專利名稱：Led背光裝置和lcd裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及LED背光裝置和使用該LED背光裝置的LCD裝置. 背景技術(shù)在一般LCD(液晶顯示器)裝置中，光是由光源發(fā)射并入射在LCD 面板上，LCD裝置配置成改變?cè)O(shè)置于LCD面板上的液晶(像素)的分 子定向(molecular alignment )，從而利用透過(guò)LCD面板的光來(lái)顯示閨 像.這種LCD裝置中使用的光源稱為背光，因?yàn)楣庠丛O(shè)置于LCD面 板的背側(cè)(即，與LCD面板的顯示表面相對(duì)的一側(cè)).常規(guī)光源是由 冷陰極射線管或半導(dǎo)體發(fā)光元件組成.使用半導(dǎo)體發(fā)光元件的光源已 經(jīng)廣泛使用，這是因?yàn)檫@種光源具有長(zhǎng)壽命且有助于減小功耗，就此而言，已知一種使用LED (發(fā)光二極管)作為上迷半導(dǎo)體發(fā) 光元件的表面發(fā)射光源.這種表面發(fā)射光源具有稱為導(dǎo)光板或光漫射 板的板狀構(gòu)件用于引導(dǎo)由LED發(fā)射的光.由LED發(fā)射的光入射到導(dǎo) 光板的端面上.導(dǎo)光板反射和漫射沿與導(dǎo)光板表面垂直方向的入射光， 并從導(dǎo)光板表面發(fā)射該光(見專利文獻(xiàn)1).專利文獻(xiàn)1:日本特開平專利4^開No.11-232920,然而，在常規(guī)背光裝置中，隨著與入射表面(即，導(dǎo)光板的端面) 的距離增大，在導(dǎo)光板內(nèi)部漫射的光由于反射和漫射而趨于衰減.因 此，為了在整個(gè)表面上均勻地獲得高的光強(qiáng)度，導(dǎo)光板的結(jié)構(gòu)變得復(fù) 雜且LED背光裝置需要較厚，發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明旨在解決上迷問(wèn)題，且本發(fā)明的目的是提供一種能夠提供 高光強(qiáng)度的薄LED背光裝置，以及使用該LED背光裝置的LCD裝置.本發(fā)明提供了一種背光裝置，包括第一基板；LED薄膜分層結(jié) 構(gòu)，固定到該第一基板的表面，該LED薄膜分層結(jié)構(gòu)是由外延生長(zhǎng)的 無(wú)機(jī)材料層形成為P-N結(jié)裝置；陽(yáng)極電極和陰極電極，形成于該LED薄膜分層結(jié)構(gòu)上；陽(yáng)極驅(qū)動(dòng)器IC和陰極驅(qū)動(dòng)器IC,用于驅(qū)動(dòng)該LED 薄膜分層結(jié)構(gòu)；布線結(jié)構(gòu)，該布線結(jié)構(gòu)電連接該陽(yáng)極驅(qū)動(dòng)器IC和該 LED薄膜分層結(jié)構(gòu)的該陽(yáng)極電極，并電連接該陰極驅(qū)動(dòng)器IC和該LED 薄膜分層結(jié)構(gòu)的該陰極電極；第二基板，具有透光性并設(shè)置為面對(duì)其 上形成該LED薄膜分層結(jié)構(gòu)的該第一基板的表面；以及熒光體，形成 于該笫二基板的面向該笫一基板的表面上，并設(shè)置于與該LED薄膜分 層結(jié)構(gòu)相對(duì)應(yīng)的位置上.由于其上形成有該LED薄膜分層結(jié)構(gòu)的第一基板和其上形成有 熒光體的第二基板(具有透光性)彼此面對(duì)，因此可以獲得提供高光 強(qiáng)度的薄LED背光裝置.通過(guò)下文的詳細(xì)描述，本發(fā)明的其他應(yīng)用范閨將顯而易見.然而 應(yīng)理解，這些詳細(xì)描述和具體示例雖然示出本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，但 僅僅是出于說(shuō)明的目的，因?yàn)轱@而易見的是本領(lǐng)域技術(shù)人員通過(guò)該詳 細(xì)描述可以在本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)進(jìn)行各種變化和改進(jìn).


附圖中圖1為示出本發(fā)明第一實(shí)施例的包括LED背光裝置的LCD裝置主要部件的側(cè)面剖視圖；圖2為示出本發(fā)明第一實(shí)施例的LED元件部分的透視圖；圖3為示出本發(fā)明第一實(shí)施例的熒光體片部分的透視圖；圖4為示出本發(fā)明笫一實(shí)施例的散熱板的透視圖；圖5為示出本發(fā)明第一實(shí)施例的用于剝離LED薄膜分層結(jié)構(gòu)的工藝的示意圖；圖6為示出本發(fā)明第一實(shí)施例的用于將LED薄膜分層結(jié)構(gòu)集成到 基板的工藝的示意圖；圖7為示出本發(fā)明第二實(shí)施例的LED背光裝置的側(cè)面剖視圖；圖8為示出本發(fā)明笫三實(shí)施例的LED背光裝置的側(cè)面剖視困；圖9為示出本發(fā)明第三實(shí)施例的LED背光裝置的透視圖；圖IO為示出本發(fā)明第四實(shí)施例的LED背光裝置的側(cè)面剖視圖；圖11為示出本發(fā)明第四實(shí)施例的LED背光裝置的透視圖；圖12為示出本發(fā)明第四實(shí)施例的用于剝離LED薄膜分層結(jié)構(gòu)的工藝的示意困；圖13為示出本發(fā)明第四實(shí)施例的用于將LED薄膜分層結(jié)構(gòu)集成 到基板的工藝的示意困；圖14為示出本發(fā)明第四實(shí)施例的用于將無(wú)機(jī)材料層劃分為多個(gè) LED薄膜分層結(jié)構(gòu)的工藝的示意圖；圖15A和15B示出本發(fā)明實(shí)施例的LED背光裝置的改進(jìn)例；圖16示出本發(fā)明實(shí)施例的LED背光裝置的另一改進(jìn)例.具體實(shí)施方式
下面參考附圖描述本發(fā)明實(shí)施例， 第一實(shí)施例圖1為示出本發(fā)明第一實(shí)施例的包括LED背光裝置的LCD裝置 的主要部件的側(cè)面剖視圖.圖2為示出本發(fā)明第一實(shí)施例的LED背光 裝置的LED元件部分的透視圖.圖3為示出本發(fā)明第一實(shí)施例的LED 背光裝置的熒光體片部分的透視圖.圖4為示出本發(fā)明第一實(shí)施例的 散熱板的透視圖.在圖l，第一實(shí)施例的LED背光裝置IOO用作LCD裝置101中的 光源，并設(shè)置于LCD面板102的背側(cè)(即，與LCD面板102的顯示 表面102a相對(duì)的一側(cè))。LCD面板102為透射類型。第一實(shí)施例的LED 背光裝置100包括LED元件部分110以及設(shè)置為面對(duì)LED元件部分 110的熒光體片部分120.在圖1至4， LED背光裝置100包括平板形狀的基板(即，第一 基板)10. LED背光裝置IOO還包括固定到基板IO的表面的LED 11 (即，LED薄膜分層結(jié)構(gòu)).LED ll發(fā)射近紫外線或紫外線.此外， 用于驅(qū)動(dòng)LED 11的陽(yáng)極驅(qū)動(dòng)器IC 31和陰極驅(qū)動(dòng)器IC 32設(shè)置于基板 IO的表面上.陽(yáng)極驅(qū)動(dòng)器IC 31連接到陽(yáng)極布線12的端部，(形成于 基板10的該表面上的)陽(yáng)極布線12連接到LED 11的陽(yáng)極電極14.陰 極驅(qū)動(dòng)器IC 32連接到陰極布線13的端部，(形成于基板10的該表面 上的)陰極布線13連接到LED 11的陰極電極15.陽(yáng)極布線12和陰極 布線13構(gòu)成用于將陽(yáng)極驅(qū)動(dòng)器IC 31電連接到LED 11以及將陰極驅(qū) 動(dòng)器IC 32電連接到LED 11的布線結(jié)構(gòu)。例如，基板10是由具有出色熱導(dǎo)率的金屬、硅或陶瓷形成的布線板、考慮熱導(dǎo)率來(lái)設(shè)計(jì)的耐熱FR-4基板(具有玻璃基底材料和環(huán)氣樹 脂層疊的基板)、等等組成.基板10的表面是由有機(jī)絕緣膜(例如聚 耽亞胺膜)或無(wú)機(jī)絕緣膜形成的表面層10a組成，且被平整化使得表 面精度為幾十納米.如下文所述從另一基板剝離LEDll，且通過(guò)諸如 氫鍵鍵合的分子間力固定到基板10，使得LED 11與基板10集成.散熱板60通過(guò)導(dǎo)熱粘合劑50固定到基板10的背側(cè)(即，與固定 LED 11的表面相對(duì)的表面).散熱板60是由具有出色熱導(dǎo)率的金屬等 制成.上述LED 11為發(fā)射近紫外線或紫外線的薄膜LED,且由具有通 過(guò)外延生長(zhǎng)諸如氛化鎵、氮化鎵銦、氮化鋁鎵、氮化鋁等無(wú)機(jī)材料形 成的異質(zhì)結(jié)構(gòu)或雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)的薄膜分層結(jié)構(gòu)組成.LED 11不限于上述 材料，而可以由發(fā)射近紫外線或紫外線，更優(yōu)選地波長(zhǎng)范圍為300至 450nm的光的任意材料組成.陽(yáng)極電極14和陰極電極15是由金、鋁組成的金屬電極，或者是 由與鎳、鈦等層疊的金或鋁組成的分層金屬電極。陽(yáng)極電極14和陰極 電極15分別連接到LED 11的陽(yáng)極和陰極。陽(yáng)極布線12和陰極布線13是由金、鋁組成的金屬布線，或者是 由與鎳、鈦等層疊的金或鋁組成的分層金屬布線.陽(yáng)極布線12和陰極 布線13分別連接到LED 11的陽(yáng)極電極14和陰極電極15.陽(yáng)極布線 12的端部連接到陽(yáng)極驅(qū)動(dòng)器IC 31，且陰極布線13的端部連接到陰極 驅(qū)動(dòng)器IC 32，使得LED 11的陽(yáng)極電極14和陰極電極15通過(guò)該陽(yáng)極 布線12和陰極布線13連接到陽(yáng)極驅(qū)動(dòng)器IC 31和陰極驅(qū)動(dòng)器IC 32,熒光體片部分120包括板狀透明基板40 (即，第二基板)以及形 成于透明基板40上的熒光體41.透明基板40是由具有透光性的石英 或玻璃組成。熒光體41在暴露于近紫外線或紫外線時(shí)發(fā)射白光，熒光 體41涂覆在透明基板40的表面上.熒光體41可以通過(guò)混合發(fā)射紅光的熒光體、發(fā)射綠光的熒光體以 及發(fā)射藍(lán)光的熒光體來(lái)形成.更具體而言，發(fā)射紅光的熒光體例如為 Y203:Eu或(Y，Gd)B03:Eu。發(fā)射綠光的熒光體例如為L(zhǎng)aP04:Ce， Tb或 Zn2SiO:Mn,發(fā)射藍(lán)光的熒光體例如為(Sr，Ca，Ba，Mg)s(P04)3Cl:Eu或 BaMgAl10O17:Eu.發(fā)射紅光的熒光體不限于上述材料，而可以由當(dāng)暴露于波長(zhǎng)范圍為300nm至450n邁的近紫外線或紫外線時(shí)發(fā)射波長(zhǎng)范圍為620nm至 710nm的任意材料組成.發(fā)射綠光的焚光體可以由當(dāng)暴露于波長(zhǎng)范圍 為300nm至450nm的近紫外線或紫外線時(shí)發(fā)射波長(zhǎng)范閨為500nm至 580nm的任意材料組成.發(fā)射藍(lán)光的熒光體可以由當(dāng)暴露于波長(zhǎng)范圍 為300nm至450nm的近紫外線或紫外線時(shí)發(fā)射波長(zhǎng)范圍為450n邁至 500nm的任意材料組成.如圖l所示，按照LED元件部分110和熒光體片部分120彼此面 對(duì)的方式來(lái)布置LED元件部分110和熒光體片部分120，由此得到LED 背光裝置100,這種情況下，固定LEDll的基板IO的表面和固定熒光 體41的透明基板40的表面彼此面對(duì).基板10和透明基板40彼此相對(duì) 地布置(和固定)，使得基板IO上的LED 11和透明基板40上的熒光 體41彼此面對(duì).采用這種布置，當(dāng)LED 11如圖1的箭頭A所示發(fā)射波長(zhǎng)范圍為 300至450nm的近紫外線或紫外線時(shí)，熒光體41 (面向LED 11)如圖 1的箭頭B所示發(fā)射白光.陽(yáng)極驅(qū)動(dòng)器IC 31具有根據(jù)發(fā)光信號(hào)(lighting signal)來(lái)供應(yīng)電 流至LEDll的功能.在陽(yáng)極驅(qū)動(dòng)器IC31中集成有例如移位寄存器電 路、鎖存電路、恒流電流、放大器電路等.陽(yáng)極布線12連接到LED 的陽(yáng)極電極14,且還連接到陽(yáng)極驅(qū)動(dòng)器IC31的驅(qū)動(dòng)元件.盡管在圖2 所示的示例中陽(yáng)極驅(qū)動(dòng)器IC 31設(shè)置于基板10上，但是陽(yáng)極驅(qū)動(dòng)器IC 31不一定設(shè)置于基板10上，而可以設(shè)置于其他印刷電路板(未示出) 等上。陰極驅(qū)動(dòng)器IC 32具有允許電流流入其中的功能.在陰極驅(qū)動(dòng)器 IC 32中，集成有諸如晶體管等的開關(guān)電路.陰極布線13連接到LED 11 的陰極電極15，且還連接到陰極驅(qū)動(dòng)器IC32.陰極驅(qū)動(dòng)器IC32不一 定設(shè)置于基板10上，而可以設(shè)置于其他印刷電路板(未示出)等上.接下來(lái)描述用于在基板10上形成LED 11的工藝.圖5示出本發(fā)明第一實(shí)施例的用于剝離薄膜分層結(jié)構(gòu)(LED 11) 的工藝.困6示出本發(fā)明第一實(shí)施例的用于將薄膜分層結(jié)構(gòu)(LED 11) 固定到基板的工藝，在第一實(shí)施例中，LED 11由呈矩形平板形狀的薄膜分層結(jié)構(gòu)制 成，且如下所述集成固定到基板IO.此外，LED11為具有由例如氮化鎵或氮化銦鎵、氮化鋁鎵或氮化鋁等多個(gè)層組成的異質(zhì)結(jié)構(gòu)或雙異質(zhì) 結(jié)構(gòu)的薄膜分層結(jié)構(gòu).犧牲層17設(shè)置于基底材料16和LED 11之間，用于從基底材料 16剝離(即，分離)LEDll.犧牲層17是由通過(guò)下述刻蝕溶液可以容 易被刻蝕的諸如砷化鋁的材料組成?；撞牧?6是由例如砷化鎵、氮化鎵、藍(lán)寶石等組成.無(wú)機(jī)材料 層的薄膜分層結(jié)構(gòu)lla (將成為L(zhǎng)EDll)通過(guò)諸如MOCVD方法的氣 相生長(zhǎng)方法外延生長(zhǎng)在基底材料16上.接下來(lái)，描述用于從基底材料16剝離LED 11 (即，外延生長(zhǎng)的 薄膜分層結(jié)構(gòu)lla)的工藝.如果LED 11 i殳計(jì)成具有例如每個(gè)邊的長(zhǎng)度為20mm的正方形，則 薄膜分層結(jié)構(gòu)lla形成為具有大于或等于20mm的寬度和長(zhǎng)度.這種 情況下，通過(guò)在半導(dǎo)體制造工藝中廣泛使用的光刻刻蝕技術(shù)，使用諸 如包含磷酸、過(guò)氧化氫和水(H3P04:H202:H20)的溶液等的刻蝕溶液， 在基底材料16上形成矩形形狀的薄膜分層結(jié)構(gòu)lla.接下來(lái)，其上形成有薄膜分層結(jié)構(gòu)lla的基底材料16浸入諸如氫 氟酸溶液、鹽酸溶液等的刻蝕溶液內(nèi).藉此，犧牲層17被刻蝕，'且薄 膜分層結(jié)構(gòu)lla (即，LED 11)從基底材料16剝離.隨后，朝著基板10的平整化表面擠壓LED 11 (已經(jīng)從基底材料 16剝離)，基板10和LED11通過(guò)分子間力相互固定并相互集成?；?0的表面是由表面層10a組成，表面層10a是由例如聚酰亞 胺膜的有機(jī)絕緣膜或者例如氣化硅膜的無(wú)機(jī)絕緣膜形成；該表面優(yōu)選 地為平坦表面，其表面精度小于或等于幾十納米且沒(méi)有凸起或凹入. 由于基板10的表面為沒(méi)有凸起或凹入的平坦表面，因此可以促進(jìn)LED 11和基板10之間通過(guò)分子間力(例如氫鍵等)的鍵合.藉此，如圖6 所示，正方形LED11固定到基板10并與基板10集成.隨后，例如通過(guò)包含磷酸、過(guò)氣化氫和水(H3P04:H202:H20)的 刻蝕溶液，利用光刻刻蝕方法在LEDll (已經(jīng)固定到基板IO)上形成 陽(yáng)極電極14和陰極電極15的連接部分.此外，使用沉積、光刻刻蝕 方法或者剝離方法，由此形成陽(yáng)極電極14和陰極電極15以及陽(yáng)極布 線12 (連接到陽(yáng)極電極14)和陰極布線13 (連接到陰極電極15).另 外，陽(yáng)極驅(qū)動(dòng)器IC31和陰極驅(qū)動(dòng)器IC32安裝到基板10，且陽(yáng)極布線12和陰極布線13分別連接到陽(yáng)極驅(qū)動(dòng)器IC 31和陰極驅(qū)動(dòng)器1C 32.接下來(lái)描述上述配置的LED背光裝置100的工作.首先，當(dāng)從上級(jí)裝置(superior device)(例如，未示出的個(gè)人計(jì) 算機(jī))發(fā)出的發(fā)光信號(hào)輸入到陽(yáng)極驅(qū)動(dòng)器IC31時(shí)，陽(yáng)極驅(qū)動(dòng)器IC31 的放大器電路將恒定電流通過(guò)陽(yáng)極布線12施加到LED 11的陽(yáng)極電極 14.當(dāng)發(fā)光信號(hào)輸入陰極驅(qū)動(dòng)器IC32時(shí)，陰極驅(qū)動(dòng)器IC32通過(guò)陰極 布線13允許來(lái)自LED 11的陰極電極15的電流流入陰極驅(qū)動(dòng)器IC32, 使得LED ll發(fā)光.當(dāng)LED 11如困1的箭頭A所示發(fā)射波長(zhǎng)范圍為300至450nm的 近紫外線或紫外線時(shí)，熒光體41 (面向LED 11)被該近紫外線或紫外 線激勵(lì)，且熒光體41如圖1的箭頭B所示發(fā)射白光.設(shè)置成與LED 背光裝置10相對(duì)的LCD面板102被來(lái)自LED面板102背側(cè)的光(由 熒光體41發(fā)射)照射.這種情況下，由LED 11光發(fā)射產(chǎn)生的熱量通過(guò)導(dǎo)熱粘合劑50和 散熱板60擴(kuò)散穿過(guò)與LEDll相對(duì)的基板lO的表面.因此，LED元件 部分110和熒光體片部分120的溫度沒(méi)有顯著上升.就此而言，為了防止熒光體41的氧化或劣化，可以在LED元件 部分110和熒光體片部分120之間的空間內(nèi)建立惰性氣體氣氛或者基 本上形成真空，如上所述，在第一實(shí)施例中，LED 11、陽(yáng)極布線12和陰極布線 13使用半導(dǎo)體工藝來(lái)形成，且LED 11使用半導(dǎo)體工藝連接到陽(yáng)極布 線12和陰極布線13.因此，可以形成較薄的LED元件部分llO.由此， 可以實(shí)現(xiàn)較薄的LED背光裝置100.此外，該LED元件已知為具有高亮度并消耗更少電功率的元件， 且具有性能記錄.使用這種LED元件作為光源，可以獲得例如有機(jī)EL (電致發(fā)光)元件的常規(guī)發(fā)光裝置無(wú)法達(dá)到的亮度.第二實(shí)施例接下來(lái)描述本發(fā)明第二實(shí)施例.使用相同的參考符號(hào)表示第二實(shí) 施例中與第一實(shí)施例相同的部件，并省略對(duì)它們的描述.此外還省略 了對(duì)于與笫一實(shí)施例相同的工作和優(yōu)點(diǎn)的描述.圖7為示出本發(fā)明第二實(shí)施例的LED背光裝置的側(cè)面剖視圖.在笫二實(shí)施例中，LED背光裝置100不具有熒光體片部分120，相反，LED元件部分110設(shè)置有熒光體41.更具體而言，提供熒光體 41以完全覆蓋固定到基板10的表面的LED 11 。通過(guò)將熒光體材料混合到具有出色熱導(dǎo)率的硅稱基樹脂(通常用 作密封刑)中，并使用絲網(wǎng)印刷方法、噴墨方法等將得到的材料涂復(fù) 在LED11上，由此形成該熒光體41.結(jié)合在硅新基樹脂內(nèi)的熒光體是通過(guò)混合發(fā)射紅光的熒光體、發(fā) 射綠光的熒光體以及發(fā)射藍(lán)光的熒光體來(lái)形成，且在暴露于近紫外線 或紫外線時(shí)發(fā)射白光.如第一實(shí)施例中所述，發(fā)射紅光的熒光體例如 為Y203:Eu或(Y，Gd)B03:Eu.發(fā)射綠光的熒光體例如為L(zhǎng)aP04:Ce，Tb 或Zn2SiO:Mn,發(fā)射藍(lán)光的熒光體例如為(Sr，Ca，Ba，Mg)s(P04)3Cl:Eu 或BaMgAli。On:Eu,發(fā)射紅光的熒光體不限于上述材料，而可以由當(dāng)暴露于波長(zhǎng)范圍 為300nm至450nm的近紫外線或紫外線時(shí)發(fā)射波長(zhǎng)范圍為620nm至 710rnn的任意材料組成.發(fā)射綠光的熒光體可以由當(dāng)暴露于波長(zhǎng)范圍 為300nm至450nm的近紫外線或紫外線時(shí)發(fā)射波長(zhǎng)范圍為500n邁至 580nm的任意材料組成.發(fā)射藍(lán)光的熒光體可以由當(dāng)暴露于波長(zhǎng)范圍 為300nm至450nm的近紫外線或紫外線時(shí)發(fā)射波長(zhǎng)范圍為450nm至 500mn的任意材料組成.如笫一實(shí)施例中所迷，基板10的表面是由表面層10a組成，表面 層10a是由例如聚酰亞胺膜的有機(jī)絕緣膜或者例如氧化硅膜的無(wú)機(jī)絕 緣膜形成；該表面優(yōu)選地為平坦表面，其表面精度小于或等于幾十納 米且沒(méi)有凸起或凹入.第二實(shí)施例的LED背光裝置IOO的其他部件與第一實(shí)施例相同， 并省略對(duì)它們的描述.接下來(lái)描述上述配置的LED背光裝置100的工作.首先，當(dāng)從上級(jí)裝置(例如，未示出的個(gè)人計(jì)算機(jī))發(fā)出的發(fā)光 信號(hào)輸入到陽(yáng)極驅(qū)動(dòng)器IC31時(shí)，陽(yáng)極驅(qū)動(dòng)器IC31的放大器電路將恒 定電流通過(guò)陽(yáng)極布線12施加到LED 11的陽(yáng)極電極14.當(dāng)發(fā)光信號(hào)輸 入陰極驅(qū)動(dòng)器IC 32時(shí)，陰極驅(qū)動(dòng)器IC 32通過(guò)陰極布線13允許來(lái)自 LED 11的陰極電極15的電流流入陰極驅(qū)動(dòng)器IC 32,使得LED 11發(fā) 光.當(dāng)LED 11依據(jù)發(fā)光信號(hào)發(fā)射波長(zhǎng)范圍為300至450nm的近紫外線或紫外線時(shí)，熒光體41(瘦蓋LED11)被該近紫外線或紫外線激勵(lì)， 且熒光體41如圖7的箭頭B所示發(fā)射白光.這種情況下，由LED 11光發(fā)射產(chǎn)生的熱量通過(guò)導(dǎo)熱粘合刑50和 散熱板60擴(kuò)散穿過(guò)與LEDll相對(duì)的基板lO的表面.因此，LED元件 部分110的溫度沒(méi)有顯著上升.如上所述，在第二實(shí)施例中，提供熒光體41以完全覆蓋固定到基 板10的表面的LEDll，因此可以除去熒光體片部分120(圖1).由此， LED背光裝置100可以薄于笫一實(shí)施例的LED背光裝置.第三實(shí)施例接下來(lái)描述本發(fā)明第三實(shí)施例.使用相同的參考符號(hào)表示第三實(shí) 施例中與第一或第二實(shí)施例相同的部件，并省略對(duì)它們的描述.此外 還省略了對(duì)于與第一或第二實(shí)施例相同的工作和優(yōu)點(diǎn)的描述.圖8為示出本發(fā)明笫三實(shí)施例的LED背光裝置的側(cè)面剖視圖.圖 9為示出本發(fā)明第三實(shí)施例的LED元件部分的透視圖.在第三實(shí)施例中，LED元件部分110具有形成于基板IO表面上的 反射膜18，且反射膜18反射由LED11發(fā)射的近紫外線或紫外線.保 護(hù)膜19形成為覆蓋形成于基板10表面上的反射膜18，且LED 11固定 到保護(hù)膜19的表面.此外，熒光體41設(shè)置為完全覆蓋LED11.提供反射膜18,用以反射由LED11發(fā)射的朝向基板10表面的近 紫外線和紫外線，并反射由熒光體41反射的或者在邊界表面(其上形 成熒光體41 )被反射的近紫外線和紫外線。反射膜18是通過(guò)下述方式 來(lái)形成在基板10的表面上形成由金或鋁組成的金屬膜或者由與鎳、 鈦等層疊的金或鋁組成的分層金屬膜，以及圖案化該金屬膜.保護(hù)膜19是由有機(jī)絕緣膜(例如聚酰亞胺膜等)或者無(wú)機(jī)絕緣膜 (例如氧化硅膜等)組成.保護(hù)膜19具有平坦表面，其表面精度小于 或等于幾十納米且沒(méi)有凸起或凹入.由于保護(hù)膜19的表面為沒(méi)有凸起 或凹入的平坦表面，因此可以促進(jìn)LED 11和保護(hù)膜19之間通過(guò)分子 間力(例如氫鍵等)的鍵合.朝著保護(hù)膜19的平整化表面擠壓LED 11 (如第一實(shí)施例中所述， LED 11已經(jīng)從基底材料16剝離)，保護(hù)膜19和LED 11通過(guò)分子間力 相互固定并相互集成.隨后，例如通過(guò)包含罅酸、過(guò)氧化氫和水(H3P04:H202:H20)的刻蝕溶液，利用光刻刻蝕方法在LEDll (已經(jīng)固定到基板IO)上形成 陽(yáng)極電極14和陰極電極15的連接部分.此外，使用沉積、光刻刻蝕 方法或者剝離方法，由此形成LEDll的陽(yáng)極電極14和陰極電極15以 及陽(yáng)極布線12 (連接到陽(yáng)極電極14)和陰極布線13 (連接到陰極電極 15),隨后，其中混合有熒光體并被攪拌的具有出色熱導(dǎo)率的硅酮基樹 脂(通常用作密封刑)，通過(guò)絲網(wǎng)印刷方法、噴墨方法等涂復(fù)在LED 11 上，由此形成熒光體41.就此而言，結(jié)合在硅嗣基樹脂內(nèi)的該熒光體 在暴露于近紫外線或紫外線時(shí)發(fā)射白光，如第二實(shí)施例所述.此外，陽(yáng)極驅(qū)動(dòng)器IC 31和陰極驅(qū)動(dòng)器IC 32安裝到基板10，且 陽(yáng)極布線12和陰極布線13分別連接到陽(yáng)極驅(qū)動(dòng)器IC 31和陰極驅(qū)動(dòng)器 1C 32.LED背光裝置IOO的其他部件與第二實(shí)施例的情況相同，并省略 對(duì)它們的描述.接下來(lái)描述上述配置的第三實(shí)施例的LED背光裝置100的工作.首先，當(dāng)從上級(jí)裝置(例如，未示出的個(gè)人計(jì)算機(jī))發(fā)出的發(fā)光 信號(hào)輸入到陽(yáng)極驅(qū)動(dòng)器IC31時(shí)，陽(yáng)極驅(qū)動(dòng)器IC31的放大器電路將恒 定電流通過(guò)陽(yáng)極布線12施加到LED 11的陽(yáng)極電極14.當(dāng)發(fā)光信號(hào)輸 入陰極驅(qū)動(dòng)器IC 32時(shí)，陰極驅(qū)動(dòng)器IC 32通過(guò)陰極布線13允許來(lái)自 LED 11的陰極電極15的電流流入陰極驅(qū)動(dòng)器IC 32，使得LED 11發(fā) 光。當(dāng)LED 11發(fā)射波長(zhǎng)范圍為300至450nm的近紫外線或紫外線時(shí)， 熒光體41 (面向LED 11)被該近紫外線或紫外線激勵(lì)，且熒光體41 如圖8的箭頭B所示發(fā)射白光，由LED 11發(fā)射的朝向基板10表面的 近紫外線和紫外線，以及由熒光體41反射的或者在邊界表面(其上形 成熒光體41)被反射的近紫外線和紫外線，被反射膜18反射并入射到 熒光體41.因此，熒光體41還被由反射膜18反射的近紫外線或紫外 線激勵(lì)，并發(fā)射白光.這種情況下，由LED 11光發(fā)射產(chǎn)生的熱量通過(guò)導(dǎo)熱粘合劑50和 散熱板60擴(kuò)散穿過(guò)與LEDll相對(duì)的基板lO的表面.因此，LED元件 部分110的溫度沒(méi)有顯著上升.如上所述，在第三實(shí)施例中，LED 11設(shè)置于形成于基板10表面上的反射膜18上方，且熒光體41設(shè)置為完全覆蓋LEDU，因此可以 實(shí)現(xiàn)具有高光強(qiáng)度的超薄LED背光裝置100. 第四實(shí)施例接下來(lái)描述本發(fā)明第四實(shí)施例.使用相同的參考符號(hào)表示第四實(shí) 施例中與第一、第二或笫三實(shí)施例相同的部件，并省略對(duì)它們的描述。 此外還省略了對(duì)于與笫一、笫二或第三實(shí)施例相同的工作和優(yōu)點(diǎn)的描 述，圖10為示出本發(fā)明第四實(shí)施例的LED背光裝置的側(cè)面剖視圖， 圖11為示出本發(fā)明第四實(shí)施例的LED元件部分的透視圖.在第四實(shí)施例中，LED元件部分110具有形成于基板10上的反射 膜18,且反射膜18反射由多個(gè)LED11發(fā)射的近紫外線或紫外線.保 護(hù)膜19形成為覆蓋形成于基板10表面上的反射膜18，且多個(gè)LED 11 固定到保護(hù)膜19的表面.此外，熒光體41設(shè)置為完全覆蓋LED11.這種情況下，多個(gè)LED 11構(gòu)成了設(shè)置于保護(hù)膜19表面上的陣列， 如圖11所示。在困11中，為了描述方便而省略熒光體41.盡管LEDll的數(shù)目可以任意確定，但是LEDll的數(shù)目示為9以 便于說(shuō)明.此外，盡管LED 11的布置方式可以任意確定，但是LED 11 示為布置成格柵.更具體而言，在圖11所示示例中，基板10上的LED 陣列包括等間距布置成正方形格柵且布置成3行x3列矩陣的LED 11.陽(yáng)極驅(qū)動(dòng)器IC 31連接到陽(yáng)極布線12的端部，該陽(yáng)極布線12連 接到每列LED 11的最靠近陽(yáng)極驅(qū)動(dòng)器IC 31的LED ll(即，末端LED 11)的陽(yáng)極電極14,陰極驅(qū)動(dòng)器IC32連接到陰極布線13的端部，該 陰極布線13連接到每列LED 11的最遠(yuǎn)離陽(yáng)極驅(qū)動(dòng)器IC31的LED 11 (即，末端LED 11)的陰極電極15,此外，在每列中，相鄰LED 11 的陽(yáng)極電極14和陰極電極15通過(guò)互連布線21相互連接.換言之，每 列的LED11通過(guò)互連布線21而串聯(lián)連接.此外，每列的末端LEDll接到陽(yáng)極驅(qū)動(dòng)器IC 31和陰極驅(qū)動(dòng)器IC 32.盡管陽(yáng)極驅(qū)動(dòng)器IC 31在圖11所示的示例中設(shè)置于基板10上，但 是陽(yáng)極驅(qū)動(dòng)器IC 31不一定設(shè)置于基板10上，而可以設(shè)置于其他印刷 電路板(未示出)等上.第四實(shí)施例的LED背光裝置100的其他部件與第三實(shí)施例的情況相同，并省略對(duì)它們的描述.接下來(lái)描述用于在保護(hù)膜19上形成LED 11的工藝，圖12示出本發(fā)明第四實(shí)施例的用于剝離薄膜分層結(jié)構(gòu)(即，LED ll)的工藝.圖13示出本發(fā)明笫四實(shí)施例的用于將LED薄膜分層結(jié)構(gòu) 集成到保護(hù)膜19的工藝.圖14示出本發(fā)明笫四實(shí)施例的用于劃分LED 11內(nèi)的薄膜分層結(jié)構(gòu)的工藝.在圖12至14中，薄膜分層結(jié)構(gòu)23 (將成為L(zhǎng)ED 11)呈細(xì)長(zhǎng)帶或 條形狀.該薄膜分層結(jié)構(gòu)23結(jié)合到保護(hù)膜19，且隨后如下所述劃分為 多個(gè)LED 11。薄膜分層結(jié)構(gòu)23發(fā)射近紫外線或紫外線，且是由具有 例如氮化鎵或氮化銦鎵、氮化鋁鎵或氮化鋁等的多層組成的異質(zhì)結(jié)構(gòu) 或雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)形成的薄膜分層結(jié)構(gòu).數(shù)字n表示如第一實(shí)施例中所述的形成于基底材料16和薄膜分 層結(jié)構(gòu)23之間的犧牲層.犧牲層17是由通過(guò)下述刻蝕溶液可以被容 易刻蝕的諸如砷化鋁的材料組成.如笫一實(shí)施例中所述，基底材料16是由例如砷化鎵、氮化鎵或藍(lán) 寶石組成。無(wú)機(jī)材料層的薄膜分層結(jié)構(gòu)23 (將成為L(zhǎng)ED 11)通過(guò)諸如 MOCVD方法的氣相生長(zhǎng)方法外延生長(zhǎng)在基底材料16上.接下來(lái)，描述用于從基底材料16剝離LED 11 (即，外延生長(zhǎng)的 薄膜分層結(jié)構(gòu))的工藝.如果每個(gè)LED 11設(shè)計(jì)成具有例如每個(gè)邊的長(zhǎng)度為2mm的正方 形，則該薄膜分層結(jié)構(gòu)23形成為條形，其寬度為大于或等于2mm且 長(zhǎng)度大于或等于LED陣列的列(即，包含三個(gè)LED11的列)的長(zhǎng)度. 這種情況下，通過(guò)在半導(dǎo)體制造工藝中廣泛使用的光刻刻蝕技術(shù)，使 用諸如包含磷酸、過(guò)氧化氫和水(H3P04:H202:H20)溶液的刻蝕液體， 在基底材料16上形成條形的薄膜分層結(jié)構(gòu)23.接下來(lái)，其上形成有薄膜分層結(jié)構(gòu)23的基底材料16浸入諸如氫 氟酸溶液或鹽酸溶液等的刻蝕溶液內(nèi).藉此，犧牲層17被刻蝕，且薄 膜分層結(jié)構(gòu)23從基底材料16剝離.隨后，朝著保護(hù)膜19的表面擠壓薄膜分層結(jié)構(gòu)23 (薄膜分層結(jié)構(gòu) 23已經(jīng)從基底材料16剝離)，使得保護(hù)膜19和LED 11通過(guò)諸如氬鍵 鍵合的分子間力相互固定和集成.保護(hù)膜19是由有機(jī)絕緣膜(例如聚 酰亞胺膜等)或者無(wú)機(jī)絕緣膜(例如氣化硅膜等)組成，且優(yōu)選地具有平坦表面，其表面精度小于或等于幾十納米且沒(méi)有凸起或凹入.由于保護(hù)膜19具有沒(méi)有凸起或凹入的平坦表面，因此可以促進(jìn)LED 11 和保護(hù)膜19之間通過(guò)分子間力(例如氦鍵等)的鍵合.通過(guò)重復(fù)上述工藝，多個(gè)列(例如，3列)的LED薄膜分層結(jié)構(gòu) 23固定到保護(hù)膜19并與其集成.接下來(lái)，通過(guò)包含砩酸、過(guò)氧化氫和水(H3P04:H202:H20)的刻 蝕溶液，利用光刻刻蝕方法將固定到保護(hù)膜19的每個(gè)薄膜分層結(jié)構(gòu)23 劃分為多個(gè)LED 11.在本實(shí)施例中，每個(gè)薄膜分層結(jié)構(gòu)23劃分為3 個(gè)LEDll.藉此，如閨14所示，可以獲得包括在保護(hù)膜19上等間距 布置成正方形格柵且布置成3行x3列矩陣的LED 11的LED陣列.隨后"吏用沉積、光刻刻蝕方法或者剝離方法，由此形成相應(yīng)LED 11的陽(yáng)極電極14和陰極電極15以及陽(yáng)極布線12(連接到陽(yáng)極電極14) 和陰極布線13(連接到陰極電極15).在此，陽(yáng)極電極14和陰極電極 15是由金、鋁組成的金屬電極，或者是由與鎳、鈦等層疊的金或鋁組 成的分層金屬電極，陽(yáng)極驅(qū)動(dòng)器IC 31連接到陽(yáng)極布線12的端部，該 陽(yáng)極布線12連接到每列LED 11的最靠近陽(yáng)極驅(qū)動(dòng)器IC 31的LED 11 的陽(yáng)極電極14.陰極驅(qū)動(dòng)器IC32連接到陰極布線13的端部，該陰極 布線13連接到每列LED 11的最遠(yuǎn)離陽(yáng)極驅(qū)動(dòng)器IC 31的LED 11的陰 極電極15,此外，每列的相鄰LED 11的陽(yáng)極電極14和陰極電極15 通過(guò)互連布線21相互連接.換言之，每列的LED 11通過(guò)互連布線21 而串聯(lián)連接，且每列的末端LED 11的陽(yáng)極電極14和陰極電極15分別器IC 32'這里，描述了每個(gè)條形薄膜分層結(jié)構(gòu)23劃分成正方形LED11的 情形.然而，LED11可以具有任何形狀，例如細(xì)長(zhǎng)矩形、菱形形狀等. 接下來(lái)描述上述配置的第四實(shí)施例的LED背光裝置100的工作。 首先，當(dāng)從上級(jí)裝置(例如，未示出的個(gè)人計(jì)算機(jī))發(fā)出的發(fā)光 信號(hào)輸入到陽(yáng)極驅(qū)動(dòng)器IC31時(shí)，陽(yáng)極驅(qū)動(dòng)器IC31的放大器電路將恒 定電流通過(guò)陽(yáng)極布線12施加到最靠近每列LED的陽(yáng)極驅(qū)動(dòng)器IC 31的 LED11的陽(yáng)極電極14.當(dāng)發(fā)光信號(hào)輸入陰極驅(qū)動(dòng)器IC32時(shí)，陰極驅(qū) 動(dòng)器IC 32通過(guò)陰極布線13允許來(lái)自最遠(yuǎn)離每列LED ll的陽(yáng)極驅(qū)動(dòng) 器IC 31的LED 11的陰極電極15的電流流入陰極驅(qū)動(dòng)器IC 32，該陰極布線13通過(guò)大容量的開關(guān)電路連接到陰極驅(qū)動(dòng)器IC 32.因此，電 流流過(guò)每列中通過(guò)互連布線21而串聯(lián)連接的LED ll,使得相應(yīng)LED 11 發(fā)光.當(dāng)相應(yīng)LED 11根據(jù)發(fā)光信號(hào)來(lái)發(fā)射波長(zhǎng)范圍為300至450nm的 近紫外線或紫外線時(shí)，熒光體41 (復(fù)蓋LEDll)被該近紫外線或紫外 線激勵(lì)，且熒光體41如圖IO的箭頭B所示發(fā)射白光.此外，由LED 11 發(fā)射的朝向基板10表面的近紫外線或紫外線，以及由熒光體41反射 的或者在邊界表面(其上形成熒光體41)被反射的近紫外線或紫外線， 被反射膜18反射并入射到熒光體41。因此，熒光體41還被由反射膜 18反射的近紫外線或紫外線激勵(lì)，并發(fā)射白光.這種情況下，由于每列LEDll串聯(lián)連接，因此無(wú)需提供恒流元件 以將電流(電流量與設(shè)置有恒流元件的情形相等)施加到相應(yīng)LED 11。 此外，由LED 11光發(fā)射產(chǎn)生的熱量通過(guò)導(dǎo)熱粘合劑50和散熱板60擴(kuò) 散穿過(guò)與LED11相對(duì)的基板10的表面，因此LED元件部分110的溫 度沒(méi)有顯著上升.如上所述，在第四實(shí)施例中，多個(gè)LED ll設(shè)置于形成于基板lO 表面上的反射膜18上，且熒光體41設(shè)置為完全復(fù)蓋LED11，因此可 以實(shí)現(xiàn)具有高光強(qiáng)度的較薄的LED背光裝置IOO.此外，多個(gè)LEDll 可以形成為具有期望的尺寸和形狀且可以設(shè)置于期望的位置，因此 LED11的尺寸、形狀和位置可以被調(diào)整以限制亮度變化.改進(jìn)例接著，參考閨15A和15B描述第四實(shí)施例的改進(jìn)例， 圖15A示出在笫一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)(圖1)中提供多個(gè)LEDll的改 進(jìn)例.在圖15A所示的改進(jìn)例中，多個(gè)LEDll固定到基板IO的表面. LED 11面向形成于透明基板40表面上的熒光體41.提供陽(yáng)極布線12、 陰極布線13和互連布線21，以將LED 11電連接到陽(yáng)極驅(qū)動(dòng)器IC 31 并將LEDll電連接到陰極驅(qū)動(dòng)器IC32，如圖ll所示.其它配置與第 一實(shí)施例相同。這種情況下，LED11通過(guò)下述方式來(lái)形成外延生長(zhǎng)無(wú)機(jī)材料層 以在基底材料16上的犧牲層17上形成薄膜分層結(jié)構(gòu)(困5);從基底 材料16剝離該薄膜分層結(jié)構(gòu)；如第一實(shí)施例所述將該薄膜分層結(jié)構(gòu)固 定到基板10的表面(圖6);以及如笫四實(shí)施例所述通過(guò)刻蝕進(jìn)一步將該薄膜分層結(jié)構(gòu)劃分為L(zhǎng)ED 11.圖15B示出在笫二實(shí)施例的結(jié)構(gòu)(圖7)中提供多個(gè)LEDll的改 進(jìn)例。在圖15B所示的改進(jìn)例中，多個(gè)LEDll固定到基板10的表面， 且熒光體41形成為完全覆蓋基板10上的LED 11,提供陽(yáng)極布線12、 陰極布線13和互連布線21，以將LED 11電連接到陽(yáng)極驅(qū)動(dòng)器IC 31 并將LEDll電連接到陰極驅(qū)動(dòng)器IC32，如圖ll所示.其它配置與第 二實(shí)施例相同.這種情況下，LED11通過(guò)下述方式來(lái)形成外延生長(zhǎng)無(wú)機(jī)材料層 以在基底材料16上的犧牲層17上形成薄膜分層結(jié)構(gòu)(圖5);從基底 材料16剝離該薄膜分層結(jié)構(gòu)；如第一實(shí)施例所述將該薄膜分層結(jié)構(gòu)固 定到基板10的表面(圖6);以及如第四實(shí)施例所述通過(guò)刻蝕進(jìn)一步將 該薄膜分層結(jié)構(gòu)劃分為L(zhǎng)ED 11.圖16示出第四實(shí)施例的另一改進(jìn)例，其涉及用于將LED 11電連 接到陽(yáng)極驅(qū)動(dòng)器IC 31和陰極驅(qū)動(dòng)器IC 32的布置，在圖16所示的改 進(jìn)例中，陽(yáng)極布線12 (其端部連接到陽(yáng)極驅(qū)動(dòng)器IC 31)分支成多條支 線，每條支線沿相應(yīng)列延伸并連接到相應(yīng)列的相應(yīng)LED 11的陽(yáng)極電極 14.陽(yáng)極電極14以及陽(yáng)極布線12的支線通過(guò)恒流元件24 (即，電阻 等)來(lái)連接.陽(yáng)極驅(qū)動(dòng)器IC31具有大容量的開關(guān)電路，該大容量的開 關(guān)電路能夠根據(jù)發(fā)光信號(hào)將導(dǎo)通電壓供應(yīng)至所有的恒流元件24，并將 電流供應(yīng)至所有的LED 11.陰極布線13(其端部連接到陰極驅(qū)動(dòng)器IC 32)分支成多條支線.相應(yīng)支線沿相應(yīng)行延伸并連接到相應(yīng)行的相應(yīng) LED11的陰極電極15.陰極驅(qū)動(dòng)器IC32具有大容量的開關(guān)電路，該 大容量的開關(guān)電路能夠允許來(lái)自所有LED 11的電流流入該開關(guān)電路.圖16的布線結(jié)構(gòu)也適用于困15A和15B所示的改進(jìn)例.當(dāng)困16 的布線結(jié)構(gòu)應(yīng)用于圖15A的改進(jìn)例時(shí)，LED 11、陽(yáng)極布線12、陰極布 線13、陽(yáng)極驅(qū)動(dòng)器IC31和陰極驅(qū)動(dòng)器IC32設(shè)置于基板10上(即， 不提供圖16所示的保護(hù)膜19)，且LED 11面向設(shè)置于透明基板40上 的熒光體41(圖15A)，當(dāng)圖16的布線結(jié)構(gòu)應(yīng)用于圖15B的改進(jìn)例時(shí)， LED 11、陽(yáng)極布線12、陰極布線13、陽(yáng)極驅(qū)動(dòng)器IC31和陰極驅(qū)動(dòng)器 IC32設(shè)置于基板10上(即，不提供圖16所示的保護(hù)膜19)，且LED ll被熒光體41覆蓋.盡管已經(jīng)詳細(xì)說(shuō)明了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，但是顯而易見的是，在沒(méi)有背離如所附權(quán)利要求書所描述的本發(fā)明精神和范圍的情況下, 可以進(jìn)行變動(dòng)和改進(jìn).
權(quán)利要求
1.一種LED背光裝置，包括第一基板；LED薄膜分層結(jié)構(gòu)，固定到該第一基板的表面，該LED薄膜分層結(jié)構(gòu)是由外延生長(zhǎng)的無(wú)機(jī)材料層形成為P-N結(jié)裝置；陽(yáng)極電極和陰極電極，形成于該LED薄膜分層結(jié)構(gòu)上；陽(yáng)極驅(qū)動(dòng)器IC和陰極驅(qū)動(dòng)器IC，用于驅(qū)動(dòng)該LED薄膜分層結(jié)構(gòu)；布線結(jié)構(gòu)，該布線結(jié)構(gòu)電連接該陽(yáng)極驅(qū)動(dòng)器IC和該LED薄膜分層結(jié)構(gòu)的該陽(yáng)極電極，并電連接該陰極驅(qū)動(dòng)器IC和該LED薄膜分層結(jié)構(gòu)的該陰極電極；第二基板，具有透光性并設(shè)置為面對(duì)其上形成該LED薄膜分層結(jié)構(gòu)的該第一基板的表面；以及熒光體，形成于該第二基板的面向該第一基板的表面上，并設(shè)置于與該LED薄膜分層結(jié)構(gòu)相對(duì)應(yīng)的位置上。
2. 如權(quán)利要求1所述的LED背光裝置，其中所述布線結(jié)構(gòu)包括 陽(yáng)極布線，其形成于所述笫一基板的所述表面上，用于連接所述陽(yáng)極驅(qū)動(dòng)器IC和所迷LED薄膜分層結(jié)構(gòu)的所述陽(yáng)極電極；以及陰極布線，其形成于所述第一基板的所述表面上，用于連接所述 陰極驅(qū)動(dòng)器IC和所述LED薄膜分層結(jié)構(gòu)的所述陰極電極。
3. 如權(quán)利要求1所述的LED背光裝置，其中所述LED薄膜分層 結(jié)構(gòu)通過(guò)分子間力固定到所述第 一基板的所述表面，并發(fā)射波長(zhǎng)范圍 為300nm至450nm的近紫外線或紫外線.
4. 如權(quán)利要求1所述的LED背光裝置，其中所述熒光體是通過(guò) 混合當(dāng)暴露于波長(zhǎng)范圍為300nm至450nm的光時(shí)發(fā)射波長(zhǎng)范圍為 620nm至710nm的紅光的熒光體、當(dāng)暴露于波長(zhǎng)范閨為300nm至 450nm的光時(shí)發(fā)射波長(zhǎng)范圍為500nm至580nm的綠光的熒光體、以及 當(dāng)暴露于波長(zhǎng)范圍為300nm至450nm的光時(shí)發(fā)射波長(zhǎng)范圍為450nm至 500nm的藍(lán)光的熒光體，并涂復(fù)所得到的混合材料來(lái)形成.
5. 如權(quán)利要求1所述的LED背光裝置，其中通過(guò)在與所述第一 基板不同的基底材料上的犧牲層上外延生長(zhǎng)無(wú)機(jī)材料層成為p-n結(jié)裝 置；通過(guò)使用刻蝕移除所迷犧牲層以從所述基底材料剝離所述無(wú)機(jī)材 料層；以及通過(guò)分子間力將所述無(wú)機(jī)材料層固定到所述笫一基板，由此形成所述LED薄膜分層結(jié)構(gòu).
6. 如權(quán)利要求1所述的LED背光裝置，還包括散熱板，該散熱 板設(shè)置于與固定有所述LED薄膜分層結(jié)構(gòu)的所述表面相對(duì)的所述第一 基板的表面上.
7. 如權(quán)利要求1所述的LED背光裝置，其中多個(gè)所述LED薄膜 分層結(jié)構(gòu)固定到所述笫一基板的所述表面，所述LED薄膜分層結(jié)構(gòu)在 所述第 一基板的所述表面上相隔一定距離布置成行和列.
8. 如權(quán)利要求7所述的LED背光裝置，其中所述布線結(jié)構(gòu)包括 分別形成于所述第一基板的所述表面上的陽(yáng)極布線、陰極布線和互連 布線，其中所述陽(yáng)極布線連接所述陽(yáng)極驅(qū)動(dòng)器IC和所述LED薄膜分層 結(jié)構(gòu)的每列或每行的末端LED薄膜分層結(jié)構(gòu)的所述陽(yáng)極電極，其中所述陰極布線連接所述陰極驅(qū)動(dòng)器IC和所述LED薄膜分層 結(jié)構(gòu)的每列或每行的末端LED薄膜分層結(jié)構(gòu)的所述陰極電極，以及其中所述互連布線串聯(lián)連接每列或每行的所述LED薄膜分層結(jié)構(gòu).
9. 如權(quán)利要求7所述的LED背光裝置，其中所述布線結(jié)構(gòu)包括 分別形成于所述第一基板的所述表面上的陽(yáng)極布線和陰極布線，其中所述陽(yáng)極布線連接所述陽(yáng)極驅(qū)動(dòng)器IC和所述LED薄膜分層 結(jié)構(gòu)的所述陽(yáng)極電極，以及其中所述陰極布線連接所述陰極驅(qū)動(dòng)器IC和所述LED薄膜分層 結(jié)構(gòu)的所述陰極電極。
10. 如權(quán)利要求7所述的LED背光裝置，其中通過(guò)在與所述第一 基板不同的基底材料上的犧牲層上外延生長(zhǎng)無(wú)機(jī)材料層成為p-n結(jié)裝 置；通過(guò)使用刻蝕移除所述犧牲層以從所述基底材料剝離所述無(wú)機(jī)材 料層；通過(guò)分子間力將所述無(wú)機(jī)材料層固定到所述第一基板；以及使 用刻蝕將所述無(wú)機(jī)材料層劃分成所述多個(gè)LED薄膜分層結(jié)構(gòu)，由此形 成所述LED薄膜分層結(jié)構(gòu).
11. 一種LCD裝置，包括根據(jù)權(quán)利要求1的所述LED背光裝置 以及設(shè)置為面對(duì)所述LED背光裝置的LCD面板.
12. —種LED背光裝置，包括基板，具有由有機(jī)絕緣膜或無(wú)機(jī)絕緣膜組成的平整化表面；LED薄膜分層結(jié)構(gòu)，固定到該基板的表面，該LED薄膜分層結(jié)構(gòu)是由外延生長(zhǎng)的無(wú)機(jī)材料層形成為P-N結(jié)裝置；陽(yáng)極電極和陰極電極，形成于該LED薄膜分層結(jié)構(gòu)上； 陽(yáng)極驅(qū)動(dòng)器IC和陰極驅(qū)動(dòng)器IC，用于驅(qū)動(dòng)該LED薄膜分層結(jié)構(gòu)； 布線結(jié)構(gòu)，電連接該陽(yáng)極驅(qū)動(dòng)器IC和該LED薄膜分層結(jié)構(gòu)的該陽(yáng)極電極，并電連接該陰極驅(qū)動(dòng)器IC和該LED薄膜分層結(jié)構(gòu)的該陰極電極；以及熒光體，形成為襲蓋所述LED薄膜分層結(jié)構(gòu).
13. 如權(quán)利要求12所述的LED背光裝置，其中所述布線結(jié)構(gòu)包 括分別形成于所述基板的所述表面上的陽(yáng)極布線和陰極布線；其中所述陽(yáng)極布線連接所述陽(yáng)極驅(qū)動(dòng)器IC和所述LED薄膜分層 結(jié)構(gòu)的所述陽(yáng)極電極；以及其中所述陰極布線連接所述陰極驅(qū)動(dòng)器IC和所述LED薄膜分層 結(jié)構(gòu)的所述陰極電極.
14. 如權(quán)利要求12所述的LED背光裝置，其中所述LED薄膜分 層結(jié)構(gòu)通過(guò)分子間力固定到所述基板的所述表面，并發(fā)射波長(zhǎng)范圍為 300nm至450nm的近紫外線或紫外線.
15. 如權(quán)利要求12所述的LED背光裝置，其中所述熒光體是通 過(guò)混合當(dāng)暴露于波長(zhǎng)范圍為300nm至450nm的光時(shí)發(fā)射波長(zhǎng)范圍為 620nm至710nm的紅光的熒光體、當(dāng)暴露于波長(zhǎng)范圍為300nm至 450nm的光時(shí)發(fā)射波長(zhǎng)范閨為500nm至580nm的綠光的熒光體、以及 當(dāng)暴露于波長(zhǎng)范圍為300nm至450nm的光時(shí)發(fā)射波長(zhǎng)范圍為450nm至 500mn的藍(lán)光的熒光體，并涂覆所得到的混合材料來(lái)形成.
16. 如權(quán)利要求12所述的LED背光裝置，其中通過(guò)在與所述基 板不同的基底材料上的犧牲層上外延生長(zhǎng)無(wú)機(jī)材料層成為p-n結(jié)裝置；層;以及通過(guò)分子間力將所述無(wú)機(jī)材料層回定到所述基板，由此形成 所述LED薄膜分層結(jié)構(gòu)。
17. 如權(quán)利要求12所述的LED背光裝置，還包括散熱板，該散 熱板設(shè)置于與固定有所述LED薄膜分層結(jié)構(gòu)的所述表面相對(duì)的所迷基 板的表面上。
18. 如權(quán)利要求12所述的LED背光裝置，其中多個(gè)所述LED薄膜分層結(jié)構(gòu)固定到所述基板的所述表面，所述LED薄膜分層結(jié)構(gòu)在所 述基板的所述表面上相隔一定距離布置成行和列.
19. 如權(quán)利要求18所述的LED背光裝置，其中所述布線結(jié)構(gòu)包 括分別形成于所述基板的所述表面上的陽(yáng)極布線、陰極布線和互連布 線，其中所述陽(yáng)極布線連接所述陽(yáng)極驅(qū)動(dòng)器IC和所述LED薄膜分層 結(jié)構(gòu)的每列或每行的末端LED薄膜分層結(jié)構(gòu)的所述陽(yáng)極電極，其中所述陰極布線連接所述陰極驅(qū)動(dòng)器IC和所述LED薄膜分層 結(jié)構(gòu)的每列或每行的末端LED薄膜分層結(jié)構(gòu)的所述陰極電極，以及其中所述互連布線串聯(lián)連接每列或每行的所述LED薄膜分層結(jié)構(gòu)，
20. 如權(quán)利要求18所述的LED背光裝置，其中所述布線結(jié)構(gòu)包 括分別形成于所述基板的所述表面上的陽(yáng)極布線和陰極布線，其中所述陽(yáng)極布線連接所述陽(yáng)極驅(qū)動(dòng)器IC和所述LED薄膜分層 結(jié)構(gòu)的所迷陽(yáng)極電極，以及其中所述陰極布線連接所述陰極驅(qū)動(dòng)器IC和所述LED薄膜分層 結(jié)構(gòu)的所迷陰極電極.
21. 如權(quán)利要求19所述的LED背光裝置，其中通過(guò)在與所述基 板不同的基底材料上的犧牲層上外延生長(zhǎng)無(wú)機(jī)材料層成為p-n結(jié)裝置；層;通過(guò)分子間力將所述無(wú)機(jī)材料層固定到所述基板；以及使用刻蝕 將所述無(wú)機(jī)材料層劃分成所述多個(gè)LED薄膜分層結(jié)構(gòu)，由此形成所述 LED薄膜分層結(jié)構(gòu).
22. —種LCD裝置，包括根據(jù)權(quán)利要求12的所述LED背光裝置 以及設(shè)置為面對(duì)所述LED背光裝置的LCD面板。
23. —種LED背光裝置，包括 基板;反射膜，形成于所述基板的表面上；保護(hù)膜，由有機(jī)絕緣膜或無(wú)機(jī)絕緣膜組成，所述保護(hù)膜形成為覆 蓋所述反射膜；LED薄膜分層結(jié)構(gòu)，固定到該保護(hù)膜的表面，所述LED薄膜分層 結(jié)構(gòu)是由外延生長(zhǎng)的無(wú)機(jī)材料層形成為P-N結(jié)裝置；陽(yáng)極電極和陰極電極，形成于該LED薄膜分層結(jié)構(gòu)上； 陽(yáng)極驅(qū)動(dòng)器IC和陰極驅(qū)動(dòng)器IC，用于驅(qū)動(dòng)該LED薄膜分層結(jié)構(gòu)； 布線結(jié)構(gòu)，電連接該陽(yáng)極驅(qū)動(dòng)器IC和該LED薄膜分層結(jié)構(gòu)的該陽(yáng)極電極，并電連接該陰極驅(qū)動(dòng)器IC和該LED薄膜分層結(jié)構(gòu)的該陰極電極；以及熒光體，形成為覆蓋所述LED薄膜分層結(jié)構(gòu).
24. 如權(quán)利要求23所述的LED背光裝置，其中所述布線結(jié)構(gòu)包 括陽(yáng)極布線和陰極布線；其中所述陽(yáng)極布線連接所述陽(yáng)極驅(qū)動(dòng)器IC和所述LED薄膜分層 結(jié)構(gòu)的所述陽(yáng)極電極；以及其中所述陰極布線連接所述陰極驅(qū)動(dòng)器IC和所述LED薄膜分層 結(jié)構(gòu)的所述陰極電極。
25. 如權(quán)利要求23所述的LED背光裝置，其中所述LED薄膜分 層結(jié)構(gòu)通過(guò)分子間力固定到所述基板上的所述保護(hù)膜，并發(fā)射波長(zhǎng)范 圍為300nm至450nm的近紫外線或紫外線，
26. 如權(quán)利要求23所述的LED背光裝置，其中所述熒光體是通 過(guò)混合當(dāng)暴露于波長(zhǎng)范圍為300nm至450nm的光時(shí)發(fā)射波長(zhǎng)范圍為 620nm至710nm的紅光的熒光體、當(dāng)暴露于波長(zhǎng)范圍為300nm至 450mn的光時(shí)發(fā)射波長(zhǎng)范圍為500nm至580nm的綠光的焚光體、以及 當(dāng)暴露于波長(zhǎng)范圍為300nm至450nm的光時(shí)發(fā)射波長(zhǎng)范圍為450nm至 500mn的藍(lán)光的熒光體，并涂泉所得到的混合材料來(lái)形成.
27. 如權(quán)利要求23所述的LED背光裝置，其中通過(guò)在與所述基 板不同的基底材料上的犧牲層上外延生長(zhǎng)無(wú)機(jī)材料層成為p-n結(jié)裝置；層；以及通過(guò)分子間力將所述無(wú)機(jī)材料層固定到所述基板上的所迷保 護(hù)膜，由此形成所述LED薄膜分層結(jié)構(gòu).
28. 如權(quán)利要求23所述的LED背光裝置，還包括散熱板，該散 熱板設(shè)置于與固定有所述LED薄膜分層結(jié)構(gòu)的所述表面相對(duì)的所述基 板的表面上.
29. 如權(quán)利要求23所述的LED背光裝置，其中多個(gè)所述LED薄 膜分層結(jié)構(gòu)固定到所迷保護(hù)膜，所述LED薄膜分層結(jié)構(gòu)在所述保護(hù)膜 上相隔一定距離布置成行和列.
30. 如權(quán)利要求29所述的LED背光裝置，其中所述布線結(jié)構(gòu)包 括陽(yáng)極布線、陰極布線和互連布線，其中所述陽(yáng)極布線連接所迷陽(yáng)極驅(qū)動(dòng)器IC和所述LED薄膜分層 結(jié)構(gòu)的每列或每行的末端LED薄膜分層結(jié)構(gòu)的所述陽(yáng)極電極，其中所述陰極布線連接所述陰極驅(qū)動(dòng)器IC和所述LED薄膜分層 結(jié)構(gòu)的每列或每行的末端LED薄膜分層結(jié)構(gòu)的所述陰極電極，以及其中所述互連布線串聯(lián)連接每列或每行的LED薄膜分層結(jié)構(gòu).
31. 如權(quán)利要求29所述的LED背光裝置，其中所述布線結(jié)構(gòu)包 括陽(yáng)極布線和陰極布線，其沖所述陽(yáng)極布線連接所迷陽(yáng)極驅(qū)動(dòng)器IC和所述LED薄膜分層 結(jié)構(gòu)的所述陽(yáng)極電極，以及其中所述陰極布線連接所述陰極驅(qū)動(dòng)器IC和所述LED薄膜分層 結(jié)構(gòu)的所述陰極電極.
32. 如權(quán)利要求29所述的LED背光裝置，其中通過(guò)在與所迷基 板不同的基底材料上的犧牲層上外延生長(zhǎng)無(wú)機(jī)材料層成為p-n結(jié)裝置； 通過(guò)使用刻蝕移除所述犧牲層以從所述基底材料剝離所述無(wú)機(jī)材料 層；通過(guò)分子間力將所述無(wú)機(jī)材料層固定到所述保護(hù)膜；以及使用刻 蝕將所述無(wú)機(jī)材料層劃分成所述多個(gè)LED薄膜分層結(jié)構(gòu)，由此形成所 述LED薄膜分層結(jié)構(gòu)，
33. —種LCD裝置，包括根據(jù)權(quán)利要求23的所述LED背光裝置 以及設(shè)置為面對(duì)所述LED背光裝置的LCD面板.
全文摘要
一種背光裝置，包括第一基板，以及固定到該第一基板的表面的LED薄膜分層結(jié)構(gòu)(外延生長(zhǎng)的無(wú)機(jī)材料層)。陽(yáng)極電極和陰極電極形成于該LED薄膜分層結(jié)構(gòu)上。陽(yáng)極驅(qū)動(dòng)器IC和陰極驅(qū)動(dòng)器IC用于驅(qū)動(dòng)該LED薄膜分層結(jié)構(gòu)。布線結(jié)構(gòu)電連接該陽(yáng)極驅(qū)動(dòng)器IC和該LED薄膜分層結(jié)構(gòu)的該陽(yáng)極電極，并電連接該陰極驅(qū)動(dòng)器IC和該LED薄膜分層結(jié)構(gòu)的該陰極電極。第二基板具有透光性并設(shè)置為面對(duì)其上形成該LED薄膜分層結(jié)構(gòu)的該第一基板的表面。熒光體形成于該第二基板的面向該第一基板的表面上，并設(shè)置于與該LED薄膜分層結(jié)構(gòu)相對(duì)應(yīng)的位置上。
文檔編號(hào)F21V9/00GK101261399SQ200810082329
公開日2008年9月10日 申請(qǐng)日期2008年2月29日 優(yōu)先權(quán)日2007年3月5日
發(fā)明者中村幸夫, 遠(yuǎn)山廣 申請(qǐng)人:日本沖信息株式會(huì)社