專利名稱：等離子體顯示面板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示裝置中使用的等離子體顯示面板及其制造方法，特別是涉及高性能的氧化鎂(MgO)保護(hù)膜。
背景技術(shù)：
近年，在計(jì)算機(jī)和電視等的圖象顯示中使用的彩色顯示裝置中，使用等離子體顯示面板(以下稱作PDP或面板)的等離子體顯示裝置作為能實(shí)現(xiàn)大型、薄型、輕量的彩色顯示裝置引入注目。
作為AC型的代表性交流面放電型PDP的結(jié)構(gòu)為把排列進(jìn)行面放電的掃描電極和維持電極而形成的由玻璃基板構(gòu)成的前面板、排列數(shù)據(jù)電極而形成的由玻璃基板構(gòu)成的背面板平行相對(duì)配置，從而兩電極形成矩陣，并且在間隙形成放電空間，通過玻璃粉等密封材料密封其外周部。而且，是在基板之間設(shè)置由隔壁劃分的放電單元，在該隔壁之間的單元空間中形成熒光體層的結(jié)構(gòu)。在這樣的結(jié)構(gòu)的PDP中，通過氣體放電產(chǎn)生紫外線，用該紫外線激勵(lì)紅色(R)、綠色(G)、藍(lán)色(B)的各色熒光體并發(fā)光，從而進(jìn)行彩色顯示。
在這樣的交流面放電型PDP中，覆蓋前面板的電極設(shè)置有介質(zhì)層，為了保護(hù)介質(zhì)層，設(shè)置由氧化鎂(MgO)構(gòu)成的保護(hù)膜。對(duì)保護(hù)膜要求提高電子發(fā)射能力，要求耐濺射性，提出對(duì)保護(hù)膜的表面改質(zhì)處理的技術(shù)(例如特開平9-255562號(hào)公報(bào)、特開平8-236028號(hào)公報(bào)、特開2000-57939號(hào)公報(bào)、特開2000-76989號(hào)公報(bào))。
在這樣的交流面放電型PDP中，在作為保護(hù)膜的氧化鎂(MgO)中存在以下的課題。即氧化鎂(MgO)中，鎂的陰電性小，所以其結(jié)晶的離子性強(qiáng)，容易具有正帶電性。通常在氧化鎂(MgO)界面存在很多的凹凸和結(jié)晶缺陷，在這些缺陷所到之處Mg離子的正電荷暴露。因此，以缺陷為中心吸附伴隨著PDP制造過程中的各種處理而產(chǎn)生的H2O和CO2或碳?xì)錃怏w(主要是有機(jī)粘合劑類的分解物)，放電變得不穩(wěn)定，或放電電壓上升。此外，吸附在這些氧化鎂(MgO)上的H2O和CO2或碳?xì)錃怏w在制作面板后的放電中釋放到面板內(nèi)，吸附在熒光體表面，發(fā)生氧化反應(yīng)和還原反應(yīng)，使熒光體粒子表面非結(jié)晶化，引起亮度下降。
發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的在于通過實(shí)現(xiàn)氣體吸附少的氧化鎂(MgO)保護(hù)膜，提供放電特性穩(wěn)定、亮度惡化小的PDP。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種等離子體顯示面板，包括在第一基板上具備第一電極、覆蓋上述第一電極設(shè)置的介質(zhì)玻璃層和設(shè)置在上述介質(zhì)玻璃層上的保護(hù)膜的前面面板，上述保護(hù)膜由添加了包含陰電性不低于1.4的元素的氧化物的氧化鎂(MgO)構(gòu)成；在第二基板上至少配置有第二電極、隔壁和熒光體層的背面面板；以相對(duì)置的狀態(tài)配置上述保護(hù)膜和上述熒光體層，在上述前面面板和上述背面面板之間形成以隔壁劃分的放電空間。
通過這樣構(gòu)成，通過比氧化鎂(MgO)的陰電性還大的氧化物，能削弱保護(hù)膜的正帶電性，能減少H2O和CHx對(duì)保護(hù)膜的吸附，能實(shí)現(xiàn)放電特性穩(wěn)定，亮度惡化少的PDP。
下面簡要說明附圖。
圖1是本發(fā)明實(shí)施例的PDP的剖視立體圖。
圖2是形成本發(fā)明實(shí)施例的保護(hù)膜時(shí)使用的等離子體CVD裝置的概略圖。
圖3是形成本發(fā)明實(shí)施例的保護(hù)膜時(shí)使用的高頻濺射裝置的概略圖。
圖4是形成本發(fā)明實(shí)施例的保護(hù)膜時(shí)使用的真空蒸鍍裝置的概略圖。
具體實(shí)施例方式
參照
本發(fā)明的PDP。
圖1是本發(fā)明實(shí)施例的PDP的剖視立體圖。
PDP在前面玻璃基板11上設(shè)置進(jìn)行放電維持和顯示掃描動(dòng)作的一對(duì)第一電極即放電電極12和介質(zhì)玻璃層13。在介質(zhì)玻璃層13上設(shè)置由氧化鎂(MgO)構(gòu)成的保護(hù)膜14，形成前面面板10。在背面玻璃基板21上設(shè)置第二電極即地址電極22、底層介質(zhì)玻璃層23、隔壁24、熒光體層25，形成背面面板20。把前面面板10和背面面板20貼在一起，成為在形成于前面面板10和背面面板20之間的放電空間30內(nèi)密封入放電氣體的結(jié)構(gòu)。
按如下制作前面面板10。即在前面玻璃基板11上通過濺射法制膜后，對(duì)透明電極構(gòu)圖，再通過絲網(wǎng)印刷法等涂敷銀電極膏，形成放電電極12。接著，通過絲網(wǎng)印刷法等涂敷由氧化鉛(PbO)75重量％、氧化硼(B2O3)15重量％、氧化硅(SiO2)10重量％構(gòu)成的介質(zhì)玻璃膏，形成介質(zhì)玻璃層13以覆蓋放電電極12。這里，進(jìn)行了絲網(wǎng)印刷的膏經(jīng)過燒結(jié)步驟凝固。接著，使用等離子體CVD法、高頻濺射法、真空蒸鍍法、或離子電鍍法等，在介質(zhì)玻璃層13上形成添加了包含陰電性不低于1.4且具有負(fù)帶電的元素的氧化物的氧化鎂(MgO)保護(hù)膜14。
而按如下制作背面面板20。即在背面玻璃基板21上絲網(wǎng)印刷銀電極膏，形成地址電極22。覆蓋該地址電極22，通過絲網(wǎng)印刷等涂敷鉛類玻璃膏，形成底層介質(zhì)玻璃層23。接著，為了以預(yù)定的間隔形成隔壁24，在涂敷絕緣性材料膏之后進(jìn)行構(gòu)圖來形成隔壁24。須指出的是，與前面面板10的形成同樣，膏經(jīng)過燒結(jié)步驟凝固。接著在由隔壁24夾著的各空間內(nèi)配置紅色熒光體、綠色熒光體、藍(lán)色熒光體，形成熒光體層25。作為各色的熒光體，能使用一般在PDP中使用的熒光體，但是這里作為紅色熒光體，使用(YxGd1-x)BO3:Eu3+，作為綠色熒光體，使用Zn2SiO4:Mn2+，作為藍(lán)色熒光體，使用BaMgAl10O17:Eu2+。
接著，使放電電極12和地址電極22正交，使用密封用玻璃把這樣制作的前面面板10和背面面板20粘貼在一起。然后把由隔壁24隔開的放電空間30內(nèi)排氣為高真空(8×10-7Torr)后，以預(yù)定的壓力密封入由預(yù)定組分構(gòu)成的放電氣體，制作PDP。
須指出的是，本實(shí)施例的PDP的單元尺寸為了適合于40英寸級(jí)別的高清晰電視，使單元間隔小于等于0.2mm，將放電電極12的電極間距離形成為小于等于0.1mm。為了提高亮度，隔壁24采用在與地址電極22正交的單元間也具有隔壁24的井字型構(gòu)成。
此外，密封入的放電氣體的組分是以往使用的Ne-Xe類，但是把Xe的含量設(shè)定為大于等于10體積％，并且把密封入壓力設(shè)定在400Torr～760Torr的范圍中，提高Xe的濃度，謀求單元的發(fā)光亮度的提高。
下面描述氧化鎂(MgO)保護(hù)膜的形成方法。首先描述通過等離子體CVD法形成的方法。圖2是形成保護(hù)膜時(shí)使用的等離子體CVD裝置的概略圖。
等離子體CVD裝置40在等離子體CVD裝置本體45中設(shè)置有對(duì)由形成了放電電極12和介質(zhì)玻璃層13的前面玻璃基板11構(gòu)成的玻璃基板47進(jìn)行加熱的加熱部46。等離子體CVD裝置本體45內(nèi)能用排氣裝置49減壓，在等離子體CVD裝置本體45中設(shè)置用于產(chǎn)生等離子體的高頻電源。此外，使玻璃基板47為負(fù)電極，設(shè)置用于作用偏壓的電源50。在外部設(shè)置氬(Ar)氣瓶41a、41b，經(jīng)由氣化器42、43，把作為載體氣體的氬(Ar)氣提供給等離子體CVD裝置本體45。在氣化器42內(nèi)加熱存儲(chǔ)氧化鎂(MgO)和添加于其中的作為氧化物原料的金屬螯合物。通過從氬(Ar)氣瓶41a吹入氬(Ar)氣，使金屬螯合物蒸發(fā)，能送入等離子體CVD裝置本體45中。此外，在氣化器43內(nèi)，加熱存儲(chǔ)氧化鎂(MgO)和成為添加物的原料的乙酰丙酮和環(huán)戊二烯化合物。通過從氬(Ar)氣瓶41b吹入氬(Ar)氣，使乙酰丙酮和環(huán)戊二烯化合物蒸發(fā)，能送入等離子體CVD裝置本體45中。此外，氧氣(O2)瓶44把反應(yīng)氣體即氧氣(O2)提供給等離子體CVD裝置本體45。
使用上述結(jié)構(gòu)的等離子體CVD裝置40，進(jìn)行等離子體CVD時(shí)，基于加熱部46的玻璃基板47的加熱溫度設(shè)定為250℃～380℃的范圍內(nèi)的一定溫度，并且使用排氣裝置49把反應(yīng)爐的內(nèi)壓減壓到30Pa～300Pa。驅(qū)動(dòng)高頻電源48，通過外加13.56MHz的高頻電場(chǎng)，使等離子體CVD裝置本體45內(nèi)產(chǎn)生等離子體，從送入爐內(nèi)的原料氣體產(chǎn)生化學(xué)性質(zhì)極活潑的原子團(tuán)，一邊在基板上淀積化學(xué)反應(yīng)生成物，一邊形成保護(hù)膜14。
這里，作為從氣化器42或氣化器43供給的金屬螯合物和環(huán)戊二烯化合物，例如作為Mg的原料，能使用二丙二醇甲醚鎂[Mg(C11H19O2)2]、乙酰丙酮鎂[Mg(C5H7O2)2]、環(huán)戊二烯鎂[Mg(C5H5)2]、三氟乙酰丙酮鎂[Mg(C5H5F3O2)2]。此外，作為用于添加包含陰電性不低于1.4的元素的氧化物的元素M即Ti、Zr、Ge、V、Nb、Ta、Sb、Cr、Mo、W、Sn、B、Si、Pb、Mn的原料，能使用二丙二醇甲醚[M(C11H19O2)n]、乙酰丙酮[M(C5H7O2)n]、三氟乙酰丙酮[M(C5H5F3O2)n]。使用這樣的原料，對(duì)氧化鎂(MgO)添加氧化物時(shí)，以1對(duì)0.000005～0.005的摩爾比，混合Mg和M的原料，作為原料。通過控制M的摩爾比和氣化器的溫度，進(jìn)行氧化物的添加量的控制。使用這樣的原料，用在基板上外加負(fù)偏壓的等離子體CVD法形成保護(hù)膜14，從而能在氧化鎂(MgO)的保護(hù)膜14中添加包含陰電性不低于1.4的元素的氧化物。
須指出的是，添加的氧化物的元素的陰電性不低于1.4的理由是氧化鎂(MgO)中的鎂的陰電性為1.25，通過變?yōu)楸人€大，能提高氧化鎂(MgO)的保護(hù)膜14的陰電性。此外，包含陰電性不低于1.4的元素的氧化物一般表現(xiàn)負(fù)帶電，所以通過控制添加量，容易控制保護(hù)膜14的帶電性。
下面說明通過高頻濺射法形成保護(hù)膜14的方法。圖3是形成保護(hù)膜14時(shí)使用的高頻濺射裝置的概略圖。
濺射裝置70在濺射裝置本體65中設(shè)置有對(duì)由形成了放電電極12和介質(zhì)玻璃層13的前面玻璃基板11構(gòu)成的玻璃基板67進(jìn)行加熱的加熱部66，濺射裝置本體65內(nèi)能用排氣裝置69減壓。此外，在濺射裝置本體65中設(shè)置用于產(chǎn)生等離子體的高頻電源68。以0.0005摩爾％～0.5摩爾％添加氧化鎂(MgO)和包含陰電性不低于1.4的元素的氧化物的靶61安裝在高頻電源68上。此外，在玻璃基板67上設(shè)置用于作用負(fù)偏壓的電源64。氬(Ar)氣瓶62把濺射氣體即氬(Ar)氣提供給濺射裝置本體65，氧氣(O2)瓶63把作為反應(yīng)氣體的氧氣(O2)提供給濺射裝置本體65。
使用上述結(jié)構(gòu)的濺射裝置70進(jìn)行濺射時(shí)，使介質(zhì)玻璃層13在上，放置玻璃基板67，把玻璃基板67加熱到250℃～380℃。再一邊把氬(Ar)氣和氧氣(O2)導(dǎo)入濺射裝置本體65，一邊使用排氣裝置69把壓力減壓到0.1Pa～10Pa。驅(qū)動(dòng)高頻電源68，一邊使濺射裝置本體65產(chǎn)生等離子體，一邊形成氧化鎂(MgO)的保護(hù)膜14。這里，使用電源64一邊把-100V～150V的電位作用到玻璃基板67上，一邊對(duì)靶61濺射，如果形成保護(hù)膜14，則成膜速度和成膜特性進(jìn)一步提高。須指出的是，對(duì)氧化鎂(MgO)中的包含陰電性大的元素的氧化物的添加量的控制能用加入靶61中的氧化物的添加量和高頻電力控制。
下面，描述通過真空蒸鍍形成保護(hù)膜14的方法。圖4是形成保護(hù)膜14時(shí)使用的真空蒸鍍裝置的概略圖。
在真空蒸鍍裝置80中，在真空蒸鍍裝置本體85中設(shè)置有對(duì)由形成了放電電極12和介質(zhì)玻璃層13的前面玻璃基板11構(gòu)成的玻璃基板87進(jìn)行加熱的加熱部81。能用排氣裝置89把內(nèi)部減壓。此外，設(shè)置用于使氧化鎂(MgO)和添加物即氧化物蒸發(fā)的電子束或空心陰極的蒸發(fā)源86。氧氣(O2)瓶82用于作為反應(yīng)氣體使用，對(duì)真空蒸鍍裝置本體85內(nèi)供給氧氣(O2)。
使用上述結(jié)構(gòu)的真空蒸鍍裝置80進(jìn)行蒸鍍時(shí)，使介質(zhì)玻璃層13在下，放置玻璃基板87，一邊把氧氣(O2)導(dǎo)入真空蒸鍍裝置本體85內(nèi)，一邊使用排氣裝置89把壓力減壓到0.01Pa～1.0Pa。通過電子束和空心陰極等的蒸發(fā)源86，把以0.0005摩爾％～0.5摩爾％添加了添加物的氧化鎂(MgO)蒸發(fā)，形成保護(hù)膜14。
由以往的真空蒸鍍法(EB法)形成的氧化鎂(MgO)保護(hù)膜使用純度高的99.99％左右的高純度氧化鎂(MgO)成膜。可是，氧化鎂(MgO)自身是陰電性小，離子性大的物質(zhì)。因此，其表面的Mg+離子局部表現(xiàn)露出帶電性的不穩(wěn)定的能量高的狀態(tài)，吸附氫氧基(OH-)等離子性的物質(zhì)達(dá)到穩(wěn)定化。此外，如果根據(jù)成膜的氧化鎂(MgO)的陰極輝光測(cè)定結(jié)果，則觀測(cè)到氧缺陷引起的很多輝光的峰值，并且這些缺陷變?yōu)镠2O和CO2或碳?xì)錃怏w的吸附點(diǎn)。
為了減少這些局部的正帶電性引起的吸附點(diǎn)，有必要減少陰電性小的氧化鎂(MgO)的強(qiáng)的離子性鍵。因此，添加包含陰電性大、共價(jià)鍵性強(qiáng)即離子性鍵低的元素的氧化物特別是包含陰電性不低于1.4并且具有負(fù)帶電性的元素的氧化物，能減少強(qiáng)的離子性鍵。即，之所以通過在氧化鎂(MgO)結(jié)晶的一部分中加入與離子性鍵強(qiáng)的Mg-O鍵不同的共價(jià)性鍵的M-O鍵，H2O和CO2或CHx的吸附特性變化，被認(rèn)為是因?yàn)橄拗屏搜趸V(MgO)的缺陷，減少了氣體吸附點(diǎn)。
通過這樣減少各種氣體對(duì)氧化鎂(MgO)的吸附，能解決放電維持電壓的穩(wěn)定化、雜質(zhì)氣體(H2O和CO2或CHx)引起的熒光體氧化、還原反應(yīng)導(dǎo)致的亮度惡化的問題。
須指出的是，確認(rèn)了如果是包含陰電性1.4～2.55的元素的氧化物，則對(duì)放電維持電壓的穩(wěn)定化、亮度惡化的抑制具有效果。
下面，描述基于由上述方法制作的樣品的評(píng)價(jià)結(jié)果的實(shí)施例。
表1表示對(duì)氧化鎂(MgO)保護(hù)膜改變成膜方法，添加包含陰電性大的元素的各種氧化物時(shí)的PDP的特性。表1所示的試樣NO.1～NO.6的PDP具有根據(jù)上述實(shí)施例，由等離子體CVD法制作的添加陰電性不低于1.4的氧化物的氧化鎂(MgO)保護(hù)膜。PDP的單元尺寸與42英寸的高清晰電視用的顯示器匹配，隔壁24的高度設(shè)定為0.12mm，隔壁24的間隔(單元間隔)設(shè)定為0.15mm，采用對(duì)各單元配置隔壁24的井字型隔壁構(gòu)造，放電電極12的電極間距為0.06mm。此外，用絲網(wǎng)印刷法涂敷混合了65重量％的氧化鉛(PbO)、25重量％的氧化硼(B2O3)、10％的氧化硅(SiO2)和有機(jī)粘合劑(在α-萜品醇中溶解10％的乙基纖維素)而形成的組分物后，在520℃燒結(jié)10分鐘，形成鉛類的介質(zhì)玻璃層13，其膜厚為30μm。
等離子體CVD裝置使反應(yīng)容器的壓力為30Pa～300pa，氬(Ar)氣的流量為1L/分鐘，氧(O2)的流量為0.5L/分鐘，同時(shí)流動(dòng)1分鐘，以300W～500W進(jìn)行1分鐘的高頻的外加，成膜速度調(diào)整為0.9μm/分鐘。添加了包含陰電性不低于1.4的元素的氧化物的氧化鎂(MgO)保護(hù)膜的厚度為0.9μm，氧化物的添加量小于等于0.5摩爾％(小于等于5000ppm)，更希望設(shè)定為0.005摩爾％～0.5摩爾％的范圍中。如果實(shí)際添加的氧化物的量為上述范圍內(nèi)，則不這樣敏感，而能發(fā)現(xiàn)明顯的效果。須指出的是，在表1中表示添加的氧化物的元素的陰電性和帶電傾向。
試樣No.7～試樣No.9是由高頻濺射法生成的保護(hù)膜，試樣No.10～試樣No.14是由真空蒸鍍法生成的保護(hù)膜。此外，試樣No.15*、試樣No.16*是作為比較例，用真空蒸鍍法和高頻濺射法形成不添加包含陰電性大的元素的氧化物的以往的氧化鎂(MgO)保護(hù)膜。
在表1中，作為PDP的評(píng)價(jià)結(jié)果，表示放電維持電壓的變化率和亮度的變化率。放電維持電壓大幅度受到覆蓋放電電極的氧化鎂(MgO)保護(hù)膜的性能的影響，在PDP的放電開始后，放電維持電壓降低，是放電消失之前的電壓。此外，關(guān)于亮度，相當(dāng)于在一定驅(qū)動(dòng)條件下，設(shè)定為決定的色溫度的白色時(shí)取得的面板全體的亮度。即是由表現(xiàn)白色的三原色熒光體中亮度惡化最大的熒光體決定速率的全面白色顯示的亮度，作為以頻率200KHz驅(qū)動(dòng)時(shí)的值測(cè)定。此外，放電維持電壓和亮度的變化率是對(duì)PDP外加電壓175V，在1000小時(shí)中連續(xù)外加頻率200KHz的放電維持脈沖，測(cè)定其前后的放電維持電壓和亮度的變化，作為(外加后的值-外加前的值)/外加前的值*100，求出各變化率。
*試樣編號(hào)15、16是比較例從表1可知，本發(fā)明的添加氧化物的試樣No.1～試樣No.14的PDP在點(diǎn)亮1000小時(shí)后的放電維持電壓的變化率小到1％～2％，而以往的氧化鎂(MgO)保護(hù)膜即試樣No.15*、試樣No.16*的PDP中，由于膜面的吸附污染，放電維持電壓上升接近10％。此外，面板點(diǎn)亮1000小時(shí)后的亮度變化率在試樣No.15*、試樣No.16*中，惡化近13％，而在添加氧化物的試樣No.1～試樣No.14的PDP中，惡化抑制在-4％～-6％。這說明試樣No.1～試樣No.14的PDP中，面板內(nèi)的氧化鎂(MgO)的雜質(zhì)氣體的吸附少。
根據(jù)本發(fā)明，作為覆蓋各發(fā)光單元的放電電極的氧化鎂(MgO)保護(hù)膜，使用添加含有陰電性不低于1.4的元素的氧化物的氧化鎂(MgO)保護(hù)膜，所以能解決保護(hù)膜的雜質(zhì)氣體的吸附的課題，提供抑制放電維持電壓上升，并且能大幅度減少亮度惡化的PDP。
權(quán)利要求
1.一種等離子體顯示面板，包括在第一基板上具備第一電極、覆蓋上述第一電極設(shè)置的介質(zhì)玻璃層和設(shè)置在上述介質(zhì)玻璃層上的保護(hù)膜的前面面板，上述保護(hù)膜由添加了包含陰電性不低于1.4的元素的氧化物的氧化鎂(MgO)構(gòu)成；在第二基板上至少配置有第二電極、隔壁和熒光體層的背面面板；以相對(duì)置的狀態(tài)配置上述保護(hù)膜和上述熒光體層，在上述前面面板和上述背面面板之間形成以隔壁劃分的放電空間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的等離子體顯示面板，其特征在于氧化物是帶負(fù)電的氧化物。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的等離子體顯示面板，其特征在于氧化物至少是氧化鈦(TiO2)、氧化鋯(ZrO2)、氧化鍺(GeO2)、氧化釩(V2O5)、氧化鈮(Nb2O5)、氧化鉭(Ta2O5)、氧化銻(Sb2O5)、氧化鉻(Cr2O3)、氧化鉬(MoO3)、氧化鎢(WO3)、氧化錫(SnO2)、氧化硼(B2O3)、氧化硅(SiO2)、氧化鉛(PbO)和氧化錳(MnO2)中的任意一種。
4.一種等離子體顯示面板的制造方法，至少包含在第一基板上形成電極的步驟；覆蓋上述電極形成介質(zhì)玻璃層的步驟；覆蓋上述介質(zhì)玻璃層形成保護(hù)膜的步驟，上述保護(hù)膜由添加了包含陰電性不低于1.4的元素的氧化物的氧化鎂(MgO)構(gòu)成；形成上述保護(hù)膜的步驟是等離子體CVD法、濺射法、真空蒸鍍法和離子電鍍法中的任意一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的等離子體顯示面板的制造方法，其特征在于形成保護(hù)膜的步驟是在30Pa～300Pa的反應(yīng)容器內(nèi)，使用氧(O2)和氬(Ar)，使鎂的有機(jī)金屬化合物和包含陰電性不低于1.4的元素的氧化物所包含的金屬的有機(jī)金屬化合物進(jìn)行反應(yīng)的等離子體CVD法。
全文摘要
謀求放電維持電壓的穩(wěn)定化和熒光體亮度惡化的降低的等離子體顯示面板。在等離子體顯示面板中，作為形成在介質(zhì)玻璃層(13)上的氧化鎂(MgO)的保護(hù)膜(14)，通過形成添加了陰電性不低于1.4的氧化物的氧化鎂(MgO)的保護(hù)膜(14)，能抑制保護(hù)膜(14)的雜質(zhì)吸附，謀求放電維持電壓的穩(wěn)定化、亮度惡化的減少。
文檔編號(hào)H01J11/12GK1698171SQ20048000060
公開日2005年11月16日 申請(qǐng)日期2004年4月21日 優(yōu)先權(quán)日2003年4月22日
發(fā)明者青木正樹, 近藤由美, 杉本和彥, 瀨戶口廣志, 日比野純一, 田中好紀(jì), 細(xì)川鐵平 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社