專利名稱：干刻蝕底部電極及干刻蝕裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
干刻蝕底部電極及干刻蝕裝置技術(shù)領(lǐng)域[0001]本實用新型涉及一種干刻蝕技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種改進的干刻蝕底部電極及干刻蝕裝置。
背景技術(shù)：
[0002]干法刻蝕工藝，是在掩膜曝光后，對基板非金屬進行膜刻蝕的過程。若在制造過程中采用了半曝光技術(shù)，在干刻過程中就需要增加對膠的灰化過程。如圖1和2所示，現(xiàn)有技術(shù)中，干刻蝕底部電極的電極底板1上陣列設(shè)置的支撐凸起2 (Embossing)為立方體結(jié)構(gòu)。 如圖3所示，一待灰化的玻璃基板3放置在干刻蝕底部電極上，等待灰化過程。在實現(xiàn)本實用新型的過程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)干刻蝕底部電極的電極底板1上的立方體支撐凸起2在其發(fā)揮支撐和吸附玻璃基板的同時，由于應(yīng)力和溫度作用的存在，使得干刻蝕底部電極與玻璃基板接觸的區(qū)域和非接觸區(qū)有很大差異，該較大差異會造成不同區(qū)域間的灰化效果不同， 進而影響后續(xù)的工藝質(zhì)量。特別是現(xiàn)有的制造TFT-LCD所采用的4Mask工藝中，會出現(xiàn)與干刻蝕底部電極相關(guān)的制造不良，這種不良是陣列工藝的一大頑疾，不僅造成廢品率高且過程中難以監(jiān)控。實用新型內(nèi)容[0003]針對上述問題，本實用新型提供一種能夠有效改善制造不良，提高制造質(zhì)量的干刻蝕底部電極及干刻蝕裝置。[0004]為達到上述目的，本實用新型所述干刻蝕底部電極，包括電極底板，以及陣列設(shè)置在所述電極底板上的支撐凸起，該支撐凸起為半球形結(jié)構(gòu)。[0005]進一步地，本實用新型所述干刻蝕底部電極，還包括設(shè)置在所述電極底板和所述半球形結(jié)構(gòu)支撐凸起上的絕緣層。[0006]優(yōu)選地，所述絕緣層的材質(zhì)為陶瓷。[0007]特別地，所述半球形結(jié)構(gòu)支撐凸起在所述電極底板上的投影圓直徑為1. 24mm。[0008]特別地，所述的半球形結(jié)構(gòu)支撐凸起的高度為0. 62mm。[0009]進一步地，所述的半球形結(jié)構(gòu)支撐凸起上還設(shè)有真空吸附孔。[0010]特別地，所述的真空吸附孔的孔徑為0. 05mm。[0011]為達到上述目的，本實用新型所述干刻蝕裝置，至少包括頂部電極，以及與所述頂部電極平行相對配置的底部電極，所述底部電極為上述的干刻蝕底部電極。[0012]本實用新型的有益效果[0013]本實用新型所述干刻蝕底部電極通過將現(xiàn)有的立方體結(jié)構(gòu)的支撐凸起改為半球形結(jié)構(gòu)支撐凸起，將干刻蝕底部電極與玻璃基板之間的面接觸改為點接觸，大大減小了干刻蝕底部電極與玻璃基板的接觸面積，減小了接觸區(qū)域和非接觸區(qū)域的溫度差異，提高了灰化效果，進而避免了對后續(xù)制造工藝的不良影響。[0014]另外，本實用新型采用半球形結(jié)構(gòu)支撐凸起的干刻蝕底部電極，能避免劃傷放置在該干刻蝕底部電極上的玻璃基板。

[0015]圖1是現(xiàn)有技術(shù)中干刻蝕底部電極的結(jié)構(gòu)示意圖；[0016]圖2是圖1的A-A向視圖；[0017]圖3是現(xiàn)有技術(shù)中的干刻蝕底部電極上放置有玻璃基板的示意圖；[0018]圖4是本實用新型所述的干刻蝕底部電極的結(jié)構(gòu)示意圖；[0019]圖5是圖4的B-B向視圖；[0020]圖6是本實用新型所述的干刻蝕底部電極上放置有玻璃基板的示意圖。[0021]圖7為本實用新型實施例中所述的干刻蝕底部電極的尺寸圖具體實施方式
[0022]下面結(jié)合說明書附圖對本實用新型做進一步的描述。[0023]如圖4至圖6所示，本實用新型所述干刻蝕底部電極，包括電極底板1，以及陣列設(shè)置在所述電極底板1上的支撐凸起2，該支撐凸起2為半球形結(jié)構(gòu)。[0024]作為本實用新型進一步地實施例，所述的干刻蝕底部電極，還包括設(shè)置在所述電極底板1和所述半球形結(jié)構(gòu)支撐凸起2上的絕緣層4。優(yōu)選地，該絕緣層的材質(zhì)可選為陶ο[0025]實施例1[0026]本實施例所述的的干刻蝕底部電極，包括電極底板1，以及陣列設(shè)置在所述電極底板1上的支撐凸起2，該支撐凸起2為半球形結(jié)構(gòu)。該電極底板1及支撐凸起2上設(shè)有陶瓷絕緣層。如圖7所示，該半球形結(jié)構(gòu)支撐凸起2在所述電極底板1上的投影圓直徑為 1. 24mm。所述的半球形結(jié)構(gòu)支撐凸起2的最高點距電極底板1的上表面的距離為0. 62mm。 各半球形結(jié)構(gòu)支撐凸起2之間的間距可依據(jù)實際的尺寸和需求進行設(shè)定。該半球形結(jié)構(gòu)支撐凸起2上還設(shè)有孔徑為0. 05mm的真空吸附孔。該支撐凸起2不僅能起到支撐和吸附放置在其上的玻璃基板，減小干刻蝕底部電極與玻璃基板的接觸面積，減小接觸區(qū)域和非接觸區(qū)域的溫度差異，提高灰化效果，進而避免對后續(xù)制造工藝的不良影響；還能有效避免劃傷玻璃基板。[0027]實施例2[0028]本實用新型所述的干刻蝕裝置，至少包括頂部電極，以及與所述頂部電極平行相對配置的底部電極，所述底部電極為上述的干刻蝕底部電極。具體地，可以采用實施1所述的干刻蝕底部電極。[0029]本實用新型在不影響支撐和吸附玻璃基板的功能下，減少了底部電極與玻璃基板的接觸面積，從而有效的提高灰化效果，進而改善后續(xù)的工藝質(zhì)量。[0030]以上，僅為本實用新型的較佳實施例，但本實用新型的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。因此，本實用新型的保護范圍應(yīng)該以權(quán)利要求所界定的保護范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求1.一種干刻蝕底部電極，其特征在于，包括電極底板，以及陣列設(shè)置在所述電極底板上的支撐凸起，該支撐凸起為半球形結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的干刻蝕底部電極，其特征在于，還包括設(shè)置在所述電極底板和所述半球形結(jié)構(gòu)支撐凸起上的絕緣層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的干刻蝕底部電極，其特征在于，所述絕緣層的材質(zhì)為陶瓷。
4.根據(jù)權(quán)利要求1 3任一項所述的干刻蝕底部電極，其特征在于，所述半球形結(jié)構(gòu)支撐凸起在所述電極底板上的投影圓直徑為1. 24mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的干刻蝕底部電極，其特征在于，所述的半球形結(jié)構(gòu)支撐凸起的高度為0. 62mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1 3任一項所述的干刻蝕底部電極，其特征在于，所述的半球形結(jié)構(gòu)支撐凸起上還設(shè)有真空吸附孔。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的干刻蝕底部電極，其特征在于，所述的真空吸附孔的孔徑為 0. 05mmo
8.一種干刻蝕裝置，至少包括頂部電極，以及與所述頂部電極平行相對配置的底部電極，其特征在于，所述底部電極為權(quán)利要求1至7中任意一所述的干刻蝕底部電極。
專利摘要本實用新型公開一種干刻蝕底部電極及干刻蝕裝置，主要是為了改善干刻蝕工藝質(zhì)量而設(shè)計。本實用新型所述干刻蝕底部電極，包括電極底板，以及陣列設(shè)置在所述電極底板上的支撐凸起，該支撐凸起為半球形結(jié)構(gòu)。本實用新型通過將現(xiàn)有的立方體結(jié)構(gòu)的支撐凸起改為半球形結(jié)構(gòu)支撐凸起，將干刻蝕底部電極與置于其上的玻璃基板之間的面接觸改為點接觸，大大減小了干刻蝕底部電極與玻璃基板的接觸面積，減小了接觸區(qū)域和非接觸區(qū)域的溫度差異，提高了灰化效果，進而避免了對后續(xù)制造工藝的不良影響。
文檔編號H01J37/32GK202307791SQ201120453529
公開日2012年7月4日 申請日期2011年11月15日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月15日
發(fā)明者彭志龍, 董云 申請人:北京京東方光電科技有限公司