專利名稱：成像裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種應用靜電復印技術的成像裝置。尤其是本發(fā)明涉及一種將單層有機感光鼓進行充電并曝光成像的成像裝置。
按照常規(guī)，采用電子照相技術的成像裝置已經(jīng)被廣泛地開發(fā)用于靜電復印和靜電打字領域。


圖15簡要地描述采用電子照相技術的常規(guī)成像裝置1。成像裝置包括一個可旋轉的感光鼓3，在其表面設置一感光膜層2，一個主充電器4用于向感光膜層2均勻地施加預定電荷電平，一個光學器件5用于使感光膜層2曝光并在感光膜層2上形成靜電潛像，一個顯影器件6用于將在感光膜層2上形成的靜電潛像顯影成調色像，一個轉印器件8用于將在感光膜層2上的調色像轉印到記錄紙張7上，一個清除器件9提供一個清除刮片，用于去除在感光膜層2上剩余的調色劑，及一個電荷去除燈10用于去除在感光膜層2上的剩余電荷，并調整感光膜層2的表面電勢到予定均勻的電平。主充電器4包括一個放電線4b用于對感光膜層2進行電暈放電，及一個圍繞放電線4b的密封外殼4a，朝著感光膜層2開口。
在具有上述結構的成像裝置1中，成像是以下述方式形成的。
首先，主充電器4均勻地向感光膜層2施加予定電平的電荷。其次由光學器件5向感光膜層2輻射光，因此在感光膜層2上形成靜電潛像。接著由顯影器件6向感光膜層2施敷調色劑，從而將靜電潛像顯影成為調色像。借助于轉印器件8將在感光膜層2上的調色像轉印到記錄紙張7上。轉印之后，借助清除器9將感光膜層2上的剩余調色劑去除掉。由電荷去除燈10將光輻射到感光膜層2上，從而去除感光膜層2上的剩余電荷。這樣，感光膜層2的表面電勢被均勻地調整在一個予定電平。其后，感光膜層2又再被主充電器4充電。這樣的過程是依照感光鼓3的旋轉而重復進行的。
眾所周知，因為在不同的生產(chǎn)批量中感光鼓3的感光膜層2的電特性是不一致的，因此在不同的生產(chǎn)批量中，由主充電器4充電所獲得的感光膜層2的表面電勢是有差別的。詳細地講，當感光膜層2的表面電勢均勻地建立以后，感光膜層2是相應于文件的白色區(qū)域(非圖像區(qū)域)進行曝光的。相應于在顯影位置所獲得的白色區(qū)域的感光膜層2的表面電勢在不同的生產(chǎn)批量中是不一致的。這種表面電勢的不均勻性便會導致在不同的生產(chǎn)批量中，在記錄紙7上成像密度的差別。
為了克服這樣的問題，通常采用圖16中所示的光輻射裝置C。光輻射裝置C包括一個燈B和一個圍繞燈B的外殼A，且其朝著感光膜層2開口。由光輻射裝置C輻射光朝向感光膜層2的充電區(qū)域24C，因此調整感光膜層2的表面電勢，這樣使得在不同生產(chǎn)批量中表面電勢將變得均勻一致。通常，凡是在由主充電器4供給感光層2表面電勢均勻的地方，當由光輻射器C輻射的光量越大，則受光輻射的區(qū)域D的表面電勢就越低。按照感光膜層2的感光特性來調整光輻射裝置C輻射的光量，借助顯影器件6，在感光膜層2上顯影出像之前，在顯影位置的感光膜層2的表面電勢甚至在不同的生產(chǎn)批量中也可以做到均勻一致。
但是，當不同的材料被用作感光膜層2時，光輻射裝置C便不能有效地起作用。感光膜層2可以由無機光導材料制成，例如硒，或者由單層或多層有機光層材料制成。本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)由光輻射裝置C輻射到感光膜層2上的光量和其表面電勢之間的關系是不同的，它取決于感光膜層2是否由無機材料或者由有機材料構成的。圖17就是描述這種關系的同線圖。曲線L1代表當感光膜層2是由無機材料構成時所得到的關系曲線，同線L2代表當感光膜層2是由有機材料構成時所得到的關系曲線。從圖17可得知，當由光輻射裝置C輻射的光量是相對小的時候，有機感光膜層(L2)表面電勢的下降大于無機感光膜層(L1)表面電勢的下降。
取決于是將無機材料還是將有機材料用作感光膜層2，由主充電器4供給到表面電勢SP1時用于降低感光膜層2電勢所需的由光學器件5輻射的光量是不相同的。例如，在有機感光層情況下的光量是E1，而在無機感光膜層的情況下所需光量是E2。
在如圖16所示的常規(guī)成像裝置1中，由光學器件5輻射的光量不能按照感光膜層2的材料來調整。所以在記錄紙7上的圖像密度是因感光膜層2的材料而異的，從而導致圖像質量的降低。而且，要想由光學器件5對每臺成像裝置進行光量調整是很困難的。
按照本發(fā)明的一個方案，成像裝置包括一個可旋轉的感光器件，其包括一個導電基體和一個設置在基體表面的感光膜層；一個充電器件，設置在感光器件的鄰近，用于充電感光膜層；一個電荷去除器件，設置在相對于充電器件的沿感光器件旋轉方向的迎面端，用來先于由充器件進行充電之前向感光膜層輻射光，使得感光膜層的表面電勢均勻一致；一個光輻射器件用于向處于被充電器件充電狀態(tài)下的感光膜層充電區(qū)域輻射光，以及用于調整被輻射的光量；一個曝光器件，用于向處于被充電狀態(tài)下的感光膜層輻射相應于圖像的光；一個顯影器件，設置在相對于曝光器件沿感光器件旋轉方向的下游；一個變化量檢測器件，用于檢測感光膜層充電電勢及感光膜層的靈敏度至少其中之一的變化量；以及一個補償器件，用于由光輻射器件基于變化量檢測器件所測得的結果，通過調整向充電區(qū)域輻射的光量來補償變化量。
按照本發(fā)明的另一個方案，成像裝置包括一個可旋轉的感光器件，其包括一個導電基體和一個設置在基體表面的感光膜層；一個充電器件，設置在感光器件的鄰近，用于充電感光膜層；一個電荷去除器件，設置在相對于充電器件沿感光器件旋轉方向的迎而端，用來先于由充電器件進行充電之前向感光膜層輻射光，以使得感光膜層的表面電勢均勻一致；一個光輻射器件，用于向處于由充電器件充電狀態(tài)下的感光膜層充電區(qū)域輻射光，并用于調整所輻射的光量；一個曝光器件，用于向處于被充電狀態(tài)下的感光膜層輻射相應于圖像的光；一個顯影器件，設置在沿感光器件旋轉方向相對于曝光器件的下游；一個操作器件，用于輸出一個調整信號，以便調整感光膜層充電電勢及感光膜層靈敏度至少其中之一，于多個予先確定的不同值中的一個；及一個補償器件，通過由光輻射器件根據(jù)調整信號調整向充電區(qū)域所輻射的光量，來調整至少感光膜層充電電勢及感光膜層的靈敏度在多個不同予先確定值中的一個。
按照本發(fā)明的再另一個方案，成像裝置包括一個可旋轉的感光器件，其包括一個導電基體和一個設置在基體表面的感光膜層；一個充電器件，設置在感光器件的鄰近，用于充電感光膜層；一個電荷去除器件，設置在相對于充電器件沿感光器件旋轉方向的迎面端，用來先于由充電器件實行充電之前向感光膜層輻射光以使得感光膜層的表面電勢均勻一致；一個光輻射器件、用于向處于由充電器件充電狀態(tài)下的感光膜層充電區(qū)域輻射光，并用于調整所輻射的光量；一個曝光器件，用于向處于被充電狀態(tài)下的感光膜層輻射相應于圖像的光；一個顯影器件，設置在相對于曝光器件沿感光膜器件旋轉方向的下游；一個操作器件，用于輸出一個調整信號，以調節(jié)至少感光膜層充電電勢及感光膜層的靈敏度中的一個，于至少兩個不同予先確定值中的一個；及一個補償器件，由光輻射器件根據(jù)調整信號調整向充電區(qū)域的輻射光量，來調整至少感光膜層充電電勢和感光膜層靈敏度中的一個于至少兩個不同值中的一個，該調整信號被選擇為至少兩個不同予先確定值中的一個，以便改變感光膜層相對于圖像的伽馬(gamma)特性。
在本發(fā)明的一個實施方式中，感光膜層的靈敏度由補償器件調節(jié)在兩個不同值上。
在本發(fā)明的一個實施方式中，由補償器件調節(jié)的感光膜層靈敏度是至少從三個不同值中選擇出的。
在本發(fā)明的一個實施方式中，電荷去除器件起光輻射器件的作用。
在本發(fā)明的一個實施方式中，光輻射器件包括一個發(fā)光器件，它不同于電荷去除器件。
在本發(fā)明的一個實施方式中，光輻射器件產(chǎn)生光脈沖。
在本發(fā)明的一個實施方式中，充電器件包括一個放電構件向感光膜層進行放電，及一個第一外殼，其包圍著放電構件，并朝感光膜層開口。光輻射器件包括一個發(fā)光構件及一個第二外殼，其包圍著發(fā)光構件，并朝感光膜層的充電區(qū)域開口，而且第一和第二外殼是由公共材料構成的。
在本發(fā)明的一個實施方式中，補償器件包括一個光發(fā)射驅動器件，用于驅動光輻射器件及一個用于調節(jié)由光輻射器件所輻射光量的光量調節(jié)器件。
這樣，本文中所述的本發(fā)明使得該裝置的優(yōu)點成為可能，(1)成像裝置無需麻煩的調整即可避免圖像技師的下降，例如感光層材料的差別及存在于不同的生產(chǎn)批量中和伴隨著反復使用感光膜層電特性的不一致性；以及(2)成像裝置在成像過程中實施各種型式的圖像處理，例如操作方式可以轉換，一種的攝影方式，其在記錄紙上成像的密度基本上相對于原始文件的密度呈直線性變化；另一種是常規(guī)方式，其在紙張上成像的密度相對于原始文件的密度而言，在予定密度的附近呈強烈地變化。
本發(fā)明上述這些以及其它的優(yōu)點對本領域的普通技術人員來說通過結合附圖閱讀和理解以下詳細的描述將是明顯的圖1表示按照本發(fā)明第一實施例成像裝置的示意圖；圖2表示按照成像過程感光膜層的表面電勢曲線圖；圖3表示在顯影位置時由顯影器件所形成的調色像密度相對于感光膜層表面電勢的曲線圖；圖4表示在顯影位置時，感光膜層表面電勢隨著由電荷去除燈所輻射光量的增大而下降的曲線；
圖5表示由光學器件形成主曝光后，感光膜層的表面電勢相對于主曝光量的變化曲線；圖6表示存貯在存儲器中的補償數(shù)據(jù)曲線；圖7表示主曝光光量相對于帶有充電曝光光量的變化曲線，二者均被要求感光膜層的表面電勢從800伏降低到250伏；圖8表示一種用于調整帶有充電曝光光量的器件示意圖；圖9表示另一種用于調整帶有充電曝光量器件的示意圖；圖10表示按照本發(fā)明第二實施例成像裝置的示意圖；圖11表示如圖10所示成像裝置的補償操作的流程圖；圖12表示按照本發(fā)明第三實施例成像裝置的示意圖；圖13表示由如圖12所示成像裝置在記錄紙張上的成像密度相對于原始文件密度的關系曲線圖；圖14表示在如圖12所示成像裝置中，感光膜層表面電勢相對于帶充電曝光的曲線圖；圖15表示采用電子照相技術的現(xiàn)有技術成像裝置示意圖；圖16表示現(xiàn)有技術中用于補償感光膜層靈敏度不致性的器件的示意剖視圖；圖17表示輻射到處于被充電狀態(tài)下感光膜層的光量及其表面電勢的關系曲線圖，其中感光膜層由有機材料和無機材料構成。
在下文中，本發(fā)明將以實施例方式結合附圖進行詳細描述。但發(fā)明不受下列實施例的限制。
在根據(jù)本發(fā)明的成像裝置中，由主充電器將感光鼓的感光膜層均勻地充電到一個規(guī)定的電荷量級，然后由能調整光量的光輻射器件向感光膜層的充電區(qū)域輻射光。其次，由曝光器件輻射對應于文件圖像的光到感光膜層上，該感光膜層已由主充電器充電并從光輻射器件輻射規(guī)定量的光。這樣，在感光層上便形成靜電潛像。然后由顯影器件將靜電潛像顯影居調色像。
在根據(jù)本發(fā)明的成像裝置中，甚至在感光膜層是由不同的材料構成的，或者由相同型式的材料但具有不同電特性的情況下，在顯影位置要對感光膜層表面電勢的變化量進行檢測和補償。如此，在顯影位置的感光膜層的表面電勢能夠無需從曝光器件調整光量就被均勻一致了。
詳細地講，在顯影位置要首先對感光膜層的表面電勢變化量進行檢測。在檢測結果的基礎上，由操作器件產(chǎn)生一個調整信號用于將被檢則到的表面電勢調節(jié)在多個不同規(guī)定值中的一個。根據(jù)調整信號，補償器件調節(jié)來自光輻射器件的光量到感光膜層的充電區(qū)域上，以使得其顯影位置的表面電勢調整在多個不同規(guī)定值中的一個。如此，在顯影位置的感光膜層表面電勢能夠達到均勻一致，而無需調整來自曝光器件的光量。
借助于調整來自光輻射器件的光量；來自曝光器件的光便可在感光膜層上得到一個靜電潛像，并且由顯影器件形成一個調色像，且該圖像已經(jīng)按照原始文件圖像的情況經(jīng)過適當處理。
實施例1參照附圖1詳細描述按照本發(fā)明第一個實施例的成像裝置。圖1是成像裝置11的示意圖。如圖1所示，成像裝置11包括一個可旋轉的感光鼓13作為感光構件，其又包括鼓襯底30和設置在鼓襯底30表面上的感光膜層12。感光鼓13被主充電器14環(huán)繞著，以便向感光膜層12均勻地施加一個規(guī)定量級的電荷，光學器件15作為一個曝光裝置，產(chǎn)生光以便在感光膜層12上形成靜電潛像，顯影器件16用于將在感光膜層12上的靜電潛像顯影成調色像，轉印器件18將感光膜層12上的調色像轉印到例如記錄紙17上，清除器件19用于在轉印之后將感光膜層12上的剩余調色劑去除掉，以及電荷去除器件20用于去除在感光膜層12上的剩余電荷，以使得感光膜層12的表面電勢均一在一個規(guī)定電平。
電荷去除燈20用于去除在感光膜層12上的剩余電荷，以使感光膜層12的表面電勢均一在一個規(guī)定電平，當必要時也用作光輻射器件，用于向由主充電器14充電的感光膜層12輻射光。在下文中，向處于被充電狀態(tài)下的感光膜層12進行光輻射叫做“帶有充電的曝光”。帶有充電的曝光以下列方式之一進行
(1)在一個步驟中進行電荷去除和光輻射并且同時進行充電。
(2)在電荷去除以后同時進行充電和光輻射。
(3)在電荷去除和充電以后進行光輻射。
當電荷去除燈20也起光輻射器件作用的時候，電荷去除燈20設置在主充電器14的鄰近并且向主充電器14和感光鼓13之間的感光膜層12輻射光。
圖2是按照成像過程的感光膜層12表面電勢曲線圖。如圖2所示，當由電荷去除燈20輻射光用于去除電荷時，感光膜層12的表面電勢為SP2。當感光鼓13旋轉并且由充電器14在充電位置對感光膜層12充電時，感光膜層12的表面電勢增加到SP3。例如，SP3約為810伏。當處在曝光位置，感光膜層12由光學器件15曝光相應于文件圖像光的時候，感光膜層12區(qū)域的表面電勢便降低到SP4，該區(qū)域是相應于文件的空白區(qū)域(即無圖像區(qū)域)的光進行曝光的。在下文中，由光學器件15實施的曝光被稱作“主曝光”，由主曝光所獲得的電勢被稱作“曝光后電勢”。感光膜層12未被相應于文件空白區(qū)域的光所曝光的區(qū)域的表面電勢，亦即相應于文件圖像區(qū)域的表面電勢為SP5。這樣區(qū)域的表面電勢被稱作“充電電勢”。顯影器件16將調色劑施加到具有充電電勢的區(qū)域，這樣便形成顯影。充電電勢SP5等于SP3，或者比SP3低一個暗衰減的電平。圖3表示圖像密度相對于表面電勢SP5的曲線。如圖3所示，當表面電勢增加時，圖像密度升高。
返回到圖1，主充電器14包括一個放電線21，用于進行電暈放電，一個屏敝外殼22圍繞著放電線21，并有一個開口朝著感光光鼓13，以及一個格柵23，由金屬制成并設置在屏敝外殼22的開口處。放電線21接到電源25上，用于供給放電線21以電暈放電所必需的電流量。屏敝外殼22接地。對格柵23施加一上規(guī)定的電勢，其值屬于放電線21的放電電勢和電荷去除后感光層12表面電勢之間。
從電源25流到放電電線21的電流Icc被分流為一個流到屏蔽外殼22的放電電流Isc，一個流到格柵23的放電電流Igc，以及一個流到感光鼓13的放電電流Ipc。
當由電荷去除燈20進行帶有充電的曝光時，以及當帶有充電的曝光未進行時，對放電電流Ipc，在充電位置的感光膜層12的表面電勢SP3，及經(jīng)曝光后的表面電勢SP4三者進行測量。其結如下表1表1Ipc(微安) SP3(伏) SP4(伏)未曝光100 810 250帶有充電的曝光115 950 280當進行帶有充電的曝光情況下，放電電流Ipc，表面電勢SP3及表面電勢SP4三者在曝光后均高于未進行帶有充電曝光情況下的值。從這些測量結果可以看出，當進行帶有充電的曝光時，在充電位置感光膜層12的表面電勢SP3高于由主充電器14提供的表面電勢。當進行帶有充電的曝光時，從主充電器獲得的充電電勢SP3(表1中為810伏)到曝光后的表面電勢SP4的下降小于當不進行帶有充電曝光時的下降。如果這樣的下降定義為“靈敏度”；則當進行帶有充電曝光時感光膜層12的靈敏度低于當不進行帶有充電曝光時的靈敏度。
圖4表示從充電電勢到顯影位置電勢的降低，相對于由電荷去除燈20輻射到緊接主充電器下方的感光膜層12區(qū)域的光量的關系曲線圖。這種光量的測量可以使用例如S1226-BK，它是帶有光電二極管的光電傳感器，生產(chǎn)廠家是Hamamatsu光量子學有限責任公司。圖4所示的光量(單位毫伏·秒)是由光電傳感器探測到的積分電流轉換成為由電荷去除燈20輻射光時間周期內的電壓。從圖4可以看出由電荷去除燈20進行的帶有充電的曝光能夠降低顯影位置的電勢，并且當電荷去除燈20輻射的光量增加時，則從充電電勢到顯影位置的電勢的下降增加了。
圖5是當帶有充電的曝光是用相對大的光量(例如10毫伏·秒)和當帶有充電的曝光是用相對小的光量(例如3mv·sec)時，曝光后的電勢和由光學器件15用于主曝光光量的關系曲線。線40代表當使用相對大的光量時所得到的結果，而線41代表當使用相對小的光量時所得到的結果。從圖5可得知，當主曝光光量保持一定時，則曝光后的電勢的降低隨著帶有充電曝光光量的增加而減少。
上述結果表明感光膜層12的靈敏度可以由帶有充電的曝光進行控制。(電荷去除燈驅動電路)再返回到圖1，電荷去除燈20連接到電荷去除燈驅動電路24。電荷去除燈驅動電路24連接到電源25，以便給接通電荷去除燈20供電。電荷去除燈驅動電路24也連接光量調節(jié)器件34。電荷去除燈驅動電路24將電荷去除燈20輻射出的光量調節(jié)在一個規(guī)定的水平。光量調節(jié)器件34發(fā)出一個光量控制信號給電荷去除燈驅動電路24，從而調節(jié)由電荷去除燈20所輻射到緊接在主充電器14下方的感光膜層12區(qū)域的光量在一個規(guī)定的水平。電荷去除燈驅動電路24驅動電荷去除燈20，在規(guī)定計時輻射一個規(guī)定光量，是根據(jù)為電荷去除所規(guī)定的光量數(shù)據(jù)，或者根據(jù)光量調節(jié)器件34的光量數(shù)據(jù)，它的調整在后還將描述。在制造成像裝置11時，由電荷去除燈20輻射用于帶有充電曝光的輻射光量，被調整在基準光量E1。在此點，感光膜層12的靈敏度為S1，它是相應于基準光量E1的基準靈敏度。(光量調節(jié)器件)當電荷去除燈20被脈沖狀信號驅動的情況下，光量調節(jié)器件34發(fā)出一個信號給電荷去除燈驅動線路24。此信號是用來調整由電荷去除燈驅動線路24施加到電荷去除燈20上的脈沖狀驅動信號的負載。由電荷去除燈20輻射的光量借助于此負載來調整。在電荷去除燈20被施加一個交流電壓或者一個直流電壓來驅動的情況下，則光量調節(jié)器件34發(fā)出一個信號給電荷去除燈驅動電路24。該信號是用來調整由電荷去除燈驅動電路24施加到電荷去除燈20上的驅動電壓的。光量則由驅動電壓進行調整。
在成像裝置11中，用于帶有充電的曝光由電荷去除燈20所輻射的光量是在光量調節(jié)器件34中調節(jié)的。感光膜層12表面電勢的型式，例如對感光膜層12的充電電勢或者其曝光后的電勢進行探測，這樣一種探測到的電勢被調整為一規(guī)定的基準表面電勢。例如，對為均衡曝光后的電勢所需的電勢降低要用基準表面電勢進行計算。為進行這種降低所需的由電荷去除燈20所輻射的光量可從下述關系獲得即如圖4所示向緊接著主充電器14下方的感光膜層12區(qū)域輻射的光量及如圖1所示在顯影位置的電勢降低之間的關系。于是，由電荷去除燈20為帶有充電曝光所輻射的光量在光量調節(jié)器件34中進行調整。(調整裝置)如圖1所示，為了調整用于充電曝光由電荷去除燈20輻射的光量，采用的是調整裝置33。該裝置33包括一個變化量探測器件26，一個比較電路27，一個控制器件28，一個存儲器29和一個輸出器件36。如果電荷去除燈驅動電路24具有存貯控制信號的功能，該信號由光量調節(jié)器件34調整，則光量調節(jié)器件34可以包括在調整裝置33之內。
變化量探測器件26設置在感光鼓13的鄰近，處于沿感光鼓13旋轉方向相對于顯影裝置16的上游。變化量探測器件26至少探測感光膜層12的充電電勢和曝光后表面電勢中的一個。例如，采用探測感光膜層12表面電勢的電勢傳感器作為變化量探測器件26。在該實施例中，這樣一個電勢傳感器31被用作變化量探測器件26的一個舉例。電勢傳感器31探測電勢并且輸出一個相應于電勢的信號給比較電路27。比較電路27由與其連接的控制電路28進行控制，對由電勢傳感器31探測到的電勢和存貯在存儲器29中的規(guī)定基準表面電勢兩者進行比較。接著，將變化量信號ΔSP從比較電路27送到控制器件28，ΔSP是相當于所探測到的電勢和基準表面電勢之間的差。這個差值表示感光膜層12的靈敏度變化量?？刂破骷?8根據(jù)變化量信號ΔSP輸出數(shù)據(jù)，用于補償由電荷去除燈20為帶有充電曝光所輻射光量之差。在下文中，此數(shù)據(jù)被稱做“補償數(shù)據(jù)”。將補償數(shù)據(jù)從控制器件28送到輸出器件36，例如是顯示裝置或者打印裝置，于是就直觀形象化了。操作人員使用如此具體的數(shù)據(jù)作為補償數(shù)據(jù)，輸入到先量調節(jié)器件34。光量調節(jié)器件34按照該補償數(shù)據(jù)來控制電荷去除燈驅動電路24。
存貯在存儲器29中的基準表面電勢可以是例如感光膜層12的充電電勢或者曝光后的電勢?；鶞时砻骐妱菘梢哉{整在一定電平而不管感光膜層12的材料如何，例如是無機或者有機材料。
圖6是用圖解說明補償數(shù)據(jù)的一個舉例。詳細地講，圖6說明用于帶有充電曝光光量的補償量和探測到的靈敏度變化量之間的關系。如上所述，所探測的靈敏度變化量代表著由電勢傳感器31所探測到的電勢和基準表面電勢之間的差。從圖6可以看出，當探測到的靈敏度變化量增加時，則用于帶有充電曝光光量的補償量也增加。在成像裝置11中，根據(jù)探測到的表面電勢光量補償量可以取連續(xù)變化的值，或者也可以取不連續(xù)變化的3個或更多的值。這種補償量按如下所述進行確定。
從圖5，曝光H后的電勢用函數(shù)H＝f(R，E)來表示，這里的變數(shù)E是用于帶有充電曝光的光量，變數(shù)R是用于主曝光的光量。因為從上所述靈敏度S可借助函數(shù)S＝g(B-H)來表示，這里的B代表基準表面電勢，所以靈敏度S又可以轉換成函數(shù)S＝h(R，E)，這里的R和E均為變數(shù)。
圖7是用圖解說明為降低感光膜層12的充電電勢到曝光后規(guī)定的電勢所需的主曝光光量(例如從800伏降到250伏)，就是說，為獲得規(guī)定的基準靈敏度所需的主曝光光量和用于帶有充電曝光的光量。從圖7可以看出，用于帶有充電曝光的光量E正比于主曝光的光量R。這可以用函數(shù)R＝f(E)來表示。所以當光量E設定在規(guī)定的基準光量E1時，則主曝光基準光量R1也就相對于E1被確定了。在記錄紙張17上在該點所形成圖像的圖像密度就是基準圖像密度。
當用于主曝光的光量R固定在一個常數(shù)水平時，則靈敏度S僅依賴于供帶有充電曝光的光量E而變化。
因此，當主曝光光量R被固定不變時，則光量E的變化量ΔE對應于感光膜層12的靈敏度S相對于基準靈敏度的變化量，便必然地確定了。所以用于帶有充電曝光光量E的補償數(shù)據(jù)如圖6所示，從靈敏度S相對于基準靈敏度的變化量關系中獲得。
如此，便獲得用于帶有充電曝光光量E的補償數(shù)據(jù)ΔE。根據(jù)補償數(shù)據(jù)ΔE，由電荷去除燈20輻射的光量則如上所述進行調整。
在成像裝置11中，由于不同的生產(chǎn)批量所帶來的感光膜層12的不同電特性，其所導致的在靈敏度上或者充電電勢的差別能夠容易地調整到均勻一致。因此，使用不麻煩的調整即可防止圖像質量的降低。(實施帶有充電的曝光器件)作為電荷去除燈20，可以使用可見光的光源，例如，鹵素燈、螢光燈、冷陰極射線管、用于發(fā)射紅色、綠色及其它顏色的霓虹燈，或者可以使用單色光光源，例如用于發(fā)射紅色、黃色、綠色及其它顏色的發(fā)光二極管。
其它的器件也可以代替電荷去除燈20，被用來進行帶有充電的曝光。圖8中展示了一個舉例。在圖8中，在主充電器14的密封外殼22的開口處設置一個光源47，例如是一個發(fā)光二極管，開口朝向感光膜層12。光源47也可以設置在密封外殼22的側面。光源47可以為了相同效果如電荷去除燈20的相同方式那樣進行控制。
帶有充電曝光的光量借助于控制由電荷去除燈20或者光源47所輻射的光量來進行調節(jié)。
圖9用圖解說明另一種調整帶有充電曝光光量的方法。在圖9中，壁44設置在主充電器14密封外殼22側面之外。設置壁44的外殼側面比密封外殼22的另一側面更靠近電荷去除燈20。壁44是用于調節(jié)密封外殼22和感光膜層12之間的距離的，從而調整來自帶有充電曝光的電荷去除燈20輻射的光量。例如壁44可以用紙構成。壁44相對于感光膜層12的表面可作向上或向下往復地移動，并且也可以停止在任意位置。通過適當?shù)剡x擇壁44的停止位置，可以調節(jié)來自帶有充電曝光的電荷去除燈20輻射到感光膜層12充電區(qū)域的光量。因此，由電荷去除燈20輻射的光量可以相同于為電荷去除的光量為帶有充電曝光的光量以及當帶有充電曝光時用于調節(jié)的光量。
按照本發(fā)明的再另一個調節(jié)帶有充電曝光光量的方法，是在電荷去除燈20或者光源47和感光膜層12之間設置一個濾光器，從而調節(jié)射向感光膜層12充電區(qū)域的光量。作為濾光器例如可以采用一種中性(ND)濾光器?；蛘呤褂糜坞x基發(fā)光元件的濾光器。采用游離基發(fā)光元件的濾光器以下列方式工作。由于主充電器14進行的電暈放電，一種包括在結構式1所表示的濾光器材料內的分子結構變成為結構式2，以及由電暈放電所產(chǎn)生的臭氧，從而發(fā)射光。
結構式1 結構式2
按照本發(fā)明的再另一種調整帶有充電曝光光量的方法，格柵23的空隙相對于其整個面積的比是可變化的。因為從主充電器14流到感光層12的放電電流Ipc的電平是按照這一比例進行變化的，所以能夠獲得相同調整效果。(主充電器)作為主充電器，優(yōu)選使用儲能管充電器，當使用儲能管充電器作為主充電器14時，在充電位置上感光鼓13的感光膜層12上的表面電勢，由于下列原因達到并保持在一個規(guī)定最大極限。
如上所述，來自電源25流到放電線21的電流Icc被分流成為，流到屏蔽殼22的放電電流Isc、流到格柵23的放電電流Igc和流到感光鼓13的放電電流Ipc。當感光膜層12的表面電勢低于格柵23的電勢時，來自放電線21的放電電流Ipc穿過格柵23到達感光膜層12的表面。當來自放電線21的放電電流Ipc被施加到感光膜層12時，感光膜層12的表面電勢逐漸上升。當感光膜層12的表面電勢變得基本上與格柵23的電勢相等時，供給放電線21的放電電流Icc基本上僅分流成為放電電流Isc和Igc。因此，感光膜層12的表面電勢通常由格柵23的電勢所決定，并在達到格柵23的電勢以后就保持在格柵23電勢的左右。
當使用儲能管(scorotron)充電器作為主充電器14時的情況下，最好對感光膜12充電以使感光膜層12的飽和表面電勢Vs約在500伏和1000伏之間，優(yōu)選在約700伏和850伏之間的范圍。為了進行這樣的充電，當進行電暈放電時，最好對主充電器14的放電線21施加高電壓約4至7千伏。(光學器件)作為光學器件15，可以使用一種光學系統(tǒng)，它包括透鏡、反射鏡以及諸如此類、激光振蕩器或其他同類等。(電荷去除)在對感光膜層12充電之前，感光膜層12的表面電勢最好約在100伏或更少。雖然，為了實現(xiàn)這樣的表面電勢電平所需的由電荷去除燈20輻射的光量取決于感光膜層12的類型，在感光膜層12上的照度最好大約是5勒克斯·秒至200勒克斯·秒，優(yōu)選的大約是10載克斯·秒到100勒克斯·秒。如果照度超過約200勒克斯·秒，那么由于感光膜層12被光損壞，所以圖像質量變壞。(感光膜層)作為感光膜層12，可以采用無機光導材料，例如硒、或者單層或多層的有機光導材料。
由有機材料構成的感光膜層可以是一種正向充電或者負向充電的型式。最好使用正向充電型式的單層感光膜層，因為它具有各種優(yōu)點，包括被主充電器14在充電時所生成的臭氧很少。
感光膜層1是通過將電荷攜載介質和電荷產(chǎn)生材料散布在粘合樹脂中形成的。
作為電荷產(chǎn)生材料，可以使用任何公知的有機光導顏料。例如酞菁型顏料、苝型顏料、喹丫酮顏料、吡喃埃特朗(pyranetron)型顏料、雙偶氮型顏料、或者三偶氮型顏料，可以單獨使用，或者二種或二種以上的顏料組合使用。尤其是，苝型顏料，偶氮型顏料或者其組合是優(yōu)選可取的。
電荷攜載介質是將電荷攜載材料散布在樹脂中構成的。
作為電荷攜載材料，可以使用公知的空穴攜載材料或者公知的電子攜載材料。
作為空穴攜載材料，可使用聚-N-乙烯咔唑、菲、N-乙基咔唑、2，5-二苯基-1，3，4-噁唑、2，5-雙(4-二乙基氨基苯基)-1，3，4，-噁二唑、雙-二乙基氨基苯基-1，3，6-噁二唑、4，4’-雙(二乙基氨基)-2，2’-二甲基三苯基甲烷、2，4，5-三氨基苯基咪唑、2，5-雙(4-二乙基氨基苯基)-1，3，4，-三唑、1-苯基-3-(4、二乙基氨基苯乙烯基)-5-(4-二乙基氨基苯基)-2-吡唑啉、對位-二乙基氨基苯甲醛-(二苯腙)、或者上述這些化合物的混合物。在這些材料中，二苯酚奎寧酮衍生物諸如2，6-二甲基-2’，6-二特丁基-二苯酚奎寧酮，二胺型化合物諸如3，3’-二甲基-N，N，N’，N’-四個-4甲基苯基(1，1’-聯(lián)苯基)-4，4’-二胺，氟型化合物，腙型化合物，尤其它們的混合物是可取的。
作為電子攜載材料例如可使用2-硝基-9芴酮、2，7-二硝基-9-芴酮、2，4，7-三硝基-9芴酮、2，4，5，7-四硝基-9-芴酮、2-硝基芐并噻吩、2，4，8-三硝基噻噸酮、二硝基蒽、二硝基吖啶、二硝基安托奎寧酮(dinitroantoquinone)或者上述化合物的混合物。
作為粘合樹脂例如可以使用苯乙烯型聚合物、苯乙烯-丁二烯共聚物、苯乙烯-丙烯腈共聚物、苯乙烯-馬來酸共聚物、丙烯酸共聚物、苯乙烯-丙烯酸共聚物、苯乙烯-乙烯基醋酸鹽共聚物、聚(氯乙烯)、氯乙烯-乙烯基醋酸鹽共聚物、聚酯、醇酸樹脂、聚酰胺、聚氨酯、環(huán)氧樹脂、聚碳酸酯、聚烯丙基酯、聚砜、二烯丙基鄰苯二甲酸酯樹脂、硅樹脂、酮樹脂、聚乙烯丁縮醛樹脂、聚醚樹脂、酚醛樹脂；可光固化的樹脂諸如環(huán)氧丙烯酸酯或者丙烯酸氨基甲酸乙酯；或它們的混合物。光導聚合物也可用諸如聚-N-乙烯咔唑。
含于感光層12中的電荷產(chǎn)生材料的量相對于100份的粘合樹脂而言，優(yōu)選為約0.1到50份，更可取的是約0.5到30份。含于感光膜層12中的電荷攜載材料的量，相對于100份粘合樹脂而言，優(yōu)選約為20到500份，更可取的是約30到200份。感光膜層12的厚度優(yōu)選約為10到40微米，最佳的厚度約為22到32微米，以便獲得足夠高的表面電勢、對于反復成像使用具有足夠高的耐久性，以及足夠高的靈敏度。
鼓襯底30通常由普通的鋁管或用表面滲鋁的鋁管構成。任何導電材料均可使用。例如可使用金屬、導電樹脂，或者導電薄膜。襯底也可以不是“鼓”的形式，而是以“帶”來的形式裝備。
感光膜層12以下列方式構成將粘合樹脂溶解于溶劑中，將電荷產(chǎn)生材料散布在溶解的粘合樹脂中，以制成組合物。將該組合物涂敷到鼓襯底30的表面上。作為溶劑，例如可使用酰胺型溶劑，諸如N，-N-二甲基甲酰胺或者N，N-二甲基乙酰胺；環(huán)醚諸如四氫呋喃或二噁烷；二甲基亞砜；芳香溶劑諸如苯、甲苯，或二甲苯；酮諸如甲基乙基酮；N-甲基-2-吡咯烷酮；或苯酚諸如苯酚或甲酚。
實施例2圖10是按照本發(fā)明的第二實施例中成像裝置11a的示意圖。與第一實施例中相同的元件在此也具有相同的標號。
在第二實施例中，電勢傳感器31、比較電路27、控制器件28及存儲器29直接被合并入成像裝置11a中，不是被包括入調整裝置33中。在此結構中，供光量調節(jié)器件34的補償數(shù)據(jù)自動地由控制器件28調整。由于這樣的自動調整，即使感光膜層12的靈敏度和充電電勢至少其中的一個由于反復使用而降低了，但靈敏度或者充電電勢的降低也會如同實施例1中所述的成像裝置11那樣，以相同方式進行自動補償。當探測到靈敏度或者充電電勢下降了一定的水平時，或者當已經(jīng)完成了一定數(shù)量的復印時，當接通成像裝置11a時則這樣的補償就進行了。在兩個或更多這樣的場合下可以實施補償。
圖11是說明成像裝置11a補償操作的程序方框圖。
在步驟a1，由電勢傳感器31探測感光膜層12的表面電勢。在步驟a2，在步驟1所探測到的表面電勢由比較電路27控制器件28和存儲器29如實施例1中關于成像裝置11所述的那樣，用基準表面電勢進行比較，并將其施加到如圖6所示的在存儲器29中所存貯的數(shù)據(jù)上。在步驟a3，從這樣的數(shù)據(jù)即可確定供帶有充電曝光光量的補償量。在步驟a4，由控制器件28控制光量調節(jié)器件34，從而調整供帶有充電曝光的光量。
在成像裝置11a中，在其生產(chǎn)時，為了補償感光膜層12的靈敏度和充電電勢其中至少的一個，象實施例1中那種成像裝置11所需的單獨的調節(jié)器件是不必要的。在生產(chǎn)時這樣的補償操作在成像裝置11a中是由電勢傳感器31，控制器件28和光量調節(jié)器件34完成的。其次，由于反復使用所需的這種補償操作可以無需使用外部器件的特殊操作便完成。
在此方式下，由于在生產(chǎn)期間進行自動調整，從而防止了由于在不同的生產(chǎn)批量中，材料的電特性不一致所導致的圖像密度的不一致性。其次也防止由于反復使用所造成的感光膜層12的靈敏度和充電電勢的下降。不需要使用一套從光學器件15調節(jié)光量的機構便能夠進行這樣的調整，因此可以實現(xiàn)成像裝置的結構更簡單和體積更小。
實施例3圖12是按照本發(fā)明第三實施例的成像裝置11b的示意圖。在成像裝置11中所使用與此相同的元件，這里也使用相同的標號。
成像裝置11b包括連接到光量調節(jié)器件34的操作器件42。操作器件42接收一個外部的輸入信號。
圖13表示在原始文件的圖像密度(在下文中稱＂原始密度＂)和在記錄紙張17上所形成圖像密度(在下文中稱為＂輸出密度＂)之間的關系曲線。線43代表當輻射到感光膜層12的光量(供帶有充電的曝光)較小時的這種關系；線44代表當光量較大時的這種關系。
如曲線43所示，當光量相對小的時候，輸出密度相對于原始密度的變化急刷地上升；換言之，伽馬特性(灰度系數(shù))高。在原始密度等于或小于一定數(shù)值時的區(qū)域，輸出密度可以被調整在相應于文件空白區(qū)域(無圖像區(qū)域)的第一密度D1。在原始密度大于某一定數(shù)值時的區(qū)域，輸出密度可以被調整在相應于文件圖像區(qū)域的第二密度D2。這種在原始密度和輸出密度間的關系適合于形成不具有中間色調的黑白圖像。如曲線44所示，當光量相對大的時候，輸出密度相對于原始密度的變化比曲線43的情況較慢；換言之，伽馬特性較低。在這種情況下，例如輸出密度相應于原始密度呈近似直線性變化。這種在原始密度和輸出密度間的關系適合于具有各種色調的圖像，諸如照片。
因此，在成像裝置11b中，或者可以選擇照片方式，形成具有各種色調的圖像；或者選擇常規(guī)方式，形成沒有各種色調的圖像；只需通過調節(jié)供帶有充電曝光的光量即可實現(xiàn)。圖14表示供帶有充電曝光的光量和感光膜層12表面電勢之間的關系圖。根據(jù)電勢傳感器31所探測的感光膜層12的表面電勢將供帶有充電曝光的光量調節(jié)有E3或E4。E3和E4是這樣調節(jié)的，即由充電所得的感光膜層12的表面電勢在較小的光量E3時為800伏，在較大的光量E4時為700伏。較小的光量E3被用于調節(jié)常規(guī)方式，較大的光量E4被用于調節(jié)照片方式。在圖6中所示的供帶有充電曝光光量的補償數(shù)據(jù)是存貯在存儲器29中的，而這樣的補償數(shù)據(jù)，為了調節(jié)供帶有充電曝光的光量于E3或E4，是由操作器件42來選擇的。
關于成像裝置11和11a如上所述的相同效果，在成像裝置11b中是由操作器件42達到的。其次，也能夠選擇適合于具有各種色調的照片方式及適合于沒有各種色調的常規(guī)方式。
實驗<實驗1使用第一實施例的成像裝置11>
單層感光鼓是在下述條件下制備的。(單層靜電復印感光鼓的制備)使用涂料振動器將具有下列組分的材料進行分散和混合2小時，以制備單層感光膜層的液體。將該液體涂復到具有外經(jīng)為30毫米的鋁鼓表面。將該鼓置于溫度110℃下烘干30分鐘，以形成具有厚度為30微米的單層感光膜層。照這樣，便得到了一種正充電型的靜電復印感光鼓。
(實驗)將下列的每種感光鼓安裝在如圖1所示的成像裝置11上(從DC-2556改進，由Mita工業(yè)有限責任公司生產(chǎn)，供實驗用)，感光鼓的表面電勢由主充電器14調節(jié)在800±20伏。
感光鼓1按上述方式制備。
感光鼓2按上述方式制備，但具有與感光鼓1不同的靈敏度。
感光鼓3將感光鼓2進行例行試驗(30,000次)而獲得。
感光鼓4將感光鼓2進行例行試驗(80,000次)而獲得。
感光鼓5將感光鼓2進行例行試驗(120,000次)而獲得。
在那時，對調節(jié)曝光后表面電勢約在250伏時所需的光量進行測量。其結果如表2所示，所有的感光鼓均具有不同的靈敏度。
其次，當保持供調節(jié)表面電勢在800±20伏時的充電條件，且每種感光鼓被輻射于照度為3.5勒克斯·秒下，在曝光后測量電勢。其結果也示于表2。在曝光后由于不同的靈敏度，這些感光鼓具有不同的電勢。
控制向充電區(qū)域輻射的光量，用以檢驗在曝光后的電勢變化，其結果示于表2。因為用于實驗的成像裝置具有儲能管充電器作為主充電器14，因此即使向充電區(qū)域輻射光，表面電勢也能夠是800±20伏。
表2所示的結果表示通過控制在感光鼓1到5供帶有充電曝光的光量，可以調節(jié)曝光后的電勢在約250伏。
從本實驗的結果得知在曝光后能夠獲得相同的電勢，即使感光膜層12的靈敏度是不相同的，但借助于向充電區(qū)域輻射一定量的光也能夠補償靈敏度。
表2
*1由Mita工業(yè)有限責任公司生產(chǎn)的DC-2556被改進用于具有園周速率為300毫米/秒實驗。初始表面電勢調整在800±20伏。
*2當沒有光輻射到充電面積時的感光鼓的靈敏度。
*3由光學器件15在曝光后被要求調節(jié)電勢在250伏時所輻射的光量。
*4當感光鼓表面被光學器件15光輻射的照度為4勒克斯·秒時的曝光后電勢。
*5當曝光后電勢調整在250伏時向充電區(qū)域輻射的光量(用于探測向感光膜層12緊接在主充電器14下方的區(qū)域輻射光量的光電傳感器，其型號為S1226-BK，由Hamamatsu光量子學公司生產(chǎn)，光量由光電傳感器(光電二極管)所探測到的電流值轉換成電壓值來表示，并對輻射光時期內的電壓進行積分)<實驗2使用第2實施例的成像裝置11a>
通過下列實驗發(fā)現(xiàn)借助于改變供帶有充電到如實驗1中的相同感光膜層上曝光所輻射的光量，則感光膜層12表面上的電荷水平可以按照原始密度進行改變。換言之，下列實驗就是用以檢驗E-V特性變化的。該實驗是以下列方式進行的。
如圖10所示將一種特殊的感光鼓安裝在成像裝置11a上，該鼓需要3.5勒克斯·秒的照度來衰減表面電勢從800伏降到250伏，不對充電區(qū)域進行光輻射。
其次，充電條件調整到使感光鼓表面具有800伏電勢。在供曝光感光鼓上圖像的照度調整為3.5勒克斯·秒以后，對供帶有充電曝光的光量進行多種不同的改變，來測量在顯影位置的充電后的表面電勢及曝光后電勢。其結果示于表3。
表3
表3所示的結果表明能夠通過改變輻射到充電區(qū)域的光量來對充電后的表面電勢和曝光后的電勢進行控制。
在將供帶有充電曝光的光量調節(jié)在上述每個不同條件以后，對充電電壓進行這樣的調節(jié)以使得感光鼓的表面電勢相應于孟塞爾(Munsel)灰色標度N值為8.0時為250伏(當使用如文件的孟塞爾灰色標度時在上述每種條件下，通過曝光感光膜層12所獲得的表面電勢)。然后對相應于孟塞爾灰色標度的曝光后電勢相對于各種不同光量進行測量。其結果示于表4。
表4
表4所示的結果表明光電勢(E-V)特性，亦即，色調的再現(xiàn)性可以任意調節(jié)。
<實驗3使用第三實施例中的成像裝置11b>
使用二元顯影劑進行成像。表4中的條件6被用于常規(guī)方式條件10被用于照片方式。表5示出在重復條件6和10下所形成的圖像密度。從表5可得知，在常規(guī)方式下獲得具有高對比度的清晰圖像，并且在照片方式下獲得具有極好色調再現(xiàn)的圖像。
表5
在按照本發(fā)明的成像裝置中，當感光鼓的感光膜層正在由主充電器充電，或者在感光膜層被充電以后，由可調節(jié)光量的光輻射器件輻射光到感光膜層的充電區(qū)域。依據(jù)這樣的光輻射，能夠達到如下的效果，例如(1)能夠補償感光膜層的靈敏度和充電電勢的不一致性。
(2)能夠從一份原始文件獲得不同水平的再現(xiàn)性，借助于當輻射光時控制充電電勢，而無需更換感光構件。
(3)即使采用一個感光構件，通過予先調節(jié)兩個再現(xiàn)性值也能夠選擇在常規(guī)色調再現(xiàn)性下形成圖像的常規(guī)方式，或者在較高色調再現(xiàn)性下形成圖像的照片方式。
在不脫離本發(fā)明范圍和精神情況下，各種其它變換和改進對于本專業(yè)的技術人員來說是顯而易見的，并且是容易做出的。因此，不希望所附加的權利要求書的保護范圍受限于說明書中所述的那樣，而是對權利要求書作概括地解釋。
權利要求
1.成像裝置，由下列構件組成—可旋轉的感光構件，包括一個導電基體和一個設置在基體表面的感光膜層；—設置在感光構件鄰近，用于充電感光膜層的充電裝置；—電荷去除裝置處于沿感光構件旋轉方向相對于充電裝置的上游，用來在充電裝置進行充電之前向感光膜層輻射光，以使感光膜層的表面電勢均勻一致；—光輻射裝置，用于輻射光到處于由充電裝置充電狀態(tài)下的感光膜層的充電區(qū)域，并用于調節(jié)所輻射的光量；—曝光裝置，用于向處于被充電狀態(tài)下的感光膜層輻射相應于圖像的光；—顯影裝置，設置在沿感光構件旋轉方向相對于曝光裝置的下游；—變化量檢測裝置，用來檢測感光膜層充電電勢和感光膜層靈敏度至少其中一個的變化量；—補償裝置，由光輻射裝置根據(jù)變化量檢測裝置所測得的結果通過調整向充電區(qū)域所輻射的光量來補償變化量。
2.成像裝置由下列構件組成—可旋轉的感光構件，包括一個導電基體和一個設置在基體表面的感光膜層；—設置在感光構件鄰近，用于充電感光膜層的充電裝置；—電荷去除裝置，處于沿感光構件旋轉方向相對于充電裝置的上游，用來先于由充電裝置進行充電之前，向感光膜層輻射光，以使感光膜層的表面電勢均勻一致；—光輻射裝置，用于輻射光到處于由充電裝置充電狀態(tài)下的感光膜層的充電區(qū)域，并用于調節(jié)所輻射的光量；—曝光裝置，用于向處于被充電狀態(tài)下的感光膜層輻射相應于圖像的光；—顯影裝置，設置在沿感光構件旋轉方向相對于曝光裝置的下游；—操作裝置，用來輸出一個調節(jié)信號，以調節(jié)感光膜層充電電勢和感光膜層靈敏度至少其中之一于多個不同予定值中的一個；及—補償裝置，用來調節(jié)感光膜層充電電勢和感光膜層靈敏度至少其中之一，于多個不同予定值之一，由光輻射裝置根據(jù)調節(jié)信號調節(jié)向充電區(qū)域所輻射的光量。
3.成像裝置，由下列構件組成—可旋轉的感光構件，包括一個導電基體和一個設置在基體表面的感光膜層；—設置在感光構件鄰近，用于充電感光膜層的充電裝置；—電荷去除裝置處于沿感光構件旋轉方向相對于充電裝置的上游，用來先于由充電裝置進行充電之前，向感光膜層輻射光，以使感光膜層的表面電勢均勻一致；—光輻射裝置，用于輻射光到處于由充電裝置充電狀態(tài)下的感光膜層的充電區(qū)域，并用于調節(jié)所輻射的光量；—曝光裝置，用于向處于被充電狀態(tài)下的感光膜層輻射相應于圖像的光；—顯影裝置，設置在沿感光構件旋轉方向相對于曝光裝置的下游；—操作裝置，用來輸出一個調節(jié)信號，以調節(jié)感光膜層充電電勢和感光膜層靈敏度至少其中之一于至少2個不同予定值中的一個；及—補償裝置，用來調節(jié)感光膜層充電電勢和感光膜層靈敏度至少其中之一、于至少二個不同值中之一，由光輻射裝置根據(jù)調節(jié)信號調節(jié)向充電區(qū)域所輻射的光量于至少二個不同予定值之一，這樣選擇以便改變感光膜層相對于圖像的伽馬特性。
4.根據(jù)權利要求3所述的成像裝置，其特征是借助于補償裝置調節(jié)感光膜層的靈敏度于二個不同值。
5.根據(jù)權利要求3所述的成像裝置，其特征是由補償裝置所調節(jié)的感光膜層的靈敏度是從至少三個不同值中選擇出的。
6.根據(jù)權利要求1所述的成像裝置，其特征是電荷去除裝置起光輻射裝置的作用。
7.根據(jù)權利要求2所述的成像裝置，其特征是電荷去除裝置起光輻射裝置的作用。
8.根據(jù)權利要求3所述的成像裝置，其特征是電荷去除裝置起光輻射裝置的作用。
9.根據(jù)權利要求1所述的成像裝置，其特征是光輻射裝置包括不同于電荷去除裝置的光發(fā)射裝置。
10.根據(jù)權利要求2所述的成像裝置，其特征是光輻射裝置包括不同于電荷去除裝置的光發(fā)射裝置。
11.根據(jù)權利要求3所述的成像裝置，其特征是光輻射裝置包括不同于電荷去除裝置的光發(fā)射裝置。
12.根據(jù)權利要求1所述的成像裝置，其特征是光輻射裝置產(chǎn)生光沖脈。
13.根據(jù)權利要求2所述的成像裝置，其特征是光輻射裝置產(chǎn)生光沖脈。
14.根據(jù)權利要求3所述的成像裝置，其特征是光輻射裝置產(chǎn)生光沖脈。
15.根據(jù)權利要求9所述的成像裝置，其特征是—充電裝置向感光膜層進行放電的放電構件和一個環(huán)繞放電構件并朝感光膜層開口的第一外殼，—光輻射裝置包括一個光發(fā)射構件和一個環(huán)繞光發(fā)射構件并朝感光膜層充電區(qū)域開口的第二外殼，及—第一外殼及第二外殼具有一個公共部分。
16.根據(jù)權利要求10所述的成像裝置，其特征是—充電裝置包括一個向感光膜層進行放電的放電構件和一個環(huán)繞放電構件并朝感光膜層開口的第一外殼，—光輻射裝置包括一個光發(fā)射構件和一個環(huán)繞光發(fā)射構件并朝感光膜層充電區(qū)域開口的第二外殼，及—第一外殼及第二外殼具有一個公共部分。
17.根據(jù)權利要求11所述的成像裝置，其特征是—充電裝置包括一個向感光膜層進行放電的放電構件和一個環(huán)繞放電構件并朝感光膜層開口的第一外殼，—光輻射裝置包括一個光發(fā)射構件及一個環(huán)繞光發(fā)射構件并朝感光膜層充電區(qū)域開口的第二外殼，及—第一外殼及第二外殼具有一個公共部分。
18.根據(jù)權利要求1所述的成像裝置，其特征是補償裝置包括用于驅動光輻射裝置的光發(fā)射驅動裝置及用于調節(jié)由光輻射裝置所輻射光量的光量調節(jié)裝置。
19.根據(jù)權利要求2所述的成像裝置，其特征是補償裝置包括用于驅動光輻射裝置的光發(fā)射驅動裝置及用于調節(jié)由光輻射裝置所輻射光量的光量調節(jié)裝置。
20.根據(jù)權利要求3所述的成像裝置，其特征是補償裝置包括用于驅動光輻射裝置的光發(fā)射驅動裝置及用于調節(jié)由光輻射裝置所輻射光量的光量調節(jié)裝置。
全文摘要
本發(fā)明成像裝置由下列構件組成包括可旋轉的感光構件；充電器件；電荷去除器件；光輻射裝置用于輻射光到處于由充電器件充電狀態(tài)下的感光膜層的充電區(qū)域，并用于調節(jié)所輻射的光量；曝光器件；顯影器件；變化量檢測器件，用于檢測感光膜層的充電電勢和感光膜層靈敏度其中至少一個的變化量；以及補償裝置，由光輻射器件根據(jù)變化量檢測器件所測得的結果，通過調整向充電區(qū)域所輻射的光量來補償變化量。
文檔編號G03G15/00GK1144919SQ95106310
公開日1997年3月12日 申請日期1995年5月31日 優(yōu)先權日1994年5月31日
發(fā)明者辻田充司, 田中作白, 田中裕二, 寺田幸史, 寺田卓司 申請人:三田工業(yè)株式會社