專利名稱：陰極射線管顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及陰極射線管顯示器用的電子束掃描速度調(diào)制裝置的領(lǐng)域，特別涉及一種軟導(dǎo)線輔助偏轉(zhuǎn)線圈。
大家知道，陰極射線管電子偏轉(zhuǎn)的過(guò)程中是要經(jīng)過(guò)掃描速度調(diào)制的，用所描速度調(diào)制來(lái)提高所顯示圖象可覺(jué)察得到的清晰度。掃描速度調(diào)制的基本概念是在圖象由亮變暗或由暗變亮?xí)r調(diào)制電子束的水平掃描速度。舉例說(shuō)，當(dāng)掃描掠過(guò)暗區(qū)背景上的亮豎條時(shí)，所述速度調(diào)制的目的是達(dá)到這樣的顯示情況，即水平掃描掠過(guò)亮豎條時(shí)，屏幕亮度即刻增加到最大值，然后在掠過(guò)豎條之后即刻減小到最低水平，然而，電子束電流上升下降的時(shí)間并不是瞬時(shí)的。在沒(méi)有掃描速度調(diào)制的顯示情況下，在明暗轉(zhuǎn)變過(guò)程中會(huì)有灰度出現(xiàn)，這使圖象邊緣模糊，在視覺(jué)上表現(xiàn)為清晰度下降或不清晰。
在有電子束掃描速度調(diào)制的情況下，配備了具有下列功能的電路一方面預(yù)先采取措施防止亮度信號(hào)轉(zhuǎn)變，另一方面修正水平掃描速度，使電子束在轉(zhuǎn)變前后在暗區(qū)獲得加速度，即以超過(guò)平增掃描速率的速度掃描。由于電子束獲得的這個(gè)加速度而爭(zhēng)取到的時(shí)間應(yīng)用到轉(zhuǎn)換過(guò)程的亮方，這時(shí)電子束減速到平均掃描頻率以下，因而掃描水平行所需的總時(shí)間仍然不變，加速和減速效果彼此相抵消。在變亮之前增加電子束在暗區(qū)的掃描速度，其作用是減少撞擊熒光層的電子束流，從而減小熒光層受激現(xiàn)象，這樣使暗區(qū)變得更暗。掃描速度在亮區(qū)一經(jīng)減慢，促使電子束激活熒光層的時(shí)間略為延度，而且使豎接轉(zhuǎn)變之后再度出現(xiàn)發(fā)亮的現(xiàn)象。速度調(diào)制在圖象邊緣轉(zhuǎn)邊時(shí)的總的作用是使轉(zhuǎn)變看起來(lái)比恒速度掃描時(shí)更明顯。轉(zhuǎn)變是從亮背景到暗區(qū)進(jìn)行時(shí)，經(jīng)歷的過(guò)程相反。總的作用是提高圖象邊緣可覺(jué)察到的清晰度，從而使畫面看起來(lái)更清晰，分辨率提高。
應(yīng)用電子束速度調(diào)制時(shí)采用一個(gè)工作時(shí)修正電子束水平偏轉(zhuǎn)情況的附加線圈。這一種附加線圈用驅(qū)動(dòng)電路從亮度視頻信號(hào)提取的邊緣轉(zhuǎn)變信息驅(qū)動(dòng)。
SVM(掃描速度調(diào)制)線圈可以是個(gè)平繞疊層線圈，在SVM早期的應(yīng)用中系裝設(shè)在純度/靜會(huì)聚磁鐵支座上，以影響從電子槍的聚焦柵(G4)出來(lái)的電子束。此外，大家知道還有印刷電路式的線圈，這些線圈可以安置在靜聚焦磁鐵下方或偏轉(zhuǎn)線圈下方。
SVM線圈緊靠電子槍安置可以減小作用到電子束上的SVM線圈場(chǎng)強(qiáng)。電子槍通常有導(dǎo)磁的鐵磁材料(例如鋼)，因而具有將SVM場(chǎng)限制在導(dǎo)磁鐵磁材料的范圍內(nèi)的傾向。電子槍還有非磁鐵磁性的導(dǎo)電材料，這種材料借助于渦流感應(yīng)將SVM場(chǎng)分散開?？傊?，電子槍的鐵質(zhì)和導(dǎo)電材料具有使SVM場(chǎng)部分散開同時(shí)屏蔽電子束使它們不致彼此相互作用的傾向。
SVM線圈裝設(shè)在特定位置時(shí)其固有的屏蔽和分散的不利作用是可加以克服的，例如通過(guò)增加SVM驅(qū)動(dòng)電流，但這需要提高電流驅(qū)動(dòng)器的性能，同時(shí)器件的功耗增加。為達(dá)到所要求的SVM偏轉(zhuǎn)靈敏度，可以增加線圈的匝數(shù)，但這一下電感的增加會(huì)使SVM線圈的高頻特性下降到組成所顯示信號(hào)的頻譜所需要的頻率以下。要提高SVM偏轉(zhuǎn)靈敏度可以將SVM線圈盡量靠近電子束安置，因?yàn)榇艌?chǎng)強(qiáng)度與兩者之間的間距某次方的倒數(shù)成正比。然而，安置在例如管頸上可能會(huì)給可能與這種SVM線圈位置重疊安置的其它管頸部件帶來(lái)機(jī)械安裝問(wèn)題。因此，與管長(zhǎng)表面接觸配置的任何SVM線圈及其接線在橫截面的尺寸上應(yīng)盡可能小。
本發(fā)明的目的是為了提高SVM偏轉(zhuǎn)線圖的偏轉(zhuǎn)靈敏度、減小電感和減小與安裝在陰極射線管的管頸上的其它部件之間的干擾。
掃描電子束速度經(jīng)調(diào)制的陰極射線管顯示裝置其陰極射線管有個(gè)管頸和用以產(chǎn)生電子束的電子槍。陰極射線管上裝有一個(gè)偏轉(zhuǎn)線圈。管頸上安裝有第一柔質(zhì)襯墊和第二柔質(zhì)襯墊，兩襯墊都包繞得使其與管頸周邊貼合，兩襯墊的一面都用以裝設(shè)導(dǎo)體。第一襯墊上的導(dǎo)體取第一線圈圖形的形式。第二襯墊上的導(dǎo)體取第二線圈圖形的形式。第一線圈圖形與第二線圈圖形用導(dǎo)線連接起來(lái)。掃描速度調(diào)制電流由一個(gè)接插件加上，以激勵(lì)第一線圈圖形和第二線圈圖形，從而進(jìn)行電子束掃描速度調(diào)制。


圖1A示出了本發(fā)明SVM偏轉(zhuǎn)線圖及其配置方式的一個(gè)實(shí)施例。
圖1B示出了本發(fā)明的另一個(gè)SVM線圈及其配置方式。
圖2A示出了本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的部件分解圖。
圖2B示出了本發(fā)明的另一個(gè)SVM線圈及其配置方式。
圖3A示出了本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的導(dǎo)體圖形。
圖3B示出了裝配導(dǎo)體用的襯墊層。
圖3C是圖2管頸C/C處截取的橫截面，示出了導(dǎo)圖形在管頸周邊的配置方式。
圖3D是圖3C在剖面線H/H處的放大圖。
圖4A示出了本發(fā)明另一實(shí)施例的第一導(dǎo)體圖形和襯墊層。
圖4B示出了本發(fā)明另一實(shí)施例的第二導(dǎo)圖形和襯墊層。
圖4C示出了取圖3D所示位置的剖視圖。
參看圖1A，電視顯象管系統(tǒng)配置得在其后端有一個(gè)電子槍，該電子槍發(fā)射出的電子流經(jīng)過(guò)加速射向另一端或前端的熒光屏34上。電子是一些運(yùn)動(dòng)的電荷，形成電流，因而電子能為入射的磁場(chǎng)所偏轉(zhuǎn)。電子束以水平掃描頻率偏轉(zhuǎn)，跟蹤連續(xù)的各行，以垂直掃描頻率偏轉(zhuǎn)，使各連續(xù)行在屏幕上在垂直方向上彼此間隔一段距離。這個(gè)掃描過(guò)程形成了光柵圖形，在隔行場(chǎng)中或在逐行掃描各連續(xù)行中順序重復(fù)出現(xiàn)。
電視顯象管或陰極射線管的電子槍后端與屏幕34之間有一個(gè)漏斗形或錐形部分38。垂直偏轉(zhuǎn)和水平偏轉(zhuǎn)線圈裝在顯象管錐形部分38的偏轉(zhuǎn)線圈系統(tǒng)上，通常繞制成塑料箍圈或襯套72的形式。垂直和水平偏轉(zhuǎn)線圈沿玻錐平行于電子束軸線42的方向上延伸，循著顯象管的錐形表面38敷設(shè)。垂直偏轉(zhuǎn)繞組在導(dǎo)磁鐵心上呈圓環(huán)形纏繞，鞍形水平偏轉(zhuǎn)繞組則毗鄰顯象管的玻錐38配置。
掃描速度調(diào)制(或SVM)線圈50呈撓性的印刷電路的形式，與管頸30貼合。圖1A中，掃描速度調(diào)制線圈50毗鄰管頸配置，靜會(huì)聚磁鐵系統(tǒng)52疊加到其上。舉例說(shuō)，在采用PI88COTYM電子槍裝置的CRT中，SVM線圈安置在電子槍裝置的主透鏡G5-G6上方。SVM線圈系統(tǒng)徑向配置得使其可以將線圈導(dǎo)體安置得平行于顯象管Z軸線，對(duì)稱于顯象管的X軸線。不然掃描速度調(diào)制線圈50也可以安置在毗鄰玻錐38的管頸30上，偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)80的水平偏轉(zhuǎn)線圈疊加到其上，如圖1B中所示。激勵(lì)電流經(jīng)導(dǎo)電接插件88加到線圈50上，從而根據(jù)所顯示圖象邊緣的轉(zhuǎn)變調(diào)制水平偏轉(zhuǎn)速度。掃描電子束速度的調(diào)制和激勵(lì)電流的獲得是眾所周知的，因而這里不再說(shuō)明。
圖2A示出了陰極射線管玻錐38、管頸30和電子槍構(gòu)件40的部分部件分解圖。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，撓性掃描速度調(diào)制線圈50在靜會(huì)聚磁鐵52的同一個(gè)Z軸線位置與管頸表面貼合。接插件導(dǎo)線表面88安置在Y軸線上，且可按需要通過(guò)連接到SVM驅(qū)動(dòng)放大器(圖中未示出)朝屏幕34或套管32的方向延伸，安置在+Y或-Y軸線上可以使線圈按正確的角度配置，從而達(dá)到最佳的靈敏度。靜會(huì)聚磁鐵52安置在管頸30上Z軸線的位置以便進(jìn)行靜會(huì)聚，因此套到SVM線圈50上。圖2B示出了SVM線圈50在管頸上的另一種位置，毗鄰玻錐38安置，例如安置在偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)80的水平偏轉(zhuǎn)線圈下方，圖中為顯示出SVM的就位情況，因而沒(méi)有把偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)畫出。
圖3A示出了用以裝設(shè)導(dǎo)電層L1和L3的線路和線圈圖形。裝設(shè)特定圖形的導(dǎo)電體有多種方法。例如，可以用印刷法將電墨汁或流體淀積到襯墊層上形成所要求的線路和線圈圖形?？梢圆捎媒佑|印刷法將導(dǎo)電墨汗或流體畫出的線路和線圈圖形轉(zhuǎn)印到襯墊層上。此外還有周知的應(yīng)用導(dǎo)體層的方法是有選擇地除去部分導(dǎo)體，剩下的導(dǎo)體就形成所要求的線路圖形。
圖3A中，圖中所示的回路1和回路3、回路2和回路4它們的線路和線圈圖形都非常相似，因而當(dāng)制成導(dǎo)電層L1和L3并安放在襯墊層L2上時(shí)，圖形P1的導(dǎo)體覆在類似的圖形P3的導(dǎo)體上面。例如，圖3A中，導(dǎo)體A2，即回路1的中間導(dǎo)體，覆在回路3的導(dǎo)體A′2上，回路2的導(dǎo)體及有被覆蓋部分B′2，如此類推，回路2和回路4的C2和D2分別有被覆蓋部分C′2和D′2。
圖3B示出了襯墊層L2。L1層與L3層之間的電氣接線由通過(guò)H10和H20處的襯墊層L2的導(dǎo)電通路形成。這些導(dǎo)電通路在H1和H2點(diǎn)處與L1層連接，在H11和H21點(diǎn)處與L3層連接。這樣，線圈回路1在電氣上與線圈回路3串聯(lián)連接，線圈回路2在電氣上與線圈回路4串聯(lián)連接。在本發(fā)明的這種裝配方式中，A組的回路導(dǎo)體(即A1-3和A′1-3)呈多層結(jié)構(gòu)形式重疊著，這有這樣的好處，即六個(gè)導(dǎo)體所產(chǎn)生的場(chǎng)是在單層結(jié)構(gòu)形式的三個(gè)導(dǎo)體所占據(jù)的同一個(gè)周邊部位產(chǎn)生的。這樣，多重線圈層可在小弦角(chordal angle)范圍內(nèi)產(chǎn)生所要求的在給定偏轉(zhuǎn)靈敏度下的場(chǎng)強(qiáng)，這具有使該SVM線圈結(jié)構(gòu)的偏轉(zhuǎn)靈敏度達(dá)到最佳情況的好處。這種有利的結(jié)構(gòu)也適用于圖3C所示的由B、C和D組組成的環(huán)形導(dǎo)體。
圖3A中，尺寸M是中間導(dǎo)體(圖中標(biāo)以下標(biāo)2)之間的間距，這里選用大致等于管頸圓周的1/3。這個(gè)近似尺寸須考慮導(dǎo)體層L1或L3的厚度加上襯墊層L2的厚度。在線圈圖形的這個(gè)實(shí)例中，襯墊層L2是柔質(zhì)的，且取直徑等于管頸的圓柱體的形狀。與管頸表面貼合時(shí)，在回路1各側(cè)的中間導(dǎo)體A2和B2中就必然會(huì)選擇出M這個(gè)尺寸，圍繞顯象管的Z軸線成120度的圓心角，如圖3C中所示?；芈分g的間距M系選取得使各回路能圍繞Z軸線對(duì)稱配置，從而使導(dǎo)體A2和D2在圓周上的間距與導(dǎo)體B2和C2的一樣，因此，在圖3A中所示的線路圖形和圖3C中所示的徑向位置的情況下，在管的Y軸線上形成既垂直于X軸線也垂直于Z軸線的雙極磁場(chǎng)。這個(gè)Y軸線磁場(chǎng)使在Z軸線的電子束產(chǎn)生水平偏轉(zhuǎn)或X軸線偏轉(zhuǎn)。導(dǎo)體間距角選取120度促使線圈產(chǎn)生的第三諧波磁場(chǎng)等于零。SVM線圈磁場(chǎng)調(diào)定得使其第三諧波等于零消除了SVM起作用時(shí)三束電子束之間的偏轉(zhuǎn)產(chǎn)生差異的可能性，即SVM起作用時(shí)不會(huì)使圖象邊緣產(chǎn)生著色不當(dāng)?shù)默F(xiàn)象。
圖3C是管頸的徑向剖面，為簡(jiǎn)單顯示起見，電子槍在管頸內(nèi)的構(gòu)件沒(méi)有示出，且為了更清楚起見，撓性線圈系統(tǒng)的厚度特別加以夸大化?？梢钥吹?，未經(jīng)偏轉(zhuǎn)的電子束處在管子的X軸線上，圍繞Z軸線對(duì)稱配置。該剖面系取得使其截取線圈回路導(dǎo)體組A、B、C和D。襯墊層與管頸合時(shí)，中間體(帶標(biāo)號(hào)2)的間距系取得如前面所述的那樣。帶標(biāo)號(hào)2的導(dǎo)體A2和A′2、B2和B′2圍繞Z線軸成120度的圓心角，如圖3C中所示。同樣，導(dǎo)體C2和C′2、D2和D′2也圍繞Z軸線成120度的圓心角。與管頸表面貼合的襯墊層在管頸上系配置得使帶標(biāo)號(hào)2的導(dǎo)體對(duì)稱于+Y和-Y軸線配置，此外，由于各回路的尺寸及其在襯墊層L2上的配置，因而使帶標(biāo)號(hào)2的導(dǎo)體對(duì)不對(duì)稱于+X和-X軸線配置。導(dǎo)體88在回路圖形中的具體布局，其目的是要使貼合的線圈在管頸上配置時(shí)有一個(gè)基準(zhǔn)轉(zhuǎn)角，因此需要將不同的導(dǎo)體組對(duì)稱于不同的管軸線配置。
圖3D是圖3C沿剖面線H/H截取的放大剖視圖。為簡(jiǎn)單顯示起見，該視圖忽略了柔質(zhì)襯墊層L2和線圈導(dǎo)體層L1、L3與管頸圓周貼合的情況。從該放大剖面可以看到，導(dǎo)體B1-3與B′1-3對(duì)齊對(duì)中。L1層與L3層之間的電氣連接是通過(guò)穿過(guò)襯墊層L2的導(dǎo)電通路進(jìn)行的，由襯墊層L2將H1墊處的層1與H11墊處的層2連接起來(lái)。撓性SVM線圈系統(tǒng)包繞著管頸的圓周有這樣的好處可以提高本發(fā)明撓性的SVM線圈系統(tǒng)的偏轉(zhuǎn)靈敏度。因此線圈系統(tǒng)與玻璃接觸，而且盡可能接近電子束。
還有這樣的好處，Z軸線中間導(dǎo)體A2-A′2、B2-B′2、C2-C′2、D2-D′2成120度角配置進(jìn)一步提高了偏轉(zhuǎn)靈敏度。各導(dǎo)體成120度角配置可以使線圈系統(tǒng)所產(chǎn)生的磁場(chǎng)其第三諧波分量等于零。第三諧波場(chǎng)等于零就可以使電子束SVM偏轉(zhuǎn)得更好，因?yàn)镾VM驅(qū)動(dòng)電流不產(chǎn)生可能會(huì)使外電子束相對(duì)于中心產(chǎn)生不必要差異偏轉(zhuǎn)的三階場(chǎng)。
各線圈層配置得使Z軸線導(dǎo)體即A1-3和A′1-3＝、B1-3和B′1-3、C1-3和C′1-3、D1-3和D′1-3重疊起來(lái)，這又可以進(jìn)一步提高偏轉(zhuǎn)靈敏度。圖3D示出了導(dǎo)體B1-3和B′1-3對(duì)齊重疊對(duì)中的情況。這個(gè)特點(diǎn)迫使周邊的磁場(chǎng)近似仿效單線圈層的情況。這樣，三階場(chǎng)仍然等于零，但由于線圈回路是串聯(lián)連接的，因而電感與匝數(shù)的平方成比例地增加。
多層線圈系統(tǒng)可以構(gòu)制得使其達(dá)到所要求的電感值而無(wú)需犧性所希望的產(chǎn)生零三階場(chǎng)的要求。圖4A示出了多層線圈系統(tǒng)的第一層采用一個(gè)導(dǎo)體制成的線圈圖形，其尺寸參數(shù)與上述的一樣。圖4A的線圈圖形制成襯墊層L10上的導(dǎo)電層1導(dǎo)電連接孔H10和H20通過(guò)襯墊層L10延伸。圖4B示出了多層線圖系統(tǒng)另一層的線圈圖形P3，其中激勵(lì)電流借助于導(dǎo)體88加到線圈回路3和4上。線圈圖形P3制成襯墊層L20上導(dǎo)電層L3。襯墊層L10與L20重疊，從而使H10和H20與墊接觸區(qū)H11和H21對(duì)齊。對(duì)齊之后，將導(dǎo)電孔和接觸墊電導(dǎo)連接起來(lái)，襯墊層也可以彼此聯(lián)接起來(lái)。從圖4C的放大剖面圖中可以看到裝配好的多層線圈(該剖面的位置與說(shuō)明圖3C時(shí)的一樣)。圖4C示出了B組導(dǎo)體、導(dǎo)電孔和墊的排列情況，這些部分都疊回得使導(dǎo)體B1覆在導(dǎo)體B′1等的上面。
本發(fā)明的SVM線圈組件可用許多方法制造，但在柔質(zhì)襯墊層上采用光敏導(dǎo)體層的光刻法既能節(jié)約材料成本，又能大量節(jié)約制造工具和裝配方面的費(fèi)用。例如，繞制出SVM線圈需要有繞制設(shè)備和線圈襯墊構(gòu)件，此外導(dǎo)線必須加端接頭進(jìn)行連接。還有其它印刷電路式的線圈，這種線圈具有導(dǎo)線連線與線圈相連接，這些連接線跨越各線圈回路接中心饋點(diǎn)。但這種導(dǎo)線連線是我們所不希望有的，因?yàn)樗鼈兗仍龌亓司€圈的截面積，又需要增加制造過(guò)程的操作工序，增加成本。
本發(fā)明的SVM線圈系統(tǒng)是在柔質(zhì)的襯墊層上制造出來(lái)的，兩面形成有線圈圖形層。典型的SVM線圈系統(tǒng)是按下列各項(xiàng)條件評(píng)價(jià)的管型27V電子槍PI88，COTY M.
EHT(超高壓)30千伏偏轉(zhuǎn)線圖后移3毫米(偏轉(zhuǎn)線圈從底座后移87毫米)SVM線圈的前沿距底座84毫米。SVM線圈系統(tǒng)的技術(shù)規(guī)格如下導(dǎo)體寬度 0.8毫米導(dǎo)體間距 0.5毫米導(dǎo)體厚度 8-10微米襯墊層厚度 0.125毫米每一個(gè)回路3的匝數(shù)，兩層(在1千赫下的)電感 3.8微亨電阻 1.78歐偏轉(zhuǎn)靈敏度中心處的直流偏轉(zhuǎn)靈敏度 2.75毫米/安交流驅(qū)動(dòng)信號(hào)，1安脈沖， 100納秒起伏時(shí)間中心處的交流偏轉(zhuǎn)靈敏度 0.73毫米/安
權(quán)利要求
1.一種電子束掃描速度經(jīng)過(guò)調(diào)制的陰極射線管，包括一個(gè)陰極射線管，有管頸(30)和用以產(chǎn)生電子束(42)的電子槍(40)；一個(gè)偏轉(zhuǎn)線圈(80)，裝在所述陰極射線管上，供偏轉(zhuǎn)電子束(42)之用；其特征在于其第一柔質(zhì)層(L10)和第二柔質(zhì)層(L20)，該兩柔質(zhì)層的一側(cè)都用以形成導(dǎo)體，所述第一(L10)和第二(20)柔質(zhì)層疊加起來(lái)，且包繞著所述管頸(30)的圓周，與該圓周表面貼合；第一線圈圖形(P1)，呈導(dǎo)體(L1)的形狀與所述第一柔質(zhì)層形成有導(dǎo)體的一側(cè)接觸，和第二線圈圖形(P3)，在所述第二柔質(zhì)層形成有導(dǎo)體的一側(cè)上呈導(dǎo)體(L3)的形狀；導(dǎo)電孔(H10，H20)，通過(guò)所述柔質(zhì)層(L10)將所述第一線圈圖形導(dǎo)體(L1)與所述第二線圈圖形導(dǎo)體(L3)上的墊(H11，H21)連接起來(lái)；連接線(88)，將掃描速度調(diào)制電流加到所述第一線圈(L1)和所述第二線圈(L3)上，供進(jìn)行掃描電子束速度調(diào)制用。
2.如權(quán)利要求1所述的陰極射線管顯示器，其特征在于，所述第一線圈圖形導(dǎo)體(L1)和所述第二線圈圖形導(dǎo)體(L3)還有一些呈多個(gè)同心環(huán)路的導(dǎo)體。
3.如權(quán)利要求1所述的陰極射線管顯示器，其特征在于，所述第一線圈圖形導(dǎo)體(L1)和所述第二線圈圖形導(dǎo)體(L3)其尺寸彼此類似，因而重疊時(shí)，所述第一線圈圖形導(dǎo)體(L1)覆在所述第二線圈圖形導(dǎo)體上。
4.如權(quán)利要求1所述的陰極射線管顯示器，其特征在于，所述包繞的柔質(zhì)層安置在靜電子束會(huì)聚裝置下方的所述管頸(32)上。
5.如權(quán)利要求1所述的陰極射線管顯示器，其特征在于，所述包繞的柔質(zhì)層在偏轉(zhuǎn)線圈(80)下方安置在所述管頸上。
6.如權(quán)利要求2所述的陰極射線管顯示器，其特征在于，所述管頸(30)和電子槍(40)確定所述陰極射線管的Z軸線，在所述層上的所述線圈圖形導(dǎo)體回路與所述管頸圓周貼合，從而使所述各回路的一部分與所述Z軸線平行。
7.如權(quán)利要求6所述的陰極射線管顯示器，其特征在于，所述回路與所述Z軸線平行的所述部分其尺寸使該平行部分的圓心角為120度，且該部分與正交于所述Z軸線的Y軸線對(duì)稱配置。
8.如權(quán)利要求7所述的陰極射線管顯示器，其特征在于，所述各回路的平行部分在圓周上配置得使其對(duì)稱于與所述Z軸線和所述Y軸線正交的一個(gè)軸線。
9.如權(quán)利要求6所述的陰極射線管顯示器，其特征在于，所述導(dǎo)體線圈圖形回路呈長(zhǎng)方形，所述長(zhǎng)方形的一對(duì)邊平行于所述Z軸線。
10.如權(quán)利要求9所述的陰極射線管顯示器，其特征在于，所述長(zhǎng)方形的尺寸使所述一對(duì)邊安置得使其圓心角為±120度，且對(duì)稱于與所述Z軸線正交的所述Y軸線。
全文摘要
一種具有掃描電子束速度調(diào)制的陰極射線管顯示器,有一個(gè)管頸(30),電子槍(40);及偏轉(zhuǎn)線圈(80)。管頸上有第一柔質(zhì)襯墊(L10)和第二柔質(zhì)襯墊(L20),第一襯墊形成有導(dǎo)體(L1)一的側(cè)其導(dǎo)體呈第一線圈圖形(P1)的形狀,第二襯墊形成有導(dǎo)體(L3)的一側(cè)其導(dǎo)體呈第二線圈圖形(P3)的形狀。連接線(H10,H20)將第一結(jié)圈圖形(P1)與第二線圈圖形(P3)相連接。接插件(88)施加掃描速度調(diào)制電流激勵(lì)所述第一線圈圖形(P1)和所述第二線圈圖形(P3),以進(jìn)行速度調(diào)制。
文檔編號(hào)H01J29/76GK1255726SQ9912367
公開日2000年6月7日 申請(qǐng)日期1999年11月3日 優(yōu)先權(quán)日1993年4月21日
發(fā)明者A·多索特, J·P·迪斯康比斯 申請(qǐng)人:湯姆森管及展示有限公司