專利名稱：通電處理裝置和電子源的制造裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及通電處理裝置和方法，而且涉及電子源的制造裝置及方法。
背景技術(shù)：
以往，作為電子發(fā)射元件，已知大致使用熱電子發(fā)射元件和冷陰極電子發(fā)射元件兩種。在冷陰極電子發(fā)射元件中，有電場發(fā)射型、金屬/絕緣層/金屬型和表面?zhèn)鲗?dǎo)型電子發(fā)射元件等。
表面?zhèn)鲗?dǎo)型電子發(fā)射元件是在基板上形成的小面積的薄膜中，通過流過與膜面并行的電流，利用產(chǎn)生的電子發(fā)射現(xiàn)象的元件。其基本結(jié)構(gòu)、制造方法等例如公開在(日本)特開平7-235255號公報(bào)、特開平8-171849號公報(bào)中。
表面?zhèn)鲗?dǎo)型電子發(fā)射元件的特征在于，包括在基板上對置的一對元件電極；以及在連接到該一對元件電極的其一部分上有電子發(fā)射部的導(dǎo)電膜。而且，形成上述導(dǎo)電膜的一部分裂紋。
此外，在上述裂紋的端部，形成以碳或碳化合物的至少其中之一為主要成分的淀積膜。
通過在基板上配置多個(gè)這樣的電子發(fā)射元件，用布線連接各電子發(fā)射元件，從而可形成配有多個(gè)表面?zhèn)鲗?dǎo)型電子發(fā)射元件的電子源。
此外，通過將上述電子源和熒光體組合，可以形成圖像形成裝置的顯示板。
以往，這樣的電子源的制造如下進(jìn)行。
即，作為其制造方法，如(日本)特開2000-311594號公報(bào)公開的那樣，首先，制作在基板上形成導(dǎo)電膜和多個(gè)連接到該導(dǎo)電膜的一對元件電極構(gòu)成的元件，并形成了連接多個(gè)元件的布線的電子源基板。接著，用容器覆蓋形成的電子源基板的一部分區(qū)域。接著，在對該容器內(nèi)排氣后，通過外部端子在露出容器外的布線上施加電壓并在各元件的導(dǎo)電膜上形成裂紋。而且，在該容器內(nèi)導(dǎo)入含有有機(jī)物質(zhì)的氣體，在有機(jī)物質(zhì)存在的環(huán)境下再次通過外部端子施加電壓，在該裂紋附近淀積碳或碳化合物。其結(jié)果，在電子發(fā)射元件中完成各個(gè)元件，形成多個(gè)電子發(fā)射元件構(gòu)成的電子源。
采用以上制造方法，在所述通電處理中，通過流過布線和元件的電流，在基板的表面上產(chǎn)生熱并加熱基板表面。因此，在基板表面的一部分區(qū)域處于減壓環(huán)境，其他區(qū)域處于大氣環(huán)境，所以在對環(huán)境傳導(dǎo)通電產(chǎn)生的熱上有差異，在其他區(qū)域容易散熱，因而在基板表面產(chǎn)生溫度差。如果這種溫度差非常大，則基板破裂的頻度增加，有成品率下降的情況。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供降低基板破裂的通電處理裝置和方法，而且提供電子源的制造裝置和方法。
本發(fā)明的通電處理裝置，在減壓環(huán)境中，對基板上配置的導(dǎo)體進(jìn)行通電處理，其特征在于，該通電處理裝置包括容器，覆蓋所述導(dǎo)體和配置該導(dǎo)體的基板表面的一部分區(qū)域，配有由該基板形成氣密環(huán)境的排氣孔；第1溫度調(diào)整機(jī)構(gòu)，進(jìn)行基板的所述一部分區(qū)域的溫度調(diào)整；以及第2溫度調(diào)整機(jī)構(gòu)，進(jìn)行基板的所述一部分區(qū)域以外的區(qū)域的溫度調(diào)整。
本發(fā)明的電子源的制造裝置，在減壓環(huán)境中，對基板上配置的導(dǎo)體進(jìn)行通電處理，在該導(dǎo)體中形成電子發(fā)射部，其特征在于，該電子源的制造裝置包括容器，覆蓋所述導(dǎo)體和配置該導(dǎo)體的基板表面的一部分區(qū)域，配有由該基板形成氣密環(huán)境的排氣孔；第1溫度調(diào)整機(jī)構(gòu)，進(jìn)行基板的所述一部分區(qū)域的溫度調(diào)整；以及第2溫度調(diào)整機(jī)構(gòu)，進(jìn)行基板的所述一部分區(qū)域以外的區(qū)域的溫度調(diào)整。
本發(fā)明的通電處理方法，在減壓環(huán)境中，對基板上配置的導(dǎo)體進(jìn)行通電處理，其特征在于，該通電處理方法包括用配有排氣孔的容器覆蓋所述導(dǎo)體和配置了該導(dǎo)體的基板表面的一部分區(qū)域，用該容器和該基板形成氣密環(huán)境的工序；對所述氣密環(huán)境進(jìn)行減壓的工序；以及按比所述一部分區(qū)域高的溫度來加熱基板的所述一部分區(qū)域以外的區(qū)域，在所述導(dǎo)體中進(jìn)行通電的工序。
本發(fā)明的電子源的制造方法，在減壓環(huán)境中，在基板上配置的導(dǎo)體中進(jìn)行通電，在該導(dǎo)體中形成電子發(fā)射部，其特征在于，該電子源的制造方法包括用配有排氣孔的容器覆蓋所述導(dǎo)體和配置了該導(dǎo)體的基板表面的一部分區(qū)域，用該容器和該基板形成氣密環(huán)境的工序；對所述氣密環(huán)境進(jìn)行減壓的工序；以及按比所述一部分區(qū)域高的溫度來加熱基板的所述一部分區(qū)域以外的區(qū)域，在所述導(dǎo)體中進(jìn)行通電的工序。
根據(jù)本發(fā)明，可以降低通電處理中基板的溫度差，并且可以有效地防止基板的破損，例如通過應(yīng)用于電子源基板的制造工序，可以成品率高地批量生產(chǎn)電子發(fā)射特性良好的電子發(fā)射元件。


圖1是表示本發(fā)明的電子源的制造裝置結(jié)構(gòu)的剖面圖。
圖2是剖切圖1裝置的電子源基板的一部分周邊部分的斜視圖。
圖3是表示本發(fā)明實(shí)施例的簡略剖面圖。
圖4是表示本發(fā)明實(shí)施例的簡略剖面圖。
圖5是表示本發(fā)明實(shí)施例的簡略剖面圖。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明的通電處理裝置，在減壓環(huán)境中，對基板上配置的導(dǎo)體進(jìn)行通電處理，其特征在于，該通電處理裝置包括容器，覆蓋所述導(dǎo)體和配置該導(dǎo)體的基板表面的一部分區(qū)域，配有由該基板形成氣密環(huán)境的排氣孔；第1溫度調(diào)整機(jī)構(gòu)，進(jìn)行基板的所述一部分區(qū)域的溫度調(diào)整；以及第2溫度調(diào)整機(jī)構(gòu)，進(jìn)行基板的所述一部分區(qū)域以外的區(qū)域的溫度調(diào)整。
本發(fā)明的電子源的制造裝置，在減壓環(huán)境中，對基板上配置的導(dǎo)體進(jìn)行通電處理，在該導(dǎo)體中形成電子發(fā)射部，其特征在于，該電子源的制造裝置包括容器，覆蓋所述導(dǎo)體和配置該導(dǎo)體的基板表面的一部分區(qū)域，配有由該基板形成氣密環(huán)境的排氣孔；第1溫度調(diào)整機(jī)構(gòu)，進(jìn)行基板的所述一部分區(qū)域的溫度調(diào)整；以及第2溫度調(diào)整機(jī)構(gòu)，進(jìn)行基板的所述一部分區(qū)域以外的區(qū)域的溫度調(diào)整。
本發(fā)明的通電處理方法，在減壓環(huán)境中，對基板上配置的導(dǎo)體進(jìn)行通電處理，其特征在于，該通電處理方法包括用配有排氣孔的容器覆蓋所述導(dǎo)體和配置了該導(dǎo)體的基板表面的一部分區(qū)域，用該容器和該基板形成氣密環(huán)境的工序；對所述氣密環(huán)境進(jìn)行減壓的工序；以及按比所述一部分區(qū)域高的溫度來加熱基板的所述一部分區(qū)域以外的區(qū)域，在所述導(dǎo)體中進(jìn)行通電的工序。
本發(fā)明的電子源的制造方法，在減壓環(huán)境中，在基板上配置的導(dǎo)體中進(jìn)行通電，在該導(dǎo)體中形成電子發(fā)射部，其特征在于，該電子源的制造方法包括用配有排氣孔的容器覆蓋所述導(dǎo)體和配置了該導(dǎo)體的基板表面的一部分區(qū)域，用該容器和該基板形成氣密環(huán)境的工序；對所述氣密環(huán)境進(jìn)行減壓的工序；以及按比所述一部分區(qū)域高的溫度來加熱基板的所述一部分區(qū)域以外的區(qū)域，在所述導(dǎo)體中進(jìn)行通電的工序。
以下進(jìn)一步詳述本發(fā)明。
首先，本發(fā)明的裝置包括用于支撐預(yù)先形成了導(dǎo)體的基板的支撐體；以及覆蓋被該支撐體支撐的基板上表面的容器。這里，該容器覆蓋該基板表面的一部分區(qū)域，由此在連接到該基板上導(dǎo)體的形成在該基板上的一部分布線露出該容器外的狀態(tài)下，在該基板上形成氣密的空間。而且，在該容器中，設(shè)置氣體導(dǎo)入口和氣體排氣口，在導(dǎo)入口和排氣口上分別連接用于向該容器內(nèi)導(dǎo)入氣體的部件和用于排出該容器內(nèi)的氣體的部件。由此，可以將該容器內(nèi)部設(shè)定成期望的環(huán)境。此外，預(yù)先形成了所述導(dǎo)體的基板是通過實(shí)施電氣處理而在該導(dǎo)體中形成電子發(fā)射部并產(chǎn)生電子源的基板。此外，還包括用于在露出所述容器外的布線上實(shí)施通電處理的部件。而且，有進(jìn)行基板的一部分區(qū)域溫度調(diào)整的第1溫度調(diào)整機(jī)構(gòu)、以及進(jìn)行基板的所述一部分區(qū)域以外區(qū)域的溫度調(diào)整的第2溫度調(diào)整機(jī)構(gòu)。以上的電子源的制造裝置可降低因?qū)⑼姰a(chǎn)生的熱向環(huán)境傳導(dǎo)的差別造成的溫度差，防止基板破裂。
此外，本發(fā)明的方法首先在支撐體上配置預(yù)先形成了導(dǎo)體和連接到該導(dǎo)體的布線的基板，并用容器覆蓋除了所述一部分布線以外的所述基板上的導(dǎo)體。由此，在該基板上形成的一部分布線露出該容器外的狀態(tài)下，將所述導(dǎo)體配置在該基板上形成的氣密空間內(nèi)。此外，所述支撐體有進(jìn)行基板的一部分區(qū)域溫度調(diào)整的第1溫度調(diào)整機(jī)構(gòu)和進(jìn)行基板的所述一部分區(qū)域以外區(qū)域的溫度調(diào)整的第2溫度調(diào)整機(jī)構(gòu)。接著，將所述容器內(nèi)部形成期望的環(huán)境，通過露出所述容器外的一部分布線對所述導(dǎo)體進(jìn)行通電處理，例如對所述導(dǎo)體施加電壓。這里，所述期望的環(huán)境例如是減壓環(huán)境或存在特定氣體的環(huán)境。此外，所述通電處理是在所述導(dǎo)體中形成電子發(fā)射部并產(chǎn)生電子源的處理。所述通電處理有在不同的環(huán)境下進(jìn)行多次的情況。例如，首先，用容器覆蓋除了所述一部分布線以外的所述基板上的導(dǎo)體，將所述容器內(nèi)部作為第1環(huán)境來進(jìn)行所述通電處理的工序，接著，將所述容器內(nèi)部作為第2環(huán)境來進(jìn)行所述通電處理工序，而且在通電處理的工序中，按比所述一部分區(qū)域高的溫度來加熱其他區(qū)域。由以上工序來制造在所述導(dǎo)體上形成了良好的電子發(fā)射部的電子源。這里，所述第1和第2環(huán)境最好是如下所述那樣，第1環(huán)境是減壓的環(huán)境，第2環(huán)境是存在碳化合物等特定氣體的環(huán)境。以上的方法可降低因?qū)⑼姰a(chǎn)生的熱向環(huán)境傳導(dǎo)的差別造成的溫度差，防止基板破裂。
下面，展示本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式。
圖1、圖2表示本實(shí)施方式的電子源的制造裝置，圖1是剖面圖，圖2是表示圖1的電子源基板的周邊部分的斜視圖。在圖1、圖2中，6是作為電子發(fā)射元件的導(dǎo)體，7是X方向布線，8是Y方向布線，10的電子源基板，11是支撐體，12是真空容器，15是氣體導(dǎo)入口，16是排氣口，18是屏蔽部件，19是擴(kuò)散板，20是水的配管，21是氫或有機(jī)物質(zhì)氣體，22是載運(yùn)氣體，23是除去水分過濾器，24是氣體流量控制裝置，25a～25f是閥門，26是真空泵，27是真空計(jì)，28是配管，30是取出布線，32a、32b是電源和電流控制系統(tǒng)組成的驅(qū)動器，31a、31b是連接電子源基板的取出布線30和驅(qū)動器的布線，33是擴(kuò)散板19的開口部，41是導(dǎo)熱部件，70是探針單元。
支撐體11將電子源基板10保持固定，有通過真空夾具機(jī)構(gòu)、靜電夾具機(jī)構(gòu)或固定夾具等機(jī)械式地固定電子源基板10的機(jī)構(gòu)。
導(dǎo)熱部件41設(shè)置在支撐體11上，以夾置在支撐體11和電子源基板10之間，或嵌入在支撐體11中那樣設(shè)置，以便不妨礙保持固定電子源基板10的機(jī)構(gòu)。在導(dǎo)熱部件41的內(nèi)部，設(shè)置加熱器(未圖示)和水的配管20，可按照需要通過導(dǎo)熱部件41加熱和冷卻電子源基板10。此外，后面將進(jìn)行論述，將該導(dǎo)熱部件分成兩個(gè)區(qū)域，可進(jìn)行各自獨(dú)立的溫度調(diào)整。
此外，通過將通電處理工序中的發(fā)熱進(jìn)行迅速、可靠地散熱，可有助于降低溫度分布造成的導(dǎo)入氣體的濃度分布，降低基板熱分布對元件不均勻性的影響，可制造均勻性良好的電子源。
真空容器12是玻璃或不銹鋼制的容器，最好由來自容器的釋放氣體少的材料構(gòu)成。真空容器12覆蓋除了電子源基板10的取出布線以外的形成了導(dǎo)體6的區(qū)域，并且至少具有可抗1×10-4Pa左右大氣壓的壓力范圍的結(jié)構(gòu)。
屏蔽部件18用于保持電子源基板10和真空容器12的氣密性，使用O形圈和橡膠片等。
在有機(jī)物質(zhì)氣體21中，使用后述的用于激活電子發(fā)射元件的有機(jī)物質(zhì)，或使用將有機(jī)物質(zhì)用氮、氦、氬等稀釋的混合氣體。此外，在進(jìn)行后述的成形的通電處理時(shí)，在真空容器12內(nèi)導(dǎo)入用于促進(jìn)形成導(dǎo)電膜的裂紋的氣體，例如具有還原性的氫氣等。這樣，在其他工序中導(dǎo)入氣體時(shí)，使用導(dǎo)入配管、閥門部件25e，只要將真空容器12連接到配管28就可以使用。
作為用于激活上述電子發(fā)射元件的有機(jī)物質(zhì)，可以列舉鏈烷、鏈烯、炔烴的脂肪族碳化氫類、芳香族碳化氫類、醇類、醛類、酮類、胺類、腈類、酚、香芹酮、磺酸等有機(jī)酸類等。更具體地說，可以使用甲烷、乙烷、丙烷等的以CnH2n+2表示的飽和碳化氫、乙烯、丙烯等的以CnH2n等組成式表示的不飽和碳化氫、苯、甲苯、甲醇、乙醇、乙醛、丙酮、丁酮、甲胺、乙胺、酚、苯基腈、乙腈等。
有機(jī)物質(zhì)氣體21在有機(jī)物質(zhì)常溫下為氣體時(shí)可原封不動使用，在有機(jī)物質(zhì)在常溫下為液體或固體時(shí)，在容器內(nèi)蒸發(fā)或升華后使用，或可以使用將其與稀釋氣體混合等方法。就載氣22來說，使用氮或氬、氦等惰性氣體。
將有機(jī)物質(zhì)氣體21和載氣22按固定的比例混合，并導(dǎo)入真空容器12內(nèi)。由氣體流量控制裝置24控制兩者的流量和混合比。氣體流量控制裝置24由質(zhì)量流量控制器和電磁閥等構(gòu)成。這些混合氣體根據(jù)需要通過設(shè)置在配管28周圍的未圖示的加熱器加熱到合適的溫度后，通過導(dǎo)入口15導(dǎo)入到真空容器12內(nèi)?；旌蠚怏w的加熱溫度與電子源基板10的溫度相同就可以。
再有，在配管28的中間，可設(shè)置除水過濾器23，除去導(dǎo)入氣體中的水分。在除水過濾器23中，可以使用氧化硅膠、分子篩、氫氧化鎂等吸濕材料。
導(dǎo)入到真空容器12中的混合氣體通過排氣口16，由真空泵26按固定的排氣速度排氣，使真空容器12內(nèi)的混合氣體壓力保持固定。本發(fā)明中使用的真空泵26是干燥泵、隔膜泵、渦旋泵等低真空泵，使用無油泵較好。
根據(jù)用于激活有機(jī)物質(zhì)的種類，在本實(shí)施方式中，在縮短激活工序的時(shí)間和提高均勻性方面來說，上述混合氣體的壓力是大于使構(gòu)成混合氣體的氣體分子的平均自由行程充分小于真空容器12內(nèi)側(cè)尺寸的壓力。該壓力在所謂的粘性流區(qū)域，是幾百Pa(幾Torr)大氣壓的壓力。
此外，如果在真空容器12的氣體導(dǎo)入口15和電子源基板10之間設(shè)置擴(kuò)散板19，控制混合氣體的流動，向基板整個(gè)表面均勻地供給有機(jī)物質(zhì)，則可提高電子發(fā)射元件的均勻性。
電子源基板的取出電極30在真空容器12的外部，使用探針組件70與布線31連接，并連接到驅(qū)動器32。
在本實(shí)施方式、以及后述的實(shí)施方式中也是同樣，只要真空容器僅覆蓋電子源基板6上的導(dǎo)體6就可以，所以可實(shí)現(xiàn)裝置的小型化。此外，由于電子源基板的布線部在真空容器外，所以可以容易地將電子源基板和用于進(jìn)行電處理的電源裝置(驅(qū)動器)連接。
如以上那樣，在真空容器12內(nèi)流動包含有機(jī)物質(zhì)的混合氣體的狀態(tài)下，使用驅(qū)動器32，通過布線31在基板10上的各電子發(fā)射元件上施加脈沖電壓，可以進(jìn)行電子發(fā)射元件的激活。
關(guān)于使用上述的制造裝置的電子源的制造方法的具體例，用以下的實(shí)施例詳述。
在上述實(shí)施方式中，本發(fā)明特別涉及配有溫度調(diào)整機(jī)構(gòu)的支撐體導(dǎo)熱部件的部分。
本實(shí)施方式用于解決降低激活中電子源基板10上發(fā)生的真空容器內(nèi)外產(chǎn)生的溫度差的課題。而且，還解決防止電子源基板10破損的課題。
因此，本實(shí)施方式的特征在于，包括進(jìn)行電子源基板10的一部分區(qū)域的溫度調(diào)整的第1溫度調(diào)整機(jī)構(gòu)；以及進(jìn)行所述一部分區(qū)域以外的溫度調(diào)整的第2溫度調(diào)整機(jī)構(gòu)。關(guān)于上述第1溫度調(diào)整機(jī)構(gòu)和第2溫度調(diào)整機(jī)構(gòu)的基板的具體的溫度調(diào)整方法，用以下的實(shí)施例詳述。
實(shí)施例以下，列舉具體的實(shí)施例來說明本發(fā)明，但本發(fā)明不限定于這些實(shí)施例，還包括實(shí)現(xiàn)本發(fā)明目的的范圍內(nèi)的各部件的置換和設(shè)計(jì)變更。
本實(shí)施例是使用圖1所示的本發(fā)明的裝置來制造配有多個(gè)表面?zhèn)鲗?dǎo)型電子發(fā)射元件的電子源。
圖3是說明本實(shí)施例裝置的第1溫度調(diào)整機(jī)構(gòu)和第2溫度調(diào)整機(jī)構(gòu)的剖面圖，模式地表示激活中的電子源基板10、帶有第1溫度調(diào)整機(jī)構(gòu)的導(dǎo)熱部件71、帶有第2溫度調(diào)整機(jī)構(gòu)的導(dǎo)熱部件72、真空容器12、探針組件70。
這里，電子源基板10在900mm×580mm×厚度2.8mm的玻璃基板上形成有元件、元件電極和布線(未圖示)。導(dǎo)熱部件對應(yīng)于真空容器12的內(nèi)外分割成帶有第1溫度調(diào)整機(jī)構(gòu)的導(dǎo)熱部件71和帶有第2溫度調(diào)整機(jī)構(gòu)的導(dǎo)熱部件72，以可各自獨(dú)立地進(jìn)行溫度調(diào)整來制作。帶有第1溫度調(diào)整機(jī)構(gòu)的導(dǎo)熱部件71在856mm×534mm×厚度30mm的導(dǎo)熱良好的鋁合金內(nèi)部設(shè)置加熱器20a和水配管20b。而帶有第2溫度調(diào)整機(jī)構(gòu)的導(dǎo)熱部件72在外部形狀為1000mm×680mm、內(nèi)部形狀867mm×545mm、厚度30mm的口字型鋁合金內(nèi)部設(shè)置加熱器73。再有，導(dǎo)熱部件72與導(dǎo)熱部件71同樣，除了加熱器以外，還可配有水配管。
在這樣構(gòu)成的裝置中，通過加熱器20a和加熱器73預(yù)先將電子源基板10的溫度調(diào)整到80℃。接著，通過排氣口16，將真空容器12內(nèi)部真空排氣到壓力為1×10-4Pa以下。而且通過氣體導(dǎo)入口導(dǎo)入芐基腈，并進(jìn)行調(diào)整，以使壓力為2×10-4Pa。接著，將探針組件70接地到電子源基板10上的布線，進(jìn)行通電處理，同時(shí)在帶有第1溫度調(diào)整機(jī)構(gòu)的導(dǎo)熱部件71的水配管20b中流過70℃的水，用加熱器73進(jìn)行溫度調(diào)整，以使帶有第2溫度調(diào)整機(jī)構(gòu)的導(dǎo)熱部件72達(dá)到85℃。通電處理中從形成在電子源基板10表面上的布線和元件中產(chǎn)生熱，通過真空容器12的內(nèi)部和外部因減壓環(huán)境和大氣環(huán)境的不同，基板表面的大氣環(huán)境的部分因散熱而溫度下降，這里，由于通過導(dǎo)熱部件71的溫度來提高導(dǎo)熱部件72的溫度，所以基板內(nèi)幾乎沒有溫度差，可以進(jìn)行通電處理。
在本實(shí)施例中，使用本發(fā)明的上述電子源的制造裝置，可以降低基板的溫度差，可以制作沒有基板破裂、對元件的通電處理和電子發(fā)射特性良好的電子發(fā)射元件。再有，即使產(chǎn)生的熱發(fā)生變化也可以對應(yīng)，還可變更導(dǎo)熱部件71和導(dǎo)熱部件72的溫度。
本實(shí)施例與實(shí)施例1同樣，使用圖1所示的本發(fā)明的裝置來制造配有多個(gè)表面?zhèn)鲗?dǎo)型電子發(fā)射元件。
圖4是說明本實(shí)施例的裝置的第1溫度調(diào)整機(jī)構(gòu)和第2溫度調(diào)整機(jī)構(gòu)的剖面圖，模式地示出激活中的電子源基板10、帶有第1溫度調(diào)整機(jī)構(gòu)的導(dǎo)熱部件71、隔熱部件76、真空容器12、探針組件70。隔熱部件76使用導(dǎo)熱性差的陶瓷，在電子源基板10的端面中配置橡膠加熱器74。其他結(jié)構(gòu)與實(shí)施例1相同。
在這樣構(gòu)成的裝置中，通過加熱器20a和橡膠加熱器74預(yù)先將電子源基板10的溫度調(diào)整到80℃。接著，通過排氣口16，將真空容器12內(nèi)部真空排氣到壓力為1×10-4Pa以下。而且通過氣體導(dǎo)入口導(dǎo)入芐基腈，并進(jìn)行調(diào)整，以使壓力為2×10-4Pa。接著，將探針組件70接地在電子源基板10上的布線，進(jìn)行通電處理，同時(shí)在帶有第1溫度調(diào)整機(jī)構(gòu)的導(dǎo)熱部件71的水配管20b中流過70℃的水，從基板端面用橡膠加熱器74進(jìn)行溫度調(diào)整，以達(dá)到85℃。在本實(shí)施例中，使用導(dǎo)熱性差的陶瓷構(gòu)成的隔熱部件76代替實(shí)施例1中使用的帶有第2溫度調(diào)整機(jī)構(gòu)的導(dǎo)熱部件72，所以可以進(jìn)行加熱，而不將橡膠加熱器74加熱的基板熱飛散。在這樣結(jié)構(gòu)的裝置中，基板內(nèi)幾乎沒有溫度差，可以獲得與實(shí)施例1同樣的效果。
在本實(shí)施例中，使用本發(fā)明的上述電子源的制造裝置，可以降低基板的溫度差，可以制作沒有基板破裂、對元件的通電處理和電子發(fā)射特性良好的電子發(fā)射元件。
本實(shí)施例與實(shí)施例1同樣，使用圖1所示的本發(fā)明的裝置來制造配有多個(gè)表面?zhèn)鲗?dǎo)型電子發(fā)射元件。
圖5是說明本實(shí)施例的裝置的第1溫度調(diào)整機(jī)構(gòu)和第2溫度調(diào)整機(jī)構(gòu)的剖面圖，模式地示出激活中的電子源基板10、帶有第1溫度調(diào)整機(jī)構(gòu)的導(dǎo)熱部件71、隔熱部件76、真空容器12、探針組件70。隔熱部件76使用導(dǎo)熱性差的陶瓷，配置從上面加熱電子源基板10的熱風(fēng)機(jī)75。其他結(jié)構(gòu)與實(shí)施例1相同。
在這樣構(gòu)成的裝置中，通過加熱器20a和熱風(fēng)機(jī)75預(yù)先將電子源基板10的溫度調(diào)整到80℃。接著，通過排氣口16，將真空容器12內(nèi)部真空排氣到壓力為1×10-4Pa以下。而且通過氣體導(dǎo)入口導(dǎo)入芐基腈，并進(jìn)行調(diào)整，以使壓力為2×10-4Pa。接著，將探針組件70接地在電子源基板10上的布線，進(jìn)行通電處理，同時(shí)在帶有第1溫度調(diào)整機(jī)構(gòu)的導(dǎo)熱部件71的水配管20b中流過70℃的水，用熱風(fēng)機(jī)75從基板上面進(jìn)行溫度調(diào)整，以使基板溫度達(dá)到85℃。在這樣結(jié)構(gòu)的裝置中，基板內(nèi)幾乎沒有溫度差，可以獲得與實(shí)施例1同樣的效果。
在本實(shí)施例中，使用本發(fā)明的上述電子源的制造裝置，可以降低基板的溫度差，可以制作沒有基板破裂、對元件的通電處理和電子發(fā)射特性良好的電子發(fā)射元件。
權(quán)利要求
1.一種通電處理裝置，在減壓環(huán)境中，對基板上配置的導(dǎo)體進(jìn)行通電處理，其特征在于，該通電處理裝置包括配有排氣孔的容器，覆蓋所述導(dǎo)體和配置該導(dǎo)體的基板表面的一部分區(qū)域，并與該基板一起形成氣密環(huán)境；第1溫度調(diào)整機(jī)構(gòu)，進(jìn)行基板的所述一部分區(qū)域的溫度調(diào)整；以及第2溫度調(diào)整機(jī)構(gòu)，進(jìn)行基板的所述一部分區(qū)域以外的區(qū)域的溫度調(diào)整。
2.一種電子源的制造裝置，在減壓環(huán)境中，對基板上配置的導(dǎo)體進(jìn)行通電處理，在該導(dǎo)體中形成電子發(fā)射部，其特征在于，該電子源的制造裝置包括配有排氣孔的容器，覆蓋所述導(dǎo)體和配置該導(dǎo)體的基板表面的一部分區(qū)域，并與該基板一起形成氣密環(huán)境；第1溫度調(diào)整機(jī)構(gòu)，進(jìn)行基板的所述一部分區(qū)域的溫度調(diào)整；以及第2溫度調(diào)整機(jī)構(gòu)，進(jìn)行基板的所述一部分區(qū)域以外的區(qū)域的溫度調(diào)整。
3.一種通電處理方法，在減壓環(huán)境中，對基板上配置的導(dǎo)體進(jìn)行通電處理，其特征在于，該通電處理方法包括用配有排氣孔的容器覆蓋所述導(dǎo)體和配置了該導(dǎo)體的基板表面的一部分區(qū)域，用該容器和該基板形成氣密環(huán)境的工序；對所述氣密環(huán)境進(jìn)行減壓的工序；以及按比所述一部分區(qū)域高的溫度來加熱基板的所述一部分區(qū)域以外的區(qū)域，在所述導(dǎo)體中進(jìn)行通電的工序。
4.一種電子源的制造方法，在減壓環(huán)境中，在基板上配置的導(dǎo)體中進(jìn)行通電，在該導(dǎo)體中形成電子發(fā)射部，其特征在于，該電子源的制造方法包括用配有排氣孔的容器覆蓋所述導(dǎo)體和配置了該導(dǎo)體的基板表面的一部分區(qū)域，用該容器和該基板形成氣密環(huán)境的工序；對所述氣密環(huán)境進(jìn)行減壓的工序；以及按比所述一部分區(qū)域高的溫度來加熱基板的所述一部分區(qū)域以外的區(qū)域，在所述導(dǎo)體中進(jìn)行通電的工序。
全文摘要
在減壓環(huán)境中對基板上配置的導(dǎo)體進(jìn)行通電處理的通電處理裝置中，通過分別包括基板上配置了導(dǎo)體并且被真空吸附區(qū)域的溫度控制機(jī)構(gòu)，以及基板上除此以外區(qū)域的溫度控制機(jī)構(gòu)，降低基板上的溫度差，抑制熱膨脹率差造成的基板破損。
文檔編號H01J9/02GK1551277SQ200410002720
公開日2004年12月1日 申請日期2004年1月19日 優(yōu)先權(quán)日2003年1月21日
發(fā)明者木村明弘, 大木一弘, 鐮田重人, 人, 弘 申請人:佳能株式會社