專利名稱：等離子體顯示板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及等離子體顯示板(下文簡(jiǎn)稱為“PDP”)，其在顯示圖像時(shí)具有改善了的放電穩(wěn)定性和發(fā)光效率。
背景技術(shù)：
一般地說，PDP是使用紅、綠、藍(lán)(R、G、B)可見光線來顯示圖像的顯示器。可見光線是通過使用真空紫外線激發(fā)熒光體來產(chǎn)生的。紫外線從由氣體放電獲得的等離子體輻射出。PDP能夠提供60英寸或者更大尺寸的屏幕，而厚度只有10cm或者更小。PDP是象CRT一樣的自發(fā)光顯示器，不會(huì)發(fā)生由于色彩表現(xiàn)或者視角而造成的扭曲。另外，與LCD相比，PDP的處理步驟簡(jiǎn)單，制造成本經(jīng)濟(jì)，生產(chǎn)率高，因此，作為用于TV和工業(yè)用途的平板顯示器備受關(guān)注。
在AC PDP(交流型PDP)中，尋址電極沿著一個(gè)方向形成在后基板上，介電層形成在后基板的整個(gè)表面上，覆蓋尋址電極。條狀圖案的障肋形成在介電層上，設(shè)置在相鄰的尋址電極之間。在相鄰的障肋之間形成紅、綠、藍(lán)(R、G、B)熒光體層。
在前基板面對(duì)后基板的表面上形成有一對(duì)顯示電極，具有透明電極和匯流電極。介電層和MgO保護(hù)層一般按順序地形成在前基板的整個(gè)表面上并覆蓋顯示電極。
放電室形成在后基板的尋址電極和前基板的成對(duì)顯示電極的交叉區(qū)域。
上百萬的單位放電室按照矩陣的形狀布置在PDP中。進(jìn)行基于存儲(chǔ)器的驅(qū)動(dòng)以同時(shí)地驅(qū)動(dòng)按矩陣形狀布置的AC PDP放電室。
具體地說，為了發(fā)生放電，在顯示電極的X電極(維持電極)和Y電極(掃描電極)之間要產(chǎn)生至少有預(yù)定電壓的電勢(shì)差。該預(yù)定電壓被稱為“點(diǎn)火電壓Vf”。當(dāng)在Y電極上施加掃描電壓而在尋址電極上施加尋址電壓時(shí)，引起放電并在指定的放電室中形成等離子體。另外，存在于等離子體中的電子和離子被輸送到極性相反的電極，由此產(chǎn)生了電流流動(dòng)。
此外，在AC PDP的相應(yīng)電極上設(shè)置有介電層，大部分被輸送的空間電荷沉積在極性相反的介電層上。于是，Y電極和尋址電極之間產(chǎn)生的凈空間電勢(shì)小于開始施加的尋址電壓Va，由此使放電變?nèi)?，浪費(fèi)了尋址放電。這時(shí)，在X電極上沉積了數(shù)量較少的電子，而在Y電極上沉積了數(shù)量較多的電子。沉積在覆蓋X電極和Y電極的介電層上的電荷被稱為“壁電荷Qw”。壁電荷Qw在X電極和Y電極之間形成的空間電壓被稱為“壁電壓Vw”。
在將預(yù)定電壓(維持電壓Vs)施加在X電極和Y電極的情況下，當(dāng)維持電壓Vs和壁電壓Vw的和Vs+Vw大于點(diǎn)火電壓Vf時(shí)，在放電室內(nèi)發(fā)生放電并產(chǎn)生真空紫外(VUV)線。真空紫外線激發(fā)對(duì)應(yīng)的熒光體，使可見光線經(jīng)透明的前基板射出。
相反，當(dāng)Y電極和尋址電極間沒有尋址電壓(即沒有施加尋址電壓Va)時(shí)，X電極和Y電極之間不會(huì)沉積壁電荷，相應(yīng)地，X電極和Y電極之間不存在壁電壓。這時(shí)，在放電室內(nèi)只形成有施加在X電極和Y電極之間的維持電壓。由于維持電壓Vs低于點(diǎn)火電壓Vf，所以，X電極和Y電極之間不發(fā)生氣體放電。
總體上影響PDP的放電穩(wěn)定性和顯示亮度，取決于形成在放電室障肋上的熒光體形狀。而且，氣體放電產(chǎn)生的真空紫外線不會(huì)激發(fā)形成于給定放電室內(nèi)很厚的整個(gè)熒光體層，而是僅僅激發(fā)最外面的一、兩層熒光體，因此，降低了發(fā)光效率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)方面是提供一種等離子體顯示板，能夠最佳化放電室內(nèi)的熒光體的形狀，由此提高放電穩(wěn)定性和發(fā)光效率。
本發(fā)明的另一個(gè)方面是提供一種包括下面特征的PDP。
按照一種實(shí)施方式，PDP包括彼此面對(duì)的第一基板和第二基板；形成在所述第一基板上的顯示電極；對(duì)應(yīng)于所述顯示電極形成的尋址電極；障肋，布置在第一基板和第二基板之間，這樣在顯示電極和尋址電極相互對(duì)應(yīng)的位置形成放電室；形成于所述放電室內(nèi)的熒光體層；多孔介電層，形成在所述熒光體層和所述第二基板之間。
按照一種實(shí)施方式，所述障肋由封閉障肋結(jié)構(gòu)形成。
按照一種實(shí)施方式，所述熒光體層具有一部分位于放電室的障肋上，該部分具有第一厚度；所述熒光體層具有一部分位于放電室的底面上，該部分具有第二厚度，所述第二厚度大于所述第一厚度。
按照一種實(shí)施方式，所述介電層由多孔介電材料形成。
按照另一種實(shí)施方式，所述介電層具有包含多個(gè)孔隙的多孔膜。
按照另一種實(shí)施方式，所述介電層具有面對(duì)所述熒光體層的多孔膜，所述多孔膜可以僅僅形成在所述介電層面對(duì)所述熒光體層的部分上。
按照一種實(shí)施方式，所述多孔膜的厚度比所述熒光體層的熒光體顆粒的直徑大大約1到2倍。
按照另一種實(shí)施方式，所述多孔膜的厚度大約與所述介電層的孔隙的最小直徑一樣大。
按照一種實(shí)施方式，所述孔隙的直徑為大約2μm到大約4μm，相當(dāng)于熒光體顆粒的直徑。


下面將參照附圖描述本發(fā)明的實(shí)施方式。
圖1是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的PDP的局部剖開示意圖。
圖2是沿圖1的線A-A截取的PDP剖視圖。
圖3是沿圖1的線B-B截取的PDP剖視圖。
具體實(shí)施例方式
下面參照附圖更充分地描述本發(fā)明的實(shí)施方式。
圖1是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的PDP的局部剖開示意圖。
如圖1所示，PDP包括第一基板1(下文稱為“前基板”)和第二基板3(下文稱為“后基板”)。后基板3密封到前基板1，前基板1面對(duì)著后基板3。前基板1和后基板3之間的空間填充有Ne或者Xe等惰性氣體。多個(gè)障肋5布置在前基板1和后基板3之間，分隔出多個(gè)放電室7R、7G、7B。在放電室7R、7G、7B中沉積有紅色、綠色和藍(lán)色的熒光體，形成了熒光體層9R、9G和9B。按照一種實(shí)施方式，熒光體層9R、9G、9B形成在放電室7R、7G、7B的障肋5上的部分，其厚度小于等于熒光體層9R、9G、9B形成在放電室底部的部分的厚度，由此，防止熒光體造成放電室7R、7G、7B的障肋5處的放電場(chǎng)扭曲。
在前基板1上沿著圖中X軸的方向形成有多個(gè)顯示電極11和13，用來在前基板1和后基板3之間產(chǎn)生等離子體放電。沿著圖中Y軸的方向跨過顯示電極11、13縱向地形成多個(gè)尋址電極15。
顯示電極11、13和尋址電極15對(duì)應(yīng)地布置在由障肋5分隔出來的相應(yīng)放電室7R、7G、7B中，用來產(chǎn)生等離子體放電。
顯示電極11、13一般由彼此面對(duì)的X電極11和Y電極13形成，這樣，它們能夠在放電室7R、7G、7B中和尋址電極15一起實(shí)現(xiàn)尋址放電，然后實(shí)現(xiàn)維持放電。當(dāng)尋址電壓施加到尋址電極15而掃描電壓施加到Y(jié)電極13時(shí)，在尋址電極15和Y電極13之間發(fā)生尋址放電。之后，當(dāng)尋址電壓施加到X電極11和Y電極13時(shí)，在X電極11和Y電極13之間發(fā)生維持放電。
按照一種實(shí)施方式，X電極11和Y電極13由下面的電極形成1)透明電極11a、13a，凸向放電室7R、7G、7B的中間(見圖3)；2)匯流電極11b、13b，向透明電極11a、13a供應(yīng)電流。透明電極11a、13a構(gòu)造成在放電室7R、7G、7B內(nèi)產(chǎn)生等離子體放電。按照一種實(shí)施方式，透明電極11a、13a由氧化銦錫(ITO)等透明電極材料形成，以提高顯示器的亮度。匯流電極11b、13b通過提高整體導(dǎo)電率來補(bǔ)償透明電極11a、13a的高阻抗。按照一種實(shí)施方式，匯流電極11b、13b由Al等金屬電極材料形成。
顯示電極11、13由相互面對(duì)的成對(duì)X電極11和Y電極13形成。按照一種實(shí)施方式，對(duì)應(yīng)于相應(yīng)的放電室7R、7G、7B，一對(duì)匯流電極11b、13b相互平行地線性地形成。按照一種實(shí)施方式，如圖3所示，透明電極11a、13a從相應(yīng)的匯流電極11b、13b向著相應(yīng)放電室7R、7G、7B的中間凸出。透明電極11a、13a沿著尋址電極15的方向，即圖中Y軸的方向，對(duì)成地彼此面對(duì)。顯示電極11、13由第一介電層17和MgO保護(hù)層19覆蓋。
按照一種實(shí)施方式，在后基板3上形成用來和顯示電極11、13中的Y電極13一起實(shí)現(xiàn)尋址放電的尋址電極15。按照另一種實(shí)施方式，可以在前基板1或者障肋5上形成尋址電極15。在后一種情況下，尋址電極15不與顯示電極11、13交叉，而是平行于顯示電極11、13延伸。按照又一種實(shí)施方式，尋址電極15可以按照各種方式布置，使它們能夠容易地和顯示電極11、13一起實(shí)現(xiàn)尋址放電。
障肋5一般設(shè)置在前基板1和后基板3之間。障肋5相互平行地延伸，分隔出發(fā)生等離子體放電的放電室7R、7G、7B。如圖1所示，每一個(gè)障肋5都有2對(duì)分別沿著圖中X軸和Y軸的方向形成的垂直部分，形成了封閉了障肋結(jié)構(gòu)。按照一種實(shí)施方式，障肋5可以是沿著X軸的方向或者Y軸的方向延伸的條狀圖案。相應(yīng)的尋址電極15布置在障肋5沿著Y軸的方向延伸的相鄰部分之間。障肋5一般用多孔材料形成，這樣，在制造PDP的過程中，當(dāng)對(duì)印制在放電室7R、7G、7B中的熒光體進(jìn)行干燥時(shí)，障肋5能夠吸收熒光體。
在障肋5和后基板3之間設(shè)置有用來保護(hù)尋址電極15的第二介電層21。第二介電層21覆蓋尋址電極15，這樣，由于尋址電壓施加在后基板3的尋址電極15上和掃描電壓施加到Y(jié)電極13上而產(chǎn)生尋址放電，第二介電層21能夠在放電室7R、7G、7B上形成壁電荷。
圖2是沿著圖1中的線A-A截取的PDP剖視圖，圖3是沿著圖1中的線B-B截取的PDP剖視圖。
按照一種實(shí)施方式，如圖2、3所示，第二介電層21具有多個(gè)空隙p，并且覆蓋尋址電極15。按照這種實(shí)施方式，第二介電層21由多孔介電材料形成，并具有包括多個(gè)空隙的多孔膜21a。換言之，當(dāng)在燒結(jié)過程中迅速地改變燒結(jié)溫度曲線圖時(shí)，在第二介電層21中就會(huì)形成更多的空隙，第二介電層21的表面變得粗糙，由此形成了多孔介電層。按照另一種實(shí)施方式，第二層21可以由在熒光體干燥時(shí)能夠吸收至少一部分熒光體的其他材料形成，例如非多孔材料或者非介電層。
當(dāng)印制在放電室7R、7G、7B上的熒光體干燥時(shí)，多孔膜21a象障肋5那樣大量吸收熒光體。在傳統(tǒng)技術(shù)中，第二介電層不是多孔的，在干燥過程中，盡管多孔的障肋吸收和/或吸附熒光體，但第二介電層不吸收熒光體。障肋不僅吸收和/或吸附形成在放電室側(cè)面上的熒光體，而且也吸收和/或吸附形成在放電室底面上的熒光體。于是，放電室的側(cè)面比底面累積了更多的熒光體。這對(duì)PDP的放電穩(wěn)定性和顯示亮度造成了不利的影響。
按照本發(fā)明的一種實(shí)施方式，在放電室7R、7G、7B底面上形成的熒光體層9R、9G、9B，其厚度比傳統(tǒng)PDP的相對(duì)大些。按照另一種實(shí)施方式，利用多孔膜21a，在放電室7R、7G、7B上可以將大約相同數(shù)量的熒光體吸收和/或吸附到障肋5和底面。按照又一種實(shí)施方式，與障肋5相比，更多數(shù)量的熒光體被吸收和/或吸附到底面。在這些實(shí)施方式中，側(cè)面上的熒光體層9R、9G、9B的厚度小于等于底面上的熒光體層9R、9G、9B的厚度。即，與形成在放電室7R、7G、7B障肋上的熒光體層9R、9G、9B的厚度相比，形成在放電室7R、7G、7B底面上的熒光體層9R、9G、9B的厚度較大。按照這種實(shí)施方式，熒光體層9R、9G、9B能夠被真空紫外線充分地激發(fā)，使放電穩(wěn)定，增大了發(fā)光效率。
按照一種實(shí)施方式，多孔膜21a基于X-Y的平面方向形成在介電層21的整個(gè)面積上。按照另一種實(shí)施方式，僅僅在介電層21面對(duì)著被真空紫外線激發(fā)的熒光體層9R、9G、9B的部分上，形成多孔膜21a。
按照另一種實(shí)施方式，多孔膜21a基于Z軸的方向形成在介電層21的整個(gè)面積上。按照一種實(shí)施方式，多孔膜21a由單層或者雙層結(jié)構(gòu)形成。按照一種實(shí)施方式，多孔膜21a的厚度比熒光體顆粒的直徑大大約1到2倍，或者大到大約空隙的最小直徑。例如，如果熒光體顆粒的直徑大約為3μm，那么，多孔膜21a的相應(yīng)空隙可以對(duì)應(yīng)地由大約2μm到大約4-的直徑形成。
由等離子體放電產(chǎn)生的真空紫外線一般激發(fā)厚度為比熒光體顆粒直徑大大約1到2倍的熒光體層9R、9G、9B的表面區(qū)域或者部分。按照一種實(shí)施方式，多孔膜21a足夠厚，使所有形成的熒光體層都能夠受到真空紫外線的激發(fā)。在熒光體層9R、9G、9B非常薄的情況下，如果沒有多孔膜21a，那么，熒光體層9R、9G、9B就不會(huì)發(fā)出足夠的光。相比之下，在熒光體層9R、9G、9B非常厚的情況下，如果存在多孔膜21a，那么，熒光體層9R、9G、9B可能會(huì)減小放電室7R、7G、7B內(nèi)的放電空間，由此阻礙了放電室的光發(fā)射能力。
相應(yīng)地，按照一種實(shí)施方式，形成在放電室7R、7G、7B障肋5上的熒光體層9R、9G、9B的厚度小于等于形成在放電室7R、7G、7B底面上的熒光體層9R、9G、9B的厚度，這樣，防止了放電場(chǎng)的干擾。而且，形成在底面上的熒光體層9R、9G、9B具有充分的光發(fā)射，由此提高了放電室的亮度。
如表1所列，根據(jù)“例子”(根據(jù)本發(fā)明一種實(shí)施方式的PDP)，在第二介電層21上形成有多孔膜21a的結(jié)構(gòu)，與根據(jù)“對(duì)比例”(傳統(tǒng)PDP)沒有多孔膜的結(jié)構(gòu)相比，具有改善的放電穩(wěn)定性和亮度。
表1


表1列出了PDP的測(cè)量結(jié)果。其中，混有7％Xe的Ne氣以500Torr充進(jìn)放電室7R、7G、7B中，維持電壓是180V，重置電壓是170V。即，根據(jù)“例子”的PDP比根據(jù)“對(duì)比例”的PDP具有更高的亮度和更低的最小電壓容限，并具有改善了的放電穩(wěn)定性。
為了提高PDP的發(fā)光效率，選用了封閉的障肋結(jié)構(gòu)。采用封閉的障肋結(jié)構(gòu)而不是條狀圖案的障肋結(jié)構(gòu)，象在傳統(tǒng)的PDP中那樣，形成在放電室7R、7G、7B底面的熒光體層9R、9G、9B的厚度一般會(huì)小于形成在障肋5上的熒光體層9R、9G、9B的厚度。按照本發(fā)明的一種實(shí)施方式，由于熒光體層在底面上厚度能夠補(bǔ)償為大于等于熒光體層在側(cè)面上的厚度，所以，形成在第二介電層21上的多孔膜21a能夠利用封閉的障肋結(jié)構(gòu)產(chǎn)生更大的效果。
如上所述，本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式包括介電層，其具有面對(duì)放電室熒光體層的多孔膜。即使熒光體在放電室內(nèi)干燥，形成在放電室底面上的熒光體層的厚度也會(huì)大于等于形成在障肋上的熒光體層的厚度。另外，放電室內(nèi)的熒光體形狀是最佳的，由此，防止了放電場(chǎng)扭曲，增強(qiáng)了放電穩(wěn)定性。而且，放電室內(nèi)的所有熒光體都能夠受到激發(fā)，由此提高了發(fā)光效率。
雖然上面的描述指出了應(yīng)用于各種實(shí)施方式中的本發(fā)明的新穎特征，但是，本領(lǐng)域技術(shù)人員會(huì)明白，在不脫離本發(fā)明范圍的情況下，能夠在裝置或者方法的形式、細(xì)節(jié)上進(jìn)行各種省略、替換和改變。所以，本發(fā)明的范圍由權(quán)利要求而不是前面的描述限定。落在權(quán)利要求等同物的意義和范圍的各種變化包含在權(quán)利要求的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種等離子體顯示板，包括彼此面對(duì)的第一基板和第二基板；形成在所述第一基板上的多個(gè)顯示電極；對(duì)應(yīng)于所述顯示電極形成的多個(gè)尋址電極；多個(gè)障肋，布置在所述第一基板和所述第二基板之間，用來形成多個(gè)放電室；形成于每一個(gè)所述放電室內(nèi)的至少一個(gè)熒光體層；多孔介電層，形成在所述至少一個(gè)熒光體層和所述第二基板之間。
2.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示板，其中，所述障肋由封閉障肋結(jié)構(gòu)形成。
3.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示板，其中，所述至少一個(gè)熒光體層具有一部分位于放電室的障肋上，該部分具有第一厚度；所述至少一個(gè)熒光體層具有一部分位于放電室的底面上，該部分具有第二厚度，所述第二厚度大于等于所述第一厚度。
4.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示板，其中，所述介電層由多孔介電材料形成。
5.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示板，其中，所述介電層具有包含多個(gè)孔隙的多孔膜。
6.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示板，其中，所述介電層具有面對(duì)所述熒光體層的多孔膜。
7.如權(quán)利要求6所述的等離子體顯示板，其中，所述多孔膜僅僅形成在所述介電層面對(duì)所述熒光體層的部分上。
8.如權(quán)利要求5所述的等離子體顯示板，其中，所述多孔膜具有單層或者雙層結(jié)構(gòu)。
9.如權(quán)利要求5所述的等離子體顯示板，其中，所述多孔膜的厚度比所述熒光體層的熒光體顆粒的直徑大大約1到2倍。
10.如權(quán)利要求5所述的等離子體顯示板，其中，所述多孔膜的厚度大約與所述介電層的孔隙的最小直徑一樣大。
11.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示板，其中，所述介電層的至少一部分孔隙，其直徑為大約2μm到大約4μm。
12.一種等離子體顯示板，包括熒光體層，形成在多個(gè)放電室的每一個(gè)中的側(cè)面部分和底面部分上，其中，所述側(cè)面部分接觸障肋，所述底面部分指向所述顯示面板的后基板，可見光線不從所述后基板射出；層，形成在所述熒光體層和所述后基板之間，用來吸收和/或吸附形成在所述側(cè)面部分上的至少一部分熒光體層，使形成在所述側(cè)面部分上的熒光體層的厚度不會(huì)顯著地不同于形成在所述底面上的熒光體層的厚度。
13.如權(quán)利要求12所述的等離子體顯示板，其中，所述層包括多孔介電層。
14.如權(quán)利要求13所述的等離子體顯示板，其中，所述介電層的至少一部分孔隙，其直徑為大約2μm到大約4μm。
15.如權(quán)利要求12所述的等離子體顯示板，其中，所述層用來在絲網(wǎng)印制所述熒光體層的干燥處理過程中吸收和/或吸附所述熒光體層。
16.一種等離子體顯示板，包括多孔介電層，形成在所述等離子體顯示板的熒光體層和后基板之間，其中，所述后基板與前基板對(duì)向，可見光從所述前基板發(fā)射出。
17.如權(quán)利要求16所述的等離子體顯示板，其中，形成在放電室障肋上的一部分熒光體層的厚度小于等于形成在放電室底部上的一部分熒光體層的厚度，其中，所述底部指向所述后基板。
18.一種顯示器，具有等離子體顯示板，所述等離子體顯示板包括多個(gè)障肋，布置在兩個(gè)對(duì)向的基板之間，用來形成多個(gè)放電室；形成于每一個(gè)所述放電室內(nèi)的熒光體層；層，用來覆蓋多個(gè)尋址電極并吸收和/或吸附至少一部分所述熒光體層。
19.如權(quán)利要求18所述的顯示器，其中，所述層包括多孔介電層。
20.如權(quán)利要求18所述的顯示器，其中，所述層包括多孔膜，所述多孔膜僅僅形成在所述層面對(duì)所述熒光體層的部分上。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種等離子體顯示板，其中放電室內(nèi)熒光體層的形狀是最佳的，提高了放電穩(wěn)定性和發(fā)光效率。按照一種實(shí)施方式，該等離子體顯示板包括彼此面對(duì)的第一基板和第二基板；形成在第一基板上的顯示電極；對(duì)應(yīng)于顯示電極形成的尋址電極；障肋，布置在第一基板和第二基板之間，這樣在顯示電極和尋址電極相互對(duì)應(yīng)的位置形成放電室；形成于放電室內(nèi)的熒光體層；多孔介電層，形成在熒光體層和第二基板之間。
文檔編號(hào)H01J17/16GK1697113SQ20051006950
公開日2005年11月16日 申請(qǐng)日期2005年5月12日 優(yōu)先權(quán)日2004年5月12日
發(fā)明者權(quán)宰翊, 姜景斗 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社