專(zhuān)利名稱(chēng)：等離子體顯示板的制作方法
背景技術(shù)：
1.發(fā)明領(lǐng)域本發(fā)明涉及一種等離子體顯示板，特別是涉及一種具有使放電空間與外部環(huán)境隔絕的密封結(jié)構(gòu)的AC型等離子體顯示板。
2.相關(guān)技術(shù)的描述參照附圖6-8對(duì)一個(gè)常規(guī)的AC型等離子體顯示板進(jìn)行描述。附圖6是一個(gè)表示作為一種典型AC型板的三極管表面放電型等離子體顯示板的局部透視圖，而附圖7(A)和7(B)分別是一個(gè)俯視圖和一個(gè)截面圖，表示該等離子體顯示板的前板的主要部分。附圖8是一個(gè)表示該等離子體顯示板的主要部分的截面圖。
如圖所示，常規(guī)的三極管表面放電型等離子體顯示板包括一個(gè)具有一對(duì)用于顯示放電的主電極111的前板和一個(gè)具有用于尋址放電的尋址電極121的后板。將放電氣體Xe/Ne混合物充入到限定在前板101和后板102之間的放電空間中。在顯示區(qū)ES周?chē)那鞍?01和后板102之間設(shè)置一個(gè)密封件103以密封放電空間與外部環(huán)境隔開(kāi)。
將每一對(duì)主電極111以平行相鄰的關(guān)系排列在前板101的玻璃襯底112的內(nèi)表面。將每對(duì)主電極111中的一個(gè)作為掃描電極，用于與尋址電極121中的任一個(gè)共同作用來(lái)產(chǎn)生尋址放電。每對(duì)主電極111包括一個(gè)透明電極111a和一個(gè)公共電極111b，在其上面覆蓋厚度約為30μm的介電層113。將一個(gè)厚度為幾千埃的MgO保護(hù)膜114設(shè)置在介電層113的表面上。
將尋址電極121以與主電極對(duì)111交叉的關(guān)系排列在后板102的玻璃襯底122的內(nèi)表面，在其上面覆蓋厚度約為10μm的介電層123。每個(gè)阻擋肋124具有150μm的高度，將阻擋肋以條形結(jié)構(gòu)設(shè)置于介電層123上的尋址電極121之間，這樣阻擋肋124和尋址電極121以交替的關(guān)系排列。
接下來(lái)，給出一個(gè)實(shí)例說(shuō)明如何制造這種等離子體顯示板。為了制備前板101，首先將透明電極111a通過(guò)濺射方法形成在玻璃襯底112上。然后，將Cr，Cu和Cr膜依次形成在玻璃襯底112的透明電極111a上，將一個(gè)抗蝕圖形成在Cr，Cu和Cr膜上，對(duì)Cr，Cu和Cr膜依次進(jìn)行蝕刻而形成與透明電極111a相聯(lián)系的公共電極111b。這樣就形成了主電極對(duì)111。然后，將SiO2通過(guò)汽相方法例如CVD法沉積在與主電極對(duì)111一起形成的玻璃襯底112上，從而形成介電層113。最后，將MgO通過(guò)真空汽相沉積方法沉積在介電層113上以形成保護(hù)膜114。
在制備完成后板102以后，將前板101和后板102通過(guò)以下方法結(jié)合在一起。將密封玻璃膠通過(guò)分散(dispenser)方法加在顯示區(qū)ES周?chē)那鞍?01的介電層113上(這種狀態(tài)示于圖7(A)和圖7(B)，圖7(A)和圖7(B)分別示出在平面和截面上的前板101)。然后，將前板101和后板102以相對(duì)的關(guān)系結(jié)合在一起，并對(duì)其進(jìn)行加熱處理。在加熱處理時(shí)，將玻璃膠進(jìn)行烘烤以形成密封玻璃件103。這樣就將密封空間密封(見(jiàn)圖8)。
盡管在前述方法中是通過(guò)汽相方法(例如CVD方法)將SiO2沉積而形成介電層113的，但是也可以將ZnO基燒結(jié)玻璃用作介電層113a的原料。在現(xiàn)有技術(shù)中，也可以將含鉛燒結(jié)玻璃(例如PbO基燒結(jié)玻璃)用于形成介電層113，但是近來(lái)含鉛燒結(jié)玻璃從環(huán)境保護(hù)和再利用的觀點(diǎn)看已經(jīng)變得陳舊。
在生產(chǎn)具有上述結(jié)構(gòu)的常規(guī)AC型等離子體顯示板過(guò)程中，當(dāng)通過(guò)在前板101的玻璃襯底112的透明電極111a上依次形成Cr，Cu和Cr膜，在Cr，Cu和Cr膜上形成抗蝕圖并蝕刻Cr，Cu和Cr膜來(lái)形成與透明電極111a相聯(lián)系的公共電極111b時(shí)，公共電極111b向外突出。這就使得采用通過(guò)汽相方法(例如CVD方法)形成的介電層113來(lái)合適地覆蓋公共電極111b成為不可能的事情。因而，有可能在公共電極111b的相對(duì)邊出現(xiàn)空隙(void)。如果前板101是在通過(guò)具有在公共電極111b的相對(duì)邊上出現(xiàn)空隙的介電層113上形成保護(hù)膜114來(lái)制備的，并且等離子體顯示板是通過(guò)結(jié)合這樣制備的前板101和后板102，采用密封玻璃件103密封前板101和后板102并將放電氣體充入放電空間而制造出來(lái)的話，則放電空間可能會(huì)通過(guò)出現(xiàn)在公共電極111b的相對(duì)邊上的空隙而與板的外部連通。因此，放電空間不能保持氣密封。進(jìn)一步地，這里介電層113是由不含PbO的燒結(jié)玻璃形成的，在介電層113和公共電極111b之間的粘結(jié)是弱的。因此，空隙可能出現(xiàn)在介電層113和公共電極111b之間。

發(fā)明內(nèi)容
為了克服上述缺陷，本發(fā)明提出一種具有不受出現(xiàn)在電極相對(duì)邊和表面的空隙影響而保持氣密封的放電空間的AC型等離子體顯示板。
根據(jù)本發(fā)明，提供一種AC型等離子體顯示板，其包括一對(duì)以隔開(kāi)相對(duì)關(guān)系設(shè)置的板，每個(gè)板具有在其相對(duì)表面上形成且大部分由介電層所覆蓋的多個(gè)電極；和一個(gè)密封這對(duì)板周?chē)拿芊饧?；這里的每個(gè)電極具有未被介電層所覆蓋的部分，將密封件設(shè)置為與電極的未覆蓋部分接觸。在本發(fā)明中，每個(gè)電極有部分未被介電層覆蓋，密封件與電極的未覆蓋部分直接接觸。因此，電極的相對(duì)邊和表面沒(méi)有空隙出現(xiàn)，所以在沒(méi)有與顯示板的外部連通的情況下，限定在板之間的放電空間能夠通過(guò)密封件保持氣密封，否則由于電極相對(duì)邊和表面存在空隙，可導(dǎo)致與顯示板的外部連通。這樣，等離子體顯示板由于長(zhǎng)期穩(wěn)定的電子放電而能夠保證合適的顯示。
在發(fā)明的等離子體顯示板中，介電層具有一個(gè)形成在其周?chē)那腥ゲ糠郑芊饧ㄟ^(guò)介電層的切去部分與電極的未覆蓋部分接觸。在這種情況下，切去部分不是形成在介電層的周?chē)吘?，而是形成在介電層的周?chē)鷧^(qū)域，并且密封件與電極的未覆蓋部分直接接觸。因此，放電空間可以通過(guò)密封件保持氣密封，并且對(duì)處于電極縱向相對(duì)端的介電層部分能夠容易進(jìn)行蝕刻。
在本發(fā)明的等離子體顯示板中，介電層由無(wú)鉛的燒結(jié)玻璃構(gòu)成。在這種情況下，電極大部分由無(wú)鉛燒結(jié)玻璃介電層所覆蓋，并且密封件與電極的未覆蓋部分直接接觸。因此，放電空間可以通過(guò)密封件保持氣密封。進(jìn)一步地，當(dāng)將等離子顯示板廢棄時(shí)，不會(huì)產(chǎn)生鉛基污染物質(zhì)。
在發(fā)明的等離子體顯示板中，每一個(gè)電極包括多個(gè)薄電極膜。在這種情況下，將每一個(gè)包括多個(gè)薄電極膜的電極設(shè)置在板上并且大部分由介電層所覆蓋，并且密封件與電極的未覆蓋部分直接接觸。因此，即使在電極和介電層之間出現(xiàn)空隙，放電空間也可以通過(guò)密封件保持氣密封。


附圖1(A)和附圖1(B)分別是俯視圖和截面圖，示出了根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例等離子體顯示板的前板的主要部分；附圖2示出了根據(jù)第一實(shí)施例等離子體顯示板的主要部分的截面圖；附圖3(A)和附圖3(B)分別是俯視圖和截面圖，示出了根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例等離子體顯示板的前板的主要部分；附圖4示出了根據(jù)第二實(shí)施例等離子體顯示板的主要部分的截面圖；附圖5示出了根據(jù)第一實(shí)施例的改進(jìn)的等離子體板的主要部分的截面圖；附圖6是示出了作為典型AC型板的三極管表面放電型等離子體顯示板的局部透視圖；附圖7(A)和附圖7(B)分別是俯視圖和截面圖，示出了附圖6中等離子體顯示板的前板的主要部分；附圖8示出了附圖6中等離子體顯示板的主要部分的截面圖。
具體實(shí)施例方式
第一實(shí)施例以下將參照附圖1(A)、1(B)和附圖2來(lái)說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的等離子體顯示板。附圖1(A)、1(B)分別是俯視圖和截面圖，示出了根據(jù)這個(gè)實(shí)施例的等離子體顯示板的前板的主要部分，附圖2示出了根據(jù)這個(gè)實(shí)施例的等離子體顯示板的主要部分的截面圖。
如圖所示，根據(jù)這個(gè)實(shí)施例的等離子體顯示板類(lèi)似于常規(guī)的等離子體顯示板，包括具有用于顯示放電的主電極對(duì)11的前板1，和具有用于尋址放電的尋址電極21的后板2。前板1和后板2以隔開(kāi)相對(duì)關(guān)系設(shè)置，將密封玻璃件3設(shè)置在前板1和后板2之間，在沒(méi)有插入介電層13時(shí)與電極直接接觸從而限定一個(gè)密封放電空間。
每一對(duì)主電極11以平行相鄰關(guān)系設(shè)置在前板1的玻璃襯底12的內(nèi)表面。將每一對(duì)主電極11中的一個(gè)作為掃描電極，用于與尋址電極21中的任一個(gè)共同作用來(lái)產(chǎn)生尋址放電。每對(duì)主電極11包括一個(gè)透明電極11a和一個(gè)公共電極11b，并且大部分由厚度約為30μm的介電層13所覆蓋，將厚度為幾千埃的MgO保護(hù)膜14設(shè)置在介電層13的表面。
將尋址電極21以與主電極對(duì)11交叉的關(guān)系排列在后襯底2的玻璃襯底22的內(nèi)表面，并由一個(gè)厚度約為10μm的介電層23所覆蓋。每個(gè)阻擋肋24具有150μm的高度，將阻擋肋以條形結(jié)構(gòu)設(shè)置在介電層23上的尋址電極21之間，這樣阻擋肋24和尋址電極21以交替關(guān)系排列。
將密封玻璃件3設(shè)置在顯示區(qū)ES周?chē)那鞍?和后板2之間，并與前板1上的主電極11保持接觸。即使在介電層13中出現(xiàn)氣泡，也能夠使放電空間保持氣密封。
接下來(lái)將說(shuō)明根據(jù)本實(shí)施例在制造等離子體顯示板過(guò)程中如何形成前板1，如何形成后板2，和如何結(jié)合前板1和后板2。
首先，將透明電極11a形成在前板1的玻璃襯底12的主表面上。透明電極11a是通過(guò)濺射方法在整個(gè)玻璃襯底12上形成一個(gè)氧化錫膜和一個(gè)銦/錫氧化物膜，并通過(guò)光刻方法將這些膜刻圖案而形成的。
然后，將公共電極11b和透明電極11a一起形成在玻璃襯底12上。公共電極11b是通過(guò)與透明電極11a基本上相同的形成方法而形成的，即通過(guò)濺射方法在玻璃襯底12上形成Cr，Cu和Cr膜，并通過(guò)光刻方法將這些膜刻制成預(yù)定圖案。形成在玻璃襯底12上的透明電極11a和公共電極11b構(gòu)成主電極對(duì)11。
然后，通過(guò)等離子體CVD方法將介電層13與主電極對(duì)11一起形成在玻璃襯底12上。在等離子體CVD方法中，將預(yù)定物質(zhì)通過(guò)產(chǎn)生等離子體而沉積在一個(gè)目標(biāo)物上。介電層13不是在前板1的整個(gè)玻璃襯底12上形成，而是覆蓋玻璃襯底的一部分形成，該部分是除去用于在公共電極和外部電源之間電連接的公共電極11b的縱向相對(duì)端部分，如圖1(A)所示。可替換地，也可以將介電層13通過(guò)一次在玻璃襯底的整個(gè)表面上形成介電膜，并蝕刻掉覆蓋公共電極11b縱向相對(duì)端部分的介電膜部分而形成。然后，將MgO保護(hù)膜14通過(guò)真空汽相沉積方法形成在介電層13上。這樣，就制備完成了前板1。
依次地，將尋址電極21以與制備前板1基本上相同的方法形成在后板2的玻璃襯底22上。尋址電極21通過(guò)迄今為止所介紹的各種方法中的任何一種而形成。典型的方法包括將電極材料(例如Ag)通過(guò)印刷沉積在襯底上的圖案印刷法，將電極材料加在全部襯底上然后烘烤并進(jìn)行化學(xué)蝕刻的化學(xué)蝕刻方法，和將干燥膜光阻材料加在全部襯底然后進(jìn)行構(gòu)圖的剝離(lift-off)法。
以與前板1上的介電層13基本上相同的形成方法，將介電層23與尋址電極21一起形成在玻璃襯底22上。然后，將阻擋肋24形成在玻璃襯底22上的介電層23上。阻擋肋24形成的典型方法是將作為阻擋肋材料的低熔點(diǎn)玻璃膠加在玻璃襯底22上，將干燥膜光阻材料加在獲得的玻璃膠層上，曝光并蝕刻該干燥膜光阻材料，對(duì)該玻璃膠層進(jìn)行噴砂去掉光阻材料開(kāi)口部分暴露的玻璃膠層以形成預(yù)定的肋圖案?？商鎿Q地，迄今為止已知的任何其他方法都可以用于形成阻擋肋24。依次地，將熒光層25形成在玻璃襯底22的阻擋肋24之間。這樣，就制備完成了后板2。
為了結(jié)合前板1和后板2，將密封玻璃膠通過(guò)分散方法加在顯示區(qū)周?chē)那鞍?上，如圖1(A)和1(B)所示。這樣，玻璃膠直接接觸公共電極11b未被介電層13覆蓋的部分。此后，將前板1和后板2以相對(duì)的關(guān)系結(jié)合在一起，并進(jìn)行熱處理。通過(guò)熱處理，將玻璃膠進(jìn)行烘烤以形成密封玻璃件3。這樣，限定在前板和后板之間的放電空間被密封玻璃件3所密封(見(jiàn)圖2)。
在前板1和后板2結(jié)合后，將限定在前板和后板之間的放電空間抽真空然后充入放電氣體，如Ne和Xe氣體混合物。這樣，就制造完成了等離子體顯示板。
在根據(jù)該實(shí)施例的等離子體顯示板中，密封玻璃件3覆蓋公共電極11b的端部，否則空隙很可能出現(xiàn)在公共電極11b的相對(duì)邊和公共電極11b的表面。因此，放電空間在沒(méi)有與等離子體顯示板外部連通的情況下而能夠保持氣密封，否則，由于空隙在公共電極11b的相對(duì)邊和表面出現(xiàn)，導(dǎo)致產(chǎn)生這種連通。這樣，等離子體顯示板能夠確保顯示器長(zhǎng)期穩(wěn)定的電子放電。
第二實(shí)施例盡管將根據(jù)第一實(shí)施例的等離子體顯示板構(gòu)造為公共電極11b的相對(duì)端部不被介電層13覆蓋并且密封玻璃件3與公共電極11b的相對(duì)端部直接接觸，但是將根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的等離子體顯示板構(gòu)造為在介電層13上形成一個(gè)孔隙β以局部暴露公共電極11b的相對(duì)端部并且用密封玻璃件3填充孔隙β，如附圖3(B)和4所示。這樣，將密封玻璃件3設(shè)置在公共電極11b的相對(duì)端部，介電層13的一部分13’仍然存在于公共電極11b的相對(duì)端部。因此，放電空間可以通過(guò)密封玻璃件3保持氣密封，并且對(duì)設(shè)置在公共電極11b相對(duì)端部的介電層部分13’容易進(jìn)行蝕刻。
根據(jù)第一實(shí)施例的改進(jìn)，如圖5所示，密封玻璃件3可以與介電層13隔開(kāi)，同時(shí)直接與公共電極11b接觸。
在根據(jù)第一實(shí)施例的等離子體顯示板中，將密封玻璃件3設(shè)置為直接與公共電極11b接觸。類(lèi)似地，在沒(méi)有插入介電層23時(shí)，密封玻璃件3可能直接接觸尋址電極21。
實(shí)例1將Cr，Cu和Cr膜通過(guò)濺射方法形成在前板1上，并對(duì)其刻圖案以形成公共電極11b。然后，采用一個(gè)平行板型等離子體CVD設(shè)備，通過(guò)等離子體CVD方法在以下條件下將SiO2在公共電極11b上沉積至5.0μm厚，以在如圖2所示的一個(gè)區(qū)域中形成介電層13。依次地，將MgO通過(guò)汽相沉積方法在介電層13上沉積厚度為1.0μm以形成保護(hù)膜14。
引入氣體和流速SiH4/900sccm引入氣體和流速N2O/9000sccm無(wú)線電頻率輸出2.0kW襯底溫度400℃真空度3.0Torr然后，通過(guò)分散方法將具有430℃軟化點(diǎn)的玻璃膠加在圖2所示的密封玻璃件3的一個(gè)區(qū)域上并在500℃烘烤。將前板1和后板2在450℃烘烤以相對(duì)的關(guān)系結(jié)合。然后，將限定在前板和后板之間的放電空間抽真空，并且將Ne/Xe氣體混合物充入放電空間。這樣，就制造完成了等離子體顯示板。
在120℃，2atm，100％RH條件下對(duì)于等離子體顯示板進(jìn)行12小時(shí)的高溫和高濕度測(cè)試，同時(shí)估算等離子體顯示板的電子放電特性曲線。結(jié)果，在電子放電特性曲線上沒(méi)有觀察到變化。
實(shí)例2在將公共電極11b以與例1相同方法形成在前板1上之后，將ZnO-B2O3-Bi2O3混合燒結(jié)玻璃在公共電極11b上沉積至厚度為30μm，以在圖2所示的一個(gè)區(qū)域中形成介電層13。然后，通過(guò)汽相沉積方法在介電層13將MgO沉積至厚度為1.0μm以形成保護(hù)膜14。
然后，通過(guò)分散方法將具有430℃軟化點(diǎn)的玻璃膠加在圖2所示的密封玻璃件3的一個(gè)區(qū)域中并在500℃烘烤。將前板1和后板2在450℃烘烤以相對(duì)的關(guān)系結(jié)合。然后，將限定在前板和后板之間的放電空間抽真空，并且將Ne/Xe氣體混合物充入放電空間。這樣，就制造完成了等離子體顯示板。
在120℃，2atm，100％RH條件下對(duì)于等離子體顯示板進(jìn)行12小時(shí)的高溫和高濕度測(cè)試，同時(shí)估算等離子體顯示板的電子放電特性曲線。結(jié)果，在電子放電特性曲線上沒(méi)有觀察到變化。
實(shí)例3將Ag膠加在前板1上形成公共電極11b，然后采用一個(gè)平行板型等離子體CVD設(shè)備在以下條件下將SiO2在公共電極11b上沉積至厚度為5.0μm，以在如圖2所示的一個(gè)區(qū)域中形成介電層13。依次地，通過(guò)汽相沉積方法在介電層13上將MgO沉積至厚度為1.0μm以形成保護(hù)膜14。
引入氣體和流速SiH4/900sccm引入氣體和流速N2O/9000sccm無(wú)線電頻率輸出2.0kW襯底溫度400℃真空度3.0Torr然后，通過(guò)分散方法將具有430℃軟化點(diǎn)的玻璃膠加在圖2所示的密封玻璃件3的一個(gè)區(qū)域中并在500℃烘烤。將前板1和后板2在450℃烘烤以相對(duì)的關(guān)系結(jié)合。然后，將限定在前板和后板之間的放電空間抽真空，并且將Ne/Xe氣體混合物充入放電空間。這樣，就制造完成了等離子體顯示板。
在120℃，2atm，100％RH條件下對(duì)于等離子體顯示板進(jìn)行12小時(shí)的高溫和高濕度測(cè)試，同時(shí)估算等離子體顯示板的電子放電特性曲線。結(jié)果，在電子放電特性曲線上沒(méi)有觀察到變化。
比較實(shí)例在公共電極11b以與實(shí)例1相同的方法形成在前板1上之后，采用一個(gè)平行板型等離子體CVD設(shè)備在以下條件下將SiO2在公共電極11b上沉積至5.0μm厚，以在如圖8所示的一個(gè)區(qū)域中形成介電層13。依次地，通過(guò)汽相沉積方法在介電層13上將MgO沉積至厚度為1.0μm以形成保護(hù)膜14。
引入氣體和流速SiH4/900sccm引入氣體和流速N2O/9000sccm無(wú)線電頻率輸出2.0Kw襯底溫度400℃真空度3.0Torr然后，通過(guò)分散方法將具有430℃軟化點(diǎn)的玻璃膠加在圖8所示的密封玻璃件3的一個(gè)區(qū)域中并在500℃烘烤。前板1和后板2在450℃烘烤以相對(duì)的關(guān)系結(jié)合。然后，將限定在前板和后板之間的放電空間抽真空，并且將Ne/Xe氣體混合物充入放電空間。這樣，就制造完成了等離子體顯示板。
在120℃，2atm，100％RH條件下對(duì)于等離子體顯示板進(jìn)行12小時(shí)的高溫和高濕度測(cè)試，同時(shí)估算等離子體顯示板的電子放電特性曲線。作為結(jié)果，在等離子體顯示板的邊緣部分放電電壓增加并且一些像素不亮。
在本發(fā)明中，如上所述，每個(gè)電極有部分沒(méi)有被介電層所覆蓋，密封件直接與電極的未覆蓋部分接觸。這樣，沒(méi)有空隙出現(xiàn)在電極的相對(duì)邊和表面，因此放電空間在沒(méi)有與顯示板外部連通的情況下能夠通過(guò)密封件保持氣密封，否則，由于空隙出現(xiàn)在電極的相對(duì)邊和表面，放電空間與顯示板外部可能產(chǎn)生連通。這樣，等離子體顯示板由于長(zhǎng)期的穩(wěn)定電子放電而能夠保證合適的顯示。
在本發(fā)明中，切去部分不是形成在介電層的周?chē)吘壎切纬稍诮殡妼拥闹車(chē)鷧^(qū)域，并且密封件與電極的未覆蓋部分直接接觸。因此，放電空間可以通過(guò)密封件保持氣密封，并且，對(duì)處于電極縱向相對(duì)端的介電層部分容易進(jìn)行蝕刻。
在本發(fā)明中，電極的大部分被無(wú)鉛燒結(jié)玻璃介電層所覆蓋，并且密封件與電極的未覆蓋部分直接接觸。因此，放電空間可以通過(guò)密封件保持氣密封。進(jìn)一步地，在將等離子體顯示板廢棄后不會(huì)產(chǎn)生鉛基污染物質(zhì)。
在本發(fā)明中，每個(gè)電極包括多個(gè)薄電極膜，將電極設(shè)置在板上并且大部分被介電層所覆蓋，且密封件直接與電極的未覆蓋部分接觸。因此，即使空隙出現(xiàn)在電極和介電層之間，放電空間也能夠通過(guò)密封件保持氣密封。
權(quán)利要求
1.一種AC型等離子體顯示板包括一對(duì)以隔開(kāi)相對(duì)關(guān)系設(shè)置的板，每個(gè)板具有形成在其相對(duì)表面上且大部分由介電層所覆蓋的多個(gè)電極；和一個(gè)密封這一對(duì)板周?chē)拿芊饧?；其中每個(gè)電極具有未被介電層覆蓋的部分，且將密封件設(shè)置為與電極的未覆蓋部分接觸。
2.一種AC型等離子體顯示板包括一對(duì)以隔開(kāi)相對(duì)關(guān)系設(shè)置的板，每個(gè)板具有形成在其相對(duì)表面上且大部分由介電層所覆蓋的多個(gè)電極；和一個(gè)密封這一對(duì)板周?chē)拿芊饧?；其中每個(gè)電極具有未被介電層覆蓋的部分，且將密封件設(shè)置為與電極的未覆蓋部分接觸，和介電層具有形成在其周?chē)鷧^(qū)域的切去部分，且密封件通過(guò)介電層的切去部分與電極的未覆蓋部分接觸。
3.如權(quán)利要求1或2所述的等離子體顯示板，其中介電層由無(wú)鉛燒結(jié)玻璃構(gòu)成。
4.如權(quán)利要求1、2或3所述的等離子體顯示板，其中每個(gè)電極包括一個(gè)層狀的薄電極膜，其中多個(gè)薄電極膜是分層的。
5.如權(quán)利要求1、2、3或4所述的等離子體顯示板，其中介電層通過(guò)CVD方法形成。
全文摘要
一種AC型等離子體顯示板具有一對(duì)以隔開(kāi)相對(duì)關(guān)系設(shè)置的板，每個(gè)板具有形成在其相對(duì)表面上且大部分由介電層所覆蓋的多個(gè)電極；和一個(gè)密封這一對(duì)板周?chē)拿芊饧?。每個(gè)電極具有未被介電層覆蓋的部分，并將密封件設(shè)置為與電極的未覆蓋部分接觸。使用這種結(jié)構(gòu)，在沒(méi)有與顯示板外部連通的情況下，放電空間通過(guò)密封件能夠保持氣密封，否則，由于空隙在電極的相對(duì)邊和表面出現(xiàn)，可能會(huì)產(chǎn)生放電空間與顯示板外部連通。
文檔編號(hào)H01J17/49GK1479342SQ0313303
公開(kāi)日2004年3月3日 申請(qǐng)日期2003年5月9日 優(yōu)先權(quán)日2002年5月9日
發(fā)明者原田秀 , 原田秀樹(shù) 申請(qǐng)人:富士通日立等離子顯示器股份有限公司