等離子顯示屏及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種等離子顯示屏及其制備方法。該等離子顯示屏包括上基板及與之相對(duì)封接在一起的下基板，上基板及下基板之間形成有多個(gè)放電單元，其中，上基板朝向放電單元的表面上設(shè)置有介質(zhì)保護(hù)層，介質(zhì)保護(hù)層上設(shè)置有碳納米管與金屬氧化物形成的復(fù)合層。本發(fā)明的等離子顯示屏介質(zhì)保護(hù)層上設(shè)置有碳納米管與金屬氧化物形成的復(fù)合層，由于碳納米管具有較低開口電壓、較大的場(chǎng)發(fā)射電流、優(yōu)良的場(chǎng)發(fā)射性能，同時(shí)，其化學(xué)物理性能穩(wěn)定，不容易分解或與其他物質(zhì)發(fā)生反應(yīng)，因此，其作為輔助電離源，從而減少了等離子顯示屏的放電延遲時(shí)間，有效的提高等離子顯示屏的性能、降低能耗。
【專利說明】等離子顯示屏及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及氣體放電【技術(shù)領(lǐng)域】，具體而言，涉及一種等離子顯示屏及其制備方法?！颈尘凹夹g(shù)】
[0002]最近幾年，液晶、PDP等平板電視有了迅猛的發(fā)展。PDP電視因?yàn)橐子趯?shí)現(xiàn)大型化，在42寸以上電視中占據(jù)主要的地位。但近幾年，隨著平板電視面板產(chǎn)能急劇膨脹，供過于求，價(jià)格居于低位。因此提高PDP性能，提高PDP與液晶等其他平板電視的競(jìng)爭(zhēng)力，成了擺在PDP生產(chǎn)廠家面前的一個(gè)主要課題。
[0003]PDP分為電極結(jié)構(gòu)被介質(zhì)層覆蓋的交流型等離子體顯示屏(AC-PDP)和金屬電極暴露在放電空間的直流型rop (DC-PDP)，其中AC-PDP占主導(dǎo)地位。
[0004]PDP發(fā)光的基本過程包括:1.氣體放電過程，即稀有氣體在外加電場(chǎng)作用下放電，使原子受激躍遷，輻射出真空紫外線的過程；2.熒光粉的發(fā)光過程，即利用氣體放電發(fā)出的紫外線激發(fā)光致熒光粉發(fā)出可見光的過程。氣體放電的過程是氣體在外加電場(chǎng)的作用下電離的過程，但在低溫下，氣體電離需要的外加電壓比較高，而較高的外加電壓使得PDP模組電路對(duì)器件的要求更加嚴(yán)格，不利于PDP模組電路降低成本，同時(shí)，較高的外加電壓也不利于rop降低功耗。
[0005]從在電極間加上一個(gè)大于著火電壓的瞬時(shí)，到氣體擊穿所需的時(shí)間稱為氣體放電延遲或擊穿時(shí)滯?？偟臍怏w放電延遲由兩部分組成:1)統(tǒng)計(jì)性時(shí)間延遲ts-從電極加上電壓的瞬時(shí)到空間出現(xiàn)一個(gè)可引起電子雪崩的電子所需的時(shí)間；2)形成性時(shí)間延遲tf-從陰極前出現(xiàn)一個(gè)可進(jìn)行電子雪崩的電子起，經(jīng)過多種碰撞過程達(dá)到使氣體擊穿所需的時(shí)間。延遲時(shí)間的存在，使得PDP每個(gè)子場(chǎng)中復(fù)位期和尋址期時(shí)間比較長(zhǎng)，與PDP亮度直接相關(guān)維持期時(shí)間比較短，不利于PDP光效和性能的提高，功耗的降低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明旨在提供一種等離子顯示面板及其制備方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)中等離子顯示屏的放電延遲時(shí)間長(zhǎng)、著火電壓高的技術(shù)問題。
[0007]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種等離子顯示屏。該等離子顯示屏包括上基板及與之相對(duì)封接在一起的下基板，上基板及下基板之間形成有多個(gè)放電單元，其中，上基板朝向放電單元的表面上設(shè)置有介質(zhì)保護(hù)層，介質(zhì)保護(hù)層上設(shè)置有碳納米管與金屬氧化物形成的復(fù)合層。
[0008]進(jìn)一步地，復(fù)合層中碳納米管的質(zhì)量百分含量為0.01-50%。
[0009]進(jìn)一步地，復(fù)合層中碳納米管的質(zhì)量百分含量為0.01-10%。
[0010]進(jìn)一步地，金屬氧化物為MgO和/或CaO。
[0011]進(jìn)一步地，復(fù)合層在介質(zhì)保護(hù)層上的覆蓋率為0-20%。
[0012]進(jìn)一步地，復(fù)合層在介質(zhì)保護(hù)層上的覆蓋率為5-15%。
[0013]進(jìn)一步地，金屬氧化物的顆粒粒徑為0-10 U m。[0014]進(jìn)一步地，金屬氧化物的顆粒粒徑為500_2000nm。
[0015]進(jìn)一步地，碳納米管以單層管、雙層管、多層管、開口管、閉口管、填充管中的一種或多種形式存在。
[0016]根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，提供一種上述等離子顯示屏的制備方法。該制備方法包括上基板、下基板的制備，及上基板和下基板的封接步驟，其中，上基板的制備中包括介質(zhì)保護(hù)層的設(shè)置，在介質(zhì)保護(hù)層設(shè)置完成后進(jìn)一步包括復(fù)合層的設(shè)置步驟:采用超聲波將由碳納米管與金屬氧化物形成的復(fù)合粉在無水乙醇或丙酮中分散均勻，得復(fù)合溶液；將復(fù)合溶液通過印刷或噴涂的方法形成復(fù)合層。
[0017]本發(fā)明的等離子顯示屏介質(zhì)保護(hù)層上設(shè)置有碳納米管與金屬氧化物形成的復(fù)合層，由于碳納米管具有較低開口電壓、較大的場(chǎng)發(fā)射電流、優(yōu)良的場(chǎng)發(fā)射性能，同時(shí)，其化學(xué)物理性能穩(wěn)定，不容易分解或與其他物質(zhì)發(fā)生反應(yīng)，因此，其作為輔助電離源，從而減少了等離子顯示屏的放電延遲時(shí)間，有效的提高等離子顯示屏的性能、降低能耗。
【具體實(shí)施方式】
[0018]需要說明的是，在不沖突的情況下，本發(fā)明中的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合。下面結(jié)合實(shí)施例來詳細(xì)說明本發(fā)明。
[0019]根據(jù)本發(fā)明一種典型的實(shí)施方式，該等離子顯示屏包括上基板及與之相對(duì)封接在一起的下基板，上基板及下基板之間形成有多個(gè)放電單元，其中，上基板朝向放電單元的表面上設(shè)置有介質(zhì)保護(hù)層，介質(zhì)保護(hù)層上設(shè)置有碳納米管與金屬氧化物形成的復(fù)合層。由于碳納米管具有較低開口電壓、較大的場(chǎng)發(fā)射電流、優(yōu)良的場(chǎng)發(fā)射性能，同時(shí)，其化學(xué)物理性能穩(wěn)定，不容易分解或與其他物質(zhì)發(fā)生反應(yīng)，因此，其作為輔助電離源，從而減少了等離子顯示屏的放電延遲時(shí)間，有效的提高等離子顯示屏的性能、降低能耗。
[0020]由于碳納米管團(tuán)聚到一起，不易均勻的覆蓋到PDP介質(zhì)保護(hù)膜表面，所以本發(fā)明采用了碳納米管的分散方法。PDP的介質(zhì)保護(hù)膜對(duì)水和有機(jī)污染敏感，因此，本發(fā)明中以碳納米管分散均勻和對(duì)介質(zhì)保護(hù)膜污染少作為開發(fā)標(biāo)準(zhǔn)。
[0021]碳納米管比較輕，會(huì)在等離子體的轟擊下遷移到非放電區(qū)，失去作為輔助電離源的作用，優(yōu)選地，復(fù)合層中碳納米管的質(zhì)量百分含量為0.01-50%，使碳納米管與金屬氧化物復(fù)合，提高碳納米管抗轟擊能力。進(jìn)一步優(yōu)選地，復(fù)合層中碳納米管的質(zhì)量百分含量為0.01-10%。
[0022]優(yōu)選地，金屬氧化物為MgO和/或CaO，因?yàn)镸gO和CaO的抗轟擊能力，而且具有較高的二次電子發(fā)射系數(shù)。
[0023]根據(jù)本發(fā)明一種典型的實(shí)施方式，復(fù)合層在介質(zhì)保護(hù)層上的覆蓋率為0_20%，在不增加表面導(dǎo)電率，避免造成壁電荷損失而使著火電壓升高的同時(shí)保證屏亮度，優(yōu)選地，復(fù)合層在介質(zhì)保護(hù)層上的覆蓋率為5-15%。
[0024]優(yōu)選地，金屬氧化物的顆粒粒徑為0-10 U m,便于該顆粒在介質(zhì)保護(hù)膜上的分散，進(jìn)一步優(yōu)選地，金屬氧化物的顆粒粒徑為500-2000nm。
[0025]根據(jù)本發(fā)明一種典型的實(shí)施方式，碳納米管以單層管、雙層管、多層管、開口管、閉口管、填充管中的一種或多種形式存在。
[0026]根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，提供本發(fā)明一種典型的實(shí)施方式，上述等離子顯示屏的制備方法包括上基板、下基板的制備，及上基板和下基板的封接步驟，其中，上基板的制備中包括介質(zhì)保護(hù)層的設(shè)置，在介質(zhì)保護(hù)層設(shè)置完成后進(jìn)一步包括復(fù)合層的設(shè)置步驟:采用超聲波將由碳納米管與金屬氧化物形成的復(fù)合粉在無水乙醇或丙酮中分散均勻，得復(fù)合溶液；將復(fù)合溶液通過印刷或噴涂的方法形成復(fù)合層。其中，制備碳納米管與金屬氧化物復(fù)合粉末方法可以是溶膠凝膠法、共沉淀法或機(jī)械復(fù)合法。
[0027]下面將結(jié)合實(shí)施例進(jìn)一步說明本發(fā)明的有益效果。
[0028]實(shí)施例1
[0029]本實(shí)施例的等離子顯示屏包括上基板及與之相對(duì)封接在一起的下基板，上基板及下基板之間形成有多個(gè)放電單元，其中，上基板朝向放電單元的表面上設(shè)置有介質(zhì)保護(hù)層，介質(zhì)保護(hù)層上設(shè)置有碳納米管與金屬氧化物形成的復(fù)合層。其中，復(fù)合層中碳納米管的質(zhì)量百分含量為50%，金屬氧化物為MgO和CaO，復(fù)合層在介質(zhì)保護(hù)層上的覆蓋率為20%，金屬氧化物的顆粒粒徑為0-10 ym，碳納米管以單層管、雙層管形式存在。
[0030]上述等離子顯示屏的制備方法包括上基板、下基板的制備，及上基板和下基板的封接步驟，其中，上基板的制備中包括介質(zhì)保護(hù)層的設(shè)置，在介質(zhì)保護(hù)層設(shè)置完成后進(jìn)一步包括復(fù)合層的設(shè)置步驟:采用超聲波將由碳納米管與金屬氧化物形成的復(fù)合粉在無水乙醇或丙酮中分散均勻，得復(fù)合溶液；將復(fù)合溶液通過印刷的方法形成復(fù)合層。
[0031]實(shí)施例2
[0032]本實(shí)施例的等離子顯示屏包括上基板及與之相對(duì)封接在一起的下基板，上基板及下基板之間形成有多個(gè)放電單元，其中，上基板朝向放電單元的表面上設(shè)置有介質(zhì)保護(hù)層，介質(zhì)保護(hù)層上設(shè)置有碳納米管與金屬氧化物形成的復(fù)合層。其中，復(fù)合層中碳納米管的質(zhì)量百分含量為I %，金屬氧化物為MgO，復(fù)合層在介質(zhì)保護(hù)層上的覆蓋率為10%，金屬氧化物的顆粒粒徑為500-2000nm，碳納米管以開口管形式存在。
[0033]上述等離子顯示屏的制備方法包括上基板、下基板的制備，及上基板和下基板的封接步驟，其中，上基板的制備中包括介質(zhì)保護(hù)層的設(shè)置，在介質(zhì)保護(hù)層設(shè)置完成后進(jìn)一步包括復(fù)合層的設(shè)置步驟:采用超聲波將由碳納米管與金屬氧化物形成的復(fù)合粉在無水乙醇或丙酮中分散均勻，得復(fù)合溶液；將復(fù)合溶液通過噴涂的方法形成復(fù)合層。
[0034]對(duì)比例
[0035]與實(shí)施例1結(jié)構(gòu)相同的等離子顯示屏，只是缺少?gòu)?fù)合層的設(shè)置。
[0036]對(duì)實(shí)施例1-2及對(duì)比例的等離子顯示屏進(jìn)行性能參數(shù)測(cè)定，結(jié)果如表1所示:
[0037]表1
[0038]
【權(quán)利要求】
1.一種等離子顯示屏，包括上基板及與之相對(duì)封接在一起的下基板，所述上基板及下基板之間形成有多個(gè)放電單元，其中，所述上基板朝向所述放電單元的表面上設(shè)置有介質(zhì)保護(hù)層，其特征在于，所述介質(zhì)保護(hù)層上設(shè)置有碳納米管與金屬氧化物形成的復(fù)合層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示屏，其特征在于，所述復(fù)合層中碳納米管的質(zhì)量百分含量為0.01-50%。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子顯示屏，其特征在于，所述復(fù)合層中碳納米管的質(zhì)量百分含量為0.01-10%。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的等離子顯示屏，其特征在于，所述金屬氧化物為MgO 和 / 或 CaO。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示屏，其特征在于，所述復(fù)合層在所述介質(zhì)保護(hù)層上的覆蓋率為0-20%。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示屏，其特征在于，所述復(fù)合層在所述介質(zhì)保護(hù)層上的覆蓋率為5-15%。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示屏，其特征在于，所述金屬氧化物的顆粒粒徑為0-10um。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示屏，其特征在于，所述金屬氧化物的顆粒粒徑為500_2000nm。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示屏，其特征在于，所述碳納米管以單層管、雙層管、多層管、開口管、閉口管、填充管中的一種或多種形式存在。
10.一種權(quán)利要求1-9中任一項(xiàng)所述的等離子顯示屏的制備方法，包括上基板、下基板的制備，及所述上基板和所述下基板的封接步驟，其中，所述上基板的制備中包括介質(zhì)保護(hù)層的設(shè)置，其特征在于，在所述介質(zhì)保護(hù)層設(shè)置完成后進(jìn)一步包括復(fù)合層的設(shè)置步驟: 采用超聲波將由碳納米管與金屬氧化物形成的復(fù)合粉在無水乙醇或丙酮中分散均勻，得復(fù)合溶液； 將所述復(fù)合溶液通過印刷或噴涂的方法形成所述復(fù)合層。
【文檔編號(hào)】H01J9/24GK103794437SQ201110459490
【公開日】2014年5月14日 申請(qǐng)日期:2011年12月31日 優(yōu)先權(quán)日:2011年12月31日
【發(fā)明者】張?chǎng)? 申請(qǐng)人:四川虹歐顯示器件有限公司