一種微空心陰極等離子體處理裝置制造方法
【專利摘要】本實用新型涉及一種微空心陰極等離子體處理裝置，包括電極組件、絕緣板和高頻電源，所述電極組件包括相互平行設置的第一平板電極和第二平板電極，所述第一平板電極和第二平板電極之間還設置有絕緣板，所述第一平板電極與所述高頻電源的負極電連接，所述第二平板電極與所述高頻電源的正極電連接，所述第一平板電極、第二平板電極和絕緣板上分別貫穿設置有氣孔，所述上部氣孔直徑尺寸小于所述下部氣孔直徑尺寸。本實用新型中反應氣體從進入氣孔，由于上部氣孔直徑尺寸小于下部氣孔直徑尺寸，電離后的反應氣體進入下部氣孔時向兩側濺射，從而形成高濃度離子，實現(xiàn)較大面積處理，提高處理效率。
【專利說明】一種微空心陰極等離子體處理裝置
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及等離子體處理裝置領域，更具體的說是涉及一種微空心陰極等離子體處理裝置。
【背景技術】
[0002]等離子體是由部分電子被剝奪后的原子及原子被電離后產生的正負電子組成的離子化氣體狀物質，它廣泛存在于宇宙中，常被視為是除去固、液、氣外，物質存在的第四態(tài)。
[0003]目前，等離子體裝置一般的是在密封容器中設置兩個電極形成電場，用真空泵實現(xiàn)一定的真空度，隨著氣體愈來愈稀薄，分子間距及分子或離子的自由運動距離也愈來愈長，受電場作用，他們發(fā)生碰撞而形成離子體，這些離子的活性很高，其能量足以破壞幾乎所有的化學鍵，在任何暴露的材料表面引起化學反應，從而使材料表面的結構、成分和基團發(fā)生變化，得到滿足實際要求的表面。等離子體反應速度快、處理效率高，而且改性僅發(fā)生在材料表面，對材料內部本體材料的性能沒有影響，是理想的表面改性手段。
[0004]等離子體處理時，傳統(tǒng)的平板電極生成的電場范圍小，材料處理的面積也就小，而且，反應氣體經過傳統(tǒng)的平板電極生成的離子濃度也相對比較低。
[0005]因此，亟需一種增加處理面積的微空心陰極等離子體處理裝置。
實用新型內容
[0006]本實用新型的目的是克服現(xiàn)有技術存在的缺陷，提供一種微空心陰極等離子體處
理裝置。
[0007]實現(xiàn)本實用新型目的的技術方案是:一種微空心陰極等離子體處理裝置，包括電極組件、絕緣板和高頻電源，所述電極組件包括相互平行設置的第一平板電極和第二平板電極，所述絕緣板設置于所述第一平板電極和所述第二平板電極之間，所述第一平板電極與所述高頻電源的負極電連接，所述第二平板電極與所述高頻電源的正極電連接，所述第一平板電極、第二平板電極和絕緣板上分別貫穿設置有氣孔，所述上部氣孔直徑尺寸小于所述下部氣孔直徑尺寸。
[0008]進一步的，述第一平板電極的厚度尺寸大于所述第二平板電極的厚度尺寸。
[0009]進一步的，所述第一平板電極上開設有至少一個第一氣孔，所述第二平板電極上開設有至少一個第二氣孔，所述絕緣板上開設有至少一個絕緣氣孔，所述第一氣孔、第二氣孔和絕緣氣孔的軸心在同一直線上。
[0010]進一步的，所述第二氣孔的直徑尺寸與所述絕緣氣孔的直徑尺寸相同，所述第一氣孔的直徑尺寸小于所述第二氣孔和所述絕緣氣孔的直徑尺寸。
[0011]進一步的，所述第一氣孔的上部直徑尺寸小于所述第一氣孔的下部直徑尺寸，所述第一氣孔的下部直徑尺寸、所述第二氣孔的直徑尺寸與所述絕緣氣孔的直徑尺寸相同。
[0012]進一步的，還包括用于放置材料的物料架，所述物料架設置于所述第二平板電極下方。
[0013]本實用新型具有積極的效果:本實用新型中反應氣體從進入氣孔，由于上部氣孔直徑尺寸小于下部氣孔直徑尺寸，電離后的反應氣體進入下部氣孔時向兩側濺射，從而形成高濃度離子，實現(xiàn)較大面積處理，提高處理效率。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0014]為了使本實用新型的內容更容易被清楚地理解，下面根據具體實施例并結合附圖，對本實用新型作進一步詳細的說明，其中:
[0015]圖1為本實用新型第一實施例的結構示意圖；
[0016]圖2為本實用新型第二實施例的結構示意圖。
[0017]其中:1、處理腔，2、第二平板電極，3、第二氣孔，4、絕緣板，5、絕緣氣孔，6、第一平板電極，7、第一氣孔。
【具體實施方式】
[0018]實施例1
[0019]如圖1所示，作為第一優(yōu)選實施例，本實施例提供一種微空心陰極等離子體處理裝置，包括電極組件、絕緣板4和高頻電源(圖中未示出)，電極組件包括相互平行設置的第一平板電極6和第二平板電極2,絕緣板4設置于第一平板電極6和第二平板電極2之間，第一平板電極6與高頻電源的負極電連接，第二平板電極2與高頻電源的正極電連接，第一平板電極6上開設有二個第一氣孔7，第二平板電極2上開設有二個第二氣孔3，絕緣板4上開設有二個絕緣氣孔5，第一氣孔7、第二氣孔3和絕緣氣孔5的軸心在同一直線上，并且第一平板電極6的厚度尺寸大于第二平板電極2的厚度尺寸，第二氣孔3的直徑尺寸與絕緣氣孔5的直徑尺寸相同，第一氣孔7的直徑尺寸小于第二氣孔3和絕緣氣孔5的直徑尺寸。
[0020]本實施例中反應氣體依次通過第一氣孔7、絕緣氣孔5和第二氣孔3，由于絕緣氣孔5和第二氣孔3的直徑尺寸大于第一氣孔7的直徑尺寸，電離后的反應氣體在絕緣氣孔5和第二氣孔3中向兩側濺射，從而形成高濃度離子，最后由第二氣孔3出來進入下面的處理腔I對材料進行活化反應，實現(xiàn)較大面積處理，提高處理效率。
[0021]實施例2
[0022]如圖2所示，作為第二優(yōu)選實施例，其余與實施例1相同，不同之處在于，本實施例提供的第一氣孔7的上部直徑尺寸小于第一氣孔7的下部直徑尺寸，第一氣孔7的下部直徑尺寸、第二氣孔3的直徑尺寸與絕緣氣孔5的直徑尺寸相同。本實施例中第一氣孔7的上部直徑尺寸小于第一氣孔7的下部直徑尺寸，反應氣體從第一氣孔7的上部進入第一氣孔7的下部直徑尺寸時，由于下部直徑尺寸變大，電離后的反應氣體向兩側濺射，形成高濃度尚子。
[0023]以上所述的具體實施例，對本實用新型的目的、技術方案和有益效果進行了進一步詳細說明，所應理解的是，以上所述僅為本實用新型的具體實施例而已，并不用于限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內，所做的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本實用新型的保護范圍之內。
【權利要求】
1.一種微空心陰極等離子體處理裝置，包括電極組件、絕緣板和高頻電源，所述電極組件包括相互平行設置的第一平板電極和第二平板電極，所述絕緣板設置于所述第一平板電極和所述第二平板電極之間，所述第一平板電極與所述高頻電源的負極電連接，所述第二平板電極與所述高頻電源的正極電連接，其特征在于，所述第一平板電極、第二平板電極和絕緣板上分別貫穿設置有氣孔，所述上部氣孔直徑尺寸小于所述下部氣孔直徑尺寸。
2.根據權利要求1所述的微空心陰極等離子體處理裝置，其特征在于，所述第一平板電極的厚度尺寸大于所述第二平板電極的厚度尺寸。
3.根據權利要求1所述的微空心陰極等離子體處理裝置，其特征在于，所述第一平板電極上開設有至少一個第一氣孔，所述第二平板電極上開設有至少一個第二氣孔，所述絕緣板上開設有至少一個絕緣氣孔，所述第一氣孔、第二氣孔和絕緣氣孔的軸心在同一直線上。
4.根據權利要求3所述的微空心陰極等離子體處理裝置，其特征在于，所述第二氣孔的直徑尺寸與所述絕緣氣孔的直徑尺寸相同，所述第一氣孔的直徑尺寸小于所述第二氣孔和所述絕緣氣孔的直徑尺寸。
5.根據權利要求3所述的微空心陰極等離子體處理裝置，其特征在于，所述第一氣孔的上部直徑尺寸小于所述第一氣孔的下部直徑尺寸，所述第一氣孔的下部直徑尺寸、所述第二氣孔的直徑尺寸與所述絕緣氣孔的直徑尺寸相同。
6.根據權利要求1-5任一所述的微空心陰極等離子體處理裝置，其特征在于，還包括用于放置材料的物料架，所述物料架設置于所述第二平板電極下方。
【文檔編號】H01J37/32GK203617246SQ201320850822
【公開日】2014年5月28日 申請日期:2013年12月23日 優(yōu)先權日:2013年12月23日
【發(fā)明者】王紅衛(wèi), 沈文凱 申請人:蘇州市奧普斯等離子體科技有限公司