專利名稱：等離子體顯示器及其驅(qū)動(dòng)方法
技術(shù)領(lǐng)場(chǎng)本發(fā)明涉及一種等離子體顯示器及其驅(qū)動(dòng)方法。
背景技術(shù)：
等離子體顯示裝置是平面顯示裝置，它使用由氣體放電產(chǎn)生的等離子體來顯示字符或圖像。根據(jù)其大小，等離子體顯示裝置具有幾十到幾百萬的放電單元，它們以矩陣圖案排列。
等離子體顯示裝置的等離子體顯示板包括在其上形成有維持和掃描電極的基板、以及與所述掃描和維持電極垂直形成的尋址電極的另一個(gè)基板。另外，分別對(duì)應(yīng)于掃描電極而形成維持電極，并且維持電極的終端連接在一起。
等離子體顯示裝置的一個(gè)幀被劃分為多個(gè)子場(chǎng)。每個(gè)子場(chǎng)包括復(fù)位期、尋址期和維持期。復(fù)位期用于消除由前面的維持放電形成的壁電荷，并且產(chǎn)生壁電荷，以便可以穩(wěn)定地進(jìn)行下一個(gè)尋址。尋址期用于在面板上選擇點(diǎn)亮(turn-on)/熄滅(turn-off)單元、即要點(diǎn)亮或熄滅的單元，并且在點(diǎn)亮單元、即尋址的單元中積累壁電荷。維持期用于引起維持放電，用于在尋址的單元上顯示圖像。
在尋址期期間，向掃描電極(以下稱為“Y電極”)和尋址電極(以下稱為“A電極”)分別施加掃描脈沖和尋址脈沖，以在Y和A電極之間選擇點(diǎn)亮單元。但是，由在Y和A電極之間施加的電壓觸發(fā)的放電的產(chǎn)生被從在其間施加所述電壓時(shí)延遲。特別是，因?yàn)橐诤愣ǖ膾呙韬蛯ぶ访}沖的寬度中產(chǎn)生尋址放電，因此當(dāng)放電延遲大于掃描和尋址脈沖的寬度時(shí)可能不產(chǎn)生放電。
在
背景技術(shù)：
部分中公開的上述信息僅僅用于增強(qiáng)本發(fā)明的背景的理解。因此它可以包含不構(gòu)成現(xiàn)有技術(shù)的信息。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明涉及等離子體顯示裝置及其驅(qū)動(dòng)方法，它們實(shí)質(zhì)地克服了由于現(xiàn)有技術(shù)的限制和缺點(diǎn)而導(dǎo)致的一個(gè)或多個(gè)問題。
本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的一個(gè)特征是提供一種等離子體顯示裝置及其驅(qū)動(dòng)方法，其具有減小的尋址放電延遲以便利穩(wěn)定的尋址操作。
本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的另一個(gè)特征是提供一種等離子體顯示裝置及其驅(qū)動(dòng)方法，其具有在維持期中向維持電極施加的最后維持放電脈沖的寬度大于其他維持放電脈沖的寬度。
本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的另一個(gè)特征是提供一種等離子體顯示裝置及其驅(qū)動(dòng)方法，其具有在維持期中向維持電極施加的最后維持放電脈沖的寬度大于用于所選擇的子場(chǎng)——諸如第一子場(chǎng)——的其他維持放電脈沖的寬度。
上述和其他特征和優(yōu)點(diǎn)的至少一個(gè)可以通過提供一種用于驅(qū)動(dòng)等離子體顯示裝置的方法來實(shí)現(xiàn)，所述等離子體顯示裝置具有多個(gè)第一電極和多個(gè)第二電極，用于驅(qū)動(dòng)等離子體顯示裝置的一個(gè)幀被劃分為多個(gè)子場(chǎng)，每個(gè)子場(chǎng)包括復(fù)位期、尋址期和維持期，所述方法包括在多個(gè)子場(chǎng)的第一子場(chǎng)的維持期期間，交錯(cuò)地向第一電極和第二電極施加多個(gè)維持放電脈沖以觸發(fā)維持放電，并且將被施加到第二電極的最后維持放電脈沖的寬度設(shè)置為大于其他維持放電脈沖的寬度。
在第一子場(chǎng)的維持期期間被施加的維持放電脈沖的總數(shù)可以小于維持放電脈沖SDPc的臨界數(shù)量，例如15。所述被施加到第二電極的最后維持放電脈沖的寬度可以大于1.5微秒，并且可以大于3微秒。
在多個(gè)子場(chǎng)中的一個(gè)隨后的子場(chǎng)的維持期期間，被施加到第二電極的最后維持放電脈沖的寬度可以等于其他維持放電脈沖的寬度。第一電極可以是掃描電極，第二電極可以是維持電極。
第一子場(chǎng)的維持期的最后維持放電脈沖可以被施加到第一電極。在緊接第一子場(chǎng)的維持期的復(fù)位期期間，第一電極的電壓可以逐漸地從在第一子場(chǎng)的維持期期間被施加到第一電極的高電平電壓降低。
上述和其他特征和優(yōu)點(diǎn)的至少一個(gè)可以通過提供一種等離子體顯示裝置來實(shí)現(xiàn)，所述等離子體顯示裝置包括等離子體顯示板，它具有在多個(gè)第一電極和多個(gè)第二電極之間形成的放電單元以及將一個(gè)幀劃分為多個(gè)子場(chǎng)的驅(qū)動(dòng)電路，每個(gè)子場(chǎng)包括復(fù)位期、尋址期和維持期，并且向第一電極和第二電極施加驅(qū)動(dòng)電壓，其中，所述驅(qū)動(dòng)電路在每個(gè)子場(chǎng)的維持期期間，交錯(cuò)地向第一電極和第二電極施加維持放電脈沖以觸發(fā)維持放電，并且將被施加到第二電極的最后維持放電脈沖的寬度設(shè)置為大于所選擇的子場(chǎng)的其他維持放電脈沖的寬度。
對(duì)于所選擇的子場(chǎng)，被施加到維持電極的最后維持放電脈沖的寬度可以大于1.5微秒，并且可以大于3微秒。驅(qū)動(dòng)電路可以根據(jù)被施加到維持期的維持放電脈沖的總數(shù)是否小于維持放電脈沖SDPc的臨界數(shù)量、例如15來選擇子場(chǎng)。第一電極可以是掃描電極，并且第二電極可以是維持電極。
在緊接維持期的復(fù)位期期間，驅(qū)動(dòng)電路可以初始化在維持期期間經(jīng)歷維持放電的放電單元。在維持期期間的最后維持放電脈沖可以被施加到第一電極。


通過下面參照附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的例證實(shí)施例，本發(fā)明的上述和其他特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員將會(huì)變得更加清楚，其中圖1圖解了按照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的等離子體顯示裝置的示意圖；圖2圖解了按照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的等離子體顯示裝置的驅(qū)動(dòng)波形；并且圖3圖解了按照被施加到最后維持電極的維持放電脈沖的寬度的變化的尋址放電延遲的測(cè)量結(jié)果的圖。
具體實(shí)施例方式
2004年11月5日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的、題目為“等離子體顯示裝置及其驅(qū)動(dòng)方法”的韓國(guó)專利申請(qǐng)第10-2004-0089750號(hào)通過引用被整體并入在此。
以下，參照附圖來更全面地說明本發(fā)明，在附圖中示出了本發(fā)明的例證實(shí)施例。但是，本發(fā)明可以以不同的形式被體現(xiàn)，并且不應(yīng)當(dāng)被理解為限于在此給出的實(shí)施例。而是，這些實(shí)施例被提供以使得本公開是徹底和完整的，并且將向本領(lǐng)域技術(shù)人員完全地傳遞本發(fā)明的范圍。在附圖中，為了清楚的說明，放大了層和區(qū)域的尺寸。在全部附圖中，相同的附圖標(biāo)號(hào)表示相同的元件。
圖1圖解了按照本發(fā)明的一個(gè)例證實(shí)施例的等離子體顯示裝置的示意圖。如圖1所示，所述等離子體顯示裝置包括等離子體顯示板(PDP)100、控制器200、尋址電極驅(qū)動(dòng)器300、維持電極驅(qū)動(dòng)器400和掃描電極驅(qū)動(dòng)器500。
PDP100包括在列方向上延伸的多個(gè)尋址電極A1-Am和在行方向上延伸的成對(duì)的多個(gè)掃描電極Y1-Yn和多個(gè)維持電極X1-Xn。相應(yīng)的維持電極X1-Xn對(duì)應(yīng)于相應(yīng)的掃描電極Y1-Yn，并且這兩個(gè)電極的終端連接在一起。PDP 100包括其上布置了維持電極X1-Xn和掃描電極Y1-Yn的基板(未示出)、以及其上布置了尋址電極A1-Am的基板(未示出)。所述兩個(gè)基板被布置為彼此面對(duì)，并且在其間有放電空間，以便掃描電極Y1-Yn和維持電極X1-Xn可以分別與尋址電極A1-Am相交。在這種情況下，在尋址電極A1-Am以及維持和掃描電極X1-Xn和Y1-Yn的相交區(qū)域的放電空間形成放電單元。圖1示出了PDP100的示意結(jié)構(gòu)，而PDP100可以具有可以施加下述的驅(qū)動(dòng)波形的不同配置。
控制器200接收外部視頻信號(hào)，并且輸出尋址電極驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)、維持電極驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)和掃描電極驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)?？刂破?00將一個(gè)幀劃分為多個(gè)子場(chǎng)。每個(gè)子場(chǎng)按照基于時(shí)間的操作改變而包括復(fù)位期、尋址期和維持期。
尋址電極驅(qū)動(dòng)器300從控制器200接收尋址電極驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)，并且向相應(yīng)的尋址電極施加顯示數(shù)據(jù)信號(hào)以選擇點(diǎn)亮單元。
維持電極驅(qū)動(dòng)器400從控制器200接收維持電極驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)，并且向維持電極X施加驅(qū)動(dòng)電壓。
掃描電極驅(qū)動(dòng)器500從控制器200接收掃描電極驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)，并且向掃描電極Y施加驅(qū)動(dòng)電壓。
圖2圖解了在每個(gè)子場(chǎng)中分別被施加到尋址電極A1-Am、維持電極X1-Xn和掃描電極Y1-Yn的驅(qū)動(dòng)波形。在下面的說明中所述的放電單元形成在尋址電極、維持電極和掃描電極的交叉區(qū)域的放電空間中。在此使用的“壁電荷”表示在接近放電單元的每個(gè)電極的、諸如介電層之類的壁上形成并且被積累在電極上的電荷。所述壁電荷將描述為被“形成”或“積累”在電極上，即使壁電荷不實(shí)際上接觸電極。而且，在此使用的“壁電荷”表示由壁電荷在放電單元的壁上形成的電勢(shì)差。
圖2是按照本發(fā)明的一個(gè)例證實(shí)施例的等離子體顯示板的驅(qū)動(dòng)波形圖。在圖2中，一個(gè)幀被劃分為8個(gè)子場(chǎng)第一子場(chǎng)到第八子場(chǎng)。如圖2所示，每個(gè)子場(chǎng)包括復(fù)位期、尋址期和維持期。第一子場(chǎng)的復(fù)位期包括上升周期和下降周期，第二到第八子場(chǎng)的復(fù)位期包括下降周期。在此，具有上升和下降周期的復(fù)位期被定義為“主復(fù)位期”，僅僅具有下降周期的復(fù)位期被定義為“輔助復(fù)位期”。
在第一子場(chǎng)中的復(fù)位期的上升周期期間，在將維持電極X保持在0V的同時(shí)，掃描電極Y的電壓從電壓Vs向電壓Vset提高。當(dāng)掃描電極Y的電壓提高時(shí)，在掃描和尋址電極Y和A之間和在掃描和維持電極Y和X之間出現(xiàn)弱放電。于是，在掃描電極Y上形成負(fù)(-)壁電荷，并且在尋址和維持電極A和X上形成正(+)壁電荷。
在第一子場(chǎng)中的復(fù)位期的下降周期期間，在將維持電極X保持在電壓Ve的同時(shí)，掃描電極Y的電壓從電壓Vs向電壓Vnf降低。在掃描電極Y的電壓降低的時(shí)候，在掃描和維持電極Y和X之間和在掃描和尋址電極Y和A之間出現(xiàn)弱放電。于是，消除了在掃描電極Y上形成負(fù)(-)壁電荷和在尋址和維持電極A和X上形成的正(+)壁電荷，并且初始化了放電單元。
隨后，在用于選擇點(diǎn)亮單元的尋址期期間，分別向點(diǎn)亮單元的掃描和尋址電極Y和A施加電壓VscL的掃描脈沖和電壓Va的尋址脈沖。未被選擇的掃描電極Y被偏置在大于電壓VscL的電壓VscH，并且向熄滅單元的尋址電極施加參考電壓。然后，由于在尋址電極A的電壓Va和掃描電極Y的電壓VscL之間的差而產(chǎn)生的壁電荷和在尋址和掃描電極A和Y上形成的壁電荷，在單元上產(chǎn)生尋址放電。結(jié)果，在掃描電極Y上形成正(+)壁電荷，在維持和尋址電極X和A上形成負(fù)(-)壁電荷。
隨后，在第一子場(chǎng)的維持期期間，向掃描電極Y和維持電極X施加維持放電脈沖，結(jié)果，在掃描電極Y和維持電極X中反轉(zhuǎn)了放電脈沖的極性，因此放電脈沖交替地具有高電平電壓(在圖2中的Vs)和低電平電壓(在圖2中的0V)。即，當(dāng)向掃描電極Y施加電壓Vs時(shí)向維持電極X施加0V，當(dāng)向維持電極X施加電壓Vs時(shí)向掃描電極Y施加0V。然后，當(dāng)通過在尋址期中的尋址放電而在掃描電極Y和維持電極X之間產(chǎn)生壁電壓時(shí)，由于壁電荷和電壓Vs而在掃描電極Y和維持電極X之間產(chǎn)生放電。
將向掃描電極Y和維持電極X施加維持脈沖的處理重復(fù)與對(duì)應(yīng)子場(chǎng)的加權(quán)值相對(duì)應(yīng)的數(shù)量。
按照本發(fā)明的一個(gè)例證實(shí)施例，當(dāng)一個(gè)子場(chǎng)的維持期具有小于充分地產(chǎn)生特定PDP的點(diǎn)火粒子所需要的臨界數(shù)量的維持放電脈沖的數(shù)量時(shí)，被施加到維持電極X的最后維持放電脈沖的寬度T2被設(shè)置為大于其他維持放電脈沖的寬度T1。在試驗(yàn)上，當(dāng)一個(gè)子場(chǎng)在維持期期間具有小于15個(gè)維持放電脈沖時(shí)產(chǎn)生不充足的點(diǎn)火粒子。但是，可以按照PDP的特性來改變維持放電脈沖的數(shù)量。
當(dāng)?shù)谝蛔訄?chǎng)的維持期結(jié)束時(shí)，第二子場(chǎng)開始。第二子場(chǎng)的復(fù)位期僅僅包括下降周期，如上所述。
在第二子場(chǎng)的復(fù)位期期間，掃描電極Y的電壓從在第一子場(chǎng)的維持期中施加的電壓Vs的維持放電脈沖向電壓Vnf逐漸降低。
在這種情況下，當(dāng)在第一子場(chǎng)的維持期期間產(chǎn)生維持放電時(shí)，在掃描電極Y上形成負(fù)(-)壁電荷，在維持和尋址電極X和A上形成正(+)壁電荷。于是，以在掃描電極Y的電壓逐漸降低的同時(shí)，以與在第一子場(chǎng)中的復(fù)位期的下降周期中的弱放電的產(chǎn)生類似的方式而產(chǎn)生弱放電。因?yàn)閽呙桦姌OY的最后電壓Vnf等同于第一子場(chǎng)的下降周期的最后電壓Vnf，因此在第二子場(chǎng)的下降周期后的壁電荷的條件基本上等同于在第一子場(chǎng)的下降周期結(jié)束后的壁電荷的條件。
因?yàn)樵诘谝蛔訄?chǎng)的尋址期期間不產(chǎn)生尋址放電，所以在單元中的壁電荷條件被保持在第一子場(chǎng)的下降周期結(jié)束時(shí)的條件。當(dāng)掃描電極Y的電壓降低到電壓Vnf時(shí)不產(chǎn)生放電。作為所施加的電壓的結(jié)果，在結(jié)束第一子場(chǎng)的下降周期后，在單元上形成的壁電壓接近放電點(diǎn)火電壓。因此，因?yàn)樵诘诙訄?chǎng)的復(fù)位期中不產(chǎn)生放電，這樣的單元保持在第一子場(chǎng)的復(fù)位期中建立的壁電荷條件。
如上所述，當(dāng)一個(gè)子場(chǎng)的復(fù)位期僅僅包括下降周期時(shí)，僅僅當(dāng)在前一個(gè)子場(chǎng)中產(chǎn)生維持放電時(shí)產(chǎn)生復(fù)位放電。
在對(duì)應(yīng)于第二子場(chǎng)的加權(quán)值而確定在維持期期間的維持放電脈沖的數(shù)量的同時(shí)，第二子場(chǎng)的尋址和維持期等同于第一子場(chǎng)的尋址和維持期。除了在維持期期間的維持放電脈沖的數(shù)量之外，第三到第八子場(chǎng)的尋址和維持期等同于第二子場(chǎng)的尋址和維持期。另外，被施加到維持電極X的最后維持脈沖的寬度——在第二到第八子場(chǎng)中具有小于15個(gè)維持放電脈沖——被設(shè)置為大于其他放電脈沖的寬度。
在下面的說明中，在維持期期間被施加到維持電極X的最后維持放電脈沖的寬度被設(shè)置為大于在維持期期間被施加到維持電極的其他維持放電脈沖的寬度。
如上所述，在所述兩個(gè)電極之間施加電壓，于是產(chǎn)生放電。但是，放電的產(chǎn)生從施加電壓時(shí)延遲。特別是，尋址放電很受放電延遲影響，因?yàn)閷ぶ贩烹姳仨毐划a(chǎn)生在掃描和尋址脈沖的寬度內(nèi)。因?yàn)橥ㄟ^在復(fù)位期結(jié)束后的放電空間內(nèi)形成的壁電荷來確定尋址放電的產(chǎn)生，因此尋址放電延遲受到在緊接在前的子場(chǎng)中的壁電荷的條件的影響。通過在緊接在前的子場(chǎng)中的最后維持放電后的壁電荷的條件來確定在復(fù)位期結(jié)束后的壁電荷的條件，尋址放電延遲受緊接在前子場(chǎng)的壁電荷的條件影響。
一般，一個(gè)維持期、即向相應(yīng)電極施加一個(gè)維持放電脈沖的一個(gè)周期通常是4-5微秒。被相應(yīng)地施加到掃描和維持電極Y和X的維持放電脈沖的寬度T1都是大約1.5微秒。當(dāng)維持脈沖的寬度一致時(shí)，在對(duì)應(yīng)于維持脈沖的寬度的周期期間，由于維持放電產(chǎn)生的壁電荷積累到電極。但是，在其中施加了小于那個(gè)PDP的臨界數(shù)量的維持放電脈沖的數(shù)量的一個(gè)子場(chǎng)中形成了不足數(shù)量的點(diǎn)火粒子，由此導(dǎo)致低效產(chǎn)生維持放電。于是，產(chǎn)生較弱的維持放電，并且在對(duì)應(yīng)于一個(gè)典型的維持放電脈沖的寬度的周期期間，向電極積累低效的壁電荷量。特別是，因?yàn)樵谙蚓S持電極X施加電壓Vs后一個(gè)輔助復(fù)位期開始，當(dāng)在向掃描電極X施加電壓Vs之前向維持電極X施加最后維持放電脈沖的電壓Vs時(shí)，需要產(chǎn)生足夠數(shù)量的壁電荷。但是，在其中施加比那個(gè)PDP的臨界數(shù)量的維持放電脈沖的數(shù)量的子場(chǎng)中，輔助復(fù)位操作可能變得不穩(wěn)定，結(jié)果導(dǎo)致在維持期中低效地產(chǎn)生壁電荷，因此，在下一個(gè)連續(xù)的尋址期中的尋址放電的產(chǎn)生也變得不穩(wěn)定。
按照本發(fā)明的一個(gè)例證實(shí)施例，為了克服這個(gè)問題和保證足夠的壁電荷，將被施加到維持電極X的最后維持放電脈沖的寬度T2設(shè)置為大于其他維持放電脈沖的寬度T1。
圖3圖解了在隨后的子場(chǎng)中的尋址放電延遲相對(duì)被施加到維持電極X的最后維持放電脈沖的寬度T2的變化的測(cè)量。在圖3中，在維持期期間將維持放電脈沖的數(shù)量設(shè)置為3、并且改變被施加到維持電極X的最后維持放電脈沖的寬度T2的同時(shí)，測(cè)量在隨后的子場(chǎng)中的尋址放電延遲。另外，被施加到掃描電極Y的維持放電脈沖的寬度被設(shè)置為1.5微秒。
如圖3所示，當(dāng)在維持期期間提高被施加到維持電極X的最后維持放電脈沖的寬度T2時(shí)，降低尋址放電延遲。
特別是，在紅色熒光粉(R熒光粉)中被施加到維持電極X的最后維持放電脈沖的寬度T2看起來不影響在藍(lán)色熒光粉(B熒光粉)中的尋址放電延遲，而在被施加到維持電極X的最后維持放電脈沖的寬度T2中的提高大大影響在綠色熒光粉(G熒光粉)中的尋址放電延遲。
特別是，與當(dāng)維持放電脈沖的寬度小于1.5微秒時(shí)相比較，當(dāng)所述寬度大于1.5微秒時(shí)，降低了尋址放電延遲。當(dāng)維持放電脈沖的寬度大于3微秒時(shí)，大大地降低了尋址放電延遲。因此，最后維持放電脈沖的寬度被設(shè)置為大于1.5微秒，更詳細(xì)而言在本發(fā)明的實(shí)施例中大于3微秒。另外，寬度大于1.5微秒的維持放電可以被施加到每個(gè)子場(chǎng)，但是所述脈沖被設(shè)置為施加到其中施加了小于15個(gè)維持放電脈沖的子場(chǎng)中。以這樣的方式，降低了維持期的長(zhǎng)度。
換句話說，控制器200按照每個(gè)子場(chǎng)的維持放電脈沖的總數(shù)而將多個(gè)子場(chǎng)劃分為多個(gè)組。例如，多個(gè)組可以被劃分為A組和B組，每個(gè)子場(chǎng)根據(jù)所述子場(chǎng)的維持放電脈沖的數(shù)量是大于還是等于用于確保在其終端足夠的壁電荷的臨界值SDPc而被分組在A組或B組中。例如，具有等于或小于15個(gè)脈沖的一個(gè)子場(chǎng)被分組到A組，具有大于15個(gè)脈沖的一個(gè)子場(chǎng)被分組在B組。然后，控制器200控制驅(qū)動(dòng)器400，以便在A組的維持期期間被施加到維持電極X的最后維持放電脈沖的寬度變得大于其他維持放電脈沖的寬度。以這種方式，按照本發(fā)明的一個(gè)例證實(shí)施例，可以降低尋址放電延遲。
按照本發(fā)明的實(shí)施例，交替地具有電壓Vs和0V的維持放電脈沖被施加到具有相反極性的掃描電極Y和維持電極X。但是，按照本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例，也可以使用不同的維持放電。例如，當(dāng)將維持電極X保持在0V時(shí)，可以向掃描電極Y和維持電極X施加交替地具有正電壓Vs和負(fù)電壓-Vs的維持放電脈沖。此時(shí)，在掃描電極Y和維持電極X之間的電壓差與當(dāng)施加交替地具有電壓Vs和0V的維持放電脈沖時(shí)的電壓差相同。在這種情況下，延長(zhǎng)了被施加到掃描電極Y的-Vs的最后維持放電脈沖的寬度。
已經(jīng)在此公開了本發(fā)明的例證實(shí)施例，雖然使用了特定的術(shù)語，但是僅僅在上位和說明的含義上使用和解釋它們，而不是用于限定的目的。因此，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以明白，在不脫離在所附的權(quán)利要求中給出的本發(fā)明的精神和范圍的情況下可以在形式和細(xì)節(jié)上進(jìn)行各種改變。
權(quán)利要求
1.一種用于驅(qū)動(dòng)等離子體顯示裝置的方法，所述等離子體顯示裝置具有多個(gè)第一電極和多個(gè)第二電極，用于驅(qū)動(dòng)等離子體顯示裝置的一個(gè)幀被劃分為多個(gè)子場(chǎng)，每個(gè)子場(chǎng)包括復(fù)位期、尋址期和維持期，所述方法包括，在多個(gè)子場(chǎng)的至少一個(gè)第一子場(chǎng)的維持期期間交錯(cuò)地向第一電極和第二電極施加多個(gè)維持放電脈沖以觸發(fā)維持放電；并且將被施加到第二電極的最后維持放電脈沖的寬度設(shè)置為大于其他維持放電脈沖的寬度。
2.按照權(quán)利要求1的方法，其中，在至少一個(gè)第一子場(chǎng)的維持期期間被施加的維持放電脈沖的總數(shù)小于維持放電脈沖的臨界數(shù)量。
3.按照權(quán)利要求2的方法，其中，所述維持放電脈沖的臨界數(shù)量是15。
4.按照權(quán)利要求2的方法，其中，所述被施加到第二電極的最后維持放電脈沖的寬度大于1.5微秒。
5.按照權(quán)利要求2的方法，其中，所述被施加到第二電極的最后維持放電脈沖的寬度大于3微秒。
6.按照權(quán)利要求1的方法，其中，在多個(gè)子場(chǎng)中的至少一個(gè)第二子場(chǎng)的維持期期間，被施加到第二電極的最后維持放電脈沖的寬度等于其他維持放電脈沖的寬度。
7.按照權(quán)利要求1的方法，其中，第一子場(chǎng)的維持期的最后維持放電脈沖被施加到第一電極。
8.按照權(quán)利要求7的方法，還包括在緊接第一子場(chǎng)的維持期的復(fù)位期期間，在第一子場(chǎng)的維持期期間將最后維持放電脈沖施加到第一電極之后，逐漸地降低第一電極的電壓。
9.按照權(quán)利要求8的方法，其中，所述第一電極是掃描電極，第二電極是維持電極。
10.一種等離子體顯示裝置，包括多個(gè)掃描電極；多個(gè)維持電極；控制器，將一個(gè)幀劃分為多個(gè)子場(chǎng)，每個(gè)子場(chǎng)包括復(fù)位期、尋址期和維持期，并且將多個(gè)子場(chǎng)按照維持放電脈沖的數(shù)量來分組為多個(gè)組；以及驅(qū)動(dòng)電路，用于按照控制器的控制在維持期期間，向具有相反極性的掃描電極和維持電極施加維持放電脈沖，其中，所述控制器將被施加到維持電極的最后維持放電脈沖的寬度設(shè)置為大于在多個(gè)組的第一組的維持期期間其他維持放電脈沖的寬度。
11.按照權(quán)利要求10的等離子體顯示裝置，其中，在第一組的維持期中，被施加到維持電極的最后維持放電脈沖大于1.5微秒。
12.按照權(quán)利要求11的等離子體顯示裝置，其中，被施加到第一組的每個(gè)子場(chǎng)的維持放電脈沖的總數(shù)小于被施加到第二組的每個(gè)子場(chǎng)的維持放電脈沖的總數(shù)。
13.按照權(quán)利要求12的等離子體顯示裝置，其中，被施加到第一組的每個(gè)子場(chǎng)的維持放電脈沖的數(shù)量小于15。
14.按照權(quán)利要求10的等離子體顯示裝置，其中，在緊接維持期的復(fù)位期期間，所述驅(qū)動(dòng)電路初始化在維持期期間經(jīng)歷維持放電的放電單元。
15.按照權(quán)利要求14的等離子體顯示裝置，其中，在維持期期間的最后維持放電脈沖被施加到第一電極。
16.按照權(quán)利要求11的等離子體顯示裝置，其中，在緊接維持期的復(fù)位期期間，所述驅(qū)動(dòng)電路初始化在維持期期間經(jīng)歷維持放電的放電單元。
17.按照權(quán)利要求12的等離子體顯示裝置，其中，在緊接維持期的復(fù)位期期間，所述驅(qū)動(dòng)電路初始化在維持期期間經(jīng)歷維持放電的放電單元。
18.按照權(quán)利要求10的等離子體顯示裝置，其中，第一電極是掃描電極，第二電極是維持電極。
19.一種等離子體顯示裝置，包括多個(gè)第一電極；多個(gè)第二電極；控制器，將一個(gè)幀劃分為多個(gè)子場(chǎng)，每個(gè)子場(chǎng)包括復(fù)位期、尋址期和維持期，并且將多個(gè)子場(chǎng)按照維持放電脈沖的數(shù)量來分組為多個(gè)組；以及驅(qū)動(dòng)電路，用于按照控制器的控制，向第一電極施加交替地具有正第一電壓和負(fù)第二電壓的維持放電脈沖，并且向第二電極施加第三電壓，其中，所述控制器將被施加到第一電極的最后維持放電脈沖的寬度設(shè)置為大于在多個(gè)組的第一組的維持期期間所選擇的子場(chǎng)的其他維持放電脈沖的寬度。
全文摘要
一種等離子體顯示裝置包括等離子體顯示板，它具有在多個(gè)第一電極和多個(gè)第二電極之間形成的放電單元以及將一個(gè)幀劃分為多個(gè)子場(chǎng)的驅(qū)動(dòng)電路，每個(gè)子場(chǎng)包括復(fù)位期、尋址期和維持期，并且向第一電極和第二電極施加驅(qū)動(dòng)電壓。在每個(gè)子場(chǎng)的維持期期間，交錯(cuò)地向第一電極和第二電極施加維持放電脈沖以觸發(fā)維持放電。將被施加到第二電極的最后維持放電脈沖的寬度設(shè)置為大于所選擇的子場(chǎng)的其他維持放電脈沖的寬度。可以根據(jù)在維持期期間的維持放電脈沖的總數(shù)是否小于維持放電脈沖的臨界數(shù)量來選擇子場(chǎng)。
文檔編號(hào)H01J17/49GK1770241SQ20051012024
公開日2006年5月10日 申請(qǐng)日期2005年11月7日 優(yōu)先權(quán)日2004年11月5日
發(fā)明者金鎮(zhèn)成, 金泰城, 梁振豪 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社