專利名稱：等離子體顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種等離子體顯示面板(PDP),更具體地，本發(fā)明涉及一 種具有高驅(qū)動(dòng)效率和高圖像品質(zhì)的PDP,其適于具有高效率和高分辨率的圖
像顯示器。
背景技術(shù)：
在等離子體顯示面板(PDP)中，按矩陣布置的多個(gè)放電單元插設(shè)在前 基板與后基板之間。產(chǎn)生相互放電的掃描電極和維持電極設(shè)置在前基板上。 多個(gè)尋址電極設(shè)置在后基板上。前基板和后基板接合以便彼此面對(duì)。預(yù)定放 電氣體注入在前基板與后基板之間。涂覆在放電單元中的磷光體被施加在放 電電極(即，掃描電極和維持電極)之間的預(yù)定放電脈沖激發(fā)，以產(chǎn)生可見 光，從而實(shí)現(xiàn)期望的圖像。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)方面是通過改善尋址電壓裕度而獲得的具有高驅(qū)動(dòng)效率 的等離子體顯示面板(PDP)。
本發(fā)明的另 一方面是通過去除噪音亮度諸如，背景光或當(dāng)尋址放電發(fā)生 時(shí)產(chǎn)生的放電光而獲得的具有高品質(zhì)和高對(duì)比度的PDP 。
本發(fā)明的另一方面是適于具有高效率和高分辨率的圖像顯示器的PDP。
本發(fā)明的另一方面是PDP，其包括i)彼此面對(duì)的前基板和后基板；ii) 多個(gè)第一阻擋肋，設(shè)置在前基板與后基板之間以定義多個(gè)單位單元；iii)多 個(gè)單元，每個(gè)單元包括在單位單元中引起顯示放電的掃描電極和維持電極；
iv) 多個(gè)第二阻擋肋，將每個(gè)單位單元?jiǎng)澐譃橹鞣烹娍臻g和輔助放電空間， 其中與維持電極相比，每個(gè)單位單元中的第二阻擋肋更靠近掃描電極形成；
v) 尋址電極，與掃描電極一起實(shí)施尋址放電，且尋址電極的延伸方向垂直 于掃描電極的延伸方向；vi)浮置電極，設(shè)置在掃描電極與尋址電極之間； 以及vii)形成于主放電空間中的磷光體層。等離子體顯示面板可進(jìn)一步包括覆蓋包括掃描電極和維持電極的單元 的電介質(zhì)層，其中浮置電極被埋入電介質(zhì)層中。
每個(gè)浮置電極的至少一部分可形成于至少部分相應(yīng)的輔助放電空間上 方，使得至少部分相應(yīng)的輔助放電空間和至少部分浮置電極彼此重疊。
浮置電極可形成于第一單位單元的掃描電極與第二單位單元的維持電 極之間，其中第 一單位單元與第二單位單元彼此鄰近。
每個(gè)第二阻擋肋可設(shè)置為面對(duì)相應(yīng)的掃描電極，在每個(gè)第二阻擋肋與相 應(yīng)的掃描電極之間具有放電間隙。
第二阻擋肋的高度可小于第 一 阻擋肋的高度。
磷光體層可不形成在輔助放電空間中。
PDP可進(jìn)一步包括保護(hù)層，該保護(hù)層覆蓋每個(gè)包括掃描電極和維持電極
的單位單元。
PDP可進(jìn)一步包括形成于輔助放電空間中的電子發(fā)射材料層。 PDP可進(jìn)一步包括形成于鄰近掃描電極的第二阻擋肋頂表面上的電子 發(fā)射材料層。
本發(fā)明的另一方面是PDP，其包括i)彼此面對(duì)的前基板和后基板；ii) 多個(gè)第一阻擋肋，設(shè)置在前基板與后基板之間以定義多個(gè)單位單元；iii)多 個(gè)單元，每個(gè)所述單元包括在單位單元中引起相互放電的掃描電極和維持電 極；iv)覆蓋單位單元且具有凹槽的電介質(zhì)層，單位單元包括掃描電極和維 持電極，該凹槽形成于至少相應(yīng)于掃描電極的位置處；v)多個(gè)第二阻擋肋， 將每個(gè)單位單元?jiǎng)澐譃橹鞣烹娍臻g和輔助放電空間，其中與維持電極相比， 在每個(gè)單位單元中的第二阻擋肋更靠近掃描電極形成；vi)尋址電極，與掃 描電極一起實(shí)施尋址放電，且該尋址電極的延伸方向垂直于掃描電極的延伸 方向；vii)浮置電極，設(shè)置在掃描電極與尋址電極之間；以及viii)形成于 主放電空間中的磷光體層。
PDP可進(jìn)一步包括電介質(zhì)層，以覆蓋包括掃描電極和維持電極的單元， 其中浮置電極埋入電介質(zhì)層中。
每個(gè)浮置電極的至少 一部分可形成于至少部分相應(yīng)的輔助;故電空間上 方，使得至少部分相應(yīng)的輔助放電空間和至少部分浮置電極彼此重疊。
浮置電極可形成于第一單位單元的掃描電極與第二單位單元的維持電 極之間，其中第一單位單元與第二單位單元4皮此鄰近。
每個(gè)第二阻擋肋可設(shè)置為面對(duì)相應(yīng)的掃描電極，在每個(gè)第二阻擋肋與相
6應(yīng)的掃描電極之間具有放電間隙。
第 一 阻擋肋的高度與第二阻擋肋的高度可基本相同。 磷光體層可不形成于輔助放電空間中。
PDP可進(jìn)一步包括保護(hù)層，該保護(hù)層覆蓋包括掃描電極和維持電極的單
位單元。
PDP可進(jìn)一步包括形成于輔助放電空間中的電子發(fā)射材料層。
PDP可進(jìn)一步包括形成于鄰近掃描電極的第二阻擋肋頂表面上的電子
發(fā)射材料層。
本發(fā)明的另一方面是等離子體顯示面板(PDP),其包括i)彼此面對(duì) 的前基板和后基板；ii)多個(gè)第一阻擋肋，設(shè)置于前基板與后基板之間且構(gòu) 造成定義多個(gè)單位單元；iii)多個(gè)單元，每個(gè)所述單元包括被構(gòu)造為在單位 單元中產(chǎn)生顯示放電的掃描電極和維持電極；iv)多個(gè)第二阻擋肋，將每個(gè) 單位單元?jiǎng)澐譃橹鞣烹娍臻g和輔助放電空間，其中與維持電極相比，在每個(gè) 單位單元中的第二阻擋肋更靠近掃描電極形成，v)多個(gè)尋址電極，構(gòu)造為 與掃描電極一起實(shí)施尋址放電，且該多個(gè)尋址電極的延伸方向基本垂直于掃 描電極的延伸方向，vi)多個(gè)浮置電極，設(shè)置在掃描電極與尋址電極之間， 以及vii)形成于主放電空間中的磷光體層。
PDP可進(jìn)一步包括覆蓋多個(gè)單元和浮置電極的電介質(zhì)層。在上述PDP 中，每個(gè)浮置電極的至少第一部分可形成于相應(yīng)的輔助;改電空間的至少第二 部分上方，使得至少第一部分和至少第二部分彼此重疊。在上述PDP中， 至少一個(gè)浮置電極可形成于第一單位單元的掃描電極與第二單位單元的維 持電極之間，第二單位單元鄰近第一單位單元。在上述PDP中，每個(gè)第二 阻擋肋可設(shè)置為面對(duì)相應(yīng)的掃描電極，在第二阻擋肋與相應(yīng)的掃描電極之間 限定有放電間隙。在上述PDP中，第二阻擋肋的高度可小于第一阻擋肋的 高度。在上述PDP中，磷光體層可不形成于輔助^:電空間中。PDP可進(jìn)一 步可包括形成于輔助放電空間中或形成于鄰近掃描電極的第二阻擋肋的頂 表面上的電子發(fā)射材料層。
本發(fā)明的另一方面是PDP，其包括i)彼此面對(duì)的前基 和后基板；ii) 多個(gè)第一阻擋肋，設(shè)置于前基板與后基板之間且構(gòu)造為定義多個(gè)單位單元； iii)多個(gè)單元，每個(gè)單元包括被構(gòu)造為在單位單元中產(chǎn)生相互放電的掃描電 極和維持電極；iv)覆蓋多個(gè)單元的電介質(zhì)層，其中凹槽形成于至少相應(yīng)于掃描電極的位置處；v)多個(gè)第二阻擋肋，將每個(gè)單位單元?jiǎng)澐譃橹鞣烹娍?間和輔助放電空間，其中與維持電極相比，每個(gè)單位單元中的第二阻擋肋更 靠近掃描電極形成，vi)多個(gè)尋址電極，構(gòu)造為與掃描電極一起實(shí)施尋址放 電，且該多個(gè)尋址電極的延伸方向基本垂直于掃描電極的延伸方向，以及vii) 多個(gè)浮置電極，設(shè)置在掃描電極與尋址電極之間。
PDP可進(jìn)一步包括覆蓋多個(gè)單元和浮置電極的電介質(zhì)層。在上述PDP 中，每個(gè)浮置電極的至少第 一部分可形成于相應(yīng)的輔助放電空間的至少第二 部分上方，使得至少第一部分和至少第二部分彼此重疊。在上述PDP中， 浮置電極可形成于第一單位單元的掃描電極與第二單位單元的維持電極之 間，第二單位單元鄰近第一單位單元。在上述PDP中，每個(gè)第二阻擋肋可 設(shè)置為面對(duì)相應(yīng)的掃描電極，在第二阻擋肋與相應(yīng)的掃描電極之間限定有放 電間隙。在上述PDP中，第一阻擋肋的高度和第二阻擋肋的高度可基本相 同。在上述PDP中，磷光體層可不形成于輔助放電空間中。PDP可進(jìn)一步 可包括形成于輔助放電空間中或形成于鄰近掃描電極的第二阻擋肋頂表面 上的電子發(fā)射材料層。
本發(fā)明的又一方面是等離子體顯示面板(PDP),其包括i)彼此面對(duì) 的第一基板和第二基板；ii)多個(gè)第一阻擋肋，位于第一基板與第二基板之 間且構(gòu)造為定義多個(gè)放電單元；以及iii)多個(gè)第二阻擋肋，將每個(gè)放電單元 劃分為第一子放電單元和第二子放電單元，其中磷光體層形成于第一子放電 單元中且沒有形成于第二子;^丈電單元中。
在上述PDP中，在每個(gè)第一子放電單元與每個(gè)第二子放電單元之間可
子放電單元流入第一子放電單元中。PDP可進(jìn)一步包括多個(gè)掃描電極和多 個(gè)維持電極；保護(hù)層，接觸第一阻擋肋和第二阻擋肋至少之一；多個(gè)浮置電 極，位于掃描電極與保護(hù)層之間，其中每個(gè)浮置電極被構(gòu)造為在每個(gè)第二子 放電單元中提供均勻的電場(chǎng)；以及電介質(zhì)層，覆蓋多個(gè)掃描電極、維持電極 和浮置電極。PDP可進(jìn)一步包括在每個(gè)第二子放電單元中或者在鄰近掃描電 極的第二阻擋肋的頂表面上形成的電子發(fā)射材料層。


將參照附圖描述本發(fā)明的實(shí)施例。圖l是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的等離子體顯示面板(PDP)的分解透視
圖2是沿圖1的線II-II剖取的垂直截面圖； 圖3是示出在圖1中示出的部分組件的布置的透視圖； 圖4是根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的PDP的垂直截面圖； 圖5是根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的PDP的垂直截面圖； 圖6是根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的PDP的分解透視圖； 圖7是沿圖6的線VII-VII剖取的垂直截面圖。
具體實(shí)施例
通常，為了實(shí)現(xiàn)圖像的灰度等級(jí)(gradation),通過將一個(gè)幀劃分為具有 不同光發(fā)射的幾個(gè)子場(chǎng)，PDP實(shí)施分時(shí)運(yùn)行。每個(gè)子場(chǎng)被分為重置周期，以 一致地引起放電；尋址周期，以選擇放電單元；以及維持周期，以根據(jù)放電 的量實(shí)現(xiàn)圖像的灰度等級(jí)。在尋址周期中， 一類輔助放電在尋址電極與掃描 電極之間產(chǎn)生，壁電壓形成于所選的放電單元中，從而形成用于維持放電的 期望環(huán)境。
一般地，尋址周期需要的電壓高于維持放電需要的電壓。因此，為了實(shí) 施平穩(wěn)的尋址運(yùn)行且確保高的電壓裕度的低輸入電壓，即，低尋址電壓，通 常用于改善PDP的運(yùn)行效率和放電穩(wěn)定性。另外，由于PDP發(fā)展到全高清
(full-HD)分辨率等級(jí)，所以所需的放電單元的數(shù)量實(shí)質(zhì)上增加了，因而分 配到每個(gè)放電單元的尋址電極的數(shù)量也增加了。因此，電路單元通常期望被 設(shè)計(jì)成能應(yīng)對(duì)高功耗。由于這些原因，高運(yùn)行效率通常期望利用低電力
(electric power)運(yùn)行。另外，利用注入在PDP內(nèi)部的放電氣體中的高分壓 氙(Xe)的高氙(Xe)顯示器有益于高亮度效率，但是需要相對(duì)高的尋址 電壓用于起動(dòng)放電。因而，應(yīng)該獲得充足的尋址電壓裕度以實(shí)現(xiàn)高效率顯示 器。 '
現(xiàn)在，將參照附圖更加全面地描述本發(fā)明的實(shí)施例，在附圖中示出了本 發(fā)明的示例性實(shí)施例。 第一實(shí)施例
圖l是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的等離子體顯示面板(PDP)的分解透視 圖，圖2是沿圖1的線II-II剖取的垂直截面圖，圖3是示出圖1中示出的部分組件的布置的透視圖。
圖1的PDP包括前基板110、與前基板110分離且面對(duì)前基板110的后
基板120，以及多個(gè)阻擋肋124,該多個(gè)阻擋肋124將前基板110與后基板 120之間的空間分為多個(gè)單位單元S。
單位單元S是最小的發(fā)光單位，在單位單元S中維持電極對(duì)X和Y引 起相互顯示放電并且在單位單元S中，尋址電極122延伸越過維持電極對(duì)X 和Y。另外，單位單元S由阻擋肋124限定，從而實(shí)現(xiàn)預(yù)定顯示。每個(gè)單位 單元S組成獨(dú)立的發(fā)光區(qū)域。
維持電極對(duì)X和Y包括成對(duì)地實(shí)施顯示放電的維持電極X和掃描電極 Y。維持電極X和Y分別包括匯流電極112X和112Y以及透明電極113X和 113Y。匯流電極112X和112Y形成電源線。透明電極113X和113Y由透光 材料形成且電接觸匯流電極112X和112Y,且沿4黃向方向(width-wise direction)朝向每個(gè)單位單元內(nèi)部延伸。
另外，維持電極對(duì)X和Y可被電介質(zhì)層114覆蓋，使得維持電極對(duì)X 和Y沒有直接暴露于放電環(huán)境，因而被保護(hù)而不與參加放電的帶電顆粒 (charged particle)直接碰撞。電介質(zhì)層114可被保護(hù)層115覆蓋及保護(hù)， 該保護(hù)層115由例如MgO薄膜形成。保護(hù)層115可引起二次電子發(fā)射，從 而有助于》史電。
浮置電極117可進(jìn)一步形成于電介質(zhì)層114中，以下將更詳細(xì)地描述。 尋址電極122設(shè)置在后基板120上。尋址電極122與掃描電極Y—起實(shí) 施尋址放電。在每個(gè)單位單元S中，尋址電極122以尋址電極122基本垂直 于掃描電極Y的方式設(shè)置。在此，尋址放電是一類輔助放電，其在顯示放電 發(fā)生之前通過在每個(gè)單位單元S中積累啟動(dòng)顆粒(priming particle)而支持 顯示放電。施加在掃描電極Y與尋址電極122之間的放電電壓可穿過電介質(zhì) 層114和尋址電極122上的阻擋肋124集中在放電間隙g附近的區(qū)域中，電 介質(zhì)層114覆蓋掃描電極Y。因此，初始放電可通過提供最短放電路徑的放 電間隙g發(fā)生。
在一個(gè)實(shí)施例中，尋址電極122可被后基板120上的電介質(zhì)層121覆蓋， 阻擋肋124形成于電介質(zhì)層121的平面上。阻擋肋124在前基板110與后基 板120之間限定多個(gè)主放電空間Sl (或第一子放電單元)和鄰近主放電空 間Sl的多個(gè)輔助;改電空間S2 (或第二子放電單元)。更具體地，每個(gè)阻擋肋124包括第一阻擋肋124a和第二阻擋肋124b。第一阻擋肋124a具有第一 高度hl，該第一阻擋肋124a將前基板110與后基板120之間的空間定義為 多個(gè)單位單元S，其中圖3中的虛線表示第一阻擋肋124a。第二阻擋肋124b 具有第二高度h2,該第二阻擋肋124b將每個(gè)單位單元S劃分為主放電空間 Sl和輔助放電空間S2。為了便于理解，可根據(jù)它們的放電體積進(jìn)行主放電 空間Sl和輔助;故電空間S2中;^欠電空間的劃分。然而，主^:電空間Sl和輔 助放電空間S2的功能并不是彼此完全不同。例如，除了主放電空間Sl之外， 顯示放電可以在輔助放電空間S2中以長間隙的形式發(fā)生。
第一阻擋層124a可形成為第一高度hl，使得單位單元S被實(shí)質(zhì)上密封 以防止相鄰單位單元S之間的光串?dāng)_和電串?dāng)_。術(shù)語"密封"并不意味著單 位單元S被密閉地(hermetically)密封，在公差限度下，具有微尺寸的間隙 可存在于第一阻擋層124a上。
第二阻擋肋124b的第二高度h2可小于第一阻擋肋124a的第一高度hl， 乂人而保^寺預(yù)定方欠電間隙giU是供啟動(dòng)顆并立(priming particle)的流動(dòng)^各徑， 該啟動(dòng)顆粒由于尋址放電而形成。因此，形成于輔助放電空間S2中的啟動(dòng) 顆粒被允許流入主放電空間Sl中。因而，由于尋址》文電而形成于輔助放電
空間S2中的啟動(dòng)顆粒易于沿形成于第二阻擋肋124b上的流動(dòng)路徑擴(kuò)散到主 放電空間S1，從而參與顯示放電。
另夕卜，施加在掃描電極Y與尋址電極122之間的尋址電壓在尋址放電空 間S2中比在由石壽光體層125遮蔽( screen)的主方文電玄間Sl中活性更高。 在這點(diǎn)上，輔助放電空間S2可形成為具有一體積使得在該體積中可獲得足 夠量的放電氣體的體積，以便通過尋址放電提供充足的啟動(dòng)顆粒。例如，在 每個(gè)單位單元s中，可調(diào)整第二阻擋肋124b的位置以增加或減小輔助放電 空間S2的體積。
另外，尋址放電可經(jīng)經(jīng)由作為面對(duì)的放電表面的面對(duì)掃描電極Y的第二 阻擋肋124b的頂表面而沿著放電間隙g開始。在此，掃描電極Y和第二阻 擋肋124b可相對(duì)于彼此排列，以減短放電路徑。特別地，掃描電極Y和第 二阻擋肋124b可彼此部分重疊，以具有寬度WO (參見圖2 )。
尋址放電通常發(fā)生于輔助放電空間S2中，且提供將參與顯示放電的啟 動(dòng)顆粒。即，尋址放電自身與顯示發(fā)射無關(guān)。當(dāng)放電光在尋址放電期間產(chǎn)生 且與顯示發(fā)射(display emission) —起泄露到外面時(shí)，表現(xiàn)為霧度(haze)的噪音亮度(noise brightness)鄰近發(fā)射像素發(fā)生，因而，顯示器的清晰度會(huì)降到低等級(jí)。為了防止該問題，在輔助放電空間S2中產(chǎn)生的放電光可通過在輔助放電空間S2上形成深色條紋(black stripe )而被阻擋。然而，該深色條紋的形成并不是嚴(yán)格必需的，原因在于構(gòu)成掃描電極Y的匯流電極112Y通常由金屬導(dǎo)電材料形成，因而匯流電極112Y自身能阻擋光。
才艮據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，用于顯示;^文電的主^:電空間Sl和用于尋址放電的輔助放電空間S2彼此分離且能阻擋放電光的技術(shù)裝置易于被設(shè)計(jì)。例如，可選擇性地設(shè)置深色條紋。然而，根據(jù)典型的PDP，顯示放電和尋址放電發(fā)生在相同空間處，因而，放電光不能被阻擋且顯示品質(zhì)降低。特別地，由尋址放電激發(fā)磷光體而產(chǎn)生的可見光形成背景光且對(duì)比效應(yīng)會(huì)惡化。然而，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，磷光體在結(jié)構(gòu)上與其中主要發(fā)生尋址放電的輔助放電空間S2隔離。因此，在尋址放電期間，磷光體發(fā)光時(shí)所產(chǎn)生的背景光可基本被去除且能實(shí)現(xiàn)具有高對(duì)比度的高品質(zhì)顯示。
熒光層125形成于主放電空間Sl的內(nèi)壁上。例如，熒光層125可形成于第一阻擋肋124a和第二阻擋肋124b的接觸主放電空間Sl的側(cè)壁上以及可形成于電介質(zhì)層121在第一阻擋肋124a與第二阻擋肋124b之間的部分上。焚光層125可與由于顯示放電而產(chǎn)生的紫外光相互反應(yīng)，從而形成各種顏色的可見光。例如，實(shí)現(xiàn)彼此不同顏色的R、 G和B磷光體被涂覆在主放電空間Sl的內(nèi)部，因而，主放電空間Sl或單位單元S被限定為R子像素、G子像素或B子像素。
熒光層125可不形成在輔助放電空間S2中。具有不同種類材料的不同磷光體具有不同的電特性且能顯著影響放電環(huán)境。例如，鋅硅酸鹽基G磷光體，諸如Zn2Si04:Mn,傾向于具有負(fù)(-)表面電勢(shì)，另一方面，R和B磷光體諸如Y(V,P)04:Eu或BAM:Eu傾向于具有正(+ )表面電勢(shì)。在一個(gè)實(shí)施例中，為了通過防止磷光體放電干擾而形成一致的放電環(huán)境，磷光體與尋址放電的路徑隔離，這就是為什么磷光體沒有被涂覆在輔助放電空間S2中的原因。
在典型的PDP中，磷光體直接暴露于尋址放電，因而即使當(dāng)施加相同的尋址電壓時(shí)，放電空間內(nèi)部的電壓也會(huì)根據(jù)磷光體的電特性而改變。即，趨向于是負(fù)性(-)帶電的G磷光體降低尋址電壓，另一方面，趨向于正性(+ )帶電的R和B磷光體增加尋址電壓。因此，盡管相同的尋址電壓被施
12加到G、 R和B磷光體，但是在具有G、 R和B磷光體的》文電空間中的電壓也會(huì)彼此不同，因而，降低了尋址電壓裕度。
顯示放電主要發(fā)生在與輔助放電空間S2分離的主放電空間Sl中。尋址放電主要發(fā)生在輔助放電空間S2中。另外，磷光體沒有形成于空間S2中。當(dāng)主放電空間Sl與輔助放電空間S2較寬地分離時(shí)，根據(jù)磷光體的獨(dú)特電特性，從外部施加的尋址電壓可被均勻提供到所有的輔助放電空間S2，因而，尋址電壓裕度可顯著增加。另外，相對(duì)于典型的PDP，相同的預(yù)放電效應(yīng)可以僅利用低尋址電壓而獲得，當(dāng)施加相同的尋址電壓時(shí)，可積累更多的啟動(dòng)顆粒，隨后的顯示放電可具有高的放電強(qiáng)度。
放電氣體被提供到包括主放電空間Sl和輔助放電空間S2的單位單元S，該放電氣體是紫外光的源氣體。放電氣體可以是包括例如具有預(yù)定體積比的Xe、 Kr、 He和Ne的多原子氣體，其可以通過放電激發(fā)發(fā)射紫外線。 一般地，當(dāng)多原子氣體中Xe的分壓高時(shí)，也就是，高Xe放電氣體被使用，從而可以獲得高發(fā)射效率。然而，高Xe放電氣體實(shí)際上不能應(yīng)用或具有有限的應(yīng)用，原因在于由于高放電初始電壓，其通常需要大量的運(yùn)行功耗，并且需要能應(yīng)付高功率的電路。根據(jù)提供高尋址電壓的本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，可獲得足夠的啟動(dòng)顆粒以激起放電。因此，可實(shí)現(xiàn)高Xe PDP，且可顯著改善發(fā)射效率。
在根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的PDP中，浮置電極117形成于電介質(zhì)層114中以形成均勻的電場(chǎng)并最小化無用功耗(ineffective power)的增加。特別地，在根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的PDP中，為了甚至在低尋址電壓下穩(wěn)定地產(chǎn)生放電，均勻的電場(chǎng)可形成于輔助放電空間S2中。為了在輔助放電空間S2中形成均勻的電場(chǎng)，設(shè)置在輔助放電空間S2上方的掃描電極Y越長越好。然而，如果掃描電極Y的匯流電才及112Y的長度增加，則掃描電極Y與相鄰單位單元S的維持電極X之間的電容也增加，導(dǎo)致無用功耗增加和串?dāng)_的發(fā)生增加。為了克服這些問題，在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，浮置電極117進(jìn)一步形成于電介質(zhì)層114中，使得無用功耗的增加最小化，且形成輔助放電空間S2中的均勻電場(chǎng)。
浮置電極117被埋入電介質(zhì)層114中，且可由典型的金屬導(dǎo)電劑(conducting agent)形成。當(dāng)電壓施加于尋址電極122與掃描電極Y之間/人而實(shí)施尋址放電時(shí)，電壓不從外部施加到設(shè)置在掃描電極Y下方的浮置電極117,因而浮置電極117具有中間(median)電壓值。在一個(gè)實(shí)施例中，浮置電極117的電壓由i)尋址電極122和掃描電極Y， ii)施加到尋址電極122和掃描電極Y的每一個(gè)的電壓，iii)形成單位單元S的材料的介電常數(shù)，以及iv)尋址電極122和掃描電極Y的每一個(gè)的結(jié)構(gòu)位置以及形成單位單元S的每種材料的每一個(gè)確定。這樣，尋址電極122和掃描電極Y是導(dǎo)體，在其表面上具有相同的電壓，因而通過浮置電才及117和尋址電4及122形成于輔助放電空間S2中的電場(chǎng)均勻分布。
在此，浮置電極117與相鄰單位單元S的維持電極X之間的距離小于掃描電極Y與維持電極X之間的距離。由此，掃描電極Y與相鄰單位單元S的維持電極X之間的電容會(huì)增加少許。然而，維持電極X的電壓與浮置電極117的電壓之間的差值小于掃描電極Y的電壓與浮置電極117的電壓之間的差值，因而電極之間的無用功耗不增加。
另外， 一般地，浮置電極117由金屬導(dǎo)電劑形成，因而自身可阻擋光。因此，浮置電極117可用作深色條紋。因此，不需要單獨(dú)的深色條紋，從而降低制造成本以及簡(jiǎn)化制造工藝。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，可以在輔助》文電空間S2中形成均勻的電場(chǎng)，因而放電被穩(wěn)定，并且可最小化無用功耗的增加，可防止串?dāng)_發(fā)生。另外，浮置電極117用作深色條紋，因而，可獲得簡(jiǎn)單的制造工藝的效應(yīng)。第二實(shí)施例
圖4是根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的PDP的垂直截面圖。參照?qǐng)D4，前基板110面對(duì)后基板120，第一阻擋肋124a和第二阻擋肋124b限定前基板110與后基板120之間的主放電空間Sl和輔助放電空間S2。以第二阻擋肋124b面對(duì)且與掃描電極Y分隔開放電間隙g的距離的方式，第二阻擋肋124b形成為具有第二高度h2。
當(dāng)前實(shí)施例與之前實(shí)施例的差別在于電子發(fā)射材料層135進(jìn)一步形成于輔助放電空間S2中。電子發(fā)射材料層135將二次電子提供到輔助放電空間S2，從而以尋址放電聚集于輔助放電空間S2中的方式激發(fā)放電。電子發(fā)射材料層135可包括誘發(fā)電子發(fā)射的任何材料。例如，電子發(fā)射材料層135可包括MgO納米粉、Sr-CaO薄膜、碳粉、金屬粉、MgO膏(paste )、 ZnO、硼氮化物(BN)、金屬-絕緣體-半導(dǎo)體(MIS)納米粉、氧化的多孔硅(OPS)納米粉、ACE、碳發(fā)射層(CEL)等。除了由放電引起的離子化而產(chǎn)生的帶電顆粒，根據(jù)場(chǎng)發(fā)射原理，二次電子可通過電子發(fā)射材料135被提供到放電
空間。因此，可易于起動(dòng)和激發(fā)(activate)放電。第三實(shí)施例
圖5根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的PDP的垂直截面圖。參照?qǐng)D5,前基板110面對(duì)后基板120，第一阻擋肋124a和第二阻擋肋124b定義在前基板110與后基板120之間的主放電空間Sl和輔助放電空間S2。以第二阻擋肋124b面對(duì)且與掃描電極Y分隔開放電間隙g的距離的方式，第二阻擋肋124b形成為具有第二高度h2。
當(dāng)前實(shí)施例與之前實(shí)施例的差別在于電子發(fā)射材料層135，進(jìn)一步形成于第二阻擋肋124b的頂表面上，第二阻擋肋124b的頂表面形成放電表面。電子發(fā)射材料層135，包括與聚集在放電間隙g附近的放電場(chǎng)反應(yīng)的材料，從而誘發(fā)電子發(fā)射。例如，該材料可以是MgO納米粉、Sr-CaO薄膜、碳粉、金屬粉、MgO膏、ZnO、 BN、 MIS納米粉、OPS纟內(nèi)米粉、ACE、 CEL等。除了由放電引起的離子化而產(chǎn)生的帶電顆粒，根據(jù)場(chǎng)發(fā)射原理，二次電子可通過電子發(fā)射材料135，被提供到放電空間。因此，可易于起動(dòng)和激發(fā)放電。第四實(shí)施例
圖6是根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的PDP的分解透視圖。圖7是沿圖6中的線VII-VII剖取的垂直截面圖。
參照?qǐng)D6和圖7，前基板210面對(duì)后基板220,第一阻擋肋224a在前基板210與后基板220之間定義多個(gè)單位單元S,第二阻擋肋224b將每個(gè)單位單元S劃分為主放電空間Sl和輔助放電空間S2。由第一阻擋肋224a定義的每個(gè)單位單元S包括實(shí)施相互顯示放電的一對(duì)掃描電極Y和維持電極X以及尋址電極222，尋址電極222沿基本垂直于掃描電極Y延伸方向的方向延伸，且與掃描電極Y—起產(chǎn)生尋址放電。維持電極X和掃描電極Y可包括匯流電極212X和212Y以及透明電極213X和213Y的組合。維持電極X和掃描電極Y可被電介質(zhì)層214覆蓋。另外，保護(hù)層215可進(jìn)一步形成于電介質(zhì)層214上。保護(hù)層215可包括MgO層，誘發(fā)二次電子發(fā)射，從而激發(fā)放電。
同時(shí)，電介質(zhì)層221可形成于后基板220上的尋址電極222上。第二阻擋肋224b可相應(yīng)于掃描電極Y。特別地，第二阻擋肋224b面對(duì)掃描電極Y，第二阻擋肋224b與掃描電極Y分隔開放電間隙g的距離。因此，第二阻擋
15肋224b可提供面對(duì)的(facing)放電表面。
在根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的PDP中，浮置電極217形成于電介質(zhì)層214中，從而形成均勻的電場(chǎng)且最小化無用功耗增加。具體地，浮置電極217被埋入電介質(zhì)層214中，且可由普通的金屬導(dǎo)電劑形成。當(dāng)電壓施加在尋址電極222與掃描電極Y之間從而實(shí)施尋址放電時(shí)，電壓并不從外部施加到設(shè)置在掃描電極Y下方的浮置電極217,因而浮置電極217具有中間電壓值。
在一個(gè)實(shí)施例中，浮置電極217的電壓可由以下每一種確定i)尋址電極222和掃描電極Y， ii)施加到尋址電4及222和掃描電4及Y的每一個(gè)的電壓，iii)形成單位單元S的材料的介電常數(shù)，以及iv)尋址電極222和掃描電極Y的每一個(gè)的結(jié)構(gòu)位置以及形成單位單元S的每種材料。這樣，尋址電極222和掃描電極Y是導(dǎo)體，在其表面上具有相同的電壓，因而通過浮置電才及217和尋址電才及222而形成于輔助;改電空間S2中的電場(chǎng)均勻分布。
浮置電極217與相鄰單位單元S的維持電極X之間的距離小于掃描電極Y與維持電極X之間的距離。由此，掃描電極Y與相鄰單位單元S的維持電極X之間的電容會(huì)增加少許。然而，維持電極X的電壓與浮置電極217的電壓之間的差值小于掃描電極Y的電壓與浮置電極217的電壓之間的差值，因而掃描電極Y與維持電極X之間的無用功耗不增加。
另外， 一般地，浮置電極217由金屬導(dǎo)電劑形成，因而自身可阻擋光。因此，浮置電極217可用作深色條紋。因此，不需要單獨(dú)的深色條紋，致使降低制造成本以及簡(jiǎn)單的制造工藝。
在當(dāng)前實(shí)施例中，第一阻擋肋224a和第二阻擋肋224b具有基本相同的高度h，覆蓋掃描電極Y的電介質(zhì)層214具有凹槽(groove) r，該凹槽r具有預(yù)定深度d以形成放電間隙g。凹槽r形成為至少相應(yīng)于掃描電極Y，如在圖7中所示，且朝向維持電極X延伸。積累在輔助放電空間S2中的啟動(dòng)顆粒由于尋址效應(yīng)而通過放電間隙g分散到主放電空間Sl且參與顯示放電。
盡管沒有示出，但是電子發(fā)射材料可進(jìn)一步形成于輔助放電空間S2中。當(dāng)電子發(fā)射材料層形成于輔助放電空間S2中時(shí)，電子發(fā)射材料層將二次電子提供到輔助放電空間S2且激發(fā)放電。因此，尋址放電可集中在輔助放電
如MgO納米粉、Sr-CaO薄膜、碳粉、金屬粉、MgO膏、ZnO、 BN、 MIS納米粉、OPS纟內(nèi)米4分、ACE或CEL。盡管沒有示出，電子發(fā)射材料層可形成于第二阻擋肋224b上。當(dāng)電子 發(fā)射材料層形成于第二阻擋肋224b上時(shí)，會(huì)易于起始和激發(fā)尋址放電。電 子發(fā)射材料層與集中在放電間隙g附近的高電場(chǎng)反應(yīng)且發(fā)射二次電子。電子 發(fā)射材料層可包括具有預(yù)定電子發(fā)射特性的任何材料，諸如MgO納米粉、 Sr-CaO薄膜、碳粉、金屬粉、MgO膏、ZnO、 BN、 MIS納米粉、OPS納米 粉、ACE、 CEL等。
在根據(jù)本發(fā)明至少一個(gè)實(shí)施例的PDP中，浮置電極進(jìn)一步形成于掃描 電極與尋址電極之間，從而可以在輔助放電空間中形成均勻的電場(chǎng)，因而穩(wěn) 定放電，可最小化無用功耗增加，且可防止串?dāng)_發(fā)生。
另外，浮置電極用作深色條紋，致使簡(jiǎn)單的制造工藝。
另夕卜，可防止由于設(shè)置在典型的尋址放電路徑中的磷光體而引起的放電 攔截(interception )，可增加尋址電壓裕度。因此，可使用高Xe放電氣體實(shí) 現(xiàn)高效率顯示。因而，可降低在具有高分辨率的全高清顯示器中所消耗的功 率量。
另外，根據(jù)本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例，可除去作為霧度出現(xiàn)在顯示發(fā)射 附近且使圖像透明度(clarity)退化的噪音亮度，諸如當(dāng)尋址放電發(fā)生時(shí)產(chǎn) 生的放電光或背景光，因而可獲得具有高對(duì)比度效應(yīng)的高品質(zhì)圖像。
雖然已經(jīng)參照本發(fā)明的示例性實(shí)施例具體示出和描述了本發(fā)明，但是本 領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解在不脫離由附屬的權(quán)利要求書所限定的本發(fā)明的精 神和范圍的前提下，可進(jìn)行形式和細(xì)節(jié)上的各種變化。
本申請(qǐng)要求于2008年7月14日提交到韓國知識(shí)產(chǎn)權(quán)局的韓國專利申請(qǐng) No. 10-2008-0068340的權(quán)益，在此結(jié)合其全部公開作為參考。
權(quán)利要求
1.一種等離子體顯示面板，包括前基板和后基板，彼此面對(duì)；多個(gè)第一阻擋肋，設(shè)置在所述前基板與所述后基板之間且構(gòu)造為定義多個(gè)單位單元；多個(gè)單元，每個(gè)所述單元包括被構(gòu)造為在所述單位單元中產(chǎn)生顯示放電的掃描電極和維持電極；多個(gè)第二阻擋肋，將每個(gè)所述單位單元?jiǎng)澐譃橹鞣烹娍臻g和輔助放電空間，其中與所述維持電極相比，在每個(gè)所述單位單元中的所述第二阻擋肋更靠近所述掃描電極形成；多個(gè)尋址電極，被構(gòu)造為與所述掃描電極一起實(shí)施尋址放電，且所述多個(gè)尋址電極的延伸方向垂直于所述掃描電極的方向；多個(gè)浮置電極，設(shè)置在所述掃描電極與所述尋址電極之間；以及形成于所述主放電空間中的磷光體層。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，還包括覆蓋所述多個(gè)單元 和所述浮置電極的電介質(zhì)層。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中每個(gè)所述浮置電極的 至少一部分形成于相應(yīng)的輔助放電空間的至少一部分上方，使得所述相應(yīng)的 輔助放電空間的所述至少一部分與所述浮置電極的所述至少一部分彼此重 疊。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中至少一個(gè)所述浮置電 極形成于第一單位單元的所述掃描電極與第二單位單元的所述維持電極之 間，所述第二單位單元鄰近所述第一單位單元。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中每個(gè)所述第二阻擋肋 設(shè)置為面對(duì)相應(yīng)的掃描電極，且在每個(gè)所述第二阻擋肋與所述相應(yīng)的掃描電 極之間限定有放電間隙。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中所述第二阻擋肋的高 度小于所述第一阻擋肋的高度。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中所述磷光體層沒有形 成于所述輔助放電空間中。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，還包括電子發(fā)射材料層， 所述電子發(fā)射材料層形成于所述輔助放電空間中或形成于鄰近所述掃描電 極的所述第二阻擋肋的頂表面上。
9. 一種等離子體顯示面板，包括 前基板和后基才反，4皮此面對(duì)；多個(gè)第一阻擋肋，設(shè)置在所述前基板與所述后基板之間且被構(gòu)造為定義多個(gè)單位單元；多個(gè)單元，每個(gè)所述單元包括被構(gòu)造為在所述單位單元中產(chǎn)生相互放電的掃描電極和維持電極；覆蓋所述多個(gè)單元的電介質(zhì)層，其中凹槽形成于至少相應(yīng)于所述掃描電極的位置處；多個(gè)第二阻擋肋，將每個(gè)單位單元?jiǎng)澐譃橹鞣烹娍臻g和輔助放電空間， 其中與所述維持電極相比，在每個(gè)所述單位單元中的所述第二阻擋肋更靠近 所述掃描電才及形成；多個(gè)尋址電極，被構(gòu)造為與所述掃描電極一起實(shí)施尋址放電，且所述多 個(gè)尋址電極的延伸方向垂直于所述掃描電極的方向；多個(gè)浮置電極，設(shè)置在所述掃描電極與所述尋址電極之間；以及形成于所述主》文電空間中的磷光體層。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的等離子體顯示面板，還包括覆蓋所述多個(gè)單 元和所述浮置電極的電介質(zhì)層。
11. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的等離子體顯示面板，其中每個(gè)所述浮置電極 的至少一部分形成于相應(yīng)的輔助放電空間的至少一部分上方，使得所述相應(yīng) 的輔助放電空間的所述至少一部分與所述浮置電極的所述至少一部分彼此 重疊。
12. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的等離子體顯示面板，其中所述浮置電極形成 于第一單位單元的所述掃描電極與第二單位單元的所述維持電極之間，第二 單位單元鄰近所述第 一單位單元。
13. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的等離子體顯示面板，其中每個(gè)所述第二阻擋 肋設(shè)置為面對(duì)相應(yīng)的掃描電極，在每個(gè)所述第二阻擋肋與所述相應(yīng)的掃描電 極之間限定有放電間隙。
14. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的等離子體顯示面板，其中所述第一阻擋肋的高度與所述第二阻擋肋的高度相同。
15. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的等離子體顯示面板，其中所述磷光體層沒有 形成于所述輔助放電空間中。
16. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的等離子體顯示面板，還包括電子發(fā)射材料層，所述電子發(fā)射材料層形成于所述輔助放電空間中或形成于鄰近所述掃描電 極的所述第二阻擋肋的頂表面上。
17. —種等離子體顯示面板，包括 第一基板和第二基板，彼此面對(duì)；多個(gè)第一阻擋肋，位于所述第一基板與所述第二基板之間且被構(gòu)造為定 義多個(gè)放電單元；以及多個(gè)第二阻擋肋，將每個(gè)所述放電單元?jiǎng)澐譃榈谝蛔臃烹妴卧偷诙?放電單元，其中磷光體層形成于所述第一子放電單元中而沒有形成于所述第 二子放電單元中。
18. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的等離子體顯示面板，在每個(gè)所述第一子放電 單元與每個(gè)所述第二子放電單元之間定義通道，并且其中在尋址放電之后剩 余的顆粒被構(gòu)造為經(jīng)由所述通道從所述第二子放電單元流到所述第一子放 電單元中。
19. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的等離子體顯示面板，還包括 多個(gè)掃描電極和多個(gè)維持電極；保護(hù)層，接觸所述第一阻擋肋和所述第二阻擋肋至少之一； 多個(gè)浮置電極，位于所述掃描電極與所述保護(hù)層之間，其中每個(gè)所述浮 置電極被構(gòu)造為在每個(gè)所述第二子放電單元中提供均勻的電場(chǎng)；以及電介質(zhì)層，覆蓋所述多個(gè)掃描電極、所述多個(gè)維持電極和所述多個(gè)浮置電極。
20. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的等離子體顯示面板，還包括在每個(gè)所述第二 子放電單元中或者在鄰近所述掃描電極的所述第二阻擋肋的頂表面上形成 的電子發(fā)射材料層。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種等離子體顯示面板(PDP)。在一個(gè)實(shí)施例中，PDP包括i)彼此面對(duì)的第一基板和第二基板；ii)多個(gè)第一阻擋肋，形成在第一基板與第二基板之間且被構(gòu)造為定義多個(gè)放電單元；以及iii)多個(gè)第二阻擋肋，將每個(gè)放電單元?jiǎng)澐譃榈谝蛔臃烹妴卧偷诙臃烹妴卧?，其中磷光體層形成于第一子放電單元中而不形成于第二子放電單元中。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，PDP具有通過改善尋址電壓裕度而獲得的高驅(qū)動(dòng)效率，并且PDP具有通過去除由噪音亮度而獲得的高圖像品質(zhì)，該噪音亮度由尋址放電產(chǎn)生的放電光引起，該P(yáng)DP適于具有高效率和高分辨率的圖像顯示。
文檔編號(hào)H01J11/28GK101630619SQ200910152278
公開日2010年1月20日 申請(qǐng)日期2009年7月14日 優(yōu)先權(quán)日2008年7月14日
發(fā)明者宋守彬, 樸埈鏞, 鄭元喜, 鄭柱湜 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社