連接有溫度控制器。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述加熱式1X0灌晶設(shè)備，其特征在于:所述加熱裝置包括加熱板，所述加熱板四周開有多條加熱通道且加熱通道內(nèi)置有加熱元件。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述加熱式1X0灌晶設(shè)備，其特征在于:所述加熱裝置設(shè)置在液晶器皿平臺的底部。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述加熱式1X0灌晶設(shè)備，其特征在于:所述液晶器皿平臺嵌設(shè)在加熱板的內(nèi)部。
【文檔編號】G02F1/1341GK204166256SQ201420469889
【公開日】2015年2月18日 申請日期:2014年8月19日 優(yōu)先權(quán)日:2014年8月19日
【發(fā)明者】王海, 謝東垠, 胡世義, 江龍 申請人:康惠（惠州）半導(dǎo)體有限公司