專利名稱：等離子顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種等離子顯示面板，尤其是，涉及一種等離子顯示面板的結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
通常，在等離子顯示面板中，在上面板和下面板之間形成的阻擋條形成一個(gè)單位單元。每個(gè)單元充滿著包括主要的放電氣體的惰性氣體，諸如氖(Ne)、氦(He)或者Ne+He的混合氣體，以及少量的氙(Xe)。如果該惰性氣體被以高頻電壓放電，其產(chǎn)生真空紫外線。在該阻擋條之間形成的熒光物質(zhì)被激發(fā)以實(shí)現(xiàn)成像。
尤其是，三電極AC表面放電類型等離子顯示面板具有低電壓驅(qū)動(dòng)和長(zhǎng)的產(chǎn)品壽命的優(yōu)點(diǎn)，因?yàn)楫?dāng)放電時(shí)壁電荷被積累在表面上，并且電極被保護(hù)使之免于由放電產(chǎn)生的濺射。
圖1舉例說(shuō)明在現(xiàn)有技術(shù)中等離子顯示面板的結(jié)構(gòu)。
參考圖1，在現(xiàn)有技術(shù)中的該等離子顯示面板的放電單元包括形成在上基片10上的掃描電極Y和維持電極Z，以及形成在下基片18上的尋址電極X。該掃瞄電極Y包括透明的電極12Y，和金屬總線電極13Y，其具有小于該透明電極12Y的線寬，并且被安排在該透明電極的一側(cè)邊緣上。此外，該維持電極Z包括透明電極12Z，和金屬總線電極13Z，其具有小于該透明電極12Z的線寬，并且被安排在該透明電極的一側(cè)邊緣上。
該透明的電極12Y、12Z通常被以銦錫氧化物(ITO)形成，并且被形成在該上基片10的底面上。該金屬總線電極13Y、13Z通常被以諸如鉻(Cr)的金屬形成，并且被形成在該透明電極12Y、12Z上。該金屬總線電極13Y、13Z用來(lái)降低由具有高電阻的該透明電極12Y、12Z所引起的壓降。在其中該掃描電極Y和該維持電極Z被相互平行形成的該上基片10的底面上，層疊上介質(zhì)層14和保護(hù)層16。在等離子放電期間產(chǎn)生的壁電荷被積累在該上介質(zhì)層14上。該保護(hù)層16起防止該上介質(zhì)層14被在等離子體放電期間產(chǎn)生的濺射損壞，以及改善二次電子發(fā)射效率的作用。氧化鎂(MgO)通常被用作該保護(hù)層16。
下介質(zhì)層22和阻擋條24被形成在該下基片18上，其中該尋址電極X被形成在該下基片18中。熒光層26被涂覆在下介質(zhì)層22和阻擋條24的表面上。該尋址電極X被與該掃描電極Y和該維持電極Z交叉形成。該阻擋條24被平行于該尋址電極X形成，并且起防止由放電產(chǎn)生的紫外線和可見光泄漏到相鄰的放電單元的作用。該熒光物質(zhì)層26被以在等離子放電期間產(chǎn)生的紫外線激發(fā)，以產(chǎn)生紅、綠和藍(lán)的可見光的任何一個(gè)。惰性混合氣體被注入進(jìn)在上基片10和阻擋條24之間和在下基片18和阻擋條24之間提供的放電空間中。
圖2舉例說(shuō)明在現(xiàn)有技術(shù)中實(shí)現(xiàn)等離子顯示面板實(shí)現(xiàn)圖像的方法。
如圖2所示，在該等離子顯示面板中，一個(gè)幀周期被分成多個(gè)具有不同數(shù)量放電的子場(chǎng)。該等離子顯示面板被以對(duì)應(yīng)于輸入圖像信號(hào)的灰度等級(jí)值的子場(chǎng)周期激發(fā)，從而實(shí)現(xiàn)圖像。
每個(gè)子場(chǎng)被分成用于均勻地產(chǎn)生放電的復(fù)位周期、用于選擇放電單元的尋址周期和用于根據(jù)放電的數(shù)目實(shí)現(xiàn)灰度等級(jí)的維持周期。例如，如果設(shè)法去顯示具有256個(gè)灰度等級(jí)的圖像，對(duì)應(yīng)于1/60秒的幀周期(16.67ms)被分成八個(gè)子場(chǎng)，如圖2所示。
八個(gè)子場(chǎng)SF1至SF8的每個(gè)被再次分成復(fù)位周期、尋址周期和維持周期。在這種情況下，該維持周期在每個(gè)子場(chǎng)中以2n(這里，n＝0，1，2，3，4，5，6，7)的比率增加。如上所述，由于該維持周期在每個(gè)子場(chǎng)中是變化的，可以表示圖像的灰度等級(jí)。
在如上所述驅(qū)動(dòng)的該等離子顯示面板中，多用途的前濾光器被安排在該上基片10上。在現(xiàn)有技術(shù)中，為了實(shí)現(xiàn)諸如電磁干擾(以下簡(jiǎn)稱為“EMI”)屏蔽、近紅外線(以下簡(jiǎn)稱為“NIR”)屏蔽、改善色純度和防止外界光反射的目的，已經(jīng)使用了該前濾光器。由于在現(xiàn)有技術(shù)中該前濾光器是由許多的層構(gòu)成的，可是，因?yàn)樵撉盀V光器具有預(yù)定的或者較高的厚度出現(xiàn)了問(wèn)題。尤其是，包括在該前濾光器中的該NIR屏蔽膜很難僅僅使用NIR屏蔽材料來(lái)形成。因此，存在其中處理時(shí)間長(zhǎng)并且制造成本高的一些問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的一個(gè)目的是至少解決背景技術(shù)的問(wèn)題和缺點(diǎn)。
本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種可以節(jié)省制造成本和可以減少制造過(guò)程的等離子顯示面板。
本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種可以易于變薄的等離子顯示面板。
按照本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施例的等離子顯示面板包括上基片和下基片，其被以在其間預(yù)定的距離連接；和包括NIR屏蔽材料的上介質(zhì)層，該NIR屏蔽材料被形成在上基片上。
按照本發(fā)明第二個(gè)實(shí)施例的等離子顯示面板包括上基片和下基片，其被以在其間預(yù)定的距離連接；形成在該上基片上的上介質(zhì)層；和包括NIR屏蔽材料的保護(hù)膜，該NIR屏蔽材料被形成在上介質(zhì)層上。
按照本發(fā)明第三個(gè)實(shí)施例的等離子顯示面板包括包括NIR屏蔽材料的上基片；和與該上基片以在其間預(yù)定的距離相連接的下基片。
本發(fā)明優(yōu)點(diǎn)在于，其可以節(jié)省制造成本，并且可以減少制造過(guò)程。
本發(fā)明優(yōu)點(diǎn)在于，其可以便于使等離子顯示面板變薄。


下面將參考以下的附圖詳細(xì)地描述本發(fā)明，其中相同的參考數(shù)字表示相同的部分。
圖1舉例說(shuō)明在現(xiàn)有技術(shù)中等離子顯示面板的結(jié)構(gòu)；圖2舉例說(shuō)明在現(xiàn)有技術(shù)中實(shí)現(xiàn)等離子顯示面板實(shí)現(xiàn)圖像的方法；圖3舉例說(shuō)明按照本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施例的等離子顯示面板；圖4是按照本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施例的前濾光器的詳圖；圖5舉例說(shuō)明按照本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施例形成上介質(zhì)層的過(guò)程；圖6A和6B舉例說(shuō)明按照本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的該NIR材料的分子結(jié)構(gòu)；和圖7舉例說(shuō)明按照本發(fā)明第二個(gè)實(shí)施例形成保護(hù)膜的過(guò)程。
具體實(shí)施例方式
下面將參考附圖以更詳細(xì)的方式描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。
按照本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施例的等離子顯示面板包括上基片和下基片，其被以在其間預(yù)定的距離連接；和包括NIR屏蔽材料的上介質(zhì)層，該NIR屏蔽材料被形成在上基片上。
該上介質(zhì)層的1％至50％包括該NIR屏蔽材料。
該NIR屏蔽材料包括基于二亞銨基(diimmonium-based)的材料或金屬絡(luò)合物基(metal complex-based)的材料的至少一個(gè)。
該介質(zhì)層包括以下介質(zhì)層形成材料的至少兩個(gè)PbO、SiO2、B2O3、A12O3、ZnO、BaO、CoO或者CuO。
該介質(zhì)層形成材料和該NIR屏蔽材料被以漿(slurry)或糊(paste)狀物狀態(tài)混合，并且以預(yù)定的溫度燒制以形成介質(zhì)層。
該預(yù)定的溫度是400℃或者更低。
該等離子顯示面板進(jìn)一步包括前濾光器，其被形成在該上基片的整個(gè)表面上，并且包括AR膜、光學(xué)特性膜、玻璃或者EMI屏蔽膜的至少一個(gè)。
按照本發(fā)明第二個(gè)實(shí)施例的等離子顯示面板包括上基片和下基片，其被以在其間預(yù)定的距離連接；形成在該上基片上的上介質(zhì)層；和包括NIR屏蔽材料的保護(hù)膜，該NIR屏蔽材料被形成在上介質(zhì)層上。
該保護(hù)膜的1％至50％包括該NIR屏蔽材料。
該NIR屏蔽材料包括基于二亞銨基的材料或金屬絡(luò)合物基的材料的至少一個(gè)。
該保護(hù)膜包括MgO。
該MgO和該NIR屏蔽材料被以漿或糊狀物狀態(tài)混合，并且以預(yù)定的溫度燒制以形成保護(hù)膜。
該預(yù)定的溫度是400℃或者更低。
該等離子顯示面板進(jìn)一步包括前濾光器，其形成在該上基片的整個(gè)表面上，并且包括AR膜、光學(xué)特性膜、玻璃或者EMI屏蔽膜的至少一個(gè)。
按照本發(fā)明第三個(gè)實(shí)施例的等離子顯示面板包括包括NIR屏蔽材料的上基片；和與該上基片以在其間預(yù)定的距離相連接的下基片。
該上基片的1％至50％包括該NIR屏蔽材料。
該NIR屏蔽材料包括基于二亞銨基的材料或金屬絡(luò)合物基的材料的至少一個(gè)。
該上基片的基片形成材料和該NIR屏蔽材料被以漿或糊狀物狀態(tài)混合，并且以預(yù)定的溫度燒制以形成保護(hù)膜。
該預(yù)定的溫度是400℃或者更低。
該等離子顯示面板進(jìn)一步包括前濾光器，其被形成在該上基片的整個(gè)表面上，并且包括AR膜、光學(xué)特性膜、玻璃或者EMI屏蔽膜的至少一個(gè)。
現(xiàn)在將參考附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例。
<第一個(gè)實(shí)施例>
圖3舉例說(shuō)明按照本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施例的等離子顯示面板。
參考圖3，按照本發(fā)明的第一個(gè)實(shí)施例的等離子顯示面板包括上基片110和下基片118，其被以在其間預(yù)定的距離連接。
掃描電極Y和維持電極Z被形成在該上基片110的底面上。該掃瞄電極Y包括透明電極112Y，和金屬總線電極113Y，其具有小于該透明電極112Y的線寬，并且被安排在該透明電極的一側(cè)邊緣上。此外，該維持電極Z包括透明電極112Z，和金屬總線電極113Z，其具有小于該透明電極112Z的線寬，并且被安排在該透明電極的一側(cè)邊緣上。
該透明的電極112Y、112Z通常以ITO形成，并且被形成在該上基片110的底面上。該金屬總線電極113Y、113Z通常是以諸如鉻(Cr)的金屬形成的，并且形成在該透明電極112Y、112Z上。該金屬總線電極113Y、113Z起降低由具有高電阻的該透明電極112Y、112Z所引起的壓降的作用。
上介質(zhì)層114和保護(hù)層16被層疊在其上平行形成該掃描電極Y和該維持電極Z的該上基片110上。在等離子放電期間產(chǎn)生的壁電荷被積累在該上介質(zhì)層114上。該保護(hù)層116起防止在等離子體放電期間產(chǎn)生的濺射對(duì)該上介質(zhì)層14的損壞，以及改善二次電子發(fā)射效率的作用。氧化鎂(MgO)通常被用作該保護(hù)層116。
按照本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施例的上介質(zhì)層114包括用于屏蔽NIR的NIR屏蔽材料。該NIR屏蔽材料起防止具有預(yù)定值或者更高的NIR從該等離子顯示面板輻射到外部的作用，以便信號(hào)可以被正常地從遙控器等等傳送到該等離子顯示面板。如果該NIR屏蔽材料被包括在該上介質(zhì)層114中，可以去除在現(xiàn)有技術(shù)中已經(jīng)包括在前濾光器130中的該NIR屏蔽膜。稍后將描述其詳細(xì)說(shuō)明。
尋址電極X被形成在該下基片118上。下介質(zhì)層122和阻擋條124被層疊在該下基片118上，其中該尋址電極X被形成在該下基片118上。熒光層126被涂覆在下介質(zhì)層122和阻擋條124的表面上。
該尋址電極X被與該掃描電極Y和該維持電極Z交叉形成。該下介質(zhì)層122保護(hù)該尋址電極X，并且朝向該上基片110反射通過(guò)放電產(chǎn)生的可見光。該阻擋條124可以具有條形或者網(wǎng)格形式，并且起防止通過(guò)放電產(chǎn)生的紫外線和可見光泄漏到相鄰的放電單元的作用。
該熒光物質(zhì)層126是通過(guò)在等離子放電期間產(chǎn)生的紫外線激發(fā)的，以產(chǎn)生紅、綠和藍(lán)的可見光線的任何一個(gè)。惰性混合氣體被注入進(jìn)由上基片110、下基片118和阻擋條124提供的放電空間中。
同時(shí)，在按照本發(fā)明的第一個(gè)實(shí)施例中，前濾光器130被形成在該上基片110的整個(gè)表面上。該前濾光器130屏蔽EMI，以及防止外界光的反射。按照本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施例的該前濾光器130不包括該NIR屏蔽膜，如圖4所示。
圖4是按照本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施例的前濾光器的詳圖。
如圖4所示，按照本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施例的該前濾光器130由抗反射(AR)膜150、光學(xué)特性膜152、玻璃154和EMI屏蔽膜156的至少一個(gè)構(gòu)成。也就是說(shuō)，該前濾光器130可以包括該AR膜150、光學(xué)特性膜152、玻璃154和EMI屏蔽膜156的任何一個(gè)或者兩個(gè)或更多個(gè)，其中與現(xiàn)有技術(shù)不同，該NIR屏蔽膜被除去。
該AR膜150起防止從外面入射在該等離子顯示面板上的光被再次外部地反射的作用。因此，其能夠改善該等離子顯示面板的亮室對(duì)比度(bright room contrast)。
該光學(xué)特性膜152吸收黃色波長(zhǎng)的光，該黃色波長(zhǎng)的光是當(dāng)該等離子顯示面板放電的時(shí)候產(chǎn)生的。因此，可以相對(duì)地增強(qiáng)該等離子顯示面板的紅色光的色純度。
該玻璃154起支撐該前濾光器30和防止該前濾光器130被外部沖擊損壞的作用。該玻璃154可以不包括在該前濾光器30中。
該EMI屏蔽膜56屏蔽EMI以防止EMI被輻射到外面，EMI是當(dāng)該等離子顯示面板被驅(qū)動(dòng)的時(shí)候產(chǎn)生的。
此外，在本發(fā)明的第一個(gè)實(shí)施例中，粘合層(未示出)可以被另外形成在該前濾光器30的膜150、152、154和156之間。
如果如上所述該NIR屏蔽膜不包括在該前濾光器30中，與現(xiàn)有技術(shù)相比，該等離子顯示面板可以被做成更薄。此外，由于不形成額外的NIR屏蔽膜，不僅可以節(jié)省制造成本，而且可以縮短處理時(shí)間。
圖5舉例說(shuō)明按照本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施例形成上介質(zhì)層的過(guò)程。
參考圖5，在步驟S200，介質(zhì)層形成材料和NIR屏蔽材料被混合。該介質(zhì)層形成材料可以是PbO、SiO2、B2O3、A12O3、ZnO、BaO、CoO和/或CuO，并且該NIR屏蔽材料可以是圖6a的基于二亞銨基的材料，或者圖6b的金屬絡(luò)合物基的材料。該介質(zhì)層可以包括前述的介質(zhì)層形成材料的至少兩個(gè)或更多個(gè)，和以上所述的NIR屏蔽材料的至少一個(gè)。包括在該保護(hù)膜中的該NIR屏蔽材料可以是該保護(hù)膜的總的百分比從1％到50％的范圍，以便NIR屏蔽特性和介電特性可以有效地呈現(xiàn)。為了解釋方便起見，該介質(zhì)層材料和該NIR屏蔽材料的混合物將以下簡(jiǎn)稱為“第一混合材料”。
該第一混合材料被轉(zhuǎn)變?yōu)闈{或糊狀物狀態(tài)，以便在步驟S202其可以被涂覆在上基片上。為此，一個(gè)預(yù)先確定的溶劑被增加給該第一混合材料。該溶劑可以是用于將該介質(zhì)層形成材料改變?yōu)闈{或糊狀物狀態(tài)的已知的溶液。
此后，在步驟S204，被變成該漿或糊狀物狀態(tài)的該第一混合材料被涂在上基片上。該涂覆方法可以包括使用漿或糊狀物提供單元將第一混合材料涂在設(shè)置在承載臺(tái)中的上基片上的狹槽涂布機(jī)(slotcoater)方法。該涂覆方法還可以包括使用滾筒的輥涂機(jī)方法、使用綠色片(green sheet)等等的綠色片疊層方法。
該涂覆的第一混合材料被以預(yù)定的溫度燒制，從而在步驟S206上結(jié)束上介質(zhì)層形成過(guò)程。當(dāng)?shù)谝换旌喜牧媳粺茣r(shí)候的燒結(jié)溫度可以被設(shè)置為大約400℃或者更低。更詳細(xì)地，通常，該NIR屏蔽材料在400℃或者更高的溫度下退化。因此，當(dāng)?shù)谝换旌喜牧媳粺频臅r(shí)候，該燒結(jié)溫度被設(shè)置為400℃或者更低，以便防止該NIR屏蔽膜形成材料退化。由于這個(gè)緣故，該介質(zhì)層形成材料優(yōu)選可以是可以在低的溫度下燒制的材料。例如，該介質(zhì)層形成材料可以是一種可以在低溫度下燒制的已知的材料。
由第一混合材料形成的該上介質(zhì)層起介質(zhì)層和NIR屏蔽膜兩者的作用。換句話說(shuō)，預(yù)先確定的壁電荷通過(guò)放電被形成在上介質(zhì)層中。此外，該上介質(zhì)層起防止在等離子放電期間產(chǎn)生的NIR被輻射到外部的作用。
<第二個(gè)實(shí)施例>
以與按照本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施例的等離子顯示面板同樣的方式，按照本發(fā)明第二個(gè)實(shí)施例的等離子顯示面板包括上基片和下基片，其被以在其間預(yù)定的距離連接。
掃描電極和維持電極被形成在該上基片的底面上。該掃瞄電極包括透明電極，和金屬總線電極，其具有小于該透明電極的線寬，并且被安排在該透明電極的一側(cè)邊緣上。此外，該維持電極包括透明電極，和金屬總線電極，其具有小于該透明電極的線寬，并且被安排在該透明電極的一側(cè)邊緣上。此外，上介質(zhì)層和保護(hù)層被層疊在其上平行形成該掃描電極和該維持電極的該上基片上。
在這種情況下，按照本發(fā)明第二個(gè)實(shí)施例的該保護(hù)膜包括用于屏蔽NIR的NIR屏蔽材料。該NIR屏蔽材料起防止具有預(yù)定值或者更高的NIR被從該等離子顯示面板輻射到外部的作用，以便信號(hào)可以被正常地從遙控器等等傳送到該等離子顯示面板。如果該NIR屏蔽材料被包括在該保護(hù)膜中，在現(xiàn)有技術(shù)中已經(jīng)包括在前濾光器130中的該NIR屏蔽膜可以被除去。
尋址電極被形成在該下基片上。下介質(zhì)層和阻擋條被層疊在其上形成該尋址電極的該下基片上。熒光層被涂覆在下介質(zhì)層和阻擋條的表面上。在這種情況下，除了該保護(hù)膜之外有關(guān)該組成部分的每個(gè)的描述大體上與在圖3中示出的按照本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施例的等離子顯示面板是相同的。因此，將省略其描述以避免冗余。
同時(shí)，甚至在本發(fā)明的第二個(gè)實(shí)施例中，包括AR膜、光學(xué)特性膜、玻璃和EMI屏蔽膜的至少一個(gè)的前基片被形成在上基片的整個(gè)表面上。與現(xiàn)有技術(shù)不同，這去除了該NIR屏蔽膜。如果該NIR屏蔽膜如上所述不包括在該前濾光器中，與現(xiàn)有技術(shù)相比，該等離子顯示面板可以做成更薄。此外，由于不形成額外的NIR屏蔽膜，不僅可以節(jié)省制造成本，而且可以縮短處理時(shí)間。
圖7舉例說(shuō)明按照本發(fā)明第二個(gè)實(shí)施例形成保護(hù)膜的過(guò)程。
參考圖7，在步驟S210上，保護(hù)膜形成材料和NIR屏蔽材料被混合。該保護(hù)膜形成材料可以是包括MgO的材料。該NIR屏蔽材料可以是圖6a的基于二亞銨基的材料，或者是圖6b的金屬絡(luò)合物基的材料。該保護(hù)膜可以包括基于二亞銨基的材料和金屬絡(luò)合物基的材料以及MgO的至少一個(gè)。包括在該保護(hù)膜中的該NIR屏蔽材料可以是該保護(hù)膜的總百分比的從1％到50％的范圍，以便可以有效地呈現(xiàn)NIR屏蔽特性和介電特性。為了解釋方便起見，該保護(hù)膜材料和該NIR屏蔽材料的混合物將以下簡(jiǎn)稱為“第二混合材料”。
該第二混合材料被轉(zhuǎn)變?yōu)闈{或糊狀物狀態(tài)，以便在步驟S212上其可以被涂覆在上介質(zhì)膜上。為此，一個(gè)預(yù)先確定的溶劑被增加給該第二混合材料。該溶劑可以是用于將該保護(hù)膜形成材料改變?yōu)闈{或糊狀物狀態(tài)的公知的溶液。
此后，在步驟S214上，被變成該漿或糊狀物狀態(tài)的該第二混合材料被涂覆在上介質(zhì)膜上。該涂覆方法可以是將第二混合材料涂覆在該上基片上的狹槽涂布機(jī)方法，其中設(shè)置在承載臺(tái)中的該上介質(zhì)層是通過(guò)使用漿或糊狀物提供單元形成的。該涂抹方法還可以包括使用滾筒的輥涂機(jī)方法、使用綠色片等等的綠色片疊層方法。
該涂覆的第二混合材料被以預(yù)定的溫度燒制，從而在步驟S216上結(jié)束該保護(hù)膜形成過(guò)程。當(dāng)?shù)诙旌喜牧媳粺频臅r(shí)候的該燒結(jié)溫度可以被設(shè)置為大約400℃或者更低，以便防止該NIR屏蔽膜形成材料退化。
由第二混合材料形成的該保護(hù)膜起保護(hù)膜和NIR屏蔽膜兩者的作用。換句話說(shuō)，該保護(hù)膜起保護(hù)上介質(zhì)層和屏蔽由放電產(chǎn)生的NIR，以使產(chǎn)生的NIR不會(huì)輻射到外面的作用。
<第三個(gè)實(shí)施例>
以與按照本發(fā)明第一個(gè)和第二個(gè)實(shí)施例的等離子顯示面板同樣的方式，按照本發(fā)明第三個(gè)實(shí)施例的等離子顯示面板包括上基片和下基片，其被以在其間預(yù)定的距離連接。
在本發(fā)明的第三個(gè)實(shí)施例中，與本發(fā)明的第二個(gè)實(shí)施例不同，用于屏蔽NIR的NIR屏蔽材料被包含在上基片中。因此，可以去除在現(xiàn)有技術(shù)中已經(jīng)包括在該前濾光器中的該NIR屏蔽膜。
尋址電極被形成在該下基片上。下介質(zhì)層和阻擋條被層疊在其上形成該尋址電極的該下基片上。熒光層被涂覆在下介質(zhì)層和阻擋條的表面上。在這種情況下，除了該保護(hù)膜之外有關(guān)該組成部分的每個(gè)的描述大體上與在圖3中示出的按照本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施例的等離子顯示面板是相同的。因此，將省略其描述以避免冗余。
同時(shí)，甚至在本發(fā)明的第三個(gè)實(shí)施例中，包括AR膜、光學(xué)特性膜、玻璃和EMI屏蔽膜的至少一個(gè)的前基片被形成在上基片的整個(gè)表面上。與現(xiàn)有技術(shù)不同，這去除了NIR屏蔽膜。如果該NIR屏蔽膜如上所述不包括在該前濾光器中，與現(xiàn)有技術(shù)相比該等離子顯示面板可以做成更薄。此外，由于不形成額外的NIR屏蔽膜，不僅可以節(jié)省制造成本，而且可以縮短處理時(shí)間。
此外，按照本發(fā)明的第三個(gè)實(shí)施例的該上基片是通過(guò)以漿或糊狀物狀態(tài)混合諸如基于二亞銨基的材料和金屬絡(luò)合物基的材料的NIR屏蔽材料的任何一個(gè)，和該上基片的基片形成材料形成的。包括在該保護(hù)膜中的該NIR屏蔽材料可以是該上基片的總百分比的從1％到50％的范圍。此外，當(dāng)上基片被燒制的時(shí)候的燒結(jié)溫度可以被設(shè)置為大約400℃或者更低，以便防止該NIR材料退化。
在按照本發(fā)明的該等離子顯示面板中，該NIR屏蔽材料被包括在如上所述的上介質(zhì)層、保護(hù)膜和上基片的至少一個(gè)中。因此，可以屏蔽從該等離子顯示面板輻射到外部的NIR。因此，按照本發(fā)明，NIR屏蔽膜可以被從該前濾光器中除去，該等離子顯示面板可以被做得很薄，并且可以節(jié)省制造成本。
本發(fā)明被如此地描述，很明顯，可以以很多的方法改變本發(fā)明。這樣的變化不被認(rèn)為是偏離本發(fā)明的精神和范圍，并且所有對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)是顯而易見的這種修改被包括在以下的權(quán)利要求的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種等離子顯示面板，包括上基片和下基片，其以在其間預(yù)定的距離連接；和上介質(zhì)層，其包括形成在上基片上的NIR屏蔽材料。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的等離子顯示面板，其中該上介質(zhì)層的1％至50％包括該NIR屏蔽材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的等離子顯示面板，其中該NIR屏蔽材料包括基于二亞銨基的材料或基于金屬絡(luò)合物基的材料的至少一個(gè)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的等離子顯示面板，其中該介質(zhì)層包括以下介質(zhì)層形成材料的至少兩個(gè)PbO、SiO2、B2O3、Al2O3、ZnO、BaO、CoO或者CuO。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的等離子顯示面板，其中該介質(zhì)層形成材料和該NIR屏蔽材料以漿或糊狀物狀態(tài)混合，并且以預(yù)定的溫度燒制以形成介質(zhì)層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5的等離子顯示面板，其中該預(yù)定的溫度是400℃或者更低。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的等離子顯示面板，進(jìn)一步包括前濾光器，其形成在該上基片的整個(gè)表面上，并且包括AR膜、光學(xué)特性膜、玻璃或者EMI屏蔽膜的至少一個(gè)。
8.一種等離子顯示面板，包括上基片和下基片，其以在其間預(yù)定的距離連接；上介質(zhì)層，其形成在該上基片上；和保護(hù)膜，其包括形成在上介質(zhì)層上的NIR屏蔽材料。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的等離子顯示面板，其中該保護(hù)膜的1％至50％包括該NIR屏蔽材料。
10.根據(jù)權(quán)利要求8的等離子顯示面板，其中該NIR屏蔽材料包括基于二亞銨基的材料或金屬絡(luò)合物基的材料的至少一個(gè)。
11.根據(jù)權(quán)利要求8的等離子顯示面板，其中該保護(hù)膜包括MgO。
12.根據(jù)權(quán)利要求11的等離子顯示面板，其中該MgO和該NIR屏蔽材料被以漿或糊狀物狀態(tài)混合，并且以預(yù)定的溫度燒制以形成保護(hù)膜。
13.根據(jù)權(quán)利要求12的等離子顯示面板，其中該預(yù)定的溫度是400℃或者更低。
14.根據(jù)權(quán)利要求8的等離子顯示面板，進(jìn)一步包括前濾光器，其形成在該上基片的整個(gè)表面上，并且包括AR膜、光學(xué)特性膜、玻璃或者EMI屏蔽膜的至少一個(gè)。
15.一種等離子顯示面板，包括包括NIR屏蔽材料的上基片；和與該上基片以在其間預(yù)定的距離相連接的下基片。
16.根據(jù)權(quán)利要求15的等離子顯示面板，其中該上基片的1％至50％包括該NIR屏蔽材料。
17.根據(jù)權(quán)利要求15的等離子顯示面板，其中該NIR屏蔽材料包括二亞銨基材料或金屬絡(luò)合物基的材料的至少一個(gè)。
18.根據(jù)權(quán)利要求15的等離子顯示面板，其中該上基片的基片形成材料和該NIR屏蔽材料被以漿或糊狀物狀態(tài)混合，并且以預(yù)定的溫度燒制以形成保護(hù)膜。
19.根據(jù)權(quán)利要求18的等離子顯示面板，其中該預(yù)定的溫度是400℃或者更低。
20.根據(jù)權(quán)利要求15的等離子顯示面板，進(jìn)一步包括前濾光器，其形成在該上基片的整個(gè)表面上，并且包括AR膜、光學(xué)特性膜、玻璃或者EMI屏蔽膜的至少一個(gè)。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種等離子顯示面板，尤其是，涉及一種等離子顯示面板的結(jié)構(gòu)。按照本發(fā)明的等離子顯示面板具有包括在上介質(zhì)層、保護(hù)膜和上基片的任何一個(gè)中的NIR屏蔽材料。因此，可以屏蔽從該等離子顯示面板輻射到外部的NIR。因此，按照本發(fā)明，NIR屏蔽膜可以從該前濾光器中除去，該等離子顯示面板可以被做成很薄，并且可以節(jié)省制造成本。
文檔編號(hào)H01J11/44GK1783392SQ20051012952
公開日2006年6月7日 申請(qǐng)日期2005年12月5日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月3日
發(fā)明者樸柳 申請(qǐng)人:Lg電子株式會(huì)社