專(zhuān)利名稱：帶有電荷泄放阻擋層的改進(jìn)型場(chǎng)發(fā)射器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及場(chǎng)發(fā)射器件，更具體地說(shuō)，涉及三極管場(chǎng)發(fā)射器件。
場(chǎng)發(fā)射器件在技術(shù)上是知道的。在一種結(jié)構(gòu)中，二極管場(chǎng)發(fā)射器件包括二個(gè)電極一個(gè)陰極和一個(gè)陽(yáng)極；在另一種普通結(jié)構(gòu)中，三極管場(chǎng)發(fā)射器件包括三個(gè)電極一個(gè)陰極，一個(gè)柵控電極和一個(gè)陽(yáng)極。

圖1所示是一種具有三極管結(jié)構(gòu)的現(xiàn)有技術(shù)場(chǎng)發(fā)射器件(FED)100。FED100包括一個(gè)柵控提取電極150，該電極通過(guò)一個(gè)介電層140與導(dǎo)電層115隔開(kāi)一定距離。介電層140防止在柵控提取電極150和導(dǎo)電層115之間形成電流。與柵控電極150隔開(kāi)一定距離的是一個(gè)用導(dǎo)電材料制成的陽(yáng)極180。介電層140有一個(gè)界定發(fā)射阱160的橫側(cè)面145。電子發(fā)射體170就放在發(fā)射阱160內(nèi)并可包括一個(gè)Spindt極尖。在這一特定的結(jié)構(gòu)中，形成在支承基底110上的導(dǎo)電層115包括一個(gè)導(dǎo)電部分130和一個(gè)與導(dǎo)電部分130歐姆接觸的鎮(zhèn)流電阻部分120。鎮(zhèn)流電阻部分120具有比導(dǎo)電部分130大的電阻，目的是把電子發(fā)射體170和柵控提取電極150之間的電弧減至最小。在FED100工作期間，和普通三極管工作的典型情況一樣，將適當(dāng)?shù)碾妷杭拥綎趴靥崛‰姌O150、導(dǎo)電層115和陽(yáng)極180上用于從電子發(fā)射體170提取電子并使電子射向陽(yáng)極180(如圖1中箭頭175所指出的那樣)。當(dāng)用在場(chǎng)發(fā)射顯示器中時(shí)，陽(yáng)極180上淀積一種電子致發(fā)光材料195，并且電子撞擊到電子致發(fā)光材料195上，因而使得后者發(fā)射光線。但是，電子撞擊到電子致發(fā)光材料195上也引起氣體離子和雜質(zhì)從電子致發(fā)光材料放出。這些氣體離子和雜質(zhì)隨后撞擊到柵控提取電極150，也許還撞擊到電子發(fā)射體170上，因而引起從柵控提取電極150和電子發(fā)射體170發(fā)射另外的離子和/或質(zhì)點(diǎn)。這些質(zhì)點(diǎn)和帶電物質(zhì)淀積到介電層140的橫側(cè)面145上，從而在發(fā)射阱160內(nèi)形成一個(gè)荷電表面。沒(méi)有能夠泄放這個(gè)累積的電荷的導(dǎo)電路徑。荷電表面表現(xiàn)出改變發(fā)射阱160內(nèi)預(yù)定電場(chǎng)性質(zhì)的不良作用，并且經(jīng)過(guò)一段時(shí)期的工作之后，會(huì)導(dǎo)致最終損壞器件。
因此，需要一種用在場(chǎng)發(fā)射顯示器中不會(huì)因電荷積累在介電層的橫側(cè)面上而受到損壞的改進(jìn)型場(chǎng)發(fā)射器件。
圖1是一種現(xiàn)有技術(shù)場(chǎng)發(fā)射器件的橫截面視圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明的改進(jìn)型場(chǎng)發(fā)射器件一個(gè)實(shí)施例的橫截面視圖；圖3-7是根據(jù)本發(fā)明通過(guò)執(zhí)行用于制造圖2改進(jìn)型場(chǎng)發(fā)射器件的方法的各個(gè)步驟而實(shí)現(xiàn)的結(jié)構(gòu)的橫截面視圖；圖8是根據(jù)本發(fā)明的改進(jìn)型場(chǎng)發(fā)射器件的另一實(shí)施例的橫截面視圖；以及圖9是包含根據(jù)本發(fā)明的圖2改進(jìn)型場(chǎng)發(fā)射器件的場(chǎng)發(fā)射顯示器的一個(gè)實(shí)施例的橫截面視圖。
現(xiàn)在參照?qǐng)D2，圖中描述了一個(gè)根據(jù)本發(fā)明的改進(jìn)型場(chǎng)發(fā)射器件(FED)200的橫截面視圖。FED200包括一個(gè)可以用硼硅玻璃一類(lèi)的玻璃或硅制成的支承基底210。在支承基底210上形成一個(gè)導(dǎo)電層215。在這一特定實(shí)施例中，導(dǎo)電層215包括一個(gè)可以用非晶硅制成的鎮(zhèn)流電阻部分220和一個(gè)可以由諸如鋁或鉬一類(lèi)的導(dǎo)電材料制成的導(dǎo)電部分230。一個(gè)介電層240形成于導(dǎo)電層215上。介電層240具有一個(gè)界定發(fā)射阱260的橫側(cè)面245。根據(jù)本發(fā)明，在橫側(cè)面245上形成一個(gè)電荷泄放擴(kuò)散膜290并延伸到發(fā)射阱260的一部分區(qū)域。電荷泄放阻擋層290提供的電阻，包括含有電荷泄放阻擋層290的材料的電阻，被預(yù)定成起到將撞擊電荷泄放阻擋層290的荷電物質(zhì)導(dǎo)開(kāi)的作用，從而避免在FED200工作期間積聚表面電荷。適用的泄放電流數(shù)值隨使用FED200的應(yīng)用場(chǎng)合而定。用作電荷泄放阻擋層290的適用材料包括但并不局限于諸如非晶硅一類(lèi)半導(dǎo)體材料和導(dǎo)電陶瓷。一般說(shuō)來(lái)，電荷泄放阻擋層290的電阻足能導(dǎo)開(kāi)和/或泄放撞擊電荷并且高到足以防止破壞發(fā)射阱260內(nèi)的電場(chǎng)。電子發(fā)射體270被放在發(fā)射阱260的擱置部分里，位于導(dǎo)電層215的鎮(zhèn)流電阻部分220上。一個(gè)柵控提取電極250淀積在介電層240上并與電子發(fā)射體270隔開(kāi)一定距離。鎮(zhèn)流電阻部分220防止電子發(fā)射體270和柵控提取電極250之間的有害電弧。陽(yáng)極280與柵控提取電極250隔開(kāi)一定距離。FED200的工作包括將適當(dāng)?shù)碾娢患拥綄?dǎo)電層215、柵控提取電極250以及陽(yáng)極280上，使得從電子發(fā)射體270產(chǎn)生電子發(fā)射，在這個(gè)特定實(shí)施例中，電子發(fā)射體270的電子發(fā)射包括從Spindt極尖的尖端的電子發(fā)射和引導(dǎo)所發(fā)射的電子(如圖2的箭頭275所指出的那樣)以適當(dāng)?shù)募铀俣壬湎蜿?yáng)極280。電荷泄放阻擋290阻止氣體荷電物質(zhì)撞擊介電層240的橫側(cè)面，從而避免了形成否則會(huì)破壞電場(chǎng)的荷電介質(zhì)表面。
對(duì)于熟悉這一技術(shù)的人員來(lái)說(shuō)，將會(huì)有許多制造FED200的方法。可以使用標(biāo)準(zhǔn)的淀積和模圖技術(shù)?，F(xiàn)在參照?qǐng)D3-7，圖中根據(jù)本發(fā)明描述了通過(guò)制造FED200(圖2)的一種這樣的方法的各個(gè)步驟所實(shí)現(xiàn)的結(jié)構(gòu)。首先，在支承基底210上形成導(dǎo)電層215的圖案。然后，在導(dǎo)電層215上淀積電荷泄放層300并構(gòu)成圖案，從而提供圖3所描述的結(jié)構(gòu)。此后，如圖4所示，把介電材料-可以包括旋涂玻璃(SOG)或二氧化硅-淀積到電荷泄放層300上以及導(dǎo)電層215的暴露表面上。接著，如圖5所示，通過(guò)腐蝕或打磨除去介電材料310的上面部分，使得沒(méi)有介電材料留在電荷泄放層300的上表面上，從而形成一個(gè)具有界定發(fā)射阱260的橫側(cè)面245的介電層240。以后，在介電層240和電荷泄放層300上淀積一層適當(dāng)?shù)臇趴靥崛〗饘倮玢f層320。然后，有選擇地向?qū)?20和泄放層300中腐蝕出一個(gè)深阱330，從而實(shí)現(xiàn)了電荷泄放阻擋層290和柵控提取電極250。然后，在阱330內(nèi)形成電子發(fā)射體270并且，在這一特定實(shí)施例中，包括蒸發(fā)一個(gè)錐形Spindt尖極場(chǎng)發(fā)射體。
現(xiàn)在參照?qǐng)D8，圖中描述了一個(gè)根據(jù)本發(fā)明的改進(jìn)型場(chǎng)發(fā)射器件(FED)800的橫截面視圖。FED800包括一個(gè)可以用例如硼硅玻璃一類(lèi)的玻璃或硅制成的支承基底810。在支承基底810之上形成一個(gè)可以由適當(dāng)?shù)膶?dǎo)電材料例如鋁或鉬制成的導(dǎo)電層815。在導(dǎo)電層815上形成一個(gè)發(fā)射結(jié)構(gòu)820。發(fā)射結(jié)構(gòu)820包括三層即淀積在導(dǎo)電層815上且包含有諸如非晶硅一類(lèi)電阻材料的第一鎮(zhèn)流層835；形成在第一鎮(zhèn)流層835上且包含有用適當(dāng)?shù)碾娮影l(fā)射材料例如金剛石狀的碳、立方晶格的氮化硼、或者氮化鋁制成的場(chǎng)發(fā)射薄膜的電子發(fā)射層825；以及位于電子發(fā)射層825的一部分之上且由非晶硅一類(lèi)電阻材料制成的第二鎮(zhèn)流層830。介電層840形成在第二鎮(zhèn)流層830上且包括有界定發(fā)射阱860的橫側(cè)面845。介電層840由諸如SOG或二氧化硅一類(lèi)適當(dāng)?shù)慕殡姴牧现瞥?。電子發(fā)射層825包括一個(gè)位于發(fā)射阱860內(nèi)且界定電子發(fā)射體870的發(fā)射表面。根據(jù)本發(fā)明，電荷泄放阻擋層890形成在發(fā)射阱860的一部分區(qū)域內(nèi)的橫側(cè)面845上；電子發(fā)射體870則位于發(fā)射860阱的擱置區(qū)域內(nèi)。由電荷泄放阻擋層890提供的電阻包括把組成電荷泄放阻擋層890的材料的電阻率預(yù)定為起到將撞擊電荷泄放阻擋層890上的荷電物質(zhì)導(dǎo)開(kāi)的作用，從而防止表面電荷的積累。適合的泄放電流數(shù)值將取決于所用FED800的應(yīng)用場(chǎng)合。用作電荷泄放阻擋層890的適用材料包括但并不局限于導(dǎo)電陶瓷和諸如非晶硅一類(lèi)的半導(dǎo)體材料。一般說(shuō)來(lái)，電荷泄放阻擋層890的電阻足以導(dǎo)開(kāi)/泄放撞擊電荷并高到足夠防止破壞電場(chǎng)。一個(gè)柵控提取電極850淀積在介電層840上并與電子發(fā)射體870隔開(kāi)一定距離。一個(gè)陽(yáng)極880與柵控提取電極850隔開(kāi)一定距離。FED800的工作包括向?qū)щ妼?15、柵控提取電極850和陽(yáng)極880施加合適的電位使得從電子發(fā)射體870產(chǎn)生電子發(fā)射，在這個(gè)特定實(shí)施例中，電子發(fā)射體870的電子發(fā)射包括發(fā)射薄膜表面的電子發(fā)射以及引導(dǎo)所發(fā)射的電子(如圖8的箭頭875所指出的那樣)以適當(dāng)?shù)募铀俣壬湎蜿?yáng)極880。電荷泄放阻擋層890阻止氣體離子撞擊介質(zhì)層840的橫側(cè)面845，從而避免了形成否則可能會(huì)破壞發(fā)射阱860里面的電場(chǎng)的荷電介質(zhì)表面。第二鎮(zhèn)流層830幫助形成電子發(fā)射體870的區(qū)域里面的電場(chǎng)。FED800可以用和上面參照?qǐng)D3-7所敘述的用于制造FED200(圖2)同樣的方法制造。淀積導(dǎo)電層815之后，在其上淀積第一鎮(zhèn)流層835和電子發(fā)射層825。然后，形成一個(gè)鎮(zhèn)流材料層。在鎮(zhèn)流材料層上構(gòu)成一個(gè)電荷泄放層圖案。接著，一種介電材料淀積到電荷泄放層上以及鎮(zhèn)流材料層的暴露表面上。然后通過(guò)腐蝕或打磨除去介電材料的上面部分，使得沒(méi)有介電材料留在電荷泄放層的上表面上，從而形成具有界定發(fā)射阱860的橫側(cè)面845的介電層840。此后在介電層840和電荷泄放層上淀積適當(dāng)?shù)臇趴靥崛〗饘?。接著有選擇地向柵控金屬層、電荷泄放層以及鎮(zhèn)流材料層內(nèi)腐蝕出一個(gè)深阱，從而實(shí)現(xiàn)柵控提取電極850、電荷泄放擴(kuò)散膜890以及第二鎮(zhèn)流層830，并且由此還界定了電子發(fā)射體870。
現(xiàn)在參照?qǐng)D9，圖中描述了根據(jù)本發(fā)明并且包含有圖2的FED200的場(chǎng)發(fā)射顯示器900的橫截面視圖。場(chǎng)發(fā)射顯示器900包括一個(gè)陰極板901，陰極板901包含有一個(gè)可由玻璃或硅制成的支承基底910；一個(gè)形成在支承基底910上的構(gòu)成圖案的導(dǎo)電層915；一個(gè)位于構(gòu)成圖案的導(dǎo)電層915上的介電層940；以及由介電層940的多個(gè)橫側(cè)面945界定的多個(gè)發(fā)射阱960。多個(gè)發(fā)射阱960的每一個(gè)均在其中包含一個(gè)形成在每一個(gè)阱960的橫側(cè)面945上且延伸入阱960的一部分區(qū)域的電荷泄放阻擋層990；在阱960的擱置部分則放置一個(gè)電子發(fā)射體970。在這一特定實(shí)施例中，電子發(fā)射體970包括一個(gè)Spindt尖極。一個(gè)柵控提取電極950形成在介電層940上并構(gòu)成圖案使得電子發(fā)射體970可以被分別尋址。每一個(gè)電荷泄放阻擋層990都具有一個(gè)適合于維持器件所必須的低RC時(shí)間常數(shù)的電阻，同時(shí)提供足以泄放撞擊電荷的導(dǎo)電率，從而防止表面電荷的積累。電阻還高到足夠防止破壞電場(chǎng)。適用的泄放電流數(shù)值將取決于諸如場(chǎng)發(fā)射顯示器900的總尺寸一類(lèi)的變量。用于電荷泄放阻擋層990的合適材料包括但并不局限于諸如非晶硅一類(lèi)的半導(dǎo)體材料和導(dǎo)電陶瓷。在這個(gè)特定實(shí)施例中，構(gòu)成圖案的導(dǎo)電層915包括一個(gè)具有預(yù)定電阻率的鎮(zhèn)流部分920和一個(gè)導(dǎo)電部分930。鎮(zhèn)流部分920可由非晶硅制成，并且導(dǎo)電部分930可用一種導(dǎo)電材料例如鋁或鉬制成。由鎮(zhèn)流部分920提供的鎮(zhèn)流作用防止了柵控提取電極950和電子發(fā)射體970之間的電弧。提供一個(gè)陽(yáng)極板902并放在陰極板901的對(duì)面。陽(yáng)極板902包括一個(gè)可由玻璃制成的透明支承基片985。由例如氧化銦錫(ITO)制成的透明導(dǎo)電層980淀積在透明支承基片985上。電子致發(fā)光材料995淀積在透明導(dǎo)電層980上并構(gòu)造得接收電子發(fā)射體970發(fā)射的電子?？蚣?03位于陰極板901和陽(yáng)極板902之間的周邊處以提供極板間的隔開(kāi)距離并界定出一個(gè)空間區(qū)域904?？臻g區(qū)域904被抽真空到大約1×10-6乇的壓力。在場(chǎng)發(fā)射顯示器900的工作中，電子發(fā)射體970通過(guò)在構(gòu)成圖案的導(dǎo)電層915和柵控提取電極950提供預(yù)定的電壓而有選擇地尋址。所發(fā)射的電子通過(guò)在透明導(dǎo)電層980提供一個(gè)預(yù)定的電位而加速射向陽(yáng)極板902。電子被電子致發(fā)光材料995接收，因而使得它發(fā)射出光線。然后，光線穿過(guò)透明導(dǎo)電層980和透明支承基座985。電子撞擊在電子致發(fā)光材料995上還造成從電子致發(fā)光材料發(fā)射出雜質(zhì)和氣體荷電物質(zhì)。這些氣體物質(zhì)中的一些將穿過(guò)空間區(qū)域904并撞擊柵控提取電極950和電子發(fā)射體970，從而形成撞擊到電荷泄放阻擋層990上的附加的荷電氣體物質(zhì)。這種電荷被電荷泄放阻擋層990導(dǎo)向構(gòu)成圖案的導(dǎo)電層915和/或柵控提取電極950，從而防止表面電荷的累積和伴隨產(chǎn)生的顯示器損壞。
當(dāng)我們示出并敘述完本發(fā)明的具體實(shí)施例時(shí)，對(duì)于那些熟悉這一技術(shù)的人員來(lái)說(shuō)，將會(huì)出現(xiàn)進(jìn)一步的修改和改進(jìn)。因此，我們希望理解，本發(fā)明并不局限于所示出的特定形式，并且我們的意圖是在所附權(quán)利要求書(shū)中覆蓋一切不脫離本發(fā)明精神和范圍的修改。
權(quán)利要求
1.一種改進(jìn)型場(chǎng)發(fā)射器件(200，800)，其特征在于一個(gè)具有主表面的支承基底(210，810)；一個(gè)位于支承基底(210，810)的主表面上的導(dǎo)電層(215，815)；一個(gè)具有主表面并位于導(dǎo)電層(215，815)上且界定出橫側(cè)面(245，845)的介電層(240，840)，導(dǎo)電層(215，815)和介電層(240，840)的橫側(cè)面界定一個(gè)發(fā)射阱(260，860)；一個(gè)位于發(fā)射阱(260，860)的一部分區(qū)域內(nèi)并與發(fā)射阱(260，860)的橫側(cè)面(245，845)在空間共同伸展的電荷泄放阻擋層(290，890)，電荷泄放阻擋層(290，890)具有一個(gè)適合于導(dǎo)開(kāi)撞擊其上的電荷的電阻；一個(gè)位于發(fā)射阱(260，860)之內(nèi)并與導(dǎo)電層(215，815)歐姆接觸的電子發(fā)射體(270，870)；一個(gè)位于介電層(240，840)的主表面上且與電子發(fā)射體(270，870)隔開(kāi)一定距離的柵控提取電極(250，850)；以及一個(gè)相對(duì)于柵控提取電極(250，850)放置在頂部的陽(yáng)極(280，880)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1要求的改進(jìn)型場(chǎng)發(fā)射器件(200，800)，其中電荷泄放阻擋層(290，890)用一種導(dǎo)電陶瓷制成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1要求的改進(jìn)型場(chǎng)發(fā)射器件(200，800)，其中電荷泄放阻擋層(290，890)用一種半導(dǎo)體材料制成。
4.根據(jù)權(quán)利要求3要求的改進(jìn)型場(chǎng)發(fā)射器件(200，800)，其中半導(dǎo)體材料包括非晶硅。
5.一種用于制造改進(jìn)型場(chǎng)發(fā)射器件(200，800)的方法，其特征在于下述步驟提供一個(gè)支承基底(210，810)；在支承基底(210，810)上形成一個(gè)導(dǎo)電層(215，815)；在導(dǎo)電層(215，815)上形成一個(gè)介電層(240，840)，介電層(240，840)具有界定發(fā)射阱(260，860)的橫側(cè)面(245，845)；在介電層(240，840)的橫側(cè)面(245，845)上且在發(fā)射阱(260，860)的一部分區(qū)域內(nèi)形成一個(gè)電荷泄放阻擋層(290，890)，從而界定出發(fā)射阱(260，860)的擱置部分，電荷泄放阻擋層(290，890)具有一個(gè)適合于在改進(jìn)型場(chǎng)發(fā)射器件(200，800)工作期間導(dǎo)開(kāi)撞擊其上的電荷的電阻；在發(fā)射阱(260，860)的擱置部分內(nèi)形成一個(gè)電子發(fā)射體(270，870)；在介電層(240，840)上形成一個(gè)柵控提取電極(250，850)并與電子發(fā)射體(270，870)隔開(kāi)一定距離；以及提供一個(gè)與柵控提取電極(250，850)隔開(kāi)一定距離的陽(yáng)極(280，880)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5要求的用于制造改進(jìn)型場(chǎng)發(fā)射器件(200，800)的方法，其中形成介電層(240，840)的步驟包括淀積一層旋涂玻璃。
7.一種改進(jìn)型場(chǎng)發(fā)射顯示器(900)，其特征在于一塊陰極板(901)包括一個(gè)具有主表面的支承基底(910)；一個(gè)置于支承基底(910)主表面上的構(gòu)成圖案的導(dǎo)電層(915)；一個(gè)具有主表面且置于構(gòu)成圖案的導(dǎo)電層(915)上的介電層(940)，介電層(940)具有界定出多個(gè)發(fā)射阱(960)的多個(gè)橫側(cè)面(945)；一個(gè)置于介電層(940)的主表面上的柵控提取電極(950)；在多個(gè)發(fā)射阱(960)的每一個(gè)阱里面，把電荷泄放阻擋層(990)置于發(fā)射阱(960)的一部分區(qū)域內(nèi)并且與介電層(940)的橫側(cè)面(945)共同伸展，電荷泄放阻擋層(990)具有一個(gè)適合于在改進(jìn)型場(chǎng)發(fā)射顯示器(900)工作期間導(dǎo)開(kāi)撞擊其上的電荷的電阻；在多個(gè)發(fā)射阱(960)的每個(gè)阱內(nèi)都安放多個(gè)電子發(fā)射體(970)中的一個(gè)，并且后者與構(gòu)成圖案的導(dǎo)電層(915)歐姆接觸，柵控提取電極(950)與多個(gè)電子發(fā)射體(970)的每一個(gè)隔開(kāi)一定距離；一個(gè)陽(yáng)極板(902)包括一個(gè)具有主表面并且相對(duì)于陰極板(901)的柵控提取電極(950)放置在頂部的透明支承基片(985)；一個(gè)置于陽(yáng)極板(902)透明支承基片(985)的主表面上的透明導(dǎo)層(980)；一個(gè)置于透明導(dǎo)電層(980)上且用于接收多個(gè)電子發(fā)射體(970)所發(fā)射的電子的電子致發(fā)光材料(995)；以及一個(gè)置于陰極板(901)和陽(yáng)極板(902)之間以提供兩電極板間的隔開(kāi)距離的框架(903)，框架(903)、陽(yáng)極板(902)和陰極板(901)一起界定出一個(gè)空間區(qū)域(904)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7要求的改進(jìn)型場(chǎng)發(fā)射顯示器(900)，其中電荷泄放阻擋層(990)系用一種半導(dǎo)體材料制成。
9.根據(jù)權(quán)利要求8要求的改進(jìn)型場(chǎng)發(fā)射顯示器(900)，其中半導(dǎo)體材料包括非晶硅。
10.根據(jù)權(quán)利要求7要求的改進(jìn)型場(chǎng)發(fā)射顯示器(900)，其中電荷泄放阻擋層(990)系由一種導(dǎo)電陶瓷制成。
全文摘要
一種改進(jìn)型場(chǎng)發(fā)射器件,包括一個(gè)支承基底,一個(gè)形成在支承基底上的導(dǎo)電層,一個(gè)形成在導(dǎo)電層上且界定出一個(gè)發(fā)射阱的介電層,一個(gè)設(shè)置在發(fā)射阱橫側(cè)面上的電荷泄放阻擋層,一個(gè)位于發(fā)射阱內(nèi)的電子發(fā)射體,一個(gè)形成在介電層上且與電子發(fā)射體隔開(kāi)一定距離的柵控提取電極,以及一個(gè)與柵控提取電極隔開(kāi)一定距離的陽(yáng)極。
文檔編號(hào)H01J29/48GK1178997SQ9711935
公開(kāi)日1998年4月15日 申請(qǐng)日期1997年10月7日 優(yōu)先權(quán)日1997年10月7日
發(fā)明者拉爾法·茨斯那羅斯, 約翰·宋 申請(qǐng)人:摩托羅拉公司