專利名稱：等離子顯示面板的下基板和等離子顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及平板顯示屏領(lǐng)域，更具體地，涉及等離子顯示面板的下基板和等離子
顯示面板。
背景技術(shù)：
等離子顯示面板(Plasma Display Panel,簡(jiǎn)稱PDP)，是利用氣體放電產(chǎn)生真空紫外光(VUV)，該紫外光又激發(fā)三原色熒光粉而產(chǎn)生紅綠藍(lán)三基色光，然后經(jīng)過(guò)空間和時(shí)間的調(diào)試實(shí)現(xiàn)了圖像顯示。AC表面放電型等離子顯示屏，分為前、后基板。前基板包括ITO層，以及在ITO層上交替排列的維持電極(也稱作X電極)和掃描電極(也稱作Y電極)，在X、Y電極上覆蓋有一定厚度的介質(zhì)層，再于介質(zhì)層上沉積一層MgO薄膜；后基板包括在玻璃基板上的尋址電極覆蓋該電極的介質(zhì)層以及介質(zhì)層上具有一定高度的障壁，障壁將放電空間隔離開(kāi)并在其中涂敷藍(lán)、綠、紅三色熒光粉。隨后將前、后玻璃基板封結(jié)在一起充入氣體。經(jīng)過(guò)Y電極和ADD尋址電極之間微弱放電產(chǎn)生壁電荷，通電時(shí)X、Y電極之間會(huì)產(chǎn)生放電，產(chǎn)生的紫外光會(huì)激發(fā)障壁槽內(nèi)的三原色熒光粉發(fā)出可見(jiàn)光。 等離子顯示單元的尋址放電主要發(fā)生在ADD尋址電極和Y電極，其中，在Y電極下方的有效范圍內(nèi)尋址最為有效。目前，為了提高尋址的效率，通常采用的方法是整體加寬ADD尋址電極，但是，整體加寬的ADD尋址電極會(huì)造成尋址電極電容增大，從而增加了無(wú)效功耗。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明旨在提供一種等離子顯示面板的下基板和等離子顯示面板，能夠解決無(wú)法同時(shí)提高尋址效率和降低功耗等問(wèn)題。 為了實(shí)現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種等離子顯示面板的下基板，其包括尋址電極和位于尋址電極上的介質(zhì)，尋址電極具有第一部分和第二部分，第一部分與上基板的維持電極的位置對(duì)應(yīng)，第二部分與上基板的掃描電極的位置對(duì)應(yīng)，其中，第二部分寬于第一部分。 為了實(shí)現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，提供了一種等離子顯示面板，其包括上基板和下基板，其中，下基板包括尋址電極和位于尋址電極上的介質(zhì)，尋址電極具有第一部分和第二部分，第一部分與上基板的維持電極的位置對(duì)應(yīng)，第二部分與上基板的掃描電極的位置對(duì)應(yīng)，其中，第二部分寬于第一部分。 在本發(fā)明中，增加了與Y電極對(duì)應(yīng)的部分尋址電極的寬度，而減少了其他部分尋址電極的寬度，從而在提高尋址效率的同時(shí)，降低了尋址電極電容以及無(wú)效功耗。此外，還利用具有不同厚度的介質(zhì)來(lái)限定尋址放電產(chǎn)生的位置，使得尋址的主放電產(chǎn)生在BUS電極的下方，從而有利于降低顯示器件暗場(chǎng)亮度，提高顯示屏的對(duì)比度。


附圖用來(lái)提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本申請(qǐng)的一部分，本發(fā)明的示意性實(shí) 施例及其說(shuō)明用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的不當(dāng)限定。在附圖中
圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的等離子顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖2是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的三種電極的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式
下面將參考附圖并結(jié)合實(shí)施例，來(lái)詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明。
實(shí)施例1 圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的等離子顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，該等離 子顯示面板包括上基板玻璃1和下基板玻璃2。上基板玻璃1的表面具有維持電極(也稱 作X電極)8和掃描電極(也稱作Y電極)9，在透明電極上方制作BUS電極。然后，上基板 玻璃1還包括位于上述電極上方的厚約為20至40微米的透明介質(zhì)10，以便保護(hù)電極。此 外，上基板玻璃1還可以包括位于在透明介質(zhì)10上的保護(hù)介質(zhì)，例如，氧化鎂保護(hù)膜，以便 免于粒子轟擊。為了提高顯示屏對(duì)比度，還可以在顯示單元非發(fā)光區(qū)域上制作有黑條7。
下基板玻璃2包括尋址電極3 ;位于尋址電極3上方的介質(zhì)4，其具有約20微米 的厚度，該介質(zhì)4用于保護(hù)尋址電極3。 尋址電極3具有第一部分5和第二部分6，其中，第一部分5與上基板的X電極8 的位置對(duì)應(yīng)，第二部分6與上基板的Y電極9的位置對(duì)應(yīng)。 在本實(shí)施例中，位于第二部分6上的介質(zhì)4比位于第一部分5上的介質(zhì)4薄，這樣， 在第二部分6上，放電更容易產(chǎn)生，從而降低顯示器件的暗場(chǎng)強(qiáng)度，提高顯示單元對(duì)比度。 優(yōu)選的，第二部分6上的介質(zhì)4比第一部分上的介質(zhì)4薄2um 5um。 圖2是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的三種電極的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2所述，尋址電極3與
X電極8和Y電極9的長(zhǎng)度方向垂直排列。尋址電極3包括第一部分5和第二部分6。由
圖2可見(jiàn)，第二部分6比第一部分5寬，從而增大尋址放電過(guò)程中電容的容量，提高尋址效
率。優(yōu)選的，第二部分6的寬度為第一部分5的寬度的1. 3倍 1. 7倍。 進(jìn)一步，尋址電極3還包括第三部分11，用于連接第一部分5和第二部分6，并
且，所述第一部分、所述第一部分5和第三部分ll均為四邊形。優(yōu)選的，所述第二部分和第
三部分具有相同的寬度。 在本實(shí)施例中，X電極8和Y電極9進(jìn)行維持放電。
實(shí)施例2 如圖1和2所示，根據(jù)本實(shí)施例的一種等離子顯示面板的下基板包括具有如圖2 所示結(jié)構(gòu)的尋址電極3，該尋址電極3包括第一部分5和第二部分6，在與上基板的連接 時(shí)，第一部分5與上基板的X電極8的位置對(duì)應(yīng)，第二部分6與上基板的Y電極9的位置對(duì) 應(yīng)，其中，第二部分6寬于第一部分5。由于包括具有這種結(jié)構(gòu)的尋址電極3，因此，根據(jù)本 實(shí)施例的下基板增大尋址放電過(guò)程中電容的容量，提高尋址效率。優(yōu)選的，第二部分的寬度 為第一部分的寬度的1. 3倍 1. 7倍。 相對(duì)于現(xiàn)有的整體加寬尋址電極的方法，根據(jù)本實(shí)施例的下基板雖然增加了部分 尋址電極的寬度，但是其他部分尋址電極的寬度得到了減小，從而使得尋址電極的整體面積沒(méi)有增加，從而在提高尋址效率的同時(shí)，降低了尋址電極電容以及無(wú)效功耗。例如，現(xiàn)有 的尋址電極整體寬度為60um，在本實(shí)施例中，第一部分5的寬度降低到50um，第二部分6的 寬度增加到80um，從而使得尋址電極的面積保持不變或變小。 進(jìn)一步，根據(jù)本實(shí)施例的下基板還可以包括具有如圖l所示結(jié)構(gòu)的介質(zhì)4，其中， 位于第二部分6上的介質(zhì)4比位于第一部分5上的介質(zhì)4薄。這樣，在第二部分6上，放電 更容易產(chǎn)生，從而降低顯示器件的暗場(chǎng)強(qiáng)度，提高顯示單元對(duì)比度。優(yōu)選的，位于第二部分 6上的介質(zhì)4比位于第一部分上的介質(zhì)4薄2um 5um。 進(jìn)一步，尋址電極3還包括第三部分11，用于連接第一部分5和第二部分6，并 且，第一部分5、第二部分6和第三部分11均為四邊形。優(yōu)選的，第一部分5和第三部分11 具有相同的寬度。
實(shí)施例3 下面將描述制作本發(fā)明實(shí)施例中的下基板和等離子顯示面板的方法。 在本發(fā)明的實(shí)施例中，通過(guò)使用不同的厚度的介質(zhì)材料及工藝的優(yōu)化組合，可以
制備出具有如圖2所示結(jié)構(gòu)的尋址電極和具有如圖1所示結(jié)構(gòu)的介質(zhì)，該方法主要采用如
下步驟 Sll，使用印刷、干燥、曝光、顯影和燒結(jié)完成尋址電極制作，其中，該尋址電極在對(duì) 應(yīng)的Y電極下方適當(dāng)?shù)卦黾訉挾?，得到如圖2所示的尋址電極3。 S12，在尋址電極3的第一部分5和第二部分6上方制作具有不同厚度的介質(zhì)層。
這里，使用印刷工藝，第一層選擇P印刷，第二層選擇方塊電極上無(wú)圖案印刷。 S13 、使用印刷法或涂覆法制備障壁層，用噴砂法或濕法刻蝕制作出底層障壁； S14、將完成障壁制作的玻璃基板在550°C 60(TC高溫下燒結(jié)。 S15、采用印刷或噴涂工藝制作熒光粉涂層。 S16、以上結(jié)束下基板的制作。 S17、上下基板對(duì)合封接，完成屏制作。 在本發(fā)明中，增加了與Y電極對(duì)應(yīng)的部分尋址電極的寬度，從而提高尋址效率。此
外，還利用具有不同厚度的介質(zhì)來(lái)限定尋址放電產(chǎn)生的位置，使得尋址的主放電產(chǎn)生在BUS
電極的下方，從而有利于降低顯示器件暗場(chǎng)亮度，提高顯示屏的對(duì)比度。 以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對(duì)于本領(lǐng)域的技
術(shù)人員來(lái)說(shuō)，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修
改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
一種等離子顯示面板的下基板，包括尋址電極和位于所述尋址電極上的介質(zhì)，所述尋址電極具有第一部分和第二部分，所述第一部分與上基板的維持電極的位置對(duì)應(yīng)，所述第二部分與上基板的掃描電極的位置對(duì)應(yīng)，其特征在于，所述第二部分寬于所述第一部分。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的下基板，其特征在于，所述第二部分的寬度為所述第一部分的寬度的1. 3倍 1. 7倍。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的下基板，其特征在于，位于所述第二部分上的所述介質(zhì)比位于所述第一部分上的所述介質(zhì)薄。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的下基板，其特征在于，位于所述第二部分上的所述介質(zhì)比位于所述第一部分上的所述介質(zhì)薄2 5um。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的下基板，其特征在于，所述尋址電極還包括第三部分，連接在所述第一部分與所述第二部分之間。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的下基板，其特征在于，所述第一部分與所述第三部分具有相同的寬度。
7. —種等離子顯示面板，包括上基板，其特征在于，還包括如權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的下基板。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種等離子顯示面板的下基板和等離子顯示面板，其中，下基板包括尋址電極和位于尋址電極上的介質(zhì)，尋址電極具有第一部分和第二部分，第一部分與上基板的維持電極的位置對(duì)應(yīng)，第二部分與上基板的掃描電極的位置對(duì)應(yīng)，其中，第二部分寬于第一部分。在本發(fā)明中，增加了與Y電極對(duì)應(yīng)的部分尋址電極的寬度，而減少了其他部分尋址電極的寬度，從而在提高尋址效率的同時(shí)，降低了尋址電極電容以及無(wú)效功耗。
文檔編號(hào)H01J17/04GK101728158SQ20091026533
公開(kāi)日2010年6月9日 申請(qǐng)日期2009年12月29日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月29日
發(fā)明者呂旭東, 宋利建 申請(qǐng)人:四川虹歐顯示器件有限公司