專利名稱：磁控管的扼流結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于磁控管的技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種通過將扼流壁下部向 其外側(cè)均勻擴展突出，縮小扼流槽的開口從而抑制基本波整數(shù)倍頻的高 頻諧波泄漏的磁控管的扼流結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
圖1是現(xiàn)有技術(shù)的磁控管結(jié)構(gòu)縱剖視圖。如圖1所示，磁控管主 要包括有正電極部；負電極部；磁極部；微波發(fā)射部。正電極部由圓 桶形狀的正極外殼11，在正極外殼11的內(nèi)壁上形成有多個放射狀的葉 片12，葉片上下溝槽中焊接內(nèi)外環(huán)構(gòu)成。
負電極部包括在中心軸上由W (鎢)和TH (釷)元素形成的螺旋形 狀并可放射熱電子的燈絲13;在葉片12的末端和燈絲13之間形成使 熱電子旋轉(zhuǎn)的作用空間14;為了防止從燈絲13放射出來的熱電子從中 心軸上下方向脫離，在燈絲13的上端和下端形成上部密封件15和下部 密封件16;為了支撐燈絲13及引入電源，計了貫通下部密封件16 并連接上部密封件15的燈絲中央導(dǎo)桿17和與中央導(dǎo)桿17 —起引入電 源并連接下部密封件16的側(cè)面導(dǎo)桿18。
磁極部包括固定在正極外殼11的上端和下端且能形成磁通的上磁 極20，下磁極21;為了能使作用空間14上形成磁場，在上磁極20的 上端和下磁極21的下端安裝磁鐵22。
此外，還有貫通陶瓷部件31并連接燈絲中央導(dǎo)桿17 —端和側(cè)面導(dǎo) 桿18 —端進行濾波功能的濾波線圈32;連接濾波線圈32，并跨接于電 源兩端從外部引入電源的電容器33;形成在上磁極20的上部和下磁極 21的下部進行磁通作用的上部密封室41和下部密封室42;為了在作用 空間14里產(chǎn)生的高頻波發(fā)射到外部，設(shè)有連接在葉片12并貫通上磁極 20和上部密封室41中央引出來的天線51;為了冷卻在作用空間14里 產(chǎn)生并通過葉片12傳遞的熱量，設(shè)置有冷卻片61;另外還有把冷卻片 61保護在內(nèi)部并將冷卻片61傳遞的熱量散出的外殼19等部件。
外殼19包括從上側(cè)容納內(nèi)部裝置的上殼19a和從下側(cè)容納內(nèi)部裝 置的下殼19b。
圖中所示的排氣管60是磁控管組裝以后，進行排氣工序時為了把 磁控管變成真空狀態(tài)切斷的部分。
下面說明如上所述的磁控管工作情況。在磁鐵22產(chǎn)生的磁場通過
3上磁極20和下磁極21形成磁通時，在葉片12和燈絲13之間形成磁場。 當通過電容器33進行通電的時候，燈絲13在大約2000K溫度下放射熱 電子，熱電子在燈絲13與正電極部之間的4.0 KV到4.4KV和在磁鐵 22產(chǎn)生的磁場的作用下的作用空間14進行旋轉(zhuǎn)。
這樣，在通過中央導(dǎo)桿17和側(cè)面導(dǎo)桿18向燈絲13通電的時候， 在葉片12和燈絲13之間產(chǎn)生2450MHZ左右的電場，使熱電子在作用空 間14內(nèi)通過電場和磁場的作用下變成諧波，并使諧波傳遞到連接葉片 12的天線51發(fā)射到外部。
在作用空間產(chǎn)生的不僅有用于烹調(diào)的基本波(2450MHZ)，還有基本 波頻率整數(shù)倍的高頻諧波，主要包括第二高頻諧波(4900MHZ)、第三高 頻諧波(7350MHZ)、第四高頻諧波(9.8GHZ)、第五高頻諧波(12. 5GHZ) 等?；静ㄓ糜趯ξ⒉t內(nèi)的物品加熱，整數(shù)倍高頻諧波容易對周圍的 電器元件造成強烈的電磁干擾，而且對人體有害，因此必須盡量減少高 頻諧波從磁控管中泄漏。
圖2是現(xiàn)有技術(shù)中磁控管扼流結(jié)構(gòu)的剖視圖；圖3是現(xiàn)有技術(shù)中扼 流壁的剖視圖。
現(xiàn)有技術(shù)中磁控管的扼流結(jié)構(gòu)，包括設(shè)置于磁控管的正極外殼上
部并形成上部密封室的天線封蓋100和密閉焊接于天線封蓋內(nèi)部并與
天線封蓋內(nèi)壁共同形成扼流槽102的筒狀扼流壁101;天線封蓋上部的
天線出口處向上部密封室內(nèi)側(cè)彎曲，天線封蓋與扼流壁共軸。
作用空間中產(chǎn)生的電磁波進入到上部密封室時， 一部分整數(shù)倍高頻 諧波進入到扼流壁與天線封蓋內(nèi)壁間形成的扼流槽中，并在扼流槽中相 互抵消或振蕩衰減產(chǎn)生熱能，從而使部分高頻波消耗。由于更高頻率的 諧波帶寬更窄、波長更短，在傳統(tǒng)扼流槽中消耗掉的這部分諧波主要是 第二、第三高頻諧波?，F(xiàn)有技術(shù)中的扼流結(jié)構(gòu)并不能有效的對第四、第 五高頻諧波產(chǎn)生有利的抑制作用，致使大量第四、第五高頻諧波泄漏到 外部空間，從而對電器元件和人體產(chǎn)生不利的影響。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明為解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題而提供一種通過將扼流 壁下部向其外側(cè)均勻擴展突出，縮小扼流槽的開口從而抑制整數(shù)倍高頻 '諧波泄漏的磁控管的扼流結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明為解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題所采取的技術(shù)方案是 本發(fā)明的磁控管的扼流結(jié)構(gòu)，包括設(shè)置于磁控管的正極外殼上部 并形成上部密封室的天線封蓋和密閉焊接于天線封蓋內(nèi)部并與天線封 蓋內(nèi)壁共同形成扼流槽的筒狀扼流壁；天線封蓋上部的天線出口處向上部密封室內(nèi)側(cè)彎曲，天線封蓋與扼流壁共軸，扼流壁下部向其外側(cè)均勻 擴展突出，形成擴張部，擴張部與天線封蓋內(nèi)壁間的距離小于扼流壁其 他位置與天線封蓋內(nèi)壁間的距離。
本發(fā)明還可以采用如下技術(shù)措施
所述的扼流壁下部設(shè)置為向外展開的階梯狀開口，由此形成擴張 部，下層階梯處的直徑大于上部扼流壁處的直徑。
所述的擴張部的階梯高度為2-4毫米。 所述的擴張部相對扼流壁向外突出的距離為l-2毫米。 所述的扼流壁上部與天線封蓋內(nèi)壁間使用金屬銀進行密封焊接。
本發(fā)明具有的優(yōu)點和積極效果是
本發(fā)明的磁控管的扼流結(jié)構(gòu)中，扼流壁下部向其外側(cè)均勻擴展突 出，形成擴張部，擴張部與天線封蓋內(nèi)壁間的距離小于扼流壁其他位置 與天線封蓋內(nèi)壁間的距離，扼流壁的下部采用階梯狀結(jié)構(gòu)，從而使扼流 槽在上部密封室內(nèi)的出口縮小。頻率越高的高頻諧波其波長就越短，就 越容易在天線封蓋的內(nèi)壁附近分布，因此會進入到扼流槽中，由于扼流 槽的出口較小且采用階梯結(jié)構(gòu)，大部分基本波整數(shù)倍的高頻諧波尤其是 第四、第五高頻諧波容易在扼流槽出口處發(fā)生反射，不會輕易發(fā)散，從 而留在扼流槽內(nèi)繼續(xù)振蕩衰減，直至轉(zhuǎn)化為熱量。因此，減少了基本波 整數(shù)倍的高頻諧波向外界的發(fā)散量，減小了高頻諧波對周圍人體和電器 元件的不利影響。


圖r是現(xiàn)有技術(shù)的磁控管結(jié)構(gòu)縱剖視圖2是現(xiàn)有技術(shù)中磁控管扼流結(jié)構(gòu)的剖視圖3是現(xiàn)有技術(shù)中扼流壁的剖視圖4本發(fā)明的磁控管扼流結(jié)構(gòu)的剖視圖5是本發(fā)明中扼流壁的剖視圖。
具體實施例方式
下面結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明進行詳細的說明。
圖4本發(fā)明的磁控管扼流結(jié)構(gòu)的剖視圖；圖5是本發(fā)明中扼流壁的
剖視圖。
如圖4、圖5所示，本發(fā)明的磁控管的扼流結(jié)構(gòu)由天線封蓋100 和扼流壁101組成。在磁控管的正極外殼上部連接固定有銅材質(zhì)的天線 封蓋，天線封蓋與正極外殼之，司密閉連接，并在天線封蓋內(nèi)部形成上部 密封室，起到諧波發(fā)射作用的天線穿過上部密封室并從天線封蓋上端的 天線出口通出。天線封蓋上部的天線出口處向上部密封室內(nèi)側(cè)彎曲，使天線封蓋在上部密封室內(nèi)形成部分側(cè)壁，當磁控管工作時，此部分側(cè)壁 同樣會起到一定的扼流作用。
扼流壁同樣采用銅材質(zhì)，為圓筒狀結(jié)構(gòu)，其直徑大于天線出口的 直徑且小于天線封蓋直徑，上部留有焊接固定邊，通過焊接固定邊使用 金屬銀將扼流壁焊接在天線封蓋形成的上部密封室內(nèi)部，扼流壁與天線 封蓋內(nèi)壁的焊接處采用緊密焊接不留縫隙，保證高頻諧波不會從兩者的 結(jié)合部位泄漏。扼流壁與天線封蓋共軸，扼流壁與天線封蓋內(nèi)壁之間留 有距離，其間形成扼流槽102，扼流槽的橫截面為圓環(huán)狀。
扼流壁下部向其外側(cè)均勻擴展突出，形成階梯狀結(jié)構(gòu)，下層階梯 處的直徑大于上部扼流壁處的直徑，從而構(gòu)成擴張部103，擴張部處的 扼流壁與天線封蓋內(nèi)壁間的距離較其它位置的扼流槽寬度要小，可視為 整個扼流槽在下方設(shè)置的開口，高頻諧波可以進入到扼流槽內(nèi)，但經(jīng)過 多次反射大部分高頻諧波不易從扼流槽中重新發(fā)散出來。為保證扼流槽 出口處具有諧波的反射能力，將擴張部相對于扼流壁向外突出的距離設(shè)
置為1.5毫米，形成相對扼流槽內(nèi)部方向的反射面。將擴張部階梯的高 度設(shè)置為3毫米，使扼流槽抑制進入其內(nèi)部的高頻諧波再次發(fā)散出的能 力加強。
當磁控管工作時，在葉片和燈絲之間產(chǎn)生2450腿Z左右的電場， 使熱電子在作用空間內(nèi)通過電場和磁場的作用下產(chǎn)生2450MHZ的微波 基本波及其整數(shù)倍頻率的高頻諧波。諧波從作用空間中進入到上部密封 室，頻率越高的諧波發(fā)散能力越強，就會越遠離于天線所處的中軸位置， 因此在微波天線處主要匯集基本波，在據(jù)中心天線稍遠的位置匯集了第 二、第三高頻諧波，在相對遠離天線接近于天線封蓋內(nèi)壁的位置匯集第 四、第五高頻諧波。高頻諧波進入到扼流壁與天線封蓋內(nèi)壁間形成的扼 流槽中，經(jīng)過多次反射再次達到扼流槽開口位置時，由于扼流槽的出口 處設(shè)置擴張部并在此處形成反射面，高頻諧波不會順利的直接從扼流槽 中發(fā)散出f而是在此經(jīng)由反射再次進入扼流槽內(nèi)部，重新在扼流槽中繼 續(xù)振蕩，并在扼流槽中相互抵消或衰減轉(zhuǎn)化為熱能，并通過磁孔管的散 熱構(gòu)件將熱量釋放，從而減少了第四、第五高頻諧波隨基本波發(fā)散出磁 控管的總量。
以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實施例而已，并非對本發(fā)明作任何 形式上的限制，雖然本發(fā)明己以較佳實施例公開如上，然而，并非用以 限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范 圍內(nèi)，當然會利用揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動或修飾，成為等同變化 的等效實施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均屬于本 發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1、一種磁控管的扼流結(jié)構(gòu)，包括設(shè)置于磁控管的正極外殼上部并形成上部密封室的天線封蓋和密閉焊接于天線封蓋內(nèi)部并與天線封蓋內(nèi)壁共同形成扼流槽的筒狀扼流壁；天線封蓋上部的天線出口處向上部密封室內(nèi)側(cè)彎曲，天線封蓋與扼流壁共軸，其特征在于扼流壁下部向其外側(cè)均勻擴展突出，形成擴張部，擴張部與天線封蓋內(nèi)壁間的距離小于扼流壁其他位置與天線封蓋內(nèi)壁間的距離。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控管的扼流結(jié)構(gòu)，其特征在于扼流壁下部設(shè)置為向外展開的階梯狀開口，由此形成擴張部，下層階梯處的直徑大于上部扼流壁處的直徑。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的磁控管的扼流結(jié)構(gòu)，其特征在于擴張部的階梯高度為2-4毫米。
4、 根據(jù)權(quán)利要求2、 3所述的磁控管的扼流結(jié)構(gòu)，其特征在于擴張部相對扼流壁向外突出的距離為1-2毫米。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控管的扼流結(jié)構(gòu)，其特征在于扼流壁上部與天線封蓋內(nèi)壁間使用金屬銀進行密封焊接。
全文摘要
一種磁控管的扼流結(jié)構(gòu)，包括設(shè)置于磁控管的正極外殼上部并形成上部密封室的天線封蓋和密閉焊接于天線封蓋內(nèi)部并與天線封蓋內(nèi)壁共同形成扼流槽的筒狀扼流壁；天線封蓋上部的天線出口處向上部密封室內(nèi)側(cè)彎曲，天線封蓋與扼流壁共軸，扼流壁下部向其外側(cè)均勻擴展突出，形成擴張部，擴張部與天線封蓋內(nèi)壁間的距離小于扼流壁其他位置與天線封蓋內(nèi)壁間的距離。大部分基本波整數(shù)倍的高頻諧波尤其是第四、第五高頻諧波容易在扼流槽出口處發(fā)生反射，不會輕易發(fā)散，從而留在扼流槽內(nèi)繼續(xù)振蕩衰減，直至轉(zhuǎn)化為熱量。因此，減少了基本波整數(shù)倍的高頻諧波向外界的發(fā)散量，減小了高頻諧波對周圍人體和電器元件的不利影響。
文檔編號H01J23/15GK101640156SQ20081005404
公開日2010年2月3日 申請日期2008年8月1日 優(yōu)先權(quán)日2008年8月1日
發(fā)明者軍 李 申請人:樂金電子(天津)電器有限公司