一種ffs模式的陣列基板及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種FFS模式的陣列基板及其制備方法。該陣列基板定義有像素顯示區(qū)；所述制作方法包括在所述陣列基板的像素顯示區(qū)外圍的數(shù)據(jù)信號輸入側(cè)形成數(shù)據(jù)側(cè)金屬層，掃描信號輸入側(cè)形成掃描側(cè)金屬層；在所述陣列基板上形成公共電極層；在所述像素顯示區(qū)外圍將所述數(shù)據(jù)側(cè)金屬層和所述掃描側(cè)金屬層分別與所述公共電極層電連接。本發(fā)明還公開了一種陣列基板。本發(fā)明通過像素顯示區(qū)外圍的數(shù)據(jù)側(cè)金屬層和掃描側(cè)金屬層為陣列基板的公共電極層提供公共電壓，不需要在像素顯示區(qū)內(nèi)制作公共電極線，能夠在為公共電極層提供公共電壓的同時，不影響液晶顯示面板的開口率，提高顯示質(zhì)量。
【專利說明】
一種FFS模式的陣列基板及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體而言涉及一種FFS模式的陣列基板及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]邊緣場開關(guān)(Fringe Field Switching，簡稱FFS)是一種邊緣場液晶顯示模式，是目前常用的一種廣視角液晶顯示技術(shù)，F(xiàn)FS液晶顯示面板具有響應(yīng)時間快、光透過率高、寬視角等優(yōu)點。FFS模式是在陣列基板的像素顯示區(qū)通過公共電極與像素電極形成邊緣電場來實現(xiàn)對液晶的控制以達到畫面顯示的目的，公共電極為一個整體的公共電極層，像素電極的電位通過數(shù)據(jù)線來獨立控制，公共電極的電位則由外部電路獨立控制?，F(xiàn)有技術(shù)中，通過在像素顯示區(qū)內(nèi)形成公共電極線與公共電極電連接，通過像素顯示區(qū)內(nèi)的公共電極線為公共電極提供公共電壓，因為公共電極線布置在像素顯示區(qū)內(nèi)，從而占用了陣列基板像素顯示區(qū)的有效透光區(qū)域的面積，從而導(dǎo)致陣列基板的開口率變小，影響液晶顯示面板的顯示質(zhì)量。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]有鑒于此，本發(fā)明提供一種FFS模式的陣列基板及其制備方法，本發(fā)明的陣列基板能夠在為公共電極層提供公共電壓的同時，不影響液晶顯示面板的開口率，提高顯示質(zhì)量。
[0004]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提出的一個技術(shù)方案是:提供一種FFS模式的陣列基板的制備方法，所述陣列基板定義有像素顯示區(qū)；
[0005]所述制備方法包括:
[0006]在所述陣列基板的像素顯示區(qū)外圍的數(shù)據(jù)信號輸入側(cè)形成數(shù)據(jù)側(cè)金屬層，掃描信號輸入側(cè)形成掃描側(cè)金屬層；
[0007]在所述陣列基板上形成公共電極層；
[0008]在所述像素顯示區(qū)外圍將所述數(shù)據(jù)側(cè)金屬層和所述掃描側(cè)金屬層分別與所述公共電極層電連接；
[0009]其中，所述數(shù)據(jù)側(cè)金屬層與所述公共電極層電連接的位置有若干，或所述數(shù)據(jù)側(cè)金屬層與所述公共電極層之間相鄰的邊界連續(xù)接觸以實現(xiàn)電連接;所述掃描側(cè)金屬層與所述公共電極層電連接的位置有若干，或所述掃描側(cè)金屬層與所述公共電極層之間相鄰的邊界連續(xù)接觸以實現(xiàn)電連接。
[0010]其中，所述數(shù)據(jù)側(cè)金屬層和所述掃描側(cè)金屬層與所述像素顯示區(qū)內(nèi)的掃描線和/或數(shù)據(jù)線的金屬層一同形成；
[0011]所述公共電極層覆蓋所述像素顯示區(qū)，且在所述像素顯示區(qū)外圍至少部分覆蓋所述數(shù)據(jù)側(cè)金屬層和偶數(shù)掃描側(cè)金屬層。
[0012]其中，所述在所述陣列基板的像素顯示區(qū)外圍的數(shù)據(jù)信號輸入側(cè)形成數(shù)據(jù)側(cè)金屬層，掃描信號輸入側(cè)形成掃描側(cè)金屬層具體為:
[0013]在所述陣列基板的像素顯示區(qū)外圍形成第一金屬層，通過一道光罩對所述像素顯示區(qū)外圍掃描信號輸入側(cè)的第一金屬層進行刻蝕；
[0014]在所述陣列基板上形成第一隔離層，通過一道光罩在所述像素顯示區(qū)外圍的數(shù)據(jù)信號輸入側(cè)的第一隔離層上形成通孔；
[0015]在所述隔離層上形成第二金屬層，在所述像素顯示區(qū)外圍的數(shù)據(jù)信號輸入側(cè)，所述第二金屬層通過所述第一隔離層上的通孔與所述第一金屬層電連接，形成數(shù)據(jù)信號輸入側(cè)的數(shù)據(jù)側(cè)金屬層，在所述像素顯示區(qū)外圍的掃描信號輸入側(cè)的第二金屬層形成掃描信號輸入側(cè)的掃描側(cè)金屬層；
[0016]其中，所述第一金屬層與像素顯示區(qū)內(nèi)掃描線同時形成的金屬層，所述第二金屬層與像素顯示區(qū)內(nèi)數(shù)據(jù)線同時形成的金屬層。
[0017]其中，所述在所述陣列基板的像素顯示區(qū)外圍的數(shù)據(jù)信號輸入側(cè)形成數(shù)據(jù)側(cè)金屬層，掃描信號輸入側(cè)形成掃描側(cè)金屬層具體為:
[0018]在所述陣列基板的像素顯示區(qū)外圍形成第一金屬層，通過光罩對所述像素顯示區(qū)外圍數(shù)據(jù)信號輸入側(cè)的第一金屬層進行刻蝕；
[0019]在所述陣列基板上形成第一隔離層，通過光罩在所述像素顯示區(qū)外圍的數(shù)據(jù)信號輸入側(cè)的第一隔離層上形成通孔；
[0020]在所述隔離層上形成第二金屬層，在所述像素顯示區(qū)外圍的掃描信號輸入側(cè)，所述第二金屬層通過所述第一隔離層上的通孔與所述第一金屬層電連接，形成掃描信號輸入側(cè)的掃描側(cè)金屬層，在所述像素顯示區(qū)外圍的數(shù)據(jù)信號輸入側(cè)的第二金屬層形成數(shù)據(jù)信號輸入側(cè)的數(shù)據(jù)側(cè)金屬層；
[0021]其中，所述第一金屬層與像素顯示區(qū)內(nèi)掃描線同時形成的金屬層，所述第二金屬層與像素顯示區(qū)內(nèi)數(shù)據(jù)線同時形成的金屬層。
[0022]其中，所述在所述像素顯示區(qū)外圍將所述數(shù)據(jù)側(cè)金屬層和所述掃描側(cè)金屬層分別與所述公共電極層電連接具體為:
[0023]在所述第二金屬層上形成第二隔離層，在所述第二隔離層上形成平坦層，通過一道光罩在所述平坦層上形成通孔；
[0024]在所述平坦層上形成公共電極層，通過一道光罩在所述公共電極層上形成通孔，所述公共電極層上的通孔的位置與所述平坦層上的通孔的位置一致；
[0025]在所述公共電極層上形成第三隔離層，通過一道光罩同時在所述第三隔離層和所述第二隔離層上形成通孔，所述第三隔離層和所述第二隔離層上通孔的位置與所述公共電極層上的通孔的位置一致，同時通過同一道在所述第三隔離層上形成另一通孔；
[0026]在所述第三隔離層上形成像素電極層，所述像素電極層通過所述另一通孔與所述公共電極層電連接，其中，所述像素電極層在所述像素顯示區(qū)外圍，與所述像素顯示區(qū)內(nèi)的像素電極同時形成。
[0027]本發(fā)明另一實施例提供一種FFS模式的陣列基板，所述陣列基板定義有像素顯示區(qū)，且至少在所述像素顯示區(qū)上設(shè)置有公共電極層；
[0028]所述陣列基板的像素顯示區(qū)外圍的數(shù)據(jù)信號輸入側(cè)設(shè)有數(shù)據(jù)側(cè)金屬層，掃描信號輸入側(cè)設(shè)有掃描側(cè)金屬層，所述數(shù)據(jù)側(cè)金屬層和所述掃描側(cè)金屬層均電接連所述公共電極層，為所述公共電極層提供公共電壓；
[0029]其中，所述數(shù)據(jù)側(cè)金屬層與所述公共電極層電連接的位置有若干，或所述數(shù)據(jù)側(cè)金屬層與所述公共電極層之間相鄰的邊界連續(xù)接觸以實現(xiàn)電連接;所述掃描側(cè)金屬層與所述公共電極層電連接的位置有若干，或所述掃描側(cè)金屬層與所述公共電極層之間相鄰的邊界連續(xù)接觸以實現(xiàn)電連接。
[0030]其中，所述數(shù)據(jù)側(cè)金屬層和所述掃描側(cè)金屬層均連接有PCB板，所述PCB板與公共電壓源連接。
[0031]其中，所述數(shù)據(jù)側(cè)金屬層包括從下至上設(shè)置的第一金屬層和第二金屬層，所述掃描側(cè)金屬與所述第二金屬層同層設(shè)置;或
[0032]所述掃描側(cè)金屬層包括從下至上設(shè)置的第一金屬層和第二金屬層，所述數(shù)據(jù)側(cè)金屬層與所述第二金屬層同層設(shè)置；
[0033]其中，所述第一金屬層是與像素顯示區(qū)內(nèi)掃描線同時形成的金屬層，所述第二金屬層是與像素顯示區(qū)內(nèi)數(shù)據(jù)線同時形成的金屬層。
[0034]其中，所述數(shù)據(jù)側(cè)金屬層和所述掃描側(cè)金屬層均連接有PCB板具體為:
[0035]所述數(shù)據(jù)側(cè)金屬層中，僅所述第一金屬層連接所述PCB板;或
[0036]所述掃描側(cè)金屬層中，僅所述第一金屬層連接有PCB板。
[0037]其中，所述數(shù)據(jù)側(cè)金屬層和所述掃描側(cè)金屬層均電接連所述公共電極層具體為:
[0038]所述數(shù)據(jù)側(cè)金屬層或所述掃描側(cè)金屬層中，所述第一金屬層和所述第二金屬層之間設(shè)有第一隔離層，所述第二金屬層通過所述第一隔離層上的通孔與所述第一金屬層電連接；
[0039]所述第二金屬層上從下至上依次設(shè)有第二隔離層、平坦層、公共電極層、第三隔離層和像素電極層，所述第二金屬層通過所述第二隔離層、所述平坦層和所述第三隔離層上的通孔與所述像素電極層電連接，所述像素電極層與所述公共電極層通過所述第三隔離層上的另一通孔電連接，實現(xiàn)所述第二金屬層與所述公共電極層電連接；
[0040]所述像素電極層在所述像素顯示區(qū)外圍，與所述像素顯示區(qū)內(nèi)的像素電極同時形成。
[0041]有益效果:區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明通過在所述陣列基板的像素顯示區(qū)外圍的數(shù)據(jù)信號輸入側(cè)形成數(shù)據(jù)側(cè)金屬層，掃描信號輸入側(cè)形成掃描側(cè)金屬層;在所述陣列基板上形成公共電極層;在所述像素顯示區(qū)外圍將所述數(shù)據(jù)側(cè)金屬層和所述掃描側(cè)金屬層分別與所述公共電極層電連接。本發(fā)明利用像素顯示區(qū)外圍的數(shù)據(jù)側(cè)金屬層和掃描側(cè)金屬層為陣列基板的公共電極層提供公共電壓，不需要在像素顯示區(qū)內(nèi)制作公共電極線，能夠在為公共電極層提供公共電壓的同時，不影響液晶顯示面板的開口率，提高顯示質(zhì)量。
【附圖說明】
[0042]圖1是本發(fā)明陣列基板的制備方法一實施例的流程示意圖；
[0043]圖2是根據(jù)圖1制備得到的陣列基板的平面示意圖；
[0044]圖3是圖1中步驟SI的一具體流程示意圖；
[0045]圖4a_圖4b是根據(jù)圖3制備得到的數(shù)據(jù)側(cè)金屬層和掃描側(cè)金屬層的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0046]圖5是圖1中步驟SI的另一具體流程不意圖；
[0047]圖6a_圖6b是根據(jù)圖5制備得到的掃描側(cè)金屬層和數(shù)據(jù)側(cè)金屬層的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0048]圖7是圖1中步驟S3的具體流程示意圖；
[0049]圖8a-圖Sd是根據(jù)圖7制備得到的數(shù)據(jù)側(cè)金屬層和掃描側(cè)金屬層與公共電極層電連接的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0050]圖9a_圖9d是圖8a_圖8d的平面不意圖。
具體實施例
[0051]為使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖和具體實施例對本發(fā)明所提供的一種FFS模式的陣列基板及其制備方法做進一步詳細描述。在附圖中，為了清楚器件，夸大了層和區(qū)域的厚度，相同的標(biāo)號在整個說明書和附圖中用來表示相同的元件。
[0052]本發(fā)明實施例的FFS模式的陣列基板定義有像素顯示區(qū)，所述像素顯示區(qū)指陣列基板上設(shè)有像素電極，用于液晶顯示面板顯示的區(qū)域。
[0053]圖1為本發(fā)明陣列基板的制備方法一實施例的流程示意圖，該陣列基板的制備方法具體包括如下步驟:
[0054]S1、在所述陣列基板的像素顯示區(qū)外圍的數(shù)據(jù)信號輸入側(cè)形成數(shù)據(jù)側(cè)金屬層，掃描信號輸入側(cè)形成掃描側(cè)金屬層。
[0055]在陣列基板中數(shù)據(jù)線呈縱向排布，數(shù)據(jù)信號根據(jù)數(shù)據(jù)線的排布呈縱向傳輸，將數(shù)據(jù)信號沿數(shù)據(jù)線縱向輸入陣列基板的像素顯示區(qū)的方向定義為數(shù)據(jù)信號輸入側(cè);在陣列基板的像素顯示區(qū)外圍的數(shù)據(jù)信號輸入側(cè)形成一層金屬層，該金屬層定義為數(shù)據(jù)側(cè)金屬層。在陣列基板中掃描線線呈橫向排布，掃描信號根據(jù)掃描線的排布呈橫向傳輸，將掃描信號沿掃描線橫向輸入陣列基板的像素顯示區(qū)的方向定義為掃描信號輸入側(cè);在陣列基板的像素顯示區(qū)外圍的掃描信號輸入側(cè)形成一層金屬層，該金屬層定義為數(shù)據(jù)側(cè)金屬層。
[0056]像素顯示區(qū)外圍的數(shù)據(jù)側(cè)金屬層和數(shù)據(jù)側(cè)金屬層是與像素顯示區(qū)內(nèi)用于制備掃描線和/或數(shù)據(jù)線的金屬層一起形成的。
[0057]在陣列基板上通過濺射、沉積或涂覆形成一層用于制備掃描線和/或數(shù)據(jù)線的金屬層，再通過涂布、曝光、顯影、濕刻、干刻和剝離等方法在像素顯示區(qū)形成掃描線和數(shù)據(jù)線，同時在像素顯示區(qū)外圍形成圍繞所述像素顯示區(qū)的金屬層。
[0058]S2、在所述陣列基板上形成公共電極層。
[0059]基于FFS模式的液晶顯示面板中的公共電極層設(shè)置在陣列基板上，在陣列基板上，該公共電極層至少覆蓋陣列基板的像素顯示區(qū)，可選的，公共電極層覆蓋的區(qū)域略大于像素顯示區(qū)。
[0060]S3、在所述像素顯示區(qū)外圍將所述數(shù)據(jù)側(cè)金屬層和所述掃描側(cè)金屬層分別與所述公共電極層電連接。
[0061]在像素顯示區(qū)外圍將數(shù)據(jù)側(cè)金屬層和掃描側(cè)金屬層分別與陣列基板的公共電極層電連接，數(shù)據(jù)側(cè)金屬層和掃描側(cè)金屬層分別與公共電壓源連接，則數(shù)據(jù)金屬層和掃描金屬層能夠為陣列基板的公共電極層提供公共電壓，從而利用像素顯示區(qū)外圍的數(shù)據(jù)金屬層和掃描金屬層為公共電極層提供公共電壓，不需在像素顯示區(qū)內(nèi)制作公共電極線，能夠為公共電極層提供公共電壓的同時不影響液晶顯示面板的開口率的目的。
[0062]其中，數(shù)據(jù)側(cè)金屬層和掃描側(cè)金屬層可以連接陣列基板外圍設(shè)置的PCB板，可選的，數(shù)據(jù)側(cè)金屬層與陣列基板的數(shù)據(jù)信號輸入側(cè)外圍的PCB板連接，PCB板與陣列基板之間通過覆晶薄膜(Chip On Film，C0F)連接，PCB板再與公共電壓源連接，PCB板設(shè)置在陣列基板外圍的數(shù)據(jù)信號輸入側(cè)，PCB板通過COF將公共電壓信號傳導(dǎo)至陣列基板上;其中，數(shù)據(jù)側(cè)金屬層的公共電壓信號由陣列基板的數(shù)據(jù)信號輸入側(cè)外圍的PCB板導(dǎo)入，掃描側(cè)金屬層的公共電壓信號同樣由陣列基板的數(shù)據(jù)信號輸入側(cè)外圍的PCB板導(dǎo)入。
[0063]其中，可以僅通過數(shù)據(jù)金屬層或掃描金屬層為陣列基板的公共電極層提供公共電壓，也可以通過數(shù)據(jù)金屬層和掃描金屬層同時為陣列基板的公共電極層提供公共電壓。
[0064]在所述像素顯示區(qū)外圍，數(shù)據(jù)側(cè)金屬層和掃描側(cè)金屬層分別與陣列基板的公共電極層電連接，使得數(shù)據(jù)側(cè)金屬層和掃描側(cè)金屬層分別與公共電極層電連接。其中，數(shù)據(jù)側(cè)金屬層與公共電極層電連接的位置有若干，或數(shù)據(jù)側(cè)金屬層與公共電極層之間相鄰的邊界連續(xù)接觸以實現(xiàn)電連接;掃描側(cè)金屬層與公共電極層電連接的位置有若干，或掃描側(cè)金屬層與公共電極層之間相鄰的邊界連續(xù)接觸以實現(xiàn)電連接。
[0065]根據(jù)圖1所示的本發(fā)明陣列基板的制備方法一實施例得到的陣列基板的平面示意圖如圖2所示，由于陣列基板的結(jié)構(gòu)是層疊設(shè)置的，為了更清楚的表示出根據(jù)本發(fā)明實施例的陣列基板的制備方法一實施例得到陣列基板的公共電壓的傳輸路徑，圖2中只標(biāo)出了相關(guān)的層級結(jié)構(gòu)。
[0066]參照圖2，中心的陰影區(qū)域為像素顯示區(qū)I，至少在像素顯示區(qū)I上設(shè)有公共電極層
2。像素顯示區(qū)外圍的上下兩側(cè)對應(yīng)陣列基板的數(shù)據(jù)信號輸入側(cè)，像素顯示區(qū)外圍的左右兩側(cè)對應(yīng)陣列基板的掃描信號輸入側(cè);像素顯示區(qū)外圍的數(shù)據(jù)信號輸入側(cè)設(shè)有數(shù)據(jù)側(cè)金屬層3，像素顯示區(qū)外圍的掃描信號輸入側(cè)設(shè)有掃描側(cè)金屬層4。圖2中在陣列基板的數(shù)據(jù)信號輸入側(cè)設(shè)有PCB板5，數(shù)據(jù)側(cè)金屬層3通過饋電點6與數(shù)據(jù)信號輸入側(cè)的PCB板5連接，其中，掃描側(cè)金屬層外圍設(shè)有⑶F，數(shù)據(jù)側(cè)金屬層3與PCB板之間也設(shè)有⑶F，PCB板通過⑶F將公共電壓信號導(dǎo)入陣列基板上。圖2中的公共電極層覆蓋的區(qū)域略大于像素顯示區(qū)I，未填充的區(qū)域為公共電極層2分別與數(shù)據(jù)側(cè)金屬層和掃描側(cè)金屬層的重疊區(qū)域，在該重疊區(qū)域，數(shù)據(jù)側(cè)金屬層和掃描側(cè)金屬層分別與公共電極層2電連接，數(shù)據(jù)側(cè)金屬層與公共電極層電連接的位置7有若干，掃描側(cè)金屬層與公共電極層電連接的位置8也有若干。此外，數(shù)據(jù)側(cè)金屬層與公共電極層還可以通過相鄰的邊界連續(xù)接觸以實現(xiàn)電連接，掃描側(cè)金屬層與公共電極層還可以通過相鄰的邊界連續(xù)接觸以實現(xiàn)電連接。數(shù)據(jù)側(cè)金屬層和掃描側(cè)金屬層分別與公共電極層電連接處電連接。
[0067]通過本發(fā)明陣列基板的制備方法得到的陣列基板，利用像素顯示區(qū)外圍的數(shù)據(jù)側(cè)金屬層和掃描側(cè)金屬層為陣列基板的公共電極層提供公共電壓，在像素顯示區(qū)外圍建立公共電壓的傳導(dǎo)路徑，不需在像素顯示區(qū)內(nèi)制作公共電極線，從而達到為公共電極層提供公共電壓的同時不影響液晶顯示面板的開口率的目的。
[0068]可選的，如圖3所示，步驟SI具體包括如下步驟:
[0069]S101、在所述陣列基板的像素顯示區(qū)外圍形成第一金屬層，通過一道光罩對所述像素顯示區(qū)外圍掃描信號輸入側(cè)的第一金屬層進行刻蝕。
[0070]在陣列基板上通過濺射、沉積或涂覆形成一層用于制備掃描線的金屬層，將該金屬層定義為第一金屬層。在第一金屬層上通過涂布、曝光、顯影、濕刻、干刻和剝離等工序，在像素顯示區(qū)內(nèi)形成掃描線，同時將像素顯示區(qū)外圍掃描信號輸入側(cè)的第一金屬層刻蝕，此時像素顯示區(qū)外圍數(shù)據(jù)信號輸入側(cè)保留有第一金屬層。
[0071]S102、在所述陣列基板上形成第一隔離層，通過一道光罩在所述像素顯示區(qū)外圍的數(shù)據(jù)信號輸入側(cè)的第一隔離層上形成通孔。
[0072]在陣列基板上形成第一隔離層，在像素顯示區(qū)外圍掃描信號輸入側(cè)，由于第一金屬層被刻蝕了，第一隔離層沉積在基板上;在像素顯示區(qū)外圍數(shù)據(jù)信號輸入側(cè)，第一隔離層覆蓋在第一金屬層上。通過一道光罩在所述像素顯示區(qū)外圍的數(shù)據(jù)信號輸入側(cè)的第一隔離層上形成通孔。在該步驟中掃描信號輸入側(cè)的第一隔離層也可以被刻蝕掉。
[0073]S103、在所述第一隔離層上形成第二金屬層。
[0074]在第一隔離層上形成第二金屬層是與像素顯示區(qū)內(nèi)形成數(shù)據(jù)線的金屬層一起的，第二金屬層與用于形成數(shù)據(jù)線的金屬層為同一金屬層。通過濺射、沉積或涂覆等工藝將第二金屬層形成在第一隔離層上，在所述像素顯示區(qū)外圍的數(shù)據(jù)信號輸入側(cè)，第二金屬層通過第一隔離層上的通孔與第一金屬層電連接，形成數(shù)據(jù)信號輸入側(cè)的數(shù)據(jù)側(cè)金屬層。在所述像素顯示區(qū)外圍的掃描信號輸入側(cè)的第二金屬層形成掃描側(cè)金屬層，即掃描側(cè)金屬層與第二金屬層同層設(shè)置。如圖4a和圖4b所示，圖4a為數(shù)據(jù)側(cè)金屬層3的結(jié)構(gòu)示意圖，數(shù)據(jù)側(cè)金屬層3包括從下至上依次設(shè)置的第一金屬層301、第一隔離層303和第二金屬層302，第一金屬層301通過第一隔離層303上的通孔3031與第二金屬層302電連接；圖4b為掃描側(cè)金屬層4的結(jié)構(gòu)示意圖，掃描側(cè)金屬層4與第二金屬層302為同一層，且掃描側(cè)金屬層4和第二金屬層302同層設(shè)置，掃描側(cè)金屬層4下方為第一隔離層303，此處第一隔離層303也可以在步驟S102中被刻蝕。數(shù)據(jù)側(cè)金屬層3中通過第一金屬層301連接PCB板，掃描側(cè)金屬層外圍設(shè)有C0F，數(shù)據(jù)側(cè)金屬層3與PCB板之間也設(shè)有C0F，PCB板通過COF將公共電壓信號導(dǎo)入陣列基板上。
[0075]數(shù)據(jù)側(cè)金屬層和掃描側(cè)金屬層還可以通過下述步驟制作，可選的，如圖5所示，步驟SI具體包括如下步驟:
[0076]S104、在所述陣列基板的像素顯示區(qū)外圍形成第一金屬層，通過一道光罩對所述像素顯示區(qū)外圍數(shù)據(jù)信號輸入側(cè)的第一金屬層進行刻蝕。
[0077]在陣列基板上形成一層用于制備掃描線的金屬層，將該金屬層定義為第一金屬層。在第一金屬層上進行刻蝕，在像素顯示區(qū)內(nèi)形成掃描線，同時將像素顯示區(qū)外圍數(shù)據(jù)信號輸入側(cè)的第一金屬層刻蝕，此時像素顯示區(qū)外圍掃描信號輸入側(cè)保留有第一金屬層。
[0078]S105、在所述陣列基板上形成第一隔離層，通過光罩在所述像素顯示區(qū)外圍的掃描信號輸入側(cè)的第一隔離層上形成通孔。
[0079]在陣列基板上形成第一隔離層，在像素顯示區(qū)外圍數(shù)據(jù)信號輸入側(cè)，由于第一金屬層被刻蝕了，第一隔離層沉積在基板上;在像素顯示區(qū)外圍掃描信號輸入側(cè)，第一隔離層覆蓋在第一金屬層上。通過一道光罩在所述像素顯示區(qū)外圍的掃描信號輸入側(cè)的第一隔離層上形成通孔。
[0080]S106、在所述第一隔離層上形成第二金屬層。
[0081]在第一隔離層上形成第二金屬層是與像素顯示區(qū)內(nèi)形成數(shù)據(jù)線的金屬層一起的，第二金屬層與用于形成數(shù)據(jù)線的金屬層為同一金屬層。
[0082]將第二金屬層形成在第一隔離層上，在所述像素顯示區(qū)外圍的掃描信號輸入側(cè)，第二金屬層通過第一隔離層上的通孔與第一金屬層電連接，形成掃描信號輸入側(cè)的掃描側(cè)金屬層。在所述像素顯示區(qū)外圍的數(shù)據(jù)信號輸入側(cè)的第二金屬層形成數(shù)據(jù)側(cè)金屬層，即數(shù)據(jù)側(cè)金屬層與第二金屬層同層設(shè)置。如圖6a和圖6b所示，圖6a為掃描側(cè)金屬層4的結(jié)構(gòu)示意圖，掃描側(cè)金屬層4包括從下至上依次設(shè)置的第一金屬層401、第一隔離層403和第二金屬層402，第一金屬層401通過第一隔離層403上的通孔與第二金屬層402電連接；圖6b為數(shù)據(jù)側(cè)金屬層3的結(jié)構(gòu)示意圖，數(shù)據(jù)側(cè)金屬層3即為第二金屬層402，數(shù)據(jù)側(cè)金屬層3與第二金屬層402同層設(shè)置；數(shù)據(jù)側(cè)金屬層3下方為第一隔離層403，此處第一隔離層403也可以在步驟S105中被刻蝕。掃描側(cè)金屬層4中通過第一金屬層401連接PCB板，數(shù)據(jù)側(cè)金屬層3(等同于第二金屬層402)連接PCB板。
[0083]基于上述的數(shù)據(jù)側(cè)金屬層和掃描側(cè)金屬層的制備方法，如圖7所示，步驟S3具體包括如下步驟:
[0084]S301、在所述第二金屬層上形成第二隔離層，在所述第二隔離層上形成平坦層，通過一道光罩在所述平坦層上形成通孔。
[0085]在第二金屬層上形成第二隔離層，在第二隔離層上形成平坦層，對平坦層進行刻蝕時不影響第二隔離層，此時，第二隔離層上沒有通孔。
[0086]S302、在所述平坦層上形成公共電極層，通過一道光罩在所述公共電極層上形成通孔。
[0087]在平坦層上沉積公共電極層，通過一道光罩在公共電極層上形成一個與平坦層上的通孔相對應(yīng)的通孔，公共電極層上的通孔的位置與平坦層上的通孔的位置一致。可選的，公共電極層上的通孔的孔徑大于平坦層上的通孔的孔徑。
[0088]S303、在所述公共電極層上形成第三隔離層，通過一道光罩同時在所述第三隔離層和所述第二隔離層上形成通孔，所述第三隔離層和所述第二隔離層上通孔的位置與所述公共電極層上的通孔的位置一致，同時通過同一道在所述第三隔離層上形成另一通孔。
[0089]通過一道光罩在第三隔離層和第二隔離層上同時形成相對應(yīng)的通孔，同時，通過同一道光罩在第三隔離層上形成另一通孔。
[0090]S304、在所述第三隔離層上形成像素電極層。
[0091]像素電極層在所述像素顯示區(qū)外圍，可以與所述像素顯示區(qū)內(nèi)的像素電極同時形成。像素電極層通過第三隔離層上的另一通孔與公共電極層電連接。
[0092]公共電極層與數(shù)據(jù)側(cè)金屬層和掃描側(cè)金屬層的電連接路徑中設(shè)置像素電極層，公共電極層與像素電極層電連接的位置、公共電極層與數(shù)據(jù)側(cè)金屬層電連接的位置以及公共電極層與掃描側(cè)金屬層電連接的位置均有多個，該多個電連接的位置在陣列基板的像素顯示區(qū)外圍均有分布，能夠使得公共電極層上的公共電壓更加均一穩(wěn)定。
[0093]通過上述的步驟S3，則在陣列基板上得到數(shù)據(jù)側(cè)金屬層和掃描側(cè)金屬層分別與公共電極層電連接的結(jié)構(gòu)。參照圖8a，數(shù)據(jù)側(cè)金屬層為從下至上依次設(shè)置的第一金屬層301、第一隔離層303和第二金屬層302，第一金屬層301通過第一隔離層303上的通孔3031與第二金屬層302電連接，第二金屬層302上依次設(shè)有第二隔離層9、平坦層10、公共電極層11、第三隔離層12和像素電極層13，其中，像素電極層13在像素顯示區(qū)外圍，第二隔離層9上的通孔與第三隔離層12上的其中一個通孔1201為通過同一道光罩形成的，第二金屬層302通過第二隔離層303的通孔901和平坦層100上的通孔1001，以及第三隔離層12上的其中一個通孔1201與像素電極層13電連接，像素電極層13通過第三隔離層12上的另一通孔1202與公共電極層11電連接。圖9a為圖8a所示的數(shù)據(jù)側(cè)金屬層與公共電極層電連接的平面示意圖，數(shù)據(jù)信號輸入為縱向輸入，陰影部分為陣列基板上的公共電極層11，第一金屬層301連接PCB板，PCB板連接公共電壓源，公共電壓源輸出恒定的公共電壓信號，公共電壓信號經(jīng)過第一金屬層301，通過第一隔離層上的通孔3031傳輸?shù)降诙饘賹?02，在通過第二隔離層9上的通孔901、平坦層10上的通孔1001和第三隔離層12上的通孔1201導(dǎo)入像素電極層13，再通過第三隔離層12的另一通孔1202導(dǎo)入公共電極層11。參照圖Sb，掃描側(cè)金屬層4即為第二金屬層302，掃描側(cè)金屬層4上的結(jié)構(gòu)與圖8a中數(shù)據(jù)側(cè)金屬層上的結(jié)構(gòu)相同。圖9b為圖8b所示的掃描側(cè)金屬層4與公共電極層11電連接的平面示意圖，掃描信號輸入為橫向輸入，陰影部分為公共電極層11，掃描側(cè)金屬層外圍設(shè)有COF，數(shù)據(jù)側(cè)金屬層3與PCB板之間也設(shè)有COF，PCB板通過COF將公共電壓信號導(dǎo)入數(shù)據(jù)側(cè)金屬層3和掃描側(cè)金屬層4上，公共電壓信號經(jīng)過掃描側(cè)金屬層4(第二金屬層302)，再通過第二隔離層9上的通孔901、平坦層10上的通孔1001和第三隔離層12上的通孔1201導(dǎo)入像素電極層13，再通過第三隔離層12的另一通孔1202導(dǎo)入公共電極層。參照圖Sc，掃描側(cè)金屬層4為從下至上依次設(shè)置的第一金屬層401、第一隔離層403和第二金屬層402，掃描側(cè)金屬層4上的層級結(jié)構(gòu)與圖8a相同，此處不再贅述。圖9c為圖Sc所示的掃描側(cè)金屬層4與公共電極層電11連接的平面示意圖，掃描信號輸入為橫向輸入，公共電壓信號的傳輸方式與圖9a所示的數(shù)據(jù)側(cè)金屬層3與公共電極層11電連接的平面示意圖的公共電壓傳輸?shù)姆绞较嗤?，此處不再贅述。參照圖8d，數(shù)據(jù)側(cè)金屬層3即為第二金屬層402，數(shù)據(jù)側(cè)金屬層3上的層級結(jié)構(gòu)與圖Sb相同，此處不再贅述。圖9d為圖Sd所示的數(shù)據(jù)側(cè)金屬層3與公共電極層11電連接的平面示意圖，數(shù)據(jù)信號輸入為縱向輸入，公共電壓信號的傳輸方式與圖9b所示的數(shù)據(jù)側(cè)金屬層4與公共電極層11電連接的平面示意圖的公共電壓傳輸?shù)姆绞较嗤?，此處不再贅述?br>[0094]圖9a、圖％、圖9c和圖9d中，由于第二隔離層9上的通孔901和第三隔離層12上的通孔1201是通過同一光罩形成，所以第二隔離層9上的通孔901和第三隔離層12上的通孔1201相互重疊，因此在圖9a、圖％、圖9c和圖9d中只標(biāo)出處了第三隔離層12上的通孔1201。
[0095]本發(fā)明陣列基板的制備方法通過在所述陣列基板的像素顯示區(qū)外圍的數(shù)據(jù)信號輸入側(cè)形成數(shù)據(jù)側(cè)金屬層，掃描信號輸入側(cè)形成掃描側(cè)金屬層;在所述陣列基板上形成公共電極層;在所述像素顯示區(qū)外圍將所述數(shù)據(jù)側(cè)金屬層和所述掃描側(cè)金屬層分別與所述公共電極層電連接。本發(fā)明通過像素顯示區(qū)外圍的數(shù)據(jù)側(cè)金屬層和掃描側(cè)金屬層為陣列基板的公共電極層提供公共電壓，不需要在像素顯示區(qū)內(nèi)制作公共電極線，能夠在為公共電極層提供公共電壓的同時，不影響液晶顯示面板的開口率，提高顯示質(zhì)量。
[0096]以上所述僅為本發(fā)明的實施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護范圍。
【主權(quán)項】
1.一種FFS模式的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述陣列基板定義有像素顯示區(qū)； 所述制作方法包括: 在所述陣列基板的像素顯示區(qū)外圍的數(shù)據(jù)信號輸入側(cè)形成數(shù)據(jù)側(cè)金屬層，掃描信號輸入側(cè)形成掃描側(cè)金屬層； 在所述陣列基板上形成公共電極層； 在所述像素顯示區(qū)外圍將所述數(shù)據(jù)側(cè)金屬層和所述掃描側(cè)金屬層分別與所述公共電極層電連接； 其中，所述數(shù)據(jù)側(cè)金屬層與所述公共電極層電連接的位置有若干，或所述數(shù)據(jù)側(cè)金屬層與所述公共電極層之間相鄰的邊界連續(xù)接觸以實現(xiàn)電連接;所述掃描側(cè)金屬層與所述公共電極層電連接的位置有若干，或所述掃描側(cè)金屬層與所述公共電極層之間相鄰的邊界連續(xù)接觸以實現(xiàn)電連接。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述數(shù)據(jù)側(cè)金屬層和所述掃描側(cè)金屬層與所述像素顯示區(qū)內(nèi)的掃描線和/或數(shù)據(jù)線的金屬層一同形成； 所述公共電極層覆蓋所述像素顯示區(qū)，且在所述像素顯示區(qū)外圍至少部分覆蓋所述數(shù)據(jù)側(cè)金屬層和所述掃描側(cè)金屬層。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在所述陣列基板的像素顯示區(qū)外圍的數(shù)據(jù)信號輸入側(cè)形成數(shù)據(jù)側(cè)金屬層，掃描信號輸入側(cè)形成掃描側(cè)金屬層具體為: 在所述陣列基板的像素顯示區(qū)外圍形成第一金屬層，通過一道光罩對所述像素顯示區(qū)外圍掃描信號輸入側(cè)的第一金屬層進行刻蝕； 在所述陣列基板上形成第一隔離層，通過一道光罩在所述像素顯示區(qū)外圍的數(shù)據(jù)信號輸入側(cè)的第一隔離層上形成通孔； 在所述隔離層上形成第二金屬層;在所述像素顯示區(qū)外圍的數(shù)據(jù)信號輸入側(cè)，所述第二金屬層通過所述第一隔離層上的通孔與所述第一金屬層電連接，形成數(shù)據(jù)信號輸入側(cè)的數(shù)據(jù)側(cè)金屬層，在所述像素顯示區(qū)外圍的掃描信號輸入側(cè)的第二金屬層形成掃描信號輸入側(cè)的掃描側(cè)金屬層； 其中，所述第一金屬層與像素顯示區(qū)內(nèi)掃描線同時形成的金屬層，所述第二金屬層與像素顯示區(qū)內(nèi)數(shù)據(jù)線同時形成的金屬層。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在所述陣列基板的像素顯示區(qū)外圍的數(shù)據(jù)信號輸入側(cè)形成數(shù)據(jù)側(cè)金屬層，掃描信號輸入側(cè)形成掃描側(cè)金屬層具體為: 在所述陣列基板的像素顯示區(qū)外圍形成第一金屬層，通過光罩對所述像素顯示區(qū)外圍數(shù)據(jù)信號輸入側(cè)的第一金屬層進行刻蝕； 在所述陣列基板上形成第一隔離層，通過光罩在所述像素顯示區(qū)外圍的數(shù)據(jù)信號輸入側(cè)的第一隔離層上形成通孔； 在所述隔離層上形成第二金屬層，在所述像素顯示區(qū)外圍的掃描信號輸入側(cè)，所述第二金屬層通過所述第一隔離層上的通孔與所述第一金屬層電連接，形成掃描信號輸入側(cè)的掃描側(cè)金屬層，在所述像素顯示區(qū)外圍的數(shù)據(jù)信號輸入側(cè)的第二金屬層形成數(shù)據(jù)信號輸入側(cè)的數(shù)據(jù)側(cè)金屬層； 其中，所述第一金屬層與像素顯示區(qū)內(nèi)掃描線同時形成的金屬層，所述第二金屬層與像素顯示區(qū)內(nèi)數(shù)據(jù)線同時形成的金屬層。5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的制作方法，其特征在于，所述在所述像素顯示區(qū)外圍將所述數(shù)據(jù)側(cè)金屬層和所述掃描側(cè)金屬層分別與所述公共電極層電連接具體為: 在所述第二金屬層上形成第二隔離層，在所述第二隔離層上形成平坦層，通過一道光罩在所述平坦層上形成通孔； 在所述平坦層上形成公共電極層，通過一道光罩在所述公共電極層上形成通孔，所述公共電極層上的通孔的位置與所述平坦層上的通孔的位置一致； 在所述公共電極層上形成第三隔離層，通過一道光罩同時在所述第三隔離層和所述第二隔離層上形成通孔，所述第三隔離層和所述第二隔離層上通孔的位置與所述公共電極層上的通孔的位置一致，同時通過同一道在所述第三隔離層上形成另一通孔； 在所述第三隔離層上形成像素電極層，所述像素電極層通過所述另一通孔與所述公共電極層電連接，其中，所述像素電極層在所述像素顯示區(qū)外圍，與所述像素顯示區(qū)內(nèi)的像素電極同時形成。6.—種FFS模式的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板定義有像素顯示區(qū)，且至少在所述像素顯示區(qū)上設(shè)置有公共電極層； 所述陣列基板的像素顯示區(qū)外圍的數(shù)據(jù)信號輸入側(cè)設(shè)有數(shù)據(jù)側(cè)金屬層，掃描信號輸入側(cè)設(shè)有掃描側(cè)金屬層，所述數(shù)據(jù)側(cè)金屬層和所述掃描側(cè)金屬層均電接連所述公共電極層，為所述公共電極層提供公共電壓； 其中，所述數(shù)據(jù)側(cè)金屬層與所述公共電極層電連接的位置有若干，或所述數(shù)據(jù)側(cè)金屬層與所述公共電極層之間相鄰的邊界連續(xù)接觸以實現(xiàn)電連接;所述掃描側(cè)金屬層與所述公共電極層電連接的位置有若干，或所述掃描側(cè)金屬層與所述公共電極層之間相鄰的邊界連續(xù)接觸以實現(xiàn)電連接。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述數(shù)據(jù)側(cè)金屬層和所述掃描側(cè)金屬層均連接有PCB板，所述PCB板與公共電壓源連接。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板，其特征在于，所述數(shù)據(jù)側(cè)金屬層包括從下至上設(shè)置的第一金屬層和第二金屬層，所述掃描側(cè)金屬與所述第二金屬層同層設(shè)置;或 所述掃描側(cè)金屬層包括從下至上設(shè)置的第一金屬層和第二金屬層，所述數(shù)據(jù)側(cè)金屬層與所述第二金屬層同層設(shè)置； 其中，所述第一金屬層是與像素顯示區(qū)內(nèi)掃描線同時形成的金屬層，所述第二金屬層是與像素顯示區(qū)內(nèi)數(shù)據(jù)線同時形成的金屬層。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板，其特征在于，所述數(shù)據(jù)側(cè)金屬層和所述掃描側(cè)金屬層均連接有PCB板具體為: 所述數(shù)據(jù)側(cè)金屬層中，僅所述第一金屬層連接所述PCB板;或 所述掃描側(cè)金屬層中，僅所述第一金屬層連接有PCB板。10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板，其特征在于，所述數(shù)據(jù)側(cè)金屬層和所述掃描側(cè)金屬層均電接連所述公共電極層具體為:所述數(shù)據(jù)側(cè)金屬層或所述掃描側(cè)金屬層中，所述第一金屬層和所述第二金屬層之間設(shè)有第一隔離層，所述第二金屬層通過所述第一隔離層上的通孔與所述第一金屬層電連接；所述第二金屬層上從下至上依次設(shè)有第二隔離層、平坦層、公共電極層、第三隔離層和像素電極層，所述第二金屬層通過所述第二隔離層、所述平坦層和所述第三隔離層上的通孔與所述像素電極層電連接，所述像素電極層與所述公共電極層通過所述第三隔離層上的另一通孔電連接，實現(xiàn)所述第二金屬層與所述公共電極層電連接； 所述像素電極層在所述像素顯示區(qū)外圍，與所述像素顯示區(qū)內(nèi)的像素電極同時形成。
【文檔編號】G02F1/1343GK105974691SQ201610589138
【公開日】2016年9月28日
【申請日】2016年7月25日
【發(fā)明人】甘啟明
【申請人】深圳市華星光電技術(shù)有限公司