專利名稱：基板的支撐裝置的制作方法
基板的支撐裝置
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種支撐裝置，特別是一種基板的支撐裝置。背景技術(shù)：
薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-LCD)制程技術(shù)六代以前，因基板 Al (substrate)尺寸較小，在等離子體輔助化學(xué)相沉積(PECVD)腔體內(nèi)的下電 極(susc印tor)中央支撐座A3設(shè)計為2組(如圖1A)，但隨著基板Al尺寸放大 而重量增加，故需增加中央支撐座A3的數(shù)量使基板維持一定的水平程度，讓 機械手臂可順利取放基板A1 (substrate),并避免基板Al受損或者破片的狀況 發(fā)生。
故目前薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-LCD)制程技術(shù)七代以上設(shè)計中央支 撐座A3為4組(如圖1B)，但，其中有2組中央支撐座A3會因為不同尺寸產(chǎn)品 的布局(layout),使得中央支撐座A3的點位置對應(yīng)到面板區(qū)A2位置，由于中 央支撐座A3相對位置的化學(xué)氣相沉積(chemical vapor d印osition，簡稱CVD) 鍍膜(如SiNx、 a-Si、 N+a-Si )的厚度與品質(zhì)不同于其它位置，容易導(dǎo)致中央 支撐座A3相對位置處產(chǎn)生瑕疵，因此若此類型的色差f生在面板區(qū)A2，則易 產(chǎn)生色差(mura)問題，造成產(chǎn)品等級下降。
因此，如何支撐基板，使基板不致因為過重、無法維持一定的水平程度而 導(dǎo)致受損或破片，并且避免面板區(qū)產(chǎn)生瑕疵，確為此相關(guān)研發(fā)領(lǐng)域所需迫切面 臨的課題。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明提出一種基板的支撐裝置，用以支撐基板，基板包含 二個第一側(cè)邊與二個第二側(cè)邊，第一側(cè)邊實質(zhì)上垂直于第二側(cè)邊，多個第一空白區(qū)，與第一側(cè)邊平行，多個第二空白區(qū)，與第二側(cè)邊平行，多個面板區(qū)，位 于多個第一空白區(qū)及多個第二空白區(qū)之間，支撐裝置包含四個第一支撐座， 對應(yīng)并支撐第一空白區(qū)與第二空白區(qū)其中之一，第一支撐座對最近的第一側(cè)邊 的距離實質(zhì)相等，對最近的第二側(cè)邊的距離實質(zhì)相等；至少一個第二支撐座， 對應(yīng)并支撐多個第一空白區(qū)其中之一，第二支撐座對第一側(cè)邊的距離實質(zhì)相 等；及座體，用以設(shè)置四個第一支撐座及第二支撐座。
本發(fā)明藉由四個第一支撐座設(shè)置在第一空白區(qū)與第二空白區(qū)其中之一，與 至少一個第二支撐座設(shè)置于多個第一空白區(qū)其中之一，用以支撐基板，藉以解 決基板因為過重而不能維持一定的水平程度所導(dǎo)致的受損或者破片問題，并避 免在化學(xué)氣相沉積(CVD)過程中，面板區(qū)受設(shè)置在面板區(qū)下方的支撐座影響而 產(chǎn)生瑕疵，及其導(dǎo)致的產(chǎn)品品質(zhì)下降，更可以直接對應(yīng)到不同尺寸的面板設(shè)計， 而不用改變設(shè)置支撐座的位置。
有關(guān)本發(fā)明的較佳實施例及其功效，茲配合圖式說明如后。


圖1A為背景技術(shù)的示意圖(一)。
圖1B為背景技術(shù)的示意圖(二)。
圖2為本發(fā)明基板的支撐裝置第一實施例的示意圖。
圖3為本發(fā)明基板的支撐裝置第一實施例的側(cè)視圖。
圖4為本發(fā)明基板的支撐裝置第二實施例的示意圖。"
具體實施方式

請參照圖2及圖3為本發(fā)明基板的支撐裝置第一實施例，圖2為示意圖， 圖3為側(cè)視圖。于此，基板的支撐裝置，包含四個第一支撐座30、至少一個 第二支撐座50、座體70，用以支撐基板IO。
基板10包含二個第一側(cè)邊12與二個第二側(cè)邊14，第一側(cè)邊12實質(zhì)上垂 直于第二側(cè)邊14，其中，第二側(cè)邊14的長度大于第一側(cè)邊的長度12。在本實 施例中，以第一側(cè)邊12的長度實質(zhì)上為2200mm及第二側(cè)邊14的長度實質(zhì)上為2500ram為例，但非以此為限。
于基板IO上更包含多個第一空白區(qū)15，與第一側(cè)邊12平行，及多個第二 空白區(qū)16，與第二側(cè)邊14平行，多個面板區(qū)18，位于多個第一空白區(qū)15及 多個第二空白區(qū)16之間。其中，面板區(qū)18可裁切為32吋面板、46吋面板、 52吋面板或55吋面板。
四個第一支撐座30對應(yīng)并支撐第一空白區(qū)15與第二空白區(qū)16其中之一， 于本實施例中，四個第一支撐座30對應(yīng)并支撐第一空白區(qū)15，但不以此為限， 隨面板區(qū)的面板裁切尺寸不同，第一支撐座亦可對應(yīng)并支撐第二空白區(qū)。各第 一支撐座30對最近的第一側(cè)邊12的距離實質(zhì)相等，對最近的第二側(cè)邊14的 距離實質(zhì)相等。其中，各第一支撐座30對最近的第一側(cè)邊12的距離實質(zhì)上介 于612mm至656mm之間，而各第一支撐座30對最近的第二側(cè)邊14的距離實質(zhì) 上介于725. 5mm至750. 5mm之間。在本實施例中，以各第一支撐座30對最近 的第一側(cè)邊12的距離實質(zhì)上為634mm，及對最近的第二側(cè)邊14的距離實質(zhì)上 為738mm為例，但非以此為限。
至少一個第二支撐座50對應(yīng)并支撐多個第一空白區(qū)15其中之一，第二支 撐座50對第一側(cè)邊12的距離實質(zhì)相等，其中，第二支撐座50對第一側(cè)邊12 的距離實質(zhì)上介于1230mm至1270mm之間，亦可介于1240mm至1260mm之間。 在本實施例中，第二支撐座50對第一側(cè)邊12的距離實質(zhì)為1250mm，但非以此 為限。
上述所說的第二支撐座50,可依照使用者設(shè)定而調(diào)整對最近的第二側(cè)邊 14的距離，在本實施例中，以第二支撐座50對第二側(cè)邊14的距離實質(zhì)上為 IIOO匪為例，但非以此為限，例如，第二支撐座50可位于第一空白區(qū)15的中 央位置。
座體70用以設(shè)置四個第一支撐座30及第二支撐座50。 當(dāng)基板IO于化學(xué)氣相沉積過程時，基板10送入加熱腔體，由四個第一支 撐座30支撐基板10的四個位置，這四個位置為第一空白區(qū)15與第二空白區(qū) 16其中之一，并由第二支撐座50支撐基板10中央的第一空白區(qū)15，使基板 維持一定的水平程度，且不易在傳送基板過程中發(fā)生基板受損或者基板破裂的現(xiàn)象。由于這些支撐位置對應(yīng)非面板區(qū)(第一空白區(qū)15或第二空白區(qū)16)，因 此在化學(xué)氣相沉積時，不會影響到面板區(qū)18的鍍膜厚度或品質(zhì)，且不會使面 板區(qū)18產(chǎn)生色差(mura)而造成產(chǎn)品等級下降。
請參照圖4為本發(fā)明基板的支撐裝置第二實施例的示意圖。
在本實施例中，第二支撐座50為兩支，且各第二支撐座50對最近的第二 側(cè)邊14的距離實質(zhì)相等，其中，各第二支撐座50對第一側(cè)邊12的距離實質(zhì) 上為1250mm,對第二側(cè)邊14的距離實質(zhì)上為738mm，但非以此為限。
當(dāng)基板IO于化學(xué)氣相沉積過程時，基板10送入加熱腔體，除了由四個第 一支撐座30支撐基板10的四個位置外，并由第二支撐座50支撐基板10中央 的第一空白區(qū)15，使基板維持一定的水平程度，而不容易在基板傳送過程中發(fā) 生基板受損或者破裂的現(xiàn)象。
本發(fā)明藉由四個第一支撐座設(shè)置在第一空白區(qū)與第二空白區(qū)其中之一，以 及至少一個第二支撐座設(shè)置于多個第一空白區(qū)其中之一，用以支撐基板，藉此 解決基板因為過重而不能維持一定的水平程度所導(dǎo)致的受損或者破片問題，并 避免在化學(xué)氣相沉積過程中，面板區(qū)受設(shè)置在面板區(qū)下方的支撐座影響而產(chǎn)生 如色差等瑕疵，及其導(dǎo)致的產(chǎn)品品質(zhì)下降，更可以直接對應(yīng)到不同尺寸的面板 設(shè)計，而不用改變支撐座的位置。
雖然本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容己經(jīng)以較佳實施例揭露如上，然其并非用以限定本 發(fā)明，任何熟習(xí)此技藝者，在不脫離本發(fā)明的精神所作些許的更動與潤飾，皆 應(yīng)涵蓋于本發(fā)明的范疇內(nèi)，因此本發(fā)明的保護范圍當(dāng)視啟附的申請專利范圍所 界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1、一種基板的支撐裝置，用以支撐一基板，其中該基板包含二個第一側(cè)邊與二個第二側(cè)邊，所述第一側(cè)邊實質(zhì)上垂直于所述第二側(cè)邊，多個第一空白區(qū)，與所述第一側(cè)邊平行，多個第二空白區(qū)，與所述第二側(cè)邊平行，以及多個面板區(qū)，位于所述第一空白區(qū)及所述第二空白區(qū)之間，該支撐裝置包含四個第一支撐座，對應(yīng)并支撐所述第一空白區(qū)與所述第二空白區(qū)其中之一，所述第一支撐座對最近的該第一側(cè)邊的距離實質(zhì)相等，對最近的該第二側(cè)邊的距離實質(zhì)相等；至少一個第二支撐座，對應(yīng)并支撐所述第一空白區(qū)其中之一，該第二支撐座對所述第一側(cè)邊的距離實質(zhì)相等；及一座體，用以設(shè)置所述第一支撐座及該第二支撐座。
2、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的基板的支撐裝置，其特征在于，所述第二側(cè)邊的長度大于所述第一側(cè)邊的長度。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板的支撐裝置，其特征在于，該第一側(cè)邊的 長度實質(zhì)上為2200mm，該第二側(cè)邊的長度實質(zhì)上為2500mm。
4、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的基板的支撐裝置，其特征在于，該第一支撐座對 最近的該第一側(cè)邊的距離實質(zhì)上介于612畫至656mm之間。
5、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的基板的支撐裝置，其特征在于，該第一支撐座對 最近的該第一側(cè)邊的距離實質(zhì)上為634mm。
6、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的基板的支撐裝置，其特征在于，該第一支撐座對 最近的該第二側(cè)邊的距離實質(zhì)上介于725. 5mm至750. 5mm之間。
7、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的基板的支撐裝置，其特征在于，該第一支撐座對 最近的該第二側(cè)邊的距離實質(zhì)上為738mm。
8、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的基板的支撐裝置，其特征在于，該第二支撐座對 所述第一側(cè)邊的距離實質(zhì)上介于1230匪至1270mm之間。
9、 根據(jù)權(quán)利要求8所述的基板的支撐裝置，其特征在于，該第二支撐座對所述第一側(cè)邊的距離實質(zhì)上介于1240mm至1260mm之間。
10、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的基板的支撐裝置，其特征在于，該第二支撐座 對所述第一側(cè)邊的距離實質(zhì)上為1250mm。
11、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的基板的支撐裝置，其特征在于，該第二支撐座 為兩支。
12、 根據(jù)權(quán)利要求11所述的基板的支撐裝置，其特征在于，所述第二支 撐座對最近的該第二側(cè)邊的距離實質(zhì)相等。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種基板的支撐裝置，包含四個第一支撐座支撐基板的第一空白區(qū)與第二空白區(qū)其中之一，至少一個第二支撐座支撐基板的第一空白區(qū)其中之一，一座體設(shè)置第一支撐座及第二支撐座，經(jīng)由第一支撐座與第二支撐座的特定設(shè)置，藉此避免基板受損或破片，以及避免在化學(xué)氣相沉積(CVD)制程中基板的面板區(qū)產(chǎn)生色差等問題，更可以直接對應(yīng)到不同尺寸的面板設(shè)計，而不需變更支撐座的位置。
文檔編號C23C16/458GK101307436SQ20081012896
公開日2008年11月19日 申請日期2008年6月23日 優(yōu)先權(quán)日2008年6月23日
發(fā)明者葉守正, 李宗澧, 林明勛, 林盈宏 申請人:友達(dá)光電股份有限公司