專利名稱：背板加熱裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種濺鍍機臺的元件，尤其涉及一種可用以均勻加熱晶片底部的背板加熱裝置。
背景技術(shù)：
在目前集成電路的發(fā)展中，已普遍將濺鍍(sputtering)工藝應用在金屬的沉積上。例如，具高導電性的金屬鋁、用來作為擴散阻障層的氮化鈦，及降低金屬接觸電阻的金屬鈦等材料。
一般而言，濺鍍工藝的原理為利用輝光放電(glow discharge)將氬氣(Ar)離子撞擊靶材(target)表面，再由靶材的原子被彈出，而堆積在晶片表面以形成薄膜。另外，在濺鍍機臺中，還包括配置有一背板加熱裝置(back planeheating device)，其是裝設(shè)在晶片下方，并利用將氣體通入其中，且由背板加熱裝置的中心氣孔排出加熱后的氣體，再由攜帶熱量的氣體吹拂晶片的底部，使晶片受熱后能夠增加預濺鍍膜的表面遷移能力以及階梯覆蓋能力，以提高預濺鍍膜的平坦度。
然而，現(xiàn)有濺鍍機臺的背板加熱裝置僅具有一個氣體出口，且位于中心位置，因此容易使晶片底部的中心與邊緣產(chǎn)生受熱不均的問題。如此一來，會造成受熱溫度較低處所濺鍍的膜層容易形成孔洞(void)等現(xiàn)象，進而影響元件的電性表現(xiàn)及其可靠度。
實用新型內(nèi)容有鑒于此，本實用新型的目的是提供一種背板加熱裝置，能夠使晶片底部達到均勻受熱，以避免現(xiàn)有因晶片底部受熱不均而衍生的種種問題。
本實用新型的另一目的是提供一種背板加熱裝置，能夠使晶片底部達到均勻受熱，以避免現(xiàn)有因晶片底部受熱不均而衍生的種種問題。
本實用新型提出一種背板加熱裝置，適用于配置在濺鍍機臺中，以均勻加熱于濺鍍機臺中進行濺鍍工藝的晶片的底部。背板加熱裝置包括本體、至少一第一氣體輸送管及加熱單元。其中，本體有具有至少二第一開口的第一表面以及具有至少一第二開口的第二表面。第一氣體輸送管配置于本體中，且具有一第一進氣端與至少二第一出氣端，其中第一出氣端是連接第一開口，而第一進氣端是連接第二開口。另外，加熱單元配置于本體中，且位于第一氣體輸送管周圍，用以加熱導入第一氣體輸送管中的氣體。
依照本實用新型的一實施例所述，上述的第一開口例如是位于本體的第一表面，且呈均勻分布狀；或者是位于本體的第一表面的周緣，且呈均勻分布狀；還可以是位于本體的第一表面的中心，且呈均勻分布狀。
依照本實用新型的一實施例所述，上述的背板加熱裝置，還包括至少一第二氣體輸送管配置于本體中，第二氣體輸送管具有一第二進氣端與一第二出氣端，其中第二出氣端是連接第一開口，而第二進氣端是連接第二開口。
依照本實用新型的一實施例所述，上述的第一開口與第二開口的形狀例如是圓形、矩形、三角形或多邊形。
依照本實用新型的一實施例所述，上述的氣體例如是惰性氣體或氮氣。
依照本實用新型的一實施例所述，上述的加熱單元例如是云母片。
依照本實用新型的一實施例所述，上述的背板加熱裝置是配置于一濺鍍機臺中，以均勻加熱于濺鍍機臺中進行濺鍍工藝的一晶片的底部。
依照本實用新型的一實施例所述，上述的背板加熱裝置是配置于一金屬濺鍍機臺中，以均勻加熱于金屬濺鍍機臺中進行濺鍍工藝的一晶片的底部。
本實用新型提出一種背板加熱裝置，適用于配置在濺鍍機臺中，以均勻加熱于濺鍍機臺中進行濺鍍工藝的晶片的底部。背板加熱裝置包括本體、多個氣體輸送管及加熱單元。其中，本體具有第一表面以及第二表面，第一表面具有多個第一開口，而第二表面具有對應第一開口的多個第二開口。氣體輸送管配置于本體中，每個氣體輸送管具有一進氣端與一出氣端，其中出氣端是連接第一開口，而進氣端是連接第二開口。另外，加熱單元配置于本體中，且位于氣體輸送管周圍，用以加熱導入氣體輸送管的氣體。
依照本實用新型的一實施例所述，上述的第一開口例如是位于本體的第一表面，且呈均勻分布狀；或者是位于本體的第一表面的周緣，且呈均勻分布狀；還可以是位于本體的第一表面的中心，且呈均勻分布狀。依照本實用新型的一實施例所述，上述的第一開口與第二開口的形狀例如是圓形、矩形、三角形或多邊形。
依照本實用新型的一實施例所述，上述的氣體例如是惰性氣體或氮氣。
依照本實用新型的一實施例所述，上述的加熱單元例如是云母片。
依照本實用新型的一實施例所述，上述的背板加熱裝置是配置于一濺鍍機臺中，以均勻加熱于濺鍍機臺中進行濺鍍工藝的一晶片的底部。
依照本實用新型的一實施例所述，上述的背板加熱裝置是配置于一金屬濺鍍機臺中，以均勻加熱于金屬濺鍍機臺中進行濺鍍工藝的一晶片的底部。
由于本實用新型的背板加熱裝置的本體表面設(shè)置有多個開口，因此由背板加熱裝置所吹出的氣體能夠均勻分散。所以，本實用新型的背板加熱裝置配置于濺鍍機臺中用以加熱晶片底部時，可使晶片底部均勻受熱，而不會造成如現(xiàn)有因晶片底部受熱不均，導致濺鍍于晶片上的膜層容易形成孔洞(void)的問題。如此一來，可提高濺鍍于晶片上的膜層的平坦度以及溝填能力，進而增加元件的電性表現(xiàn)及其可靠度。
為讓本實用新型的上述和其他目的、特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實施例，并配合附圖，作詳細說明如下。


圖1為依照本實用新型的一實施例所繪示的背板加熱裝置的結(jié)構(gòu)立體圖；圖2A、圖2B與圖2C為依照本實用新型的一實施例所繪示的背板加熱裝置的上視圖；圖3為依照本實用新型的另一實施例所繪示的背板加熱裝置的結(jié)構(gòu)立體圖；圖4為依照本實用新型的又一實施例所繪示的背板加熱裝置的結(jié)構(gòu)立體圖；圖5為依照本實用新型的再一實施例所繪示的背板加熱裝置的結(jié)構(gòu)立體圖。
主要元件符號說明100、200、300、400背板加熱裝置
110本體112第一表面112a第一開口114第二表面114a第二開口120、220、320、320’、320”、420、422、424、426、428氣體輸送管122、222、322、322’、322”、420’、422’、424’、426’、428’進氣端124、224、324、324’、324”、420”、422”、424”、426”、428”出氣端130加熱單元具體實施方式
現(xiàn)有在濺鍍工藝中晶片底部會產(chǎn)生受熱不均的問題，而會造成所濺鍍的膜層容易形成孔洞(void)等現(xiàn)象。因此，本實用新型提出一種背板加熱裝置，使晶片在進行濺鍍工藝時可被均勻地加熱，以提高其電性表現(xiàn)與可靠度。
圖1為依照本實用新型一實施例所繪示的背板加熱裝置的結(jié)構(gòu)立體圖。請參照圖1，本實用新型的背板加熱裝置100可適用于配置在一濺鍍機臺中，且位于晶片下方，其包括本體110、氣體輸送管120以及加熱單元130。
上述，本體110具有一第一表面112與一第二表面114，其中第一表面112具有二第一開口112a，而第二表面114具有一第二開口114a。
另外，氣體輸送管120配置于本體110中，其具有一進氣端122與二出氣端124。其中，出氣端124是連接第一開口112a，而進氣端122是連接第二開口114a。
加熱單元130配置于本體110中，且位于氣體輸送管120周圍，其例如是云母片或其他合適的加熱器。加熱單元130的作用為加熱導入氣體輸送管120中的一氣體。上述，氣體可例如是惰性氣體(inert gas)或氮氣，而惰性氣體例如是氦氣、氖氣、氬氣、氪氣、氙氣與氡氣。
更具體而言，本實用新型的背板加熱裝置100可使氣體由氣體輸送管120的進氣端122導入，然后由加熱單元130加熱后，再經(jīng)二出氣端124通過本體110的第一表面112的二第一開口112a，以均勻吹拂晶片的底部。如此一來，即可使進行濺鍍工藝的晶片的底部受熱較均勻。
在圖1的實施例中，本體110的第一表面112是以繪示二個第一開口112a及一第二開口114a為例，然本實用新型并不限定于此。本實用新型并不對第一開口的數(shù)量與位置做任何特別的限定，而第二開口的數(shù)量與位置可視實際情況做調(diào)整。
以下是舉多個實施例為例做說明。請參照圖2A、圖2B與圖2C，其為依照本實用新型實施例所繪示的背板加熱裝置的上視圖。本實用新型的背板加熱裝置100的本體110可例如是具有三個第一開口112a(如圖2A所示)，而這些第一開口112a是位于本體110的第一表面112的中心，且呈均勻分布狀。另外，本實用新型的背板加熱裝置100的本體110可例如是具有四個第一開口112a(如圖2B所示)，而這些第一開口112a是位于本體110的第一表面112的周緣，且呈均勻分布狀。此外，本實用新型的背板加熱裝置100的本體110還可例如是具有五個第一開口112a(如圖2C所示)，而這些第一開口112a是位于本體110的第一表面112的中心與周緣，且呈均勻分布狀。
值得特別注意的是，相較于現(xiàn)有的背板加熱裝置而言，本實用新型的背板加熱裝置的本體表面具有多個第一開口，所以通入的氣體能夠均勻地分散，以吹拂晶片底部，而可避免如現(xiàn)有的晶片底部受熱不均，導致濺鍍于晶片上的膜層容易形成孔洞(void)，進而影響元件的電性表現(xiàn)及其可靠度的問題。
上述實施例皆繪示第一開口112a與第二開口114a為圓形，然本實用新型并不對第一開口與第二開口的形狀做任何特別的限定，其可例如是圓形、矩形、三角形、多邊形或任意形狀。
同樣地，在圖1的實施例中，是以一個氣體輸送管120，且其具有二個出氣端124及一個進氣端122為例，然本實用新型并不限定于此。以本體110的第一表面112具有五個第一開口112a為例，下述是列舉數(shù)個實施例說明之。
請參照圖3，其為依照本實用新型另一實施例所繪示的背板加熱裝置的結(jié)構(gòu)立體圖。本實用新型的背板加熱裝置200包括本體110、氣體輸送管220以及加熱單元130。本體110具有第一表面112與第二表面114，其中第一表面112具有五個第一開口112a，而第二表面114具有一第二開口114a。氣體輸送管220配置于本體110中，其可具有一個進氣端222與五個出氣端224。其中，出氣端224是連接第一開口112a，而進氣端222是連接第二開口114a。加熱單元130配置于本體110中，且位于氣體輸送管120周圍，用以加熱導入氣體輸送管220中的氣體。
請參照圖4，其為依照本實用新型又一實施例所繪示的背板加熱裝置的結(jié)構(gòu)立體圖。本實用新型的背板加熱裝置300可包括配置有三個氣體輸送管320、320’、320”，其中氣體輸送管320具有一個進氣端322與三個出氣端324，氣體輸送管320’具有一個進氣端322’與一個出氣端324’，氣體輸送管320”具有一個進氣端322”與一個出氣端324”。
請參照圖5，其為依照本實用新型再一實施例所繪示的背板加熱裝置的結(jié)構(gòu)立體圖。本實用新型的背板加熱裝置400可包括配置有五個氣體輸送管420、422、424、426、428，其中每一個氣體輸送管420、422、424、426、428皆具有一個進氣端420’、422’、424’、426’、428’與一個出氣端420”、422”、424”、426”、428”。
承上述，本實用新型也不對氣體輸送管的個數(shù)及其出氣端的個數(shù)做特別的限定，其可視實際情況做調(diào)整。
綜上所述，本實用新型的背板加熱裝置的本體表面具有多個開口，因此可使通入的氣體能夠均勻地分散，以吹拂晶片的底面，使晶片底部可以均勻地被加熱。因此，本實用新型可避免如現(xiàn)有的晶片底部受熱不均，導致濺鍍于晶片上的膜層容易形成孔洞(void)的問題，進而可提高濺鍍于晶片上的膜層的平坦度及溝填能力，并且可增加元件的電性表現(xiàn)及其可靠度。
雖然本實用新型已以優(yōu)選實施例揭露如上，然其并非用以限定本實用新型，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本實用新型的精神和范圍的前提下，可作些許的更動與潤飾，因此本實用新型的保護范圍當視所附權(quán)利要求所界定者為準。
權(quán)利要求1.一種背板加熱裝置，其特征在于，該背板加熱裝置適用于配置在一濺鍍機臺中，以均勻加熱于該濺鍍機臺中進行濺鍍工藝的一晶片的底部，該背板加熱裝置包括一本體，該本體具有一第一表面以及一第二表面，其中該第一表面具有至少二第一開口，而該第二表面具有至少一第二開口；至少一第一氣體輸送管，配置于該本體中，該第一氣體輸送管具有一第一進氣端與至少二第一出氣端，其中該些第一出氣端是連接該些第一開口，而該第一進氣端是連接該第二開口；以及一加熱單元，配置于該本體中，且位于該第一氣體輸送管周圍，用以加熱導入該第一氣體輸送管中的一氣體。
2.如權(quán)利要求1所述的背板加熱裝置，其特征在于，該些第一開口是位于該本體的該第一表面，且呈均勻分布狀。
3.如權(quán)利要求1所述的背板加熱裝置，其特征在于，該些第一開口是位于該本體的該第一表面的周緣，且呈均勻分布狀。
4.如權(quán)利要求1所述的背板加熱裝置，其特征在于，該些第一開口是位于該本體的該第一表面的中心，且呈均勻分布狀。
5.如權(quán)利要求1所述的背板加熱裝置，其特征在于，還包括至少一第二氣體輸送管，配置于該本體中，該第二氣體輸送管具有一第二進氣端與一第二出氣端，其中該第二出氣端是連接該些第一開口，而該第二進氣端是連接該第二開口。
6.如權(quán)利要求1所述的背板加熱裝置，其特征在于，該些第一開口與該第二開口的形狀包括圓形、矩形、三角形或多邊形。
7.如權(quán)利要求1所述的背板加熱裝置，其特征在于，該氣體包括惰性氣體。
8.如權(quán)利要求1所述的背板加熱裝置，其特征在于，該氣體包括氮氣。
9.如權(quán)利要求1所述的背板加熱裝置，其特征在于，該加熱單元包括云母片。
10.一種背板加熱裝置，其特征在于，該背板加熱裝置適用于配置在一濺鍍機臺中，以均勻加熱于該濺鍍機臺中進行濺鍍工藝的一晶片的底部，該背板加熱裝置包括一本體，該本體具有一第一表面以及一第二表面，其中該第一表面具有多個第一開口，而該第二表面具有對應該些第一開口的多個第二開口；多個氣體輸送管，配置于該本體中，各該些氣體輸送管具有一進氣端與一出氣端，其中各該些出氣端是連接各該些第一開口，而各該些進氣端是連接各該些第二開口；以及一加熱單元，配置于該本體中，且位于該些氣體輸送管周圍，用以加熱導入該些氣體輸送管的一氣體。
11.如權(quán)利要求10所述的背板加熱裝置，其特征在于，該些第一開口是位于該本體的該第一表面，且呈均勻分布狀。
12.如權(quán)利要求10所述的背板加熱裝置，其特征在于，該些第一開口是位于該本體的該第一表面的周緣，且呈均勻分布狀。
13.如權(quán)利要求10所述的背板加熱裝置，其特征在于，該些第一開口是位于該本體的該第一表面的中心，且呈均勻分布狀。
14.如權(quán)利要求10所述的背板加熱裝置，其特征在于，該些第一開口與該些第二開口的形狀包括圓形、矩形、三角形或多邊形。
15.如權(quán)利要求10所述的背板加熱裝置，其特征在于，該氣體包括惰性氣體。
16.如權(quán)利要求10所述的背板加熱裝置，其特征在于，該氣體包括氮氣。
17.如權(quán)利要求10所述的背板加熱裝置，其特征在于，該加熱單元包括云母片。
專利摘要一種背板加熱裝置，適用于配置在濺鍍機臺中，以均勻加熱于濺鍍機臺中進行濺鍍工藝的晶片的底部。背板加熱裝置包括本體、至少一第一氣體輸送管及加熱單元。其中，本體有具有至少二第一開口的第一表面以及具有至少一第二開口的第二表面。第一氣體輸送管配置于本體中，且具有一第一進氣端與至少二第一出氣端，其中，第一出氣端是連接第一開口，而第一進氣端是連接第二開口。另外，加熱單元配置于本體中，且位于第一氣體輸送管周圍，用以加熱導入第一氣體輸送管中的氣體。
文檔編號C23C14/56GK2923739SQ20062000493
公開日2007年7月18日 申請日期2006年3月15日 優(yōu)先權(quán)日2006年3月15日
發(fā)明者黃云麟, 陳寬政 申請人:聯(lián)華電子股份有限公司