專利名稱：真空器件的封接裝置以及封接方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及真空技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種真空器件的封接裝置以及采用 該封接裝置封接真空器件的方法。
背景技術(shù)：
真空技術(shù)在真空電子器件的制造中起著重要的作用，真空問題越來越引
起人們的關(guān)注("i貪參見,Vacuum problems of miniaturization of vacuum electronic component: a new generation of compact photomultipliers, Vacuum V64， P15-31 (2002))。真空器件的封接質(zhì)量對器件的使用壽命具有重要的影 響。
請參閱圖1,現(xiàn)有技術(shù)提供了一種真空器件的封接裝置20以及采用該真空 器件的封接裝置20對真空器件進(jìn)行封接的方法。該真空器件的封接裝置20包 括一真空室202; —前容置室204與后容置室206分別通過第 一 閘門208與第二 閘門210與該真空室202兩端相連通； 一抽真空系統(tǒng)214分別與該前容置室204 與后容置室206以及真空室202相連通；至少一運(yùn)輸裝置212設(shè)置于該真空室 202內(nèi)，該運(yùn)輸裝置212可以在前容置室204與后容置室206以及真空室202之間 運(yùn)動； 一聚光封口裝置216設(shè)置于該真空室202外，該聚光封口裝置216可以通 過透光孔218對真空室202內(nèi)的預(yù)封接器件220的排氣管222進(jìn)行加熱封接。
采用上述真空器件的封接裝置20對預(yù)封接器件220進(jìn)行封接的方法具體 包括以下步驟提供至少一預(yù)封接器件220,該預(yù)封接器件220包括一排氣管 222;將該至少一預(yù)封接器件220置于前容置室204內(nèi)的運(yùn)輸裝置212上，對前 容置室204抽真空，使前容置室204與真空室202的真空度相同；打開第一閘門 208使載有預(yù)封接器件220的運(yùn)輸裝置212進(jìn)入真空室202后關(guān)閉第 一 閘門208; 對真空室202抽真空一段時間后，使預(yù)封接器件220逐個從聚光封口裝置216 下方通過，通過聚光封口裝置216照射排氣管222，對預(yù)封接器件220進(jìn)行逐個 封接；對后容置室206抽真空，使后容置室206與真空室202的真空度相同；打 開第二閘門210,使封接后的預(yù)封接器件220進(jìn)入后容置室206后關(guān)閉第二閘門210;將封接后的預(yù)封接器件220從后容置室206取出。重復(fù)上述步驟，可以實(shí) 現(xiàn)對多個預(yù)封接器件220的連續(xù)封接。
然而，采用上述裝置及方法對真空器件進(jìn)行封接具有以下不足第一， 需要在預(yù)封接器件220上預(yù)先設(shè)置一排氣管222，并將該排氣管222與預(yù)封接器 件220封接，所以工藝較為復(fù)雜，成本也較高。第二，采用排氣管222排氣封 接，在封裝好的真空器件上就會留下一突起的尾巴狀排氣管，這對真空器件 的安全性和穩(wěn)定性帶來威脅。第三，排氣管222在加熱時放出的氣體會進(jìn)入預(yù) 封接器件220內(nèi)，從而影響真空器件的真空度。另外，上述真空器件的封接裝 置需要專門的聚光封口裝置，提高了制備成本。
有鑒于此，確有必要提供一種真空器件的封接裝置以及封接方法，該封 接裝置無需專門的聚光封口裝置，且該封接方法可以降低制備成本，獲得高 真空度，且沒有安全隱患的真空器件。

發(fā)明內(nèi)容
一種真空器件的封接裝置，其包括 一真空室； 一前容置室與一后容置 室分別通過第 一閘門與第二閘門與該真空室兩端相連通； 一抽真空系統(tǒng)分別 與該前容置室、后容置室以及真空室相連通；至少一運(yùn)輸裝置，可于前容置 室、真空室以及后容置室之間運(yùn)動；其中，該真空器件的封接裝置進(jìn)一步包 括 一裝有多個密封件的外置容器設(shè)置于所述真空室上方，該外置容器通過 一輸入管道與真空室相連通，所述輸入管道上設(shè)有控制部件； 一第一加熱裝 置設(shè)置于輸入管道與第二閘門之間的真空室內(nèi)壁上。
一種采用上述封接裝置對真空器件進(jìn)行封接的方法，其包括以下步驟 提供至少一預(yù)封接器件，所述預(yù)封接器件包括一殼體以及一排氣孔；將該至 少一預(yù)封接器件置于前容置室內(nèi)的運(yùn)輸裝置上，并通過該抽真空系統(tǒng)對前容 置室進(jìn)行抽真空；使載有預(yù)封接器件的運(yùn)輸裝置進(jìn)入真空室，通過輸入管道 的下方，在每個預(yù)封接器件的排氣孔上設(shè)置一密封件，并加熱使該密封件熔 化，從而對預(yù)封接器件的排氣孔進(jìn)行逐個封接，而后凝固；對后容置室進(jìn)行 抽真空，并使該封接好的真空器件進(jìn)入后容置室，且通過后容置室將該封接 好的真空器件取出。
與現(xiàn)有技術(shù)相比較，本技術(shù)方案提供的真空器件的封接裝置及封接方法具有以下優(yōu)點(diǎn)第一，無需在預(yù)封接器件上預(yù)先設(shè)置一排氣管，后續(xù)也無需 一將該排氣管與預(yù)封接器件封接的步驟，簡化了制備工藝。第二，制備得到 的真空器件沒有突起的尾巴狀排氣管，提高了真空器件的安全性和穩(wěn)定性。 第三，無需排氣管，避免了加熱軟化排氣管時放出的氣體進(jìn)入預(yù)封接器件內(nèi)， 提高了真空器件的真空度。第四，該真空器件的封接裝置無需專門的聚光封 口裝置，降低了制備成本。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)的真空器件的封接裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2為本技術(shù)方案的真空器件的封接裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖3為采用本技術(shù)方案的真空器件的封接裝置封接真空器件的流程圖。
具體實(shí)施例方式
以下將結(jié)合附圖詳細(xì)說明本技術(shù)方案的真空器件的封接裝置以及真空 器件的封接方法。
請參閱圖2，本技術(shù)方案實(shí)施例提供了一種真空器件的封接裝置30。該 真空器件的封接裝置30包括 一真空室302; —前容置室304與后容置室 306分別通過第一閘門312與第二閘門314與該真空室302兩端相連通；一 抽真空系統(tǒng)308分別與該前容置室304、后容置室306以及真空室302相連 通；至少一運(yùn)輸裝置310,可于前容置室304、真空室302以及后容置室306 之間運(yùn)動； 一可控溫的第一加熱裝置336設(shè)置于真空室302內(nèi)； 一外置容器 316設(shè)置于真空室302上方，且通過一輸入管道334與真空室302相連通。
所述真空室302與前容置室304以及后容置室306的容積不限，可以根 據(jù)實(shí)際情況設(shè)計。其中，真空室302用來對預(yù)封接器件330進(jìn)行烘烤、排氣 和封接。前容置室304用來對預(yù)封接器件330進(jìn)行預(yù)抽真空，以保證真空室 302內(nèi)具有較高真空度。后容置室306用來對預(yù)封接器件330進(jìn)行降溫。且， 通過后容置室306可以將封接好的電子器件取出，而不會影響真空室302內(nèi) 的正常工作。
所述抽真空系統(tǒng)308可以為 一機(jī)械泵配合一分子泵，或?yàn)?一機(jī)械泵配合 一冷凝泵。其中，機(jī)械泵用來抽低真空，分子泵或冷凝泵用來抽高真空。所述運(yùn)輸裝置310可以為一托架或其它運(yùn)輸裝置。該運(yùn)輸裝置310可以 連續(xù)地運(yùn)輸多個預(yù)封接器件330,且每次可以運(yùn)輸多個預(yù)封接器件330。
所述外置容器316設(shè)置于真空室302上方，用來裝載密封件322。該外 置容器316與上述抽真空系統(tǒng)308相連通。該外置容器316在裝滿密封件322 后可以進(jìn)行抽真空密封。該外置容器316的底部通過一輸入管道334與真空 室302相連通，且該管道334延伸至真空室302內(nèi)部。其中，所述密封件322 為低熔點(diǎn)玻璃球，且密封件322的直徑大于排氣孔338的直徑。可以理解， 該密封件322也可以采用板狀、錐狀或其它形狀。
在輸入管道334位于真空室302外部的部分設(shè)有一控制部件，該控制部 件可以為一第一真空傳動桿318與一第二真空傳動桿320。通過該第一真空 傳動桿318與第二真空傳動桿320，可以控制外置容器316內(nèi)的密封件322 逐個進(jìn)入真空室302內(nèi)。具體實(shí)現(xiàn)過程為首先，打開第一真空傳動桿318, 使一密封件322進(jìn)入第一真空傳動桿318與第二真空傳動桿320之間；其次， 關(guān)閉第一真空傳動桿318;然后，打開第二真空傳動桿320，該密封件322 進(jìn)入真空室302內(nèi)。
所述可控溫的第一加熱裝置336設(shè)置于真空室302的內(nèi)壁，且位于輸入 管道334與第二閘門314之間的位置。通過該可控溫的第一加熱裝置336可 以對落在排氣孔338上的密封件322進(jìn)行加熱，使密封件322軟化并將排氣 孔338封接。進(jìn)一步，本實(shí)施例中，還可以在第一閘門312與輸入管道334 之間設(shè)置一可控溫的第二加熱裝置340,用來對預(yù)封接器件330進(jìn)行烘烤排 氣。所述第一加熱裝置336與第二加熱裝置340可以為電熱絲、紅外照射器 或激光照射器等。
可以理解，通過所述可控溫的第一加熱裝置336與第二加熱裝置340可 以使真空室302在使用時，從第一閘門312到第二閘門314之間分別形成第 一溫度梯度空間324、第二溫度梯度空間326和第三溫度梯度空間328。其 中，第二加熱裝置340對應(yīng)于位于第一閘門312與輸入管道334之間的第一 溫度梯度空間324,第一加熱裝置336對應(yīng)于位于輸入管道334與第二閘門 314之間的第二溫度梯度空間326，第三溫度梯度空間328位于第二溫度梯 度空間326與第二閘門314之間。
本實(shí)施例中，溫度梯度空間的劃分以圖2中虛線為準(zhǔn)。所述第一溫度梯度空間324為中溫區(qū)，用來對預(yù)封接器件330進(jìn)行烘烤排氣。第二溫度梯度 空間326為高溫區(qū)，用來對排氣孔338上的密封件322進(jìn)行加熱軟化。第三 溫度梯度空間328為低溫區(qū)，使軟化的密封件322凝固，將預(yù)封接器件330 的排氣孔338封接。其中，第二溫度梯度空間326的溫度應(yīng)偏高于密封件322 的軟化溫度。
所述第一溫度梯度空間324，第二溫度梯度空間326以及第三溫度梯度 空間328的溫度范圍與所選低熔點(diǎn)玻璃粉的軟化溫度有關(guān)。本實(shí)施例中，采 用軟化溫度為30(TC的低熔點(diǎn)玻璃粉制備密封件322。所述第一溫度梯度空 間324的溫度范圍為200 300°C，第二溫度梯度空間326的溫度范圍為 300 350°C,第三溫度梯度空間328的溫度范圍為50~200°C。
本實(shí)施例提供的真空器件的封接裝置30，通過真空室302內(nèi)的溫度梯度 分布實(shí)現(xiàn)對預(yù)封接器件330的烘烤排氣和封接，無需專門的聚光封口裝置， 降低了制備成本。
請參閱圖2及圖3，本技術(shù)方案實(shí)施例進(jìn)一步提供了一種采用上述真空 器件的封接裝置30封接真空器件的方法，其具體包括以下步驟
步驟一，提供至少一預(yù)封接器件330，所述預(yù)封接器件330包括一殼體 332以及一排氣孔338。
所述預(yù)封接器件330包括一殼體332的材料可以為玻璃，金屬等任何可 以通過低熔點(diǎn)玻璃粉封接的材料。所述預(yù)封接器件330的大小根據(jù)實(shí)際情況 選擇。所述排氣孔338的孔徑不限，可以盡量開大，但是要根據(jù)預(yù)封接器件 330的大小選擇。
本實(shí)施例中的預(yù)封接器件330為一真空電子器件。殼體332為玻璃，殼 體332上開有一排氣孔338。該預(yù)封接器件330還進(jìn)一步包括了置于該殼體 332內(nèi)的其他電子元件(圖中未顯示)。該排氣孔338的孔徑優(yōu)選為2~10毫 米?？梢岳斫?，排氣孔338的孔徑不宜太小或太大。孔徑太小不利于快速排 氣，但孔徑太大會影響封接后的穩(wěn)固性。
可以理解，所述預(yù)封接器件330不限于真空電子器件，任何需進(jìn)行永久 性封裝的器件均可。
步驟二，將該至少一預(yù)封接器件330置于前容置室304內(nèi)的運(yùn)輸裝置 310上，并對前容置室304進(jìn)行抽真空。首先，將預(yù)封接器件330按照預(yù)定順序排列在運(yùn)輸裝置310上，且要確 保預(yù)封接器件330的排氣孔338向上。
然后，關(guān)閉前容置室304，并對前容置室304進(jìn)行抽真空。
可以理解，本實(shí)施例中，可以僅用機(jī)械泵對前容置室304抽低真空，也 可以先用機(jī)械泵對前容置室304抽低真空，再用分子泵或冷凝泵對前容置室 304抽高真空，使前容置室304與真空室302的真空度相同。
步驟三，使該至少一預(yù)封接器件330進(jìn)入真空室302，并對該至少一預(yù) 封接器件330進(jìn)行逐個封接。
首先，打開第一閘門312,使裝有預(yù)封接器件330的運(yùn)輸裝置310進(jìn)入 真空室302后，關(guān)閉第一閘門312。
可以理解，在預(yù)封接器件330進(jìn)入真空室302后，需要進(jìn)一步對真空室 302進(jìn)行抽高真空，以確保預(yù)封接器件330可以有較高的真空度。尤其是在 步驟二中沒有對前容置室304抽高真空的情況下，該進(jìn)一步對真空室302進(jìn) 行抽高真空的步驟更為必要。
其次，使裝有預(yù)封接器件330的運(yùn)輸裝置310通過第一溫度梯度空間
324。
在此過程中完成對預(yù)封接器件330的烘烤排氣，并在排氣結(jié)束后使預(yù)封 接器件330在運(yùn)輸裝置310的帶動下逐個通過輸入管道334的下方。提前打 開第一真空傳動桿318，使一密封件322進(jìn)入第一真空傳動桿318與一第二 真空傳動桿320之間，然后關(guān)閉第一真空傳動桿318。當(dāng)預(yù)封接器件330的 排氣孔338到達(dá)輸入管道334的下方時，打開第二真空傳動桿320，使一個 密封件322通過該輸入管道334由外置容器316進(jìn)入真空室302內(nèi)的預(yù)封接 器件330的排氣孔338處。由于密封件322的直徑大于排氣孔338的直徑， 使得該密封件322卡在排氣孔338 口 ，而不落入預(yù)封接器件330的內(nèi)部。
本實(shí)施例中，所述密封件322的直徑為2~10毫米，材料為低熔點(diǎn)玻璃 粉。所述第一溫度梯度空間324,第二溫度梯度空間326以及第三溫度梯度 空間328的溫度范圍與所選低熔點(diǎn)玻璃粉的軟化溫度有關(guān)。本實(shí)施例中，采 用軟化溫度為300。C的低熔點(diǎn)玻璃粉制備密封件322。所述第一溫度梯度空 間324的溫度范圍為200~300°C，第二溫度梯度空間326的溫度范圍為 300~350°C，第三溫度梯度空間328的溫度范圍為50~200°C 。進(jìn)一步，該低熔點(diǎn)玻璃粉在制備成密封件322之前先在真空環(huán)境下熔煉 約30~60分鐘。采用真空熔煉后的低熔點(diǎn)玻璃粉制作的密封件322在后續(xù)加 熱軟化封接的過程中，就不會有氣體排出，從而避免了有氣體進(jìn)入預(yù)封接器 件300內(nèi)，使得封接的真空器件可以具有較高的真空度。
再次，使裝有預(yù)封接器件330的運(yùn)輸裝置310通過第二溫度梯度空間
326。
在此過程中，由于第二溫度梯度空間326的溫度偏高于密封件322的軟 化溫度。所以，位于排氣孔338上的密封件322開始軟化，并將排氣孔338 封住。
最后，使裝有預(yù)封接器件330的運(yùn)輸裝置310通過第三溫度梯度空間
328。
在此過程中，由于第三溫度梯度空間328為低溫區(qū)，所以位于排氣孔 338上軟化的密封件322開—凝固，并將排氣孔338封接。
步驟四，對后容置室306進(jìn)行抽真空，并使該至少一預(yù)封接器件330進(jìn) 入后容置室306，且通過后容置室306將該預(yù)封接器件330取出。
對后容置室306進(jìn)行抽真空的過程與對前容置室304進(jìn)行抽真空的步驟 相同。當(dāng)后容置室306的真空度與真空室302內(nèi)的真空度相同時，打開第二 閘門314。使裝有預(yù)封接器件330的運(yùn)輸裝置310進(jìn)入后容置室306后，關(guān) 閉第二閘門314。然后，向后容置室306通入氣體，當(dāng)氣體的壓強(qiáng)達(dá)到大氣 壓強(qiáng)后，將封接好的真空器件取出。
進(jìn)一步，本實(shí)施例在將封接好的真空器件取出前，還包括一對封接好的 真空器件進(jìn)行冷卻的步驟。冷卻可以是自然冷卻，也可以是水冷或風(fēng)冷。
與現(xiàn)有技術(shù)相比較，本技術(shù)方案提供的真空器件的封接方法具有以下優(yōu) 點(diǎn)第一，無需在預(yù)封接器件上預(yù)先設(shè)置一排氣管，后續(xù)也無需一將該排氣 管與預(yù)封接器件封接的步驟，簡化了制備工藝。第二，制備得到的真空器件 沒有突起的尾巴狀排氣管，提高了真空器件的安全性和穩(wěn)定性。第三，無需 排氣管，避免了加熱軟化排氣管時放出的氣體進(jìn)入預(yù)封接器件內(nèi)，提高了真 空器件的真空度。
另外，本領(lǐng)域技術(shù)人員還可在本發(fā)明精神內(nèi)做其他變化，當(dāng)然，這些依 據(jù)本發(fā)明精神所做的變化，都應(yīng)包含在本發(fā)明所要求保護(hù)的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種真空器件的封接裝置，其包括一真空室；一前容置室與一后容置室，且該前容置室與后容置室分別通過一第一閘門與一第二閘門與該真空室兩端相連通；一抽真空系統(tǒng)分別與該前容置室、后容置室以及真空室相連通；至少一運(yùn)輸裝置，可于前容置室、真空室以及后容置室之間運(yùn)動；其特征在于，該真空器件的封接裝置進(jìn)一步包括一裝有多個密封件的外置容器設(shè)置于所述真空室上方，該外置容器通過一輸入管道與真空室相連通，所述輸入管道上設(shè)有控制部件；一第一加熱裝置設(shè)置于輸入管道與第二閘門之間的真空室內(nèi)壁上。
2. 如權(quán)利要求1所述的真空器件的封接裝置，其特征在于，進(jìn)一步包括一第二 加熱裝置設(shè)置于第 一 閘門與輸入管道之間的真空室內(nèi)壁上。
3. 如權(quán)利要求2所述的真空器件的封接裝置，其特征在于，所述第一加熱裝置 與第二加熱裝置于第一閘門到第二閘門之間定義了 一第一溫度梯度空間、一第二溫度梯度空間和一第三溫度梯度空間，其中，第二加熱裝置對應(yīng)于位于 第一閘門與輸入管道之間的第一溫度梯度空間，第 一加熱裝置對應(yīng)于位于輸 入管道與第二閘門之間的第二溫度梯度空間，第三溫度梯度空間位于第二溫 度梯度空間與第二閘門之間。
4. 如權(quán)利要求3所述的真空器件的封接裝置，其特征在于，所述第一加熱裝置 與第二加熱裝置為電熱絲、紅外照射器或激光照射器。
5. 如權(quán)利要求4所述的真空器件的封接裝置，其特征在于，所述密封件為低熔 點(diǎn)玻璃球。
6. 如權(quán)利要求5所述的真空器件的封接裝置，其特征在于，所述控制部件為一 第一真空傳動桿與一第二真空傳動桿。
7. —種采用如權(quán)利要求1所述的真空器件的封接裝置封接真空器件的方法，其 包括以下步驟提供至少一預(yù)封接器件，所述預(yù)封接器件包括一殼體以及一排氣孔；將該至少 一預(yù)封接器件置于前容置室內(nèi)的運(yùn)輸裝置上，并通過該抽真空系統(tǒng)對前容置室進(jìn)行抽真空；使載有預(yù)封接器件的運(yùn)輸裝置進(jìn)入真空室，通過輸入管道的下方，在每個預(yù) 封接器件的排氣孔上設(shè)置一密封件，并加熱使該密封件熔化，從而對預(yù)封接 器件的排氣孔進(jìn)行逐個封接，而后凝固；以及對后容置室進(jìn)行抽真空，并使該封接好的真空器件進(jìn)入后容置室，而后向該 后容置室通入氣體，且通過后容置室將該封接好的真空器件取出。
8. 如權(quán)利要求7所述的真空器件的封接方法，其特征在于，所述預(yù)封接器件的 材料為玻璃或金屬。
9. 如權(quán)利要求7所述的真空器件的封接方法，其特征在于，所述預(yù)封接器件的 排氣孔的孔徑為2~10毫米。
10. 如權(quán)利要求7所述的真空器件的封接方法，其特征在于，所述真空室在工作 時，從第一閘門到第二閘門之間分別形成一第一溫度梯度空間、 一第二溫度 梯度空間和一第三溫度梯度空間，其中第一溫度梯度空間為中溫區(qū)，第二溫 度梯度空間為高溫區(qū)，第三溫度梯度空間為低溫區(qū)。
11. 如權(quán)利要求IO所述的真空器件的封接方法，其特征在于，第二溫度梯度空間 的溫度應(yīng)高于密封件的軟化溫度。
12. 如權(quán)利要求11所述的真空器件的封接方法，其特征在于，所述第一溫度梯度 空間的溫度范圍為200~300°C，第二溫度梯度空間的溫度范圍為300~350°C， 第三溫度梯度空間的溫度范圍為50~200°C。
13. 如權(quán)利要求12所述的真空器件的封接方法，其特征在于，使該至少一預(yù)封接 器件進(jìn)入真空室后，依次通過第一溫度梯度空間、第二溫度梯度空間和第三 溫度梯度空間，且將所述密封件設(shè)置于該預(yù)封接器件的排氣孔上的步驟在預(yù) 封接器件進(jìn)入第二溫度梯度空間前進(jìn)行。
14. 如權(quán)利要求13所述的真空器件的封接方法，其特征在于，使該預(yù)封接器件通 過第一溫度梯度空間時，通過第二加熱裝置對預(yù)封接器件進(jìn)行烘烤排氣。
15. 如權(quán)利要求7所述的真空器件的封接方法，其特征在于，所述的密封件的材 料為低熔點(diǎn)玻璃粉，且該低熔點(diǎn)玻璃粉在制備成密封件之前先在真空環(huán)境下 熔煉約30~60分鐘。
16.如權(quán)利要求7所述的真空器件的封接方法，其特征在于，使該預(yù)封接器件進(jìn) 入后容置室之后，進(jìn)一步通過自然冷卻、水冷或風(fēng)冷對封接好的真空器件進(jìn) 行冷卻。
全文摘要
一種真空器件的封接裝置，其包括一真空室；一前容置室與一后容置室分別通過第一閘門與第二閘門與該真空室兩端相連通；一抽真空系統(tǒng)分別與該前容置室、后容置室以及真空室相連通；至少一運(yùn)輸裝置，可于前容置室、真空室以及后容置室之間運(yùn)動；其中，該真空器件的封接裝置進(jìn)一步包括一裝有多個密封件的外置容器設(shè)置于所述真空室上方，該外置容器通過一輸入管道與真空室相連通，所述輸入管道上設(shè)有控制部件；一第一加熱裝置設(shè)置于輸入管道與第二閘門之間的真空室內(nèi)壁上。
文檔編號H01J9/26GK101587808SQ200810067428
公開日2009年11月25日 申請日期2008年5月23日 優(yōu)先權(quán)日2008年5月23日
發(fā)明者亮 劉, 杜秉初, 鵬 柳, 范守善, 郭彩林, 陳丕瑾 申請人:清華大學(xué);鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司