大功率led舞臺(tái)燈聚光裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及LED照明領(lǐng)域，尤其是LED舞臺(tái)燈聚光裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有的LED成像燈成像光學(xué)系統(tǒng)中，一般包括光源、聚光裝置和成像裝置。由于現(xiàn)有聚光裝置存在較大的缺陷，光利用率低。為了使燈具具有更大的功率，在光源上一般采用多顆LED芯片作為光源，以此來(lái)彌補(bǔ)聚光裝置聚光的不足，該種舞臺(tái)燈功耗大、效率低，成像效果差。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種大功率LED舞臺(tái)燈聚光裝置，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，光利用率高。
[0004]為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型的技術(shù)方案是:一種大功率LED舞臺(tái)燈聚光裝置，包括LED光源和反光裝置，所述LED光源包括呈上下對(duì)稱設(shè)置的第一 LED芯片和第二LED芯片；所述反光裝置包括呈上下對(duì)稱設(shè)置的第一反光器和第二反光器，所述第一反光器和第二反光器均為1/4的橢球面；所述第一 LED芯片位于第一反光器的焦點(diǎn)處，第二 LED芯片位于第二反光器的焦點(diǎn)處。LED采用單顆30W以上大功率，高發(fā)光密度；LED芯片在空間2 JT立體角內(nèi)發(fā)光，光線利用效率較高；第一 LED芯片與第二 LED芯片之間間距越近越好，同時(shí)保證熱量有效導(dǎo)出；通過通光孔后的光線再通過成像裝置，在成像裝置右側(cè)2-20米的距離處形成清晰的光斑。
[0005]作為改進(jìn)，所述第一 LED芯片和第二 LED芯片的功率均為30瓦以上。
[0006]作為改進(jìn)，所述第一 LED芯片光線通過第一反光器后反射到橢球的另一個(gè)焦點(diǎn)；所述第二 LED芯片光線通過第二反光器后反射到橢球的另一個(gè)焦點(diǎn)；第一反光器與第二反光器的焦點(diǎn)重合。
[0007]作為改進(jìn)，所述第一 LED芯片安裝在第一支撐板上，所述第二 LED芯片安裝在第二支撐板上，第一支撐板、第二支撐板與水平面之間的夾角為30~60°。
[0008]作為改進(jìn)，第一反光器與第二反光器之間的距離為40~80mm。
[0009]本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比所帶來(lái)的有益效果是:
[0010]LED采用單顆30W以上大功率，高發(fā)光密度，LED芯片在空間2 立體角內(nèi)發(fā)光，光線利用效率較高；第一 LED芯片與第二 LED芯片分別設(shè)置在不同的支撐板上，通過支撐板將LED的保證熱量有效導(dǎo)出；采用橢球反光器能夠有效的將光反射聚集起來(lái)，光的有效利用率更高。
【附圖說明】
[0011]圖1為本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖。
[0012]圖2為聚光裝置的光反射原理圖。
【具體實(shí)施方式】
[0013]下面結(jié)合說明書附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說明。
[0014]一種大功率LED舞臺(tái)燈聚光裝置，包括LED光源和反光裝置。
[0015]如圖1所示，所述LED光源包括呈上下對(duì)稱設(shè)置的第一 LED芯片2和第二 LED芯片5，所述第一 LED芯片2和第二 LED芯片5的功率均為30瓦以上；LED采用單顆30W以上大功率，高發(fā)光密度，LED芯片在空間2 JT立體角內(nèi)發(fā)光，光線利用效率較高；所述第一 LED芯片2安裝在第一支撐板I上，所述第二 LED芯片5安裝在第二支撐板上4，第一支撐板1、第二支撐板4與水平面之間的夾角為30~60° ;第一 LED芯片2與第二 LED芯片5分別設(shè)置在不同的支撐板上，通過支撐板將LED的保證熱量有效導(dǎo)出。
[0016]所述反光裝置包括呈上下對(duì)稱設(shè)置的第一反光器3和第二反光器6，所述第一反光器3和第二反光器6均為1/4的橢球面。第一反光器3與第二反光器6之間的距離LI為40~80mm。如圖2所示，所述第一 LED芯片2位于第一反光器3的焦點(diǎn)處，第二 LED芯片5位于第二反光器6的焦點(diǎn)處；所述第一 LED芯片2光線通過第一反光器3后反射到橢球的另一個(gè)焦點(diǎn)，所述第二 LED芯片5光線通過第二反光器6后反射到橢球的另一個(gè)焦點(diǎn)。第一反光器3與第二反光器6的焦點(diǎn)重合。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種大功率LED舞臺(tái)燈聚光裝置，包括LED光源和反光裝置，其特征在于:所述LED光源包括呈上下對(duì)稱設(shè)置的第一 LED芯片和第二 LED芯片；所述反光裝置包括呈上下對(duì)稱設(shè)置的第一反光器和第二反光器，所述第一反光器和第二反光器均為1/4的橢球面；所述第一 LED芯片位于第一反光器的焦點(diǎn)處，第二 LED芯片位于第二反光器的焦點(diǎn)處。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種大功率LED舞臺(tái)燈聚光裝置，其特征在于:所述第一LED芯片和第二 LED芯片的功率均為30瓦以上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種大功率LED舞臺(tái)燈聚光裝置，其特征在于:所述第一LED芯片光線通過第一反光器后反射到橢球的另一個(gè)焦點(diǎn)；所述第二 LED芯片光線通過第二反光器后反射到橢球的另一個(gè)焦點(diǎn)；第一反光器與第二反光器的焦點(diǎn)重合。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種大功率LED舞臺(tái)燈聚光裝置，其特征在于:所述第一LED芯片安裝在第一支撐板上，所述第二 LED芯片安裝在第二支撐板上，第一支撐板、第二支撐板與水平面之間的夾角為30~60°。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種大功率LED舞臺(tái)燈聚光裝置，其特征在于:第一反光器與第二反光器之間的距離為40~80mm。
【專利摘要】一種大功率LED舞臺(tái)燈聚光裝置，包括LED光源和反光裝置，所述LED光源包括呈上下對(duì)稱設(shè)置的第一LED芯片和第二LED芯片；所述反光裝置包括呈上下對(duì)稱設(shè)置的第一反光器和第二反光器，所述第一反光器和第二反光器均為1/4的橢球面；所述第一LED芯片位于第一反光器的焦點(diǎn)處，第二LED芯片位于第二反光器的焦點(diǎn)處。LED采用單顆30W以上大功率，高發(fā)光密度；LED芯片在空間2π立體角內(nèi)發(fā)光，光線利用效率較高；第一LED芯片與第二LED芯片之間間距越近越好，同時(shí)保證熱量有效導(dǎo)出；通過通光孔后的光線再通過成像裝置，在成像裝置右側(cè)2-20米的距離處形成清晰的光斑。
【IPC分類】F21V19-00, F21V7-00, F21V29-503, F21Y101-02
【公開號(hào)】CN204438018
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201420778268
【發(fā)明人】陳志曼
【申請(qǐng)人】廣州市雅江光電設(shè)備有限公司
【公開日】2015年7月1日
【申請(qǐng)日】2014年12月11日