專(zhuān)利名稱(chēng)：改善磁控管電磁兼容性能的真空管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型是一種真空管，特別是一種改善磁控管電磁兼容性能的真空管，屬于真空管的改造技術(shù)。
2、背景技術(shù)現(xiàn)有用于磁控管的真空管中，端引片4焊接在陶瓷支撐件2上，陶瓷支撐件2焊接在管殼1上，管殼1焊接在陽(yáng)極筒5上，引線(xiàn)31、32依次穿過(guò)陽(yáng)極筒5、管殼1、陶瓷支撐件2焊接在端引片4上，如圖1所示，這種結(jié)構(gòu)存在的缺點(diǎn)是諧振腔內(nèi)產(chǎn)生的有害高次諧波能夠從管殼1的開(kāi)孔11通過(guò)并穿透陶瓷支承件2，造成微波泄漏，所以其EMC性能(電磁兼容性)較差。

發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于克服上述缺點(diǎn)而提供一種避免微波泄漏，有效改善磁控管電磁兼容性能的真空管。
本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖如圖2所示，包括有端引片、陶瓷支撐件、管殼、陽(yáng)極筒、引線(xiàn)，其中端引片焊接在陶瓷支撐件上，陶瓷支撐件焊接在管殼上，管殼焊接在陽(yáng)極筒上，引線(xiàn)依次穿過(guò)陽(yáng)極筒、管殼、陶瓷支撐件焊接在端引片上，其中管殼的開(kāi)孔部位向管殼的內(nèi)腔拉延一扼流圈。
上述扼流圈長(zhǎng)度為h＝λ/4，其中λ為波長(zhǎng)。
本實(shí)用新型由于管殼的開(kāi)孔部位向管殼的內(nèi)腔拉延一扼流圈，可以削減除去諧振腔內(nèi)產(chǎn)生的有害高次諧波，避免微波泄漏，有效改善了磁控管電磁兼容性能。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；具體實(shí)施方式
實(shí)施例本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖如圖2所示，包括有端引片4、陶瓷支撐件2、管殼1、陽(yáng)極筒5、引線(xiàn)31、32，其中端引片4焊接在陶瓷支撐件2上，陶瓷支撐件2焊接在管殼1上，管殼1焊接在陽(yáng)極筒5上，引線(xiàn)31、32依次穿過(guò)陽(yáng)極筒5、管殼1、陶瓷支撐件2焊接在端引片4上，其中管殼1的開(kāi)孔部位12向管殼1的內(nèi)腔拉延一扼流圈13；上述扼流圈13的長(zhǎng)度為h＝λ/4，其中λ為波長(zhǎng)。
權(quán)利要求1.一種改善磁控管電磁兼容性能的真空管，包括有端引片(4)、陶瓷支撐件(2)、管殼(1)、陽(yáng)極筒(5)、引線(xiàn)(31)、(32)，其中端引片(4)焊接在陶瓷支撐件(2)上，陶瓷支撐件(2)焊接在管殼(1)上，管殼(1)焊接在陽(yáng)極筒(5)上，引線(xiàn)(31)、(32)依次穿過(guò)陽(yáng)極筒(5)、管殼(1)、陶瓷支撐件(2)焊接在端引片(4)上，其特征在于管殼(1)的開(kāi)孔部位(12)向管殼(1)的內(nèi)腔拉延一扼流圈(13)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善磁控管電磁兼容性能的真空管，其特征在于上述扼流圈(13)的長(zhǎng)度為h＝λ/4，其中λ為波長(zhǎng)。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型是一種改善磁控管電磁兼容性能的真空管，包括有端引片(4)、陶瓷支撐件(2)、管殼(1)、陽(yáng)極筒(5)、引線(xiàn)(31)、(32)，其中端引片(4)焊接在陶瓷支撐件(2)上，陶瓷支撐件(2)焊接在管殼(1)上，管殼(1)焊接在陽(yáng)極筒(5)上，引線(xiàn)(31)、(32)依次穿過(guò)陽(yáng)極筒(5)、管殼(1)、陶瓷支撐件(2)焊接在端引片(4)上，其中管殼(1)的開(kāi)孔部位(12)向管殼(1)的內(nèi)腔拉延一扼流圈(13)；本實(shí)用新型由于管殼的開(kāi)孔部位向管殼的內(nèi)腔拉延一扼流圈，可以削減除去諧振腔內(nèi)產(chǎn)生的有害高次諧波，避免微波泄漏，有效改善磁控管電磁兼容性能。
文檔編號(hào)H01J23/00GK2800482SQ20052005721
公開(kāi)日2006年7月26日 申請(qǐng)日期2005年4月20日 優(yōu)先權(quán)日2005年4月20日
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