多樣式切割盤的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及芯片切割領(lǐng)域，尤其涉及多樣式的切割盤。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，切割是芯片加工過程中及其重要的環(huán)節(jié)，如圖4-6所示，其中切割的晶片大小有四寸晶片(即晶片二 3)，也有三寸晶片(即晶片一 2)，因?yàn)樗拇缇笥谌缇谌缇胖脜^(qū)域外有真空孔二 4，在激光切割時(shí)，當(dāng)有漏真空時(shí)，切割機(jī)無法作業(yè)，所以操作員在切割三寸晶片的過程中，在切割盤上增加一個(gè)圓形激光隔離紙來保證其真空并且激光不切至切盤上，方能使機(jī)器運(yùn)行。但是實(shí)際操作過程中真空并不穩(wěn)定容易導(dǎo)致晶片位移偏位，直至芯片切割偏位。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]本實(shí)用新型針對(duì)以上問題，提供了一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，方便操作，提高芯片切割可靠性的多樣式切割盤。
[0004]本實(shí)用新型的技術(shù)方案是:包括盤本體，所述盤本體上分別設(shè)有晶片容置區(qū)一和晶片容置區(qū)二，所述晶片容置區(qū)一和晶片容置區(qū)二的中心一致，所述晶片容置區(qū)一的截面積小于所述晶片容置區(qū)二的截面積，所述晶片容置區(qū)一的下方設(shè)有呈環(huán)狀的真空孔一；
[0005]所述晶片容置區(qū)一和晶片容置區(qū)二之間設(shè)有呈環(huán)狀的凹槽。
[0006]所述凹槽與所述晶片容置區(qū)一之間設(shè)有間距一，所述凹槽與所述晶片容置區(qū)二之間設(shè)有間距二，所述間距一和間距二的距離相同。
[0007]本實(shí)用新型將現(xiàn)有激光切割盤的真空孔一位置調(diào)整至適合晶片容置區(qū)一放置的晶片的位置下部，并且在晶片容置區(qū)一和晶片容置區(qū)二之間開設(shè)凹槽，保證切割不同尺寸的晶片不會(huì)受到影響，避免干擾。如切割三寸晶片放置在切割盤內(nèi)圈，四寸晶片放置在整個(gè)切割盤上，這樣保證無論三寸晶片或四寸晶片切割時(shí)晶片真空穩(wěn)定無位移。本實(shí)用新型方便加工，工作可靠。
【附圖說明】
[0008]圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖，
[0009]圖2是本實(shí)用新型的工作狀態(tài)圖一，
[0010]圖3是本實(shí)用新型的工作狀態(tài)圖二，
[0011]圖4是現(xiàn)有技術(shù)的結(jié)構(gòu)示意圖，
[0012]圖5是現(xiàn)有技術(shù)的工作狀態(tài)圖一，
[0013]圖6是現(xiàn)有技術(shù)中工作狀態(tài)圖二；
[0014]圖中I是盤本體，11是晶片容置區(qū)一，12是晶片容置區(qū)二，13是真空孔一，14是凹槽，2是晶片一,3是晶片二，4是真空孔二。
【具體實(shí)施方式】
[0015]本實(shí)用新型如圖1-3所示，包括盤本體1，所述盤本體I上分別設(shè)有晶片容置區(qū)一11 (用于放置晶片一 2)和晶片容置區(qū)二 12 (用于放置晶片二 3)，所述晶片容置區(qū)一 11和晶片容置區(qū)二 12的中心一致，所述晶片容置區(qū)一 11的截面積小于所述晶片容置區(qū)二 12的截面積，所述晶片容置區(qū)一 11的下方設(shè)有呈環(huán)狀的真空孔一 13 ；
[0016]所述晶片容置區(qū)一 11和晶片容置區(qū)二 12之間設(shè)有呈環(huán)狀的凹槽14。
[0017]所述凹槽14與所述晶片容置區(qū)一 11之間設(shè)有間距一，形成凸臺(tái)，便于固定放置晶片一，所述凹槽14與所述晶片容置區(qū)二 12之間設(shè)有間距二，避免晶片容置區(qū)二的區(qū)域由于受到凹槽加工而發(fā)生破損，所述間距一和間距二的距離相同，增加美觀性。
[0018]本實(shí)用新型在工作中，操作員作業(yè)四寸晶片時(shí)將晶片放置在切割盤上，正常作業(yè)即可。作業(yè)三寸晶片時(shí)將晶片放置在晶片容置區(qū)一內(nèi)，真空孔一在三寸區(qū)域內(nèi)，這樣切割盤無漏真空，保證激光切割機(jī)正常作業(yè)，另在三寸區(qū)域外有凹槽，通過設(shè)定激光位移，激光無法切割到切割盤，晶片真空穩(wěn)定確保正常生產(chǎn)，同時(shí)減少員工操作步驟，提高工作效率。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.多樣式切割盤，其特征在于，包括盤本體，所述盤本體上分別設(shè)有晶片容置區(qū)一和晶片容置區(qū)二，所述晶片容置區(qū)一和晶片容置區(qū)二的中心一致，所述晶片容置區(qū)一的截面積小于所述晶片容置區(qū)二的截面積，所述晶片容置區(qū)一的下方設(shè)有呈環(huán)狀的真空孔一； 所述晶片容置區(qū)一和晶片容置區(qū)二之間設(shè)有呈環(huán)狀的凹槽。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多樣式切割盤，其特征在于，所述凹槽與所述晶片容置區(qū)一之間設(shè)有間距一，所述凹槽與所述晶片容置區(qū)二之間設(shè)有間距二，所述間距一和間距二的距離相同。
【專利摘要】多樣式切割盤。提供了一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，方便操作，提高芯片切割可靠性的多樣式切割盤。包括盤本體，盤本體上分別設(shè)有晶片容置區(qū)一和晶片容置區(qū)二，晶片容置區(qū)一和晶片容置區(qū)二的中心一致，晶片容置區(qū)一的截面積小于晶片容置區(qū)二的截面積，晶片容置區(qū)一的下方設(shè)有呈環(huán)狀的真空孔一；晶片容置區(qū)一和晶片容置區(qū)二之間設(shè)有呈環(huán)狀的凹槽。本實(shí)用新型將現(xiàn)有激光切割盤的真空孔一位置調(diào)整至適合晶片容置區(qū)一放置的晶片的位置下部，并且在晶片容置區(qū)一和晶片容置區(qū)二之間開設(shè)凹槽，保證切割不同尺寸的晶片不會(huì)受到影響，避免干擾。如切割三寸晶片放置在切割盤內(nèi)圈，四寸晶片放置在整個(gè)切割盤上，這樣保證無論三寸晶片或四寸晶片切割時(shí)晶片真空穩(wěn)定無位移。
【IPC分類】H01L21-683, B23K26-70
【公開號(hào)】CN204353656
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201420843351
【發(fā)明人】李運(yùn)金, 王毅, 周驥
【申請(qǐng)人】揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司
【公開日】2015年5月27日
【申請(qǐng)日】2014年12月26日