專利名稱：制備難溶薄涂層的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種在任意形態(tài)的底材上制備不易水溶的薄涂層的方法，特別是制備陶瓷涂層和氧化物涂層，但也包括金屬涂層以及硫?qū)倩?chalkogenidische)涂層。
根據(jù)德國陶瓷協(xié)會(huì)的定義(參看B.Their編著的《TechnischeKeramik))，Vulkan出版社，Essen，1988，第2-25頁)，陶瓷材料是無機(jī)的、非金屬的、水中難溶的并至少有30％結(jié)晶的材料。但也可擴(kuò)大延伸至玻璃、玻璃陶瓷和無機(jī)粘結(jié)劑。陶瓷材料可以劃分為兩大類“功能陶瓷(Functionskeramik)”和“結(jié)構(gòu)陶瓷(Struktur-keramik)”。結(jié)構(gòu)陶瓷是指以主族元素(Hauptgruppenelement)的氧化物、硅酸鹽以及碳化物、氮化物、硼化物和硅化物(MoSi2)為基礎(chǔ)的材料。
按照系統(tǒng)的觀點(diǎn)來看，“氧化物陶瓷”可以理解為所有的基本上(＞90％)由單相、單組份金屬氧化物組成的陶瓷材料。與此相反，“非氧化物陶瓷”是指所有的由硼、碳、氮、硅以及某些條件下還有氧等體系形成的陶瓷材料。氧化物陶瓷材料是由純的氧化物或氧的化合物形成的多晶材料，它具有較高的純度，一般沒有玻璃相(Glasphase)。除了氧化鈣和高熔點(diǎn)的金屬氧化物如氧化鋁、氧化鋯、氧化鎂、氧化鈦和氧化鈹外，還有磁性陶瓷材料、高介電常數(shù)材料以及壓力陶瓷等。但一般只限于高熔點(diǎn)氧化物。而二氧化硅不視為氧化物陶瓷。在考慮到還有其它的合適的氧化物，但其又不屬于陶瓷材料，所以，本發(fā)明不僅涉及陶瓷涂層的制備，也涉及氧化物涂層的制備。對于氧化物陶瓷材料，還可以進(jìn)一步分為簡單的氧化物和復(fù)雜的(komplex)氧化物。例如，粗結(jié)構(gòu)的鉻鐵礦(Chromit)和細(xì)結(jié)構(gòu)的鈣鐵礦(Perowskit)、鐵酸鹽(Ferrit)和石榴石。
目前，可以通過濺射或蒸發(fā)、借助于溶膠-凝膠(Sol-Gel)技術(shù)、化學(xué)浴液沉積(Badabscheidung)或氣相沉積(金屬有機(jī)化合物氣相沉積，MOCVD)，在表面上制備難溶涂層。從G.K.Bhaumik等人發(fā)表于Elsevier Materials Science and Engineering B52(1998)第25-31頁中“噴霧CVD(spray-CVD)法沉積的氧化鋅薄膜的激光退火”的一文中可知，通過噴霧CVD法可在石英底材和硅底材上涂覆多晶的ZnO膜；并可通過激光照射加熱，改善所得膜的晶體結(jié)構(gòu)。從S.A.Studenikin等人發(fā)表于J.Of Appl.Phys.第83卷第4期(1998.02.15)第2104-11頁中“由硝酸鋅溶液噴霧熱解法制得的未摻雜的ZnO膜的光學(xué)性質(zhì)和電學(xué)性質(zhì)”一文中可知，用硝酸鋅的水溶液噴霧熱解可以制備未摻雜的ZnO膜。這些論文的難點(diǎn)在于弄清熱解溫度和ZnO膜的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)、電學(xué)特性和光學(xué)特性之間的關(guān)系。加熱試驗(yàn)底材，可以得到不同的溫度，如在氮?dú)庵屑訜嶂?00℃。
在濺射法中(對于ZnO，請參看K.Yamaya等人發(fā)表于Appl.Phys.Lett.第72(2)卷(1998.01.12)第235-37頁中“使用helicon波激發(fā)的等離子體濺射制備摻雜鋁的ZnO薄膜”)，金屬陰極的原子會(huì)被氣體放電的撞擊離子分離出來(“陰極霧化”)。這種霧化的金屬沉淀到表面上，形成均勻的涂層。在微波場的存在下，利用含氧的等離子體，經(jīng)分子束取向附生(Molekularstrahlepitaxie)，可以得到按c-面藍(lán)寶石結(jié)晶的ZnO薄層(參看Y.Chen等人發(fā)表于J.Of Appl.Phys.第84(7)卷(1998.10.01)第3912-18頁中“在等離子體輔助下ZnO于c-面藍(lán)寶石上的分子束取向附生生長與表征”一文)。在較低的工藝溫度下，也可以直接從水溶液中進(jìn)行電解沉積，制得高質(zhì)量的ZnO膜(參看S.Peulon等人在13th Europ.Photovoltaic Solar Energy Conference(1995.10.23-27，法國尼斯)上所發(fā)表的“從水溶液中電解沉積制備ZnO膜”一文)。在溶膠-凝膠技術(shù)中(參看Y.Ohya等人發(fā)表于J.Am.Ceram.Soc.第79(4)卷第825-30頁(1996)中的“溶膠法所制得的TiO2膜和ZnO膜的微結(jié)構(gòu)”一文)，作為溶膠的膠體溶液與水反應(yīng)，并抽去溶劑，剩下固體的被吸附過的溶劑殘?jiān)瑥亩纬赡z，該凝膠沉積于表面，并可進(jìn)行烘干。
在化學(xué)浴液沉積法中(CBD；對于ZnO/CdS/CIS/Mo結(jié)構(gòu)，請參看T.Nii等人在First WCPEC(1994.12.05-09，夏威夷)第254-257頁所發(fā)表的“CuInSe2薄層太陽能電池的無Cd緩沖層的效果”一文)，制備難溶的金屬-硫?qū)倩锿繉訒r(shí)，采用了兩種不同的改進(jìn)方法“SILAR法(連續(xù)離子層吸附和反應(yīng)法)”和“硫?qū)倩?脲法”。
J.Moeller等人在“CuInS2作為eta太陽能電池中的超薄吸附劑”一文(Conference Proceedings of the 2ndWorld Conference and Exhibitionon Photovoltaic Solar Energy Conversion，1998.07.01-10，第209-211頁，XP 002110735，維也納)中公開了一種不同于上述方法的方法，其采用不同的材料組成，以改進(jìn)金屬硫?qū)倩锉拥闹苽?。在這一方法中，首先在底材上涂覆一金屬化合物的溶液，使得離子沉積于其上；所述底材進(jìn)行干燥，去掉溶劑；之后，含硫?qū)倩瘹?Chalkogenwasserstoff)的氣體與沉積的離子層進(jìn)行接觸，以便與金屬離子發(fā)生反應(yīng)。采用這一方法，可簡單地制得均勻的金屬硫?qū)倩锿繉?，而質(zhì)量保持不變。這樣的涂層可以應(yīng)用于太陽能電池的吸附劑層和緩沖層。該文所述的方法也稱作ILGAR法(離子層氣體反應(yīng)法)，它是本發(fā)明最接近的現(xiàn)有技術(shù)。
與這一已知的方法相比，本發(fā)明的任務(wù)就是要制備其它材料組成的表面涂層。盡管在某種方面這種方法簡單，但具有生態(tài)意義和經(jīng)濟(jì)價(jià)值。而且，通過使用不同的材料可以擴(kuò)大應(yīng)用的領(lǐng)域。針對已知的硫?qū)倩锝Y(jié)構(gòu)的涂層，利用改進(jìn)的材料來改進(jìn)涂層，是這一領(lǐng)域所努力爭取的。
因此，為了解決上述的主要問題，本發(fā)明提供了一種在任意形態(tài)的底材上制備難溶薄涂層的方法，它具有下列的、與所需涂層厚度有關(guān)的循環(huán)執(zhí)行的步驟，以制備陶瓷涂層或氧化物涂層(I)將至少一種適當(dāng)?shù)钠鹗嘉锪贤扛驳降撞谋砻嫔?，形成起始物料層?II)在惰性氣流中或通過蒸發(fā)使所形成的起始物料層干燥；(III)在干燥的起始物料層中通入潮濕的反應(yīng)氣體，使其轉(zhuǎn)化成相應(yīng)的氫氧化物層或絡(luò)合物層；(IV)熱處理所形成的氫氧化物層或絡(luò)合物層，使其形成最終涂層；接著如果有未轉(zhuǎn)化的起始物料成分或不需要的副產(chǎn)物(V)進(jìn)行洗滌分離，然后干燥。
本發(fā)明的另一種方案則可以用于制備金屬涂層，其方法與上述方法類似，步驟如下(I)將至少一種適當(dāng)?shù)钠鹗嘉锪贤扛驳降撞谋砻嫔?，形成起始物料層?II)在惰性氣流中或通過蒸發(fā)使所形成的起始物料層干燥；(III)在干燥的起始物料層中通入潮濕的、起還原作用的反應(yīng)氣體，形成相應(yīng)的金屬涂層；(IV)熱處理所形成的金屬涂層，分離未轉(zhuǎn)化的起始物料成分或不需要的副產(chǎn)物。
本發(fā)明還提供了一種制備硫?qū)倩锿繉拥姆桨钙浞椒ㄅc上述方法類似，步驟如下(I)將至少一種適當(dāng)?shù)钠鹗嘉锪贤扛驳降撞谋砻嫔?，形成起始物料層?br> (II)在惰性氣流中或通過蒸發(fā)使所形成的起始物料層干燥；(III)在干燥的起始物料層中通入潮濕的反應(yīng)氣體，使其轉(zhuǎn)化成相應(yīng)的氫氧化物層或絡(luò)合物層；(IIIa)在氫氧化物層或絡(luò)合物層通入另外的、含硫?qū)倩瘹浠衔锏姆磻?yīng)氣體，形成硫?qū)倩锏淖罱K涂層；(IV)熱處理所形成的氫氧化物層或絡(luò)合物層和/或硫?qū)倩镒罱K涂層。
本發(fā)明的方法在制備陶瓷涂層和氧化物涂層、金屬涂層或其它硫?qū)倩锿繉訒r(shí)所顯示的優(yōu)點(diǎn)，可從各從屬權(quán)利要求中得以體現(xiàn)。下面，結(jié)合本發(fā)明的通用實(shí)施方式對其內(nèi)容進(jìn)行說明。
按照本發(fā)明的方法，難溶氧化物的薄膜以及其它化合物的薄膜可以很簡單地予以制備，所述的其它化合物是那些可通過其干燥的固體起始化合物與氣態(tài)的反應(yīng)組分反應(yīng)所形成的化合物。為了得到均勻的表面，起決定作用的是首先進(jìn)行的干燥起始物料涂層與潮濕的反應(yīng)氣體的水解，以形成氫氧化物或絡(luò)合物，例如用潮濕的氨氣作反應(yīng)氣體時(shí)，形成氨絡(luò)合物。反應(yīng)氣體是不同的、優(yōu)選堿性的反應(yīng)性蒸氣，或者有時(shí)為水蒸汽?！罢魵狻笨偸侵赋睗竦臍怏w，即水蒸汽、堿性氣體和大多數(shù)情況下還有惰性載氣的混合物。潮濕的氨氣可以很簡單地將氮?dú)饷芭萃ㄟ^裝有氨水溶液的洗瓶而形成。通入氣體形成金屬涂層時(shí)，必須用還原性的氣體進(jìn)行相應(yīng)地處理。
在通入氣體之后進(jìn)行熱處理，然后分離出水和絡(luò)合物的配體，可以得到陶瓷或氧化物表面涂層。氫氧化物涂層或絡(luò)合物涂層的熱處理，可以在通入反應(yīng)氣體之后，于一單獨(dú)的步驟中完成，例如在干燥爐中加熱涂層；但也可以在通入氣體時(shí)，通過提高過程溫度而同時(shí)進(jìn)行。在某些條件下，采用較高的溫度可以省略任選的提純步驟，因?yàn)檫@可以使得薄膜中不需要的物質(zhì)已經(jīng)除去。在有些情況下，甚至于不需要提高溫度而直接形成氧化物。在形成硫?qū)倩锿繉訒r(shí)，在兩次必須的通入氣體后，都可能要進(jìn)行熱處理。個(gè)別情況下，為形成最終涂層而進(jìn)行的熱處理還可以除去有害成分。在制備金屬涂層時(shí)就會(huì)利用這一點(diǎn)，除去不需要的副產(chǎn)物。
一般情況下，起始物料是指金屬化合物，如ZnCl2或AlCl3等金屬鹵化物，相應(yīng)的其所含金屬的氧化物、陶瓷(如ZnO、Al2O3)或金屬本身是涂層中所需要的最終產(chǎn)物。相應(yīng)的溶解的金屬鹽可以涂覆到底材上、干燥(有時(shí)干燥到一定的濕度)和用氣態(tài)的反應(yīng)試劑進(jìn)行轉(zhuǎn)化。
按照本發(fā)明方法所生產(chǎn)的涂層，可以用于太陽能技術(shù)，制備太陽能電池中的多種部件。在材料技術(shù)中，這樣的涂層可以涂覆于所有可能的光滑的、粗糙的和多孔的底材上。通過起始物料的混合或者采用不同的起始物料并交替使用，本發(fā)明的方法還可以制備均勻的摻雜涂層和混合涂層以及多層結(jié)構(gòu)的涂層。難溶的薄涂層特別適合于需要進(jìn)行擴(kuò)大的表面保護(hù)的場合。此時(shí)，可以是單純地對表面進(jìn)行機(jī)械保護(hù)和化學(xué)保護(hù)，但也可以影響其物理的表面性質(zhì)和化學(xué)的表面性質(zhì)，如導(dǎo)電性、反射吸收比或者催化作用或化學(xué)吸附。
與已知的方法相比，其它的優(yōu)點(diǎn)還有·較低的成本，因?yàn)橹恍铚睾偷摹⒉豢量痰墓に噮?shù)，不需真空；·對于工藝參數(shù)的變化不敏感；·通過循環(huán)的次數(shù)可以簡單地確定涂層的厚度；·制得的涂層具有較高的重復(fù)性；·可在底材的表面上形成均勻的涂層；·在遮住的內(nèi)表面上也可以形成涂層；·可以充分利用起始原料；以及·容易實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化。
采用另一件德國申請DE 198 31 14.8中所述的ILGAR方法時(shí)，某些情況下，在硫?qū)倩襟E中形成硫化物、硒化物和碲化物時(shí)，晶體結(jié)構(gòu)不同于起始化合物的晶體結(jié)構(gòu)。不過，這需要轉(zhuǎn)化能量，而在室溫下進(jìn)行ILGAR方法時(shí)只在一定范圍內(nèi)才能提供轉(zhuǎn)化能量。這就導(dǎo)致了起始原料轉(zhuǎn)化為最終產(chǎn)物的轉(zhuǎn)化率較低，或者反應(yīng)的速率很慢，使得所制備的金屬硫?qū)倩锉∧ぶ写嬖跉堄嗟钠鹗蓟衔?，只有通過另外的洗滌步驟才能除去。故ILGAR方法具有薄膜質(zhì)量低、分離時(shí)間常的缺點(diǎn)。
與此相反，本發(fā)明的方法大為改善。在本發(fā)明的方法中，為了制備硫?qū)倩锿繉樱诟稍锏钠鹗嘉锪贤繉愚D(zhuǎn)化之后，于相應(yīng)的氫氧化物涂層或硫化物涂層中通入另外的、含硫?qū)倩瘹涞姆磻?yīng)氣體。通過這種反應(yīng)方式，使金屬硫?qū)倩锏男纬珊蜔徇^程相結(jié)合，轉(zhuǎn)化率明顯提高，最終產(chǎn)物中只有很少的殘余起始原料。在硫基、硒基和碲基的硫?qū)倩飼r(shí)，同樣可以用潮濕的氨氣(NH3)作為另外的反應(yīng)氣體。這種作用的一種可能的解釋是中間步驟較低了活化能。許多金屬氫氧化物沒有晶體結(jié)構(gòu)，而是無定形的。這樣，其不是那么致密，反應(yīng)氣體可以較好地進(jìn)入硫?qū)倩锏耐繉又小?br> 晶體轉(zhuǎn)化所需的較高的能量，在通常已知的退火中，自然地從硫?qū)倩襟E中較高的過程溫度處直接獲得。此時(shí)用鹵燈進(jìn)行照射底材，就已足夠。同樣，也可以在加熱爐中進(jìn)行硫?qū)倩襟E。這些列舉的方法可以制得純的、高價(jià)值的薄膜，同時(shí)又可以降低含硫?qū)倩瘹涞姆磻?yīng)氣體的用量，減少沉積的時(shí)間，因?yàn)樵谀承┣闆r下洗滌步驟可以省略，而該步驟既費(fèi)時(shí)間，又會(huì)降低最終產(chǎn)物的質(zhì)量。通過引入氫氧化物的反應(yīng)，就不再有殘余的起始原料，而此處形成的副產(chǎn)物相對容易揮發(fā)，在工藝的最后一步中于適當(dāng)?shù)臏囟认驴梢悦摮?。為了保持較高的轉(zhuǎn)化率，最終產(chǎn)物的晶體尺寸應(yīng)當(dāng)小，溫度的提高應(yīng)盡可能地小，在這樣的情況下，在氫氧化物的步驟中結(jié)合提高微小的過程溫度，很有意義。在研究和應(yīng)用中，納米晶體具有越來越重要的意義，因?yàn)樗沟帽∧ぞ哂辛孔有?yīng)(Quantum-Size-Effekt)，從而影響了材料的光學(xué)性質(zhì)和電學(xué)性質(zhì)。
下面結(jié)合附圖來進(jìn)一步說明本發(fā)明的實(shí)施方式。其中

圖1是本發(fā)明制備陶瓷涂層的適當(dāng)?shù)墓に嚵鞒蹋灰约皥D2是本發(fā)明制備硫?qū)倩锿繉拥墓に嚵鞒獭?br> 圖1示出了在無定形底材S上制備氧化鋅涂層，所述的底材S裝到底材架SH上，該底材架可以進(jìn)行三維空間的調(diào)整。為了蓋住浴槽，底材架SH具有一個(gè)蓋C。在第一步I中，底材S浸入適當(dāng)?shù)钠鹗嘉锪螾(母體，Precursor)中。在所選的實(shí)施例中，溶液浴槽LB中裝有溶解的金屬化合物氯化鋅ZnCl2。底材從該處離開之后，其表面上便具有了起始物料涂層PL，此處為ZnCl2。
在第二步II中，ZnCl2涂層首先在容器V中干燥，例如通入氣流GS進(jìn)行干燥。此處可以是惰性的氮?dú)狻Ｔ诘谌絀II中，干燥過的起始物料涂層PLD再在容器V中通入潮濕的反應(yīng)氣體RG，此處為潮濕的氨氣。將氮?dú)馔ㄈ胙b有濃氨水NH4OH和水H2O的洗瓶B中，可以很簡單地制得潮濕的氨氣。在上述通入氣體之后，在底材S上形成了氫氧化物涂層HL，本實(shí)施例為氫氧化鋅Zn(OH)2。干燥和通入氣體也可以使用不同的容器V。
在第四步IV中，將具有氫氧化鋅Zn(OH)2的底材S放入爐H中。在該步驟中輸入能量，Zn(OH)2脫水而熱轉(zhuǎn)化成氧化鋅ZnO。這種氧化物或者陶瓷涂層OL/CL附在底材所有可到達(dá)的表面上，當(dāng)然也包括內(nèi)表面，并產(chǎn)生其功能。隨后的洗滌和干燥步驟是任選的，此處不再介紹。根據(jù)所需要的涂層厚度，上述的步驟可以進(jìn)行多次循環(huán)。
圖2是本發(fā)明制備硫?qū)倩锿繉拥墓に嚵鞒?，此處為硫化鎘CdS。在此不再介紹圖1中已介紹的步驟和附圖標(biāo)記。在完成了步驟I-III之后，即在吸附P(CdCl2)、干燥PLD(CdCl2)、通入氣體(N2+NH3)和形成氫氧化物HL(Cd(OH)2)之后，接著進(jìn)行IIIa步，在所形成氫氧化物HL(Cd(OH)2)中，通入另外的、含硫?qū)倩瘹涞姆磻?yīng)氣體CRG(此處為硫化氫H2S)，使它們接觸。通過IIIa步，即硫?qū)倩襟E，在底材S上形成硫?qū)倩锿繉覥HL，此處的形式為硫化鎘(CdS)。在進(jìn)行步驟II-IIIa的過程中，可提高過程溫度TP，以改善原料的轉(zhuǎn)化率，例如可在馬福爐H中完成這些步驟。此處，第四步IV的熱處理也延伸至兩次通入氣體III、IIIa。
附圖標(biāo)記B 洗瓶C 蓋CHL 硫?qū)倩锿繉覥L 陶瓷涂層CRG 含有硫?qū)倩瘹浠衔锏姆磻?yīng)氣體H 爐HL 氫氧化物涂層LB 溶液浴槽OL 氧化物涂層P 起始物料PL 起始物料涂層PLD 干燥后的起始物料涂層RG 潮濕的反應(yīng)氣體S 底材SH 底材架
TP過程溫度V 容器
權(quán)利要求
1.一種在任意形態(tài)的底材上制備難溶薄涂層的方法，它包括下列步驟，這些步驟可根據(jù)所需涂層的厚度循環(huán)執(zhí)行，以制備陶瓷涂層或氧化物涂層(CL/OL)(I)將至少一種適當(dāng)?shù)钠鹗嘉锪?P)涂覆到底材表面(S)上，形成起始物料層；(II)在惰性氣流(GS)中或通過蒸發(fā)使所形成的起始物料涂層(PL)干燥；(III)在干燥后的起始物料涂層(PLD)中通入潮濕的反應(yīng)氣體(RG)，使其轉(zhuǎn)化成相應(yīng)的氫氧化物涂層或絡(luò)合物涂層(HL)；(IV)熱處理所形成的氫氧化物涂層或絡(luò)合物涂層(HL)，使其形成最終涂層(CL/OL)；接著如果有未轉(zhuǎn)化的起始物料成分或不需要的副產(chǎn)物(V)進(jìn)行洗滌分離，然后干燥。
2.一種在任意形態(tài)的底材上制備難溶薄涂層的方法，它包括下列步驟，這些步驟可根據(jù)所需涂層的厚度循環(huán)執(zhí)行，以制備金屬涂層(I)將至少一種適當(dāng)?shù)钠鹗嘉锪?P)涂覆到底材表面(S)上，形成起始物料層；(II)在惰性氣流(GS)中或通過蒸發(fā)使所形成的起始物料涂層(PL)干燥；(III)在干燥后的起始物料涂層(PLD)中通入潮濕的、還原性的反應(yīng)氣體(RG)，使其轉(zhuǎn)化成金屬涂層；(IV)熱處理所形成的金屬涂層，分離未轉(zhuǎn)化的起始物料成分或不需要的副產(chǎn)物。
3.一種在任意形態(tài)的底材上制備難溶薄涂層的方法，它包括下列步驟，這些步驟可根據(jù)所需涂層的厚度循環(huán)執(zhí)行，以制備硫?qū)倩锿繉?CHL)(I)將至少一種適當(dāng)?shù)钠鹗嘉锪?P)涂覆到底材表面(S)上，形成起始物料層；(II)在惰性氣流(GS)中或通過蒸發(fā)使所形成的起始物料涂層(PL)干燥；(III)在干燥后的起始物料涂層(PLD)中通入潮濕的反應(yīng)氣體(RG)，使其轉(zhuǎn)化成相應(yīng)的氫氧化物涂層或絡(luò)合物涂層(HL)；(IIIa)在氫氧化物涂層或絡(luò)合物涂層(HL)中通入另外的、含硫?qū)倩瘹浠衔锏姆磻?yīng)氣體(CRG)，形成硫?qū)倩锏淖罱K涂層(CHL)(IV)熱處理所形成的氫氧化物涂層或絡(luò)合物涂層(HL)和/或硫?qū)倩锏淖罱K涂層(CHL)。
4.如權(quán)利要求1至3之一所述的方法，其特征在于，所述的熱處理(IV)或者通過在各涂層形成之后進(jìn)行單獨(dú)加熱而完成，或者通過提高其形成過程中的過程溫度(TP)來完成。
5.如權(quán)利要求1至4之一所述的方法，其特征在于，所述的至少一種的起始物料(P)優(yōu)選與易揮發(fā)的溶劑形成溶液，所述溶液在底材(S)上的涂覆是通過浸漬法(LB)或噴霧法完成。
6.如權(quán)利要求1至5之一所述的方法，其特征在于，所述的起始物料(P)是鹽。
7.如權(quán)利要求1至6之一所述的方法，其特征在于，所述潮濕的反應(yīng)氣體(RG)優(yōu)選是堿性的反應(yīng)性氣體或氣態(tài)水。
8.如權(quán)利要求1至7之一所述的方法，其特征在于，所述起始物料(P)是不同化合物的混合物。
9.如權(quán)利要求1至8之一所述的方法，其特征在于，在各自的循環(huán)步驟中使用不同的起始物料(P)，特別是按重復(fù)的順序進(jìn)行。
全文摘要
通過濺射、蒸鍍、浴液沉積或金屬有機(jī)化合物氣相沉積(MOCVD),可以制備穩(wěn)定的表面涂層。然而,這些方法不是總能制得可到達(dá)內(nèi)表面的均勻涂層。本發(fā)明為了在底材(S)上制備陶瓷或氧化物涂層(CL/OL),首先在底材上施加合適的起始物料(P)(I),然后干燥(II),所得起始物料涂層(PLD)暴露(III)于潮濕的反應(yīng)氣體(RG),使其轉(zhuǎn)化為相應(yīng)的氫氧化物涂層或絡(luò)合物涂層(HL),然后加熱形成陶瓷涂層或氧化物涂層(CL/OL)。在制備其它的硫?qū)倩锿繉訒r(shí),為了得到較高的原料轉(zhuǎn)化率,所述的涂層還暴露于另外的、含硫?qū)倩瘹涞姆磻?yīng)氣體。金屬涂層可以用還原性的反應(yīng)氣體制得。本發(fā)明的方法可以用于保護(hù)或改進(jìn)表面。
文檔編號(hào)C23C8/10GK1346412SQ00805960
公開日2002年4月24日 申請日期2000年4月6日 優(yōu)先權(quán)日1999年4月6日
發(fā)明者克里斯蒂安－赫伯特·菲舍爾, 漢斯－于爾根·穆福勒, 瑪爾塔·克里斯蒂娜·勒克斯－施泰納 申請人:哈恩-邁特納研究所柏林有限公司