專利名稱：等離子體顯示板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種具有新結(jié)構(gòu)的等離子體顯示板。
背景技術(shù)：
等離子體顯示板能夠取代常用的陰極射線管(CRT)，且是一種通過(guò)在兩基板之間注入放電氣體來(lái)顯示圖像的顯示裝置，兩個(gè)基板上形成有多個(gè)電極，用于將放電電壓施加到放電氣體以產(chǎn)生紫外光，并利用紫外光激發(fā)熒光體材料。
等離子體顯示板包括相互面對(duì)的后基板和前基板。多個(gè)尋址電極設(shè)置在后基板的前表面上，且尋址電極由第一介電層嵌入。另外，障壁將放電單元定義在第一介電層的前表面上。在障壁定義的放電單元中施加熒光體層到一定厚度。前基板是能透過(guò)可見(jiàn)光的透明基板，主要由玻璃組成，并與其上形成有障壁的后基板連接。與尋址電極交叉的維持電極對(duì)形成在前基板的后表面上。各維持電極對(duì)的一個(gè)電極是X電極，另一電極是Y電極。維持電極對(duì)由第二介電層嵌入，且保護(hù)層形成在第二介電層的后表面上。
在具有上述結(jié)構(gòu)的等離子體顯示板中，通過(guò)尋址電極和Y電極之間發(fā)生尋址放電來(lái)選擇將要發(fā)光的放電單元，且所選擇的放電單元通過(guò)所選擇的放電單元中X和Y電極之間發(fā)生的維持放電而發(fā)光。更詳細(xì)地，放電單元中的放電氣體通過(guò)維持放電而發(fā)射紫外光，且該紫外光激發(fā)熒光體層而發(fā)射可見(jiàn)光。有用于改進(jìn)等離子體顯示板的發(fā)光效率的多種情形。例如，激發(fā)放電氣體發(fā)生維持放電的空間體積變大，熒光體層的表面積變大，以及妨礙熒光體層發(fā)射可見(jiàn)光的元件變得最小。
然而，在具有上述結(jié)構(gòu)的等離子體顯示板中，由于維持放電在相鄰保護(hù)層的X和Y電極之間的空間中發(fā)生，因此發(fā)生維持放電的空間體積較小。另外熒光體層的表面積不夠大。此外，由于熒光體層發(fā)射的一部分可見(jiàn)光被保護(hù)層、第二介電層和維持電極吸收和/或反射，因此透過(guò)前基板的可見(jiàn)光的數(shù)量大約是原本從熒光體層發(fā)射的可見(jiàn)光的60％。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種具有改進(jìn)的發(fā)光效率、改進(jìn)的亮度同時(shí)具有減小的無(wú)功功率的等離子體顯示板。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，等離子體顯示板包括后基板；與后基板分開(kāi)從而定義位于前和后基板之間的多個(gè)子像素的前基板；延伸使得相互交叉并在子像素中產(chǎn)生放電的第一放電電極和第二放電電極；其中子像素形成單位像素，且至少在一個(gè)方向上相互相鄰的單位像素以預(yù)定距離相互分開(kāi)。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，等離子體顯示板包括后基板；設(shè)置為與后基板分開(kāi)的前基板；設(shè)置在前和后基板之間與前和后基板一起定義對(duì)應(yīng)子像素的多個(gè)放電單元的障壁；圍繞放電單元的第一放電電極；與第一放電電極分開(kāi)一個(gè)預(yù)定距離從而圍繞放電單元，并延伸使得與第一放電電極延伸的方向交叉的第二放電電極；設(shè)置于放電單元中的熒光體層；和設(shè)置于放電單元中的放電氣體；其中子像素形成單位像素，且至少在一個(gè)方向上相互相鄰的單位像素以預(yù)定距離相互分開(kāi)。
第一放電電極可以用作尋址電極，而第二放電電極可以用作掃描電極。以第一放電電極延伸的方向設(shè)置的單位像素以預(yù)定距離相互分開(kāi)。
定義兩個(gè)相鄰單位像素的障壁可以以預(yù)定距離相互分開(kāi)，使得單位像素之間分開(kāi)的部分形成一個(gè)非放電的區(qū)域。
設(shè)置相互相鄰的單位像素以使得共享至少一個(gè)障壁，相鄰的單位像素共享的障壁的寬度優(yōu)選大于設(shè)置在單位像素內(nèi)的障壁的寬度。障壁可以包括按第一放電電極延伸的方向設(shè)置的縱向障壁部分，和與縱向障壁部分交叉的橫向障壁部分。定義單位像素的縱向障壁部分的寬度可以大于設(shè)置在單位像素中縱向障壁部分的寬度。
每一個(gè)單位像素可以包括四個(gè)子像素，且可以包括一個(gè)紅色子像素、一個(gè)綠色子像素和兩個(gè)藍(lán)色子像素。
在根據(jù)本發(fā)明的等離子體顯示板中，由于單位像素相互分開(kāi)，因此可以減小無(wú)功功率同時(shí)改進(jìn)發(fā)光效率。
在根據(jù)本發(fā)明的等離子體顯示板中，從形成放電空間的各側(cè)面發(fā)生表面放電，且放電區(qū)域可能大大增加。
在根據(jù)本發(fā)明的等離子體顯示板中，由于放電從形成放電單元的側(cè)面開(kāi)始，且向放電單元的中心部分?jǐn)U散，因此放電區(qū)域可以大大增加，并且能有效利用整個(gè)放電單元。從而，利用低電壓可以驅(qū)動(dòng)顯示板并由此增強(qiáng)了發(fā)光效率。
根據(jù)本發(fā)明的等離子體顯示板可以由低電壓驅(qū)動(dòng)，因此即使當(dāng)使用高濃度的Xe氣體作為放電氣體時(shí)也可能低壓操作，從而改進(jìn)了發(fā)光效率。
在根據(jù)本發(fā)明的等離子體顯示板中，放電響應(yīng)速度非?？欤⑶铱梢詧?zhí)行低壓操作。也就是說(shuō)，由于放電電極沒(méi)有設(shè)置在透過(guò)可見(jiàn)光的前基板上，而是設(shè)置在放電單元的側(cè)面上，因此不需要使用高電阻的透明電極作為放電電極。取代透明電極，低電阻的電極(例如金屬電極)可以用作放電電極，因此能夠增加放電響應(yīng)速度，并且在不扭曲波形的情況下執(zhí)行低壓操作。
在根據(jù)本發(fā)明的等離子體顯示板中基本上避免了永久性的殘留圖像。即對(duì)形成在放電空間的側(cè)面的放電電極施加的電壓產(chǎn)生的電場(chǎng)將等離子體集中在放電空間的中心部分，因此即使當(dāng)放電發(fā)生了一段時(shí)間的情況下，由于電場(chǎng)可以避免離子與熒光體材料的碰撞。因此由于熒光體材料的損傷而產(chǎn)生的永久性的殘留圖像基本上可以避免。尤其，當(dāng)高濃度Xe氣用作放電氣體的情況中，永久性殘留圖像的問(wèn)題很嚴(yán)重。然而本發(fā)明的等離子體顯示板可以避免產(chǎn)生永久性的殘留圖像。


通過(guò)結(jié)合附圖參考下面的詳細(xì)說(shuō)明，本發(fā)明和其伴隨的許多優(yōu)點(diǎn)的較完整的理解將變得更加容易，附圖中，相同的附圖標(biāo)記代表相同或者相似的元件，其中圖1是等離子體顯示板的分解透視圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的等離子體顯示板的分解透視圖；圖3是沿圖2的III-III線截開(kāi)的等離子體顯示板的截面圖；圖4是放電單元和圖2中所示的第一和第二放電電極的設(shè)置的示意圖；圖5是沿圖3的V-V線截開(kāi)的放電單元、子像素和單位像素的設(shè)置的示意圖；圖6是沿圖3的VI-VI線截開(kāi)的放電單元、子像素和單位像素的示意圖；
圖7根據(jù)對(duì)應(yīng)于圖5的設(shè)置的本發(fā)明的第一實(shí)施例的等離子體顯示板的改進(jìn)型的示意圖；圖8是根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的等離子體顯示板的分解透視圖；圖9是沿圖8的IX-IX線截開(kāi)的等離子體顯示板的截面圖；圖10是沿圖9的X-X線截開(kāi)的放電單元、子像素和單位像素的設(shè)置的示意圖。
具體實(shí)施例方式
圖1是等離子體顯示板，尤其是交流(AC)三電極型表面放電的等離子體顯示板的分解透視圖。
參考圖1，等離子體顯示板5包括相互面對(duì)的后基板10和前基板20。多個(gè)尋址電極11設(shè)置在后基板10的前表面，且尋址電極11由第一介電層12嵌入。另外，障壁13將放電單元14定義在第一介電層12的前表面上。在由障壁13定義的放電單元14中施加一預(yù)定厚度的熒光體層15。前基板20是能透過(guò)可見(jiàn)光的透明基板，主要由玻璃組成，并與其上形成有障壁13的后基板10連接。與尋址電極11交叉的維持電極對(duì)30形成在前基板20的后表面上。每一個(gè)維持電極對(duì)的一個(gè)電極是X電極21，另一電極是Y電極22。維持電極對(duì)30由第二介電層23嵌入，保護(hù)層24形成在第二介電層23的后表面上。
在具有上述結(jié)構(gòu)的等離子體顯示板中，通過(guò)尋址電極11和Y電極22之間發(fā)生的尋址放電來(lái)選擇將要發(fā)光的放電單元14，且所選擇的放電單元14分別通過(guò)所選擇的放電單元中的X和Y電極21和22之間發(fā)生的維持放電而發(fā)光。更詳細(xì)地，放電單元中的放電氣體通過(guò)維持放電而發(fā)射紫外光，且該紫外光激發(fā)熒光體層15而發(fā)射可見(jiàn)光。有多種情形用于改進(jìn)等離子體顯示板5的發(fā)光效率。例如，激發(fā)放電氣體的發(fā)生維持放電的空間體積變大，熒光體層15的表面積變大，以及妨礙熒光體層15發(fā)射可見(jiàn)光的元件變得最小。
然而，在具有上述結(jié)構(gòu)的等離子體顯示板5中，由于維持放電分別在相鄰于保護(hù)層24的X和Y電極21和22之間的空間中發(fā)生，因此發(fā)生維持放電的空間體積較小。另外熒光體層15的表面積不夠大。此外，由于熒光體層15發(fā)射的一部分可見(jiàn)光被保護(hù)層24、第二介電層23和維持電極21和22吸收和/或反射，因此透過(guò)前基板20的可見(jiàn)光的數(shù)量大約是原本從熒光體層15發(fā)射的可見(jiàn)光的60％。
圖2是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的等離子體顯示板的分解透視圖；圖3是沿圖2的III-III線截開(kāi)的等離子體顯示板的截面圖；圖4是放電單元和圖2中所示的第一和第二放電電極的設(shè)置的示意圖；圖5是沿圖3的V-V線截開(kāi)的放電單元、子像素和單位像素的設(shè)置的示意圖；圖6是沿圖3的VI-VI線截開(kāi)的放電單元、子像素和單位像素的示意圖。
參考圖2至圖6，等離子體顯示板100包括前基板120、熒光體層126、障壁128、第一放電電極113、第二放電電極114、保護(hù)層119和后基板110。
后基板110和前基板120相互分開(kāi)，且前基板120和后基板110之間的障壁128分割多個(gè)放電單元130。每一個(gè)放電單元130對(duì)應(yīng)于紅色子像素150R、綠色子像素150G、和藍(lán)色子像素150B(參見(jiàn)圖5)中的一個(gè)，且預(yù)定數(shù)目的子像素形成一個(gè)單位像素150。該像素將在后面描述。
能透過(guò)由放電單元130產(chǎn)生的可見(jiàn)光的前基板120(圖2)由具有高透光性的材料，例如玻璃形成。后基板110一般也可由玻璃形成。
進(jìn)一步參考圖2，放電單元130排列為矩陣形狀，且形成障壁128以使得放電單元130的橫截面部分能形成為正方形形狀。然而，障壁128的形成不限于此，障壁128能具有不同的形狀，例如waffle形或三角形，只要它們能定義多個(gè)放電空間即可。此外，各放電單元130的橫截面可以形成為例如三角形或五角形的多角形、圓形、或橢圓形，還有正方形。在本發(fā)明中，希望各放電單元130的橫截面形成為規(guī)則的正方形，使得單位像素150能形成為規(guī)則的正方形。障壁128包括沿第一放電電極113延伸的方向(X方向)設(shè)置的縱向障壁部分128a，以及和縱向障壁部分128a交叉的橫向障壁部分128b。
參考圖4，設(shè)置第一放電電極113和第二放電電極114，使其圍繞放電單元130。第一和第二放電電極113和114分別形成為多個(gè)方形回路，并設(shè)置在障壁128內(nèi)。延伸第一放電電極113，以圍繞沿第一方向(X方向)設(shè)置的放電單元130。也延伸第二放電電極114，以圍繞沿第二方向(Y方向)設(shè)置的放電單元130，使其與第一放電電極113交叉。在障壁128中，第一放電電極113和第二放電電極114相互分開(kāi)。
為了使放電單元130中的放電均勻，希望分別形成第一和第二放電電極113和114的環(huán)路部分，使得在上和下方向上是對(duì)稱的。
根據(jù)本發(fā)明，在圖2的等離子體顯示板100中使用了兩電極型等離子體顯示板。因此第一和第二放電電極113和114之一用作掃描電極，另一個(gè)用作尋址電極。在本發(fā)明的實(shí)施例中，第一放電電極113用作尋址電極，第二放電單元114用作掃描電極。
由于第一和第二放電電極113和114分別位于障壁128中，因此電極113和114不是降低朝前方向(z方向)的可見(jiàn)光透光率的元件。從而第一和第二放電電極113和114分別可以由具有高的電導(dǎo)率的金屬形成，例如鋁或銅，而不是利用氧化銦錫(ITO)形成，由此可以減小縱向方向上的電壓降，且可以穩(wěn)定地透過(guò)信號(hào)。
希望障壁128由介電材料形成，以使障壁128防止第一和第二放電電極113和114相互之間直接導(dǎo)電，且使得避免正離子或電子與電極113和114直接碰撞，從而避免損傷電極113和114，因此感應(yīng)電荷以積累壁電荷。
在面對(duì)放電單元130的前基板120的后表面上形成槽120a。不連續(xù)地形成該槽120a，且希望槽120a形成在對(duì)應(yīng)于放電單元130的中心部分的位置上。然而，槽120a的形狀不限于此。
形成槽120a使其具有預(yù)定的深度。因此由于槽120a而減小了前基板120的厚度，因此提高了前方向(z方向)上可見(jiàn)光的透光率。
在槽120a中施加預(yù)定厚度的紅、綠和藍(lán)色熒光體層126。然而，熒光體層126可以施加于放電單元130中的任何部分，且希望熒光體層126設(shè)置于前基板120與電極113和114之間以形成等離子體顯示板的透光結(jié)構(gòu)。
其上設(shè)置有紅色熒光體層的紅色放電單元130R(圖5)對(duì)應(yīng)于紅色子像素150R，其上設(shè)置有綠色熒光體層的綠色放電單元130G對(duì)應(yīng)于綠色子像素150G，其上設(shè)置有藍(lán)色熒光體層的藍(lán)色放電單元130B對(duì)應(yīng)于藍(lán)色子像素150B。
熒光體層126(圖2)包括接收紫外光的元件，從而發(fā)射可見(jiàn)光。形成在紅色放電單元130R(圖5)內(nèi)的紅色熒光體層包括例如Y(V，P)O4:Eu的熒光體材料等等，形成在綠色放電單元130G內(nèi)的綠色熒光體層包括例如Zn2SiO4:Mn的熒光體材料等等，以及形成在藍(lán)色放電單元130B內(nèi)的藍(lán)色熒光體層包括例如BAM:Eu的熒光體材料等等。
希望保護(hù)層119(圖2)形成在障壁128的側(cè)面上。保護(hù)層119分別防止介電材料形成的障壁128、第一和第二放電電極113和114受到等離子微粒濺射的損傷，并發(fā)射二次電子以降低放電電壓。保護(hù)層119通過(guò)將MgO施加到障壁128的側(cè)面上至預(yù)定厚度來(lái)形成。在濺射、E電子束蒸發(fā)過(guò)程中保護(hù)層119主要形成為薄膜。
例如Ne、Xe或其混合氣體組成的放電氣體被注入到放電單元130中。根據(jù)本發(fā)明，放電表面增加且放電區(qū)域被擴(kuò)大，同時(shí)增加了所產(chǎn)生的等離子體的數(shù)量。因此等離子顯示板100可以由低電壓驅(qū)動(dòng)。從而，即使當(dāng)具有高濃度的Xe氣用作放電氣體時(shí)，等離子體顯示板100也可以由低電壓驅(qū)動(dòng)，因此顯著地改善了發(fā)光效率。因此本發(fā)明解決了在現(xiàn)有技術(shù)的設(shè)置中的當(dāng)使用高濃度的Xe氣作為放電氣體時(shí)不能執(zhí)行低電壓驅(qū)動(dòng)的問(wèn)題。
參考圖5和6，其示出了等離子體顯示板100中的單位像素150的設(shè)置。每一個(gè)單位像素150包括四個(gè)子像素150R、150G、150Ba和150Bb。在本發(fā)明中，子像素是包括部分第一和第二放電電極113和114的虛擬區(qū)域，該第一和第二放電電極113和114分別圍繞放電單元130，障壁128的預(yù)定部分嵌入電極113和114。單位像素包括一個(gè)紅色子像素150R、一個(gè)綠色子像素150G和兩個(gè)藍(lán)色子像素150Ba和150Bb。通常，藍(lán)色放電單元發(fā)射的藍(lán)光的亮度較低。因此，為了補(bǔ)償藍(lán)光的亮度，單位像素150中藍(lán)色子像素的數(shù)目與任何其它子像素的數(shù)目相比相對(duì)較大。此外，包括在單位像素150中的子像素在預(yù)定的方向按150R、150G、150Ba和150Bb的順序排列。然而單位像素150中的子像素的排列不限于上述排列。此外，可以相對(duì)增加紅色子像素或綠色子像素的數(shù)目使之大于藍(lán)色子像素的數(shù)目。此外，單位像素150可以包括白色子像素和紅、綠和藍(lán)色子像素。
希望單位像素150形成為規(guī)則的方形，即具有相互相等的橫向長(zhǎng)度C1和縱向長(zhǎng)度C2。因此可以自由地形成等離子體顯示板100的整體形狀。希望各子像素具有規(guī)則的方形，以使單位像素150具有規(guī)則的方形。
此外，沿第二放電電極114延伸的方向(即y方向)設(shè)置的單位像素150以預(yù)定距離(d1)相互分開(kāi)?？梢圆煌囟x單位像素150之間的結(jié)構(gòu)，在本實(shí)施例中，定義單位像素150的縱向障壁部分的寬度(A1)大于設(shè)置在單位像素150中的縱向障壁部分的寬度(A2)。
此外，沿第一放電電極113延伸的方向(即x方向)設(shè)置的單位像素150以預(yù)定距離(k1)相互分開(kāi)。可以不同地定義單位像素150之間的結(jié)構(gòu)。在本實(shí)施例中，定義單位像素150的橫向障壁部分的寬度(E1)大于設(shè)置在單位像素150中的橫向障壁部分的寬度(E2)。
在現(xiàn)有技術(shù)的等離子體顯示板中，單位像素之間沒(méi)有距離，相鄰電極相互之間靠得很近。因此電壓施加到電極，且相鄰像素之間消耗無(wú)功功率。該無(wú)功功率由位移電流產(chǎn)生，且該位移電流與電容量和電壓隨時(shí)間的變化成正比。因此如果不同的電壓脈沖施加于相鄰的電極之間，由于電壓的變化而產(chǎn)生位移電流。在這一點(diǎn)上，相應(yīng)電極之間的電容量與介電常數(shù)和電極的相對(duì)面積成正比，且與電極之間的距離成反比。因此如果電極相互之間靠得太近，則增加電容量并由此增加位移電流和無(wú)功功率。
在本發(fā)明的實(shí)施例中(圖2)，由于第一放電電極113用作尋址電極，第二放電電極114用作掃描電極，可以將相互之間不同的電壓施加到第一放電電極113或第二放電電極114。例如，尋址電壓脈沖可以施加于第一放電電極113，該第一放電電極113設(shè)置于子像素中，意圖以產(chǎn)生特定的尋址放電操作，且尋址電壓脈沖不能施加于其余的第一放電電極113上。此外，掃描脈沖可以施加于第二放電電極114，該第二放電電極114設(shè)置于典型的子像素中，意圖以產(chǎn)生尋址放電，且掃描脈沖不能施加于其余的第二放電電極114上。分別施加于第一和第二放電電極113和114的電壓脈沖的變化可能在特定的模式，例如點(diǎn)開(kāi)關(guān)模式下變得嚴(yán)重。分別施加于第一和第二放電電極113和114的電壓脈沖之間的不一致性導(dǎo)致了位移電流，并增加了等離子體顯示板100中的無(wú)功功率。
因此，為了減小無(wú)功功率的消耗，希望增加第一放電電極113之間的距離和第二放電電極114之間的距離。然而，如果所有的第一放電電極113相互分開(kāi)，且所有的第二放電電極114相互分開(kāi)，則很難形成等離子體顯示板100的細(xì)距。如果第一放電電極113和第二放電電極114之間的距離增加，則減小了單位像素150的數(shù)目，并減小了各放電單元的尺寸。因此，可能嚴(yán)重地影響到等離子體顯示板100的分辨率或亮度。因此，不同于減小所有第一放電電極113和所有第二放電電極114之間的距離，相鄰單位像素之間的距離d1和k1變大，因此位于相互不同的單位像素上的第一放電電極113之間的距離B1和位于相互不同的單位像素上的第二放電電極114之間的距離P1增加，且相同單位像素150內(nèi)的第一放電電極113之間以及相同單位像素150內(nèi)的第二放電電極114之間的距離B2和P2比上述距離B1和P1短。在本實(shí)施例中，如上所述，定義單位像素150的縱向障壁部分的寬度A1大于設(shè)置于單位像素150內(nèi)的縱向障壁部分的寬度A2，且定義單位像素150的縱向障壁部分的寬度E1大于設(shè)置于單位像素150內(nèi)的縱向障壁部分的寬度E2。因此可以實(shí)現(xiàn)單位像素150的預(yù)期排列。然后，等離子體顯示板100可以形成為具有細(xì)距，并能夠減小無(wú)功功率。尤其，在包括上述結(jié)構(gòu)的等離子體顯示板100中，由于放電單元130的橫截面的減小而產(chǎn)生的等離子放電的數(shù)量的減小可以通過(guò)在深度方向(z方向)上增加放電單元130來(lái)補(bǔ)償。
下面將描述根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的等離子體顯示板100的操作。
當(dāng)尋址電壓分別施加于第一和第二放電電極113和114之間以產(chǎn)生尋址放電時(shí)，其中發(fā)生維持放電的放電單元130被選擇為產(chǎn)生尋址放電。此后，當(dāng)在所選擇的放電單元130中將維持電壓施加于第一放電電極113和第二放電電極114之間時(shí)，分別積累在第一和第二放電電極113和114上的壁電荷移動(dòng)以產(chǎn)生維持放電，且由于在維持放電期間激發(fā)放電氣體的能級(jí)降低而發(fā)射紫外光。此外，紫外光激發(fā)被施加到放電單元130中的熒光體層126，通過(guò)所激發(fā)的熒光體層126的能級(jí)降低而發(fā)射可見(jiàn)光，該可見(jiàn)光透過(guò)熒光體層126和前基板120，形成用戶所識(shí)別的圖像。
在圖1的等離子體顯示板5中，維持電極21和22之間的維持放電發(fā)生在水平方向，且放電面積相對(duì)較窄。然而，在圖2的等離子體顯示板100中，根據(jù)本發(fā)明，維持放電發(fā)生在定義放電單元130的每一表面和相對(duì)較大的放電區(qū)域上。
此外，當(dāng)沿著放電單元130的側(cè)面形成閉環(huán)時(shí)發(fā)生維持放電，然后逐漸擴(kuò)散到放電單元130的中心部分。因此發(fā)生維持放電的區(qū)域的體積增加，且常規(guī)不使用的空間電荷可以用來(lái)發(fā)光。另外還改進(jìn)了等離子體顯示板100的發(fā)光效率。
根據(jù)本發(fā)明，由于僅在等離子體顯示板100中的放電單元130的中心部分發(fā)生維持放電，可以避免由于帶電荷的粒子而對(duì)熒光體層的離子濺射，因此即使當(dāng)相同的圖像顯示了較長(zhǎng)時(shí)間時(shí)也不產(chǎn)生永久的殘留圖像。
圖7根據(jù)對(duì)應(yīng)于圖5的設(shè)置的本發(fā)明的第一實(shí)施例，等離子體顯示板的改進(jìn)型的示意圖。
圖7分別示出了在根據(jù)第一實(shí)施例的等離子體顯示板的改進(jìn)示例中，紅、綠和藍(lán)色放電單元130R’、130G’和130B’，紅、綠和藍(lán)色子像素150R’、150G’和150B’和單位像素150’的設(shè)置。改進(jìn)示例和第一實(shí)施例之間的區(qū)別在于子像素150R’、150G’和150B’形成為矩形形狀。即，子像素150R’、150G’和150B’的橫向長(zhǎng)度C1’與縱向長(zhǎng)度C2’不同，且在該實(shí)施例中，橫向長(zhǎng)度C1’小于縱向長(zhǎng)度C2’。此外，每一個(gè)單位像素150’包括一個(gè)紅色子像素150R’，一個(gè)綠色子像素150G’和一個(gè)藍(lán)色子像素150B’，且希望單位像素150’形成為矩形形狀。
正如在第一實(shí)施例中，由于設(shè)置相鄰單位像素150’以使相互之間以預(yù)定距離d1’和k1’分開(kāi)，從而能減小無(wú)功功率。
圖8是根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的等離子體顯示板的分解透視圖；圖9是沿圖8的IX-IX線截開(kāi)的等離子體顯示板的截面圖；圖10是沿圖9的X-X線截開(kāi)的放電單元、子像素和單位像素的設(shè)置的示意圖。
下文中將參考圖8至圖10基于不同于第一實(shí)施例來(lái)描述根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的等離子體顯示板200。等離子體顯示板200包括上基板250和下基板260。上基板250包括前基板220和熒光體層226，且下基板260包括后基板210、障壁228、第一放電電極213和第二放電電極214。第一和第二放電電極213和214分別延伸使其圍繞以行排列的放電單元260。在本實(shí)施例中，第一放電電極213沿第一方向(x方向)延伸，且第二放電電極沿第二方向(y方向)延伸。此外，由介電材料形成的障壁228包括沿第一放電電極213延伸的方向(x方向)設(shè)置的縱向障壁部分228a，和與縱向障壁部分228a交叉的橫向障壁部分228b。
本實(shí)施例與第一實(shí)施例的區(qū)別在于單位像素250之間的空間不是由介電材料填充，而是形成非放電區(qū)240和241。該區(qū)別將在下面詳細(xì)描述。
與第一實(shí)施例的面板100中相同，在等離子體顯示板200中，沿第二放電電極214方向(y方向)設(shè)置的單位像素250以預(yù)定距離h1相互分開(kāi)。為了形成間隔240，分別定義設(shè)置在第二放電電極214方向(y方向)的單位像素250的縱向障壁部分228a以預(yù)定距離h1相互之間分開(kāi)，且非放電區(qū)域240形成在分開(kāi)的縱向障壁部分228a之間。然而，在第二放電電極214暴露在非放電區(qū)域240的情況下，可能損傷第二放電電極214，由此，希望暴露在縱向障壁部分228a之間的第二放電電極214由介電層275覆蓋。如圖8和9所示，暴露的第二放電電極214可以由另一介電層275覆蓋，或由與縱向障壁部分228a整體形成的介電層275覆蓋。為了與縱向障壁部分228a整體形成介電層275，根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例，希望槽形成在等離子體顯示板100的縱向障壁部分128a的上部分上，以在第一放電電極213之間形成非放電區(qū)域240。
此外，如在第一實(shí)施例中那樣，在等離子體顯示板200中，沿第一放電電極213延伸的方向(x方向)設(shè)置的單位像素250以預(yù)定距離g1相互分開(kāi)。為了形成間隔部分241，分別定義設(shè)置在第一放電電極213方向(x方向)的單位像素250的橫向障壁部分228b以預(yù)定距離g1相互之間分開(kāi)，且非放電區(qū)域241形成在分開(kāi)的障壁部分228b之間。然而，在第一放電電極213暴露在非放電區(qū)域241的情況下，可能損傷第一放電電極213，由此，希望暴露在橫向障壁部分228b之間的第一放電電極213由介電層276覆蓋。
當(dāng)非放電區(qū)域240和241形成在設(shè)置于不同的單位像素250上的第一放電電極213之間和第二放電電極214之間時(shí)，可以減小第一放電電極213之間和第二放電電極214之間的介電常數(shù)。此外，設(shè)置在相互不同的單位像素250上的第一放電電極213之間的距離F1大于設(shè)置在相互相同的單位像素250上的第一放電電極213之間的距離F2。盡管附圖中沒(méi)有示出，相鄰單位像素上的第二放電電極214之間的距離大于設(shè)置在相同單位像素250上的第二放電電極214之間的距離。
因此，減小了相鄰單位像素250上的第一放電電極213之間和第二放電電極214之間的電容，并由此減小了位移電流同時(shí)減小了無(wú)功功率。此外，由于沿第一和第二放電電極213和214分別延伸的方向設(shè)置的單位像素250之間的間隔，該減小了的無(wú)功功率與第一實(shí)施例的無(wú)功功率相同，且詳細(xì)描述在此省略。
各元件諸如其上形成有槽220a的前基板220、熒光體層216、保護(hù)層219、第一放電電極213、第二放電電極214、后基板210和放電氣體在結(jié)構(gòu)和操作上都與根據(jù)第一實(shí)施例的等離子體顯示板100中的相同。此外，參考圖10，分別對(duì)應(yīng)紅色放電單元230R、綠色放電單元230G和藍(lán)色放電單元230B的紅色子像素250R、綠色子像素250G和藍(lán)色子像素250Ba和250Bb，以及包括一個(gè)紅色子像素250R、一個(gè)綠色子像素250G和兩個(gè)藍(lán)色子像素250Ba和250Bb的規(guī)則方形的單位像素250都與第一實(shí)施例中的相同。此外，根據(jù)第二實(shí)施例的等離子體顯示板200的操作也與第一實(shí)施例的等離子體顯示板100的操作相同，因此詳細(xì)描述在此省略。
根據(jù)本發(fā)明可以制造具有改善的發(fā)光效率的等離子體顯示板。
雖然參考實(shí)施例已經(jīng)特別示出并描述了本發(fā)明，但可以理解的是，在不脫離由下面的權(quán)利要求限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以在形式或細(xì)節(jié)上對(duì)本發(fā)明作出各種改變。
權(quán)利要求
1.一種等離子體顯示板，包括后基板；前基板，其與后基板分開(kāi)以定義該前和后基板之間的多個(gè)像素；和第一放電電極和第二放電電極，它們相互交叉地延伸，用于在子像素中產(chǎn)生放電，其中子像素形成單位像素，且至少在一個(gè)方向上相互相鄰的單位像素以預(yù)定距離相互分開(kāi)。
2.權(quán)利要求1的等離子體顯示板，其中第一放電電極用作尋址電極，第二放電電極用作掃描電極。
3.權(quán)利要求2的等離子體顯示板，其中沿第一放電電極延伸的方向設(shè)置的單位像素以預(yù)定距離相互分開(kāi)。
4.權(quán)利要求2的等離子體顯示板，其中沿第二放電電極延伸的方向設(shè)置的單位像素以預(yù)定距離相互分開(kāi)。
5.權(quán)利要求1的等離子體顯示板，其中每一單位像素包括四個(gè)子像素。
6.權(quán)利要求5的等離子體顯示板，其中所述每一單位像素包括一個(gè)紅色子像素，一個(gè)綠色子像素和兩個(gè)藍(lán)色子像素。
7.權(quán)利要求5的等離子體顯示板，其中子像素形成為規(guī)則的方形形狀。
8.權(quán)利要求5的等離子體顯示板，其中所述每一單位像素形成為規(guī)則的方形形狀。
9.權(quán)利要求1的等離子體顯示板，其中每一單位像素包括三個(gè)子像素。
10.權(quán)利要求9的等離子體顯示板，其中子像素形成為矩形形狀。
11.權(quán)利要求9的等離子體顯示板，其中單位像素形成為規(guī)則的方形形狀。
12.權(quán)利要求1的等離子體顯示板，其中相鄰單位像素之間的分開(kāi)部分形成非放電區(qū)域。
13.權(quán)利要求1的等離子體顯示板，其中相鄰單位像素之間的每一個(gè)分開(kāi)部分的至少一部分由介電材料覆蓋。
14.一種等離子體顯示板，包括后基板；前基板，與后基板分開(kāi)設(shè)置；障壁，位于前和后基板之間，并與前和后基板一起定義對(duì)應(yīng)子像素的多個(gè)放電單元；圍繞放電單元的第一放電電極；第二放電電極，其與第一放電電極以預(yù)定距離分開(kāi)，從而圍繞放電單元，并且與第一放電電極延伸的方向交叉延伸；設(shè)置于放電單元中的熒光體層；和設(shè)置于放電單元中的放電氣體，其中子像素形成單位像素，且至少在一個(gè)方向上相互相鄰的單位像素以預(yù)定距離相互分開(kāi)。
15.權(quán)利要求14的等離子體顯示板，其中第一放電電極用作尋址電極，第二放電電極用作掃描電極。
16.權(quán)利要求15的等離子體顯示板，其中，沿第一放電電極延伸的方向設(shè)置的單位像素以預(yù)定距離相互分開(kāi)。
17.權(quán)利要求15的等離子體顯示板，其中沿第二放電電極延伸的方向設(shè)置的單位像素以預(yù)定距離相互分開(kāi)。
18.權(quán)利要求14的等離子體顯示板，其中定義兩個(gè)相鄰單位像素的障壁以預(yù)定距離相互分開(kāi)，使得在兩個(gè)單位像素之間的分開(kāi)部分形成非放電區(qū)域。
19.權(quán)利要求14的等離子體顯示板，其中設(shè)置相鄰單位像素以使其分享至少一個(gè)障壁，且由相鄰的單位像素分享的障壁的寬度大于設(shè)置在單位像素中障壁的寬度。
20.權(quán)利要求14的等離子體顯示板，其中障壁包括沿第一放電單元延伸的方向設(shè)置的縱向障壁部分，以及與縱向障壁部分交叉的橫向障壁部分。
21.權(quán)利要求20的等離子體顯示板，其中定義單位像素的縱向障壁部分的寬度大于設(shè)置在單位像素中的縱向障壁部分的寬度。
22.權(quán)利要求20的等離子體顯示板，其中定義單位像素的橫向障壁部分的寬度大于設(shè)置在單位像素中的橫向障壁部分的寬度。
23.權(quán)利要求14的等離子體顯示板，其中每一個(gè)單位像素包括四個(gè)子像素。
24.權(quán)利要求23的等離子體顯示板，其中每一個(gè)單位像素包括一個(gè)紅色子像素、一個(gè)綠色子像素和兩個(gè)藍(lán)色子像素。
25.權(quán)利要求23的等離子體顯示板，其中所述子像素形成為規(guī)則的方形形狀。
26.權(quán)利要求23的等離子體顯示板，其中所述每一個(gè)單位像素形成為規(guī)則的方形形狀。
27.權(quán)利要求14的等離子體顯示板，其中每一個(gè)單位像素包括三個(gè)子像素。
28.權(quán)利要求27的等離子體顯示板，其中子像素形成為矩形形狀。
29.權(quán)利要求27的等離子體顯示板，其中所述每一個(gè)單位像素形成為規(guī)則的方形形狀。
30.權(quán)利要求14的等離子體顯示板，其中第一和第二放電電極設(shè)置在障壁內(nèi)。
31.權(quán)利要求14的等離子體顯示板，其中熒光體層位于前基板與第一和第二放電電極之間。
32.權(quán)利要求14的等離子體顯示板，其中槽形成在面對(duì)放電單元的前基板的后表面上。
33.權(quán)利要求32的等離子體顯示板，其中熒光體層設(shè)置在槽中。
34.權(quán)利要求32的等離子體顯示板，其中槽不連續(xù)地形成在放電單元中。
35.權(quán)利要求14的等離子體顯示板，其中障壁由介電材料形成。
36.權(quán)利要求14的等離子體顯示板，還包括覆蓋至少部分障壁側(cè)面的保護(hù)層。
全文摘要
具有新結(jié)構(gòu)的等離子體顯示板包括后基板；與后基板分開(kāi)設(shè)置的前基板；位于前和后基板之間，并與前和后基板一起定義對(duì)應(yīng)子像素的多個(gè)放電單元的障壁；圍繞放電單元的第一放電電極；與第一放電電極以預(yù)定距離分開(kāi)以圍繞放電單元并且與第一放電電極延伸的方向交叉延伸的第二放電電極；設(shè)置于放電單元中的熒光體層；和設(shè)置于放電單元中的放電氣體。子像素形成單位像素，且至少在一個(gè)方向上相互相鄰的單位像素以預(yù)定距離相互分開(kāi)。
文檔編號(hào)H01J11/38GK1801442SQ20051013806
公開(kāi)日2006年7月12日 申請(qǐng)日期2005年12月9日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月9日
發(fā)明者姜景斗 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社