專利名稱：：磁性合金、非晶形合金薄帶及磁性部件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及磁性合金，尤其涉及各種變壓器、各種電抗器(reactor)、噪音對策、激光電源、加速器用脈沖功率磁性部件、各種馬達(dá)、各種發(fā)動(dòng)機(jī)等中使用的高飽和磁通密度的軟磁性合金、用于制造所述磁性合金的非晶形合金薄帶、和使用了所述磁性合金的磁性部件。
背景技術(shù)：
：作為各種變壓器、各種電抗器、噪音對策、激光電源、加速器用脈沖功率磁性部件、各種馬達(dá)、各種發(fā)動(dòng)機(jī)等中使用的高飽和磁通密度低頑磁力的磁性材料，知道有硅鋼、鐵素體、非晶形合金或Fe基納米結(jié)晶合金材料等。硅鋼板的材料廉價(jià)且磁通密度高，但對于高頻的用途來說，存在磁心損失大的問題。在制作方法上，難以將非晶形薄帶排列變薄地加工，渦電流損失大，因此，伴隨于此的損失大，從而不利。另外，鐵素體材料中存在飽和磁通密度低，溫度特性差的問題，容易磁飽和的鐵素體不面向運(yùn)行磁通密度大的高功率的用途。另外，就Co基非晶形合金來說，飽和磁通密度在實(shí)用的材料的情況下，低到1T以下，存在熱方面不穩(wěn)定的問題。因此，在使用于高功率的用途的情況下，存在部件變大或由于經(jīng)時(shí)變化而導(dǎo)致磁心損失增加的問題。另外，如專利文獻(xiàn)l中所述的Fe基非晶形軟磁性合金具有良好的方形特性，或低的頑磁力，顯示優(yōu)越的軟磁特性，但在Fe基非晶形合金系中，就飽和磁通密度來說，1.7T為大致物理上限值。另外，F(xiàn)e基非晶形合金中存在磁致伸縮大，由于應(yīng)力而特性變差的問題，或在音頻帶的電流重疊之類的用途中，存在噪音大的問題。因此，開發(fā)了專利文獻(xiàn)2中記載的具有納米結(jié)晶的軟磁性材料，并使用于各種用途。作為在非晶形合金中顯示更高的飽和磁通密度的非晶形合金，知道有FeCo系的非晶形合金，但就飽和磁通密度來說，1.8T左右為極限，存在磁致伸縮也非常大的問題。另外，作為高導(dǎo)磁系數(shù)且高飽和磁通密度的軟磁性成形體，還公開了專利文獻(xiàn)3中所述的技術(shù)。進(jìn)而，在納米結(jié)晶軟磁性材料中，出于進(jìn)一步提高飽和磁通密度的目的，還嘗試添加了Co。在專利文獻(xiàn)4中有在FeCoNbSiB合金中得到超過1.85T的高的磁通密度的報(bào)告。專利文獻(xiàn)1日本特開平5—140703號公報(bào)(段落00060010)專利文獻(xiàn)2日本特許平1一156451號公報(bào)(第二頁右上欄第19行右下欄第六行)專利文獻(xiàn)3日本特開2006—40卯6號公報(bào)(段落00400041)專利文獻(xiàn)4日本特開2006—241569號公報(bào)(段落00160017)還報(bào)告了在上述含有Co的納米結(jié)晶軟磁性材料中飽和磁通密度超過1.8T，但尤其在超過1.85T之類的材料的情況下，存在用于制作薄帶的噴嘴壽命短的問題或Co量多于25原子％且原料價(jià)格變高等問題。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于提供在FeCo系納米結(jié)晶軟磁性材料中顯示1.85T以上的高飽和磁通密度，噴嘴壽命長，容易制造薄帶的軟磁性合金、及用于制作其的非晶形合金薄帶、及使用了所述軟磁性合金的磁性部件。在本發(fā)明中,處于實(shí)現(xiàn)如下所述的目的而進(jìn)行了專心致志的研究，即其為FeCo系合金，飽和磁通密度Bs為1.85T以上，且得到良好的軟磁性，噴嘴壽命長，批量生產(chǎn)性優(yōu)越的高飽和磁通密度。其結(jié)果，發(fā)現(xiàn)由組合式Fe,。。—x—y-aCoaCuxBy(其中，按原子％為l<x《3、10《y《20、10<a<25)表示，組織的至少一部分為結(jié)晶粒徑60nm以下(不包括O)的結(jié)晶相的磁性合金顯示飽和磁通密度為1.85T以上，且頑磁力為200A/m以下的優(yōu)越的特性，得到的軟磁性的軟磁性材料條件范圍廣，不均少，且批量生產(chǎn)性優(yōu)越，從而想到了本發(fā)明。在本發(fā)明中，就由組成式Fe1Q?！獂-y-z—aCo丄UxByXz(其中，X為選自由Si、S、C、P、Al、Ge、Ga、Be構(gòu)成的組的一種以上元素，按原子%為1<乂《3、10《y《20、0<z《10、10<a<25、10<y+z《24)，組織的至少一部分為結(jié)晶粒徑60nm以下(不包括0)的結(jié)晶相的磁性合金來說，得到軟磁性的熱處理?xiàng)l件范圍更廣，從而優(yōu)選。尤其，所述X為選自由Si、P構(gòu)成的組的一種以上元素的情況下，尤其熱處理溫度范圍廣，能夠減小不均，因此優(yōu)選。通過添加Si，結(jié)晶磁各向異性大的強(qiáng)磁性化合物相析出開始的溫度變高，因此，能夠提高熱處理溫度。通過實(shí)施高溫的熱處理，微結(jié)晶相的比例增加，Bs增加，得到優(yōu)選的結(jié)果。進(jìn)而，Si的添加具有抑制試料表面的變質(zhì)、變色的效果。在本發(fā)明的軟磁性微結(jié)晶合金中，為了得到均勻的微細(xì)組織，溶解原材料后，利用液體淬火法，制作合金薄帶的時(shí)點(diǎn)下，得到以非晶形相為主相的組織至關(guān)重要。在本發(fā)明中，在利用液體淬火法制作的非晶形合金薄帶中，納米比例的微細(xì)的晶粒以分散的狀態(tài)存在的情況下，晶粒變得微細(xì)，得到優(yōu)選的結(jié)果。然后，在結(jié)晶化溫度以上的溫度范圍下實(shí)施熱處理，形成為晶粒60nm以下的體心立方結(jié)構(gòu)的晶粒在非晶質(zhì)母相中按體積分率以30%以上分散的組織。通過納米晶粒相按體積分率以30%以上占據(jù)，與非晶形單相的狀態(tài)相比，能夠增加飽和磁通密度Bs。進(jìn)而，通過按體積分率以50%以上占據(jù)，能夠進(jìn)一步增加Bs。晶粒的體積比是如下所述地求出，即利用線段法即在顯微鏡組織中設(shè)想任意的直線，將其測試線的長度設(shè)為Lt，測定由結(jié)晶相占據(jù)的線的長度Lc，求出由晶粒占據(jù)的線的長度的比例LL-U/Lt來求出。在此，晶粒的體積比為Vv=Vl。，就Cu量x來說，l<x《3。若超過3.0%，則在液體淬火(急冷)時(shí)，極其難以得到以非晶形相為主相的薄帶，軟磁特性也急劇地變差。另外，在Cu量x為1%以下的情況下，適當(dāng)?shù)臒崽幚項(xiàng)l件范圍也變窄，頑磁力增加，軟磁性變差，因此不優(yōu)選。就優(yōu)選的Cu量來說，l<x《2。就B量y來說，10《y《20。在B量小于10%的情況下，極其難以得到以非晶形相為主相的薄帶，另外，在超過20%的情況下，導(dǎo)致飽和磁通密度的降低，不優(yōu)選。就更優(yōu)選的Cu量x、B量y來說，1.2<x《1.8、12《y《17，迸而優(yōu)選1.2《x《1.6、14《y《17，通過設(shè)為該Cu量、B量，尤其軟磁性優(yōu)越，容易制造且能夠降低熱處理引起的特性不均。在本發(fā)明中，在熱處理前的階段中，在合金中不存在非晶形相，包括結(jié)晶的情況下，得不到低的頑磁力。然而，納米比例的晶粒在非晶形相中以小于30%分散的結(jié)構(gòu)的情況下，在熱處理后也得到低的頑磁力。B是用于促進(jìn)非晶形的形成所不可或缺的元素，Si，S，C，P，Al，Ge，Ga對形成能的提高起到貢獻(xiàn)作用。就B的濃度y來說，10《y《20，是滿足Fe含量的限制的同時(shí)，穩(wěn)定地得到非晶形相的組成范圍?？梢栽谒龃判院辖鹬?，相對于Fe量，含有小于所述Fe量的2原子。/。的Ni。Ni的添加有效于感應(yīng)磁各向異性的控制或耐腐蝕性提高。另外，可以在所述磁性合金中，相對于Fe量，含有小于所述Fe量的1原子％的選自Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Re、鉬族元素、Au、Ag、Zn、In、Sn、As、Sb、Sb、Bi、Y、N、0及稀土類元素中的至少一種以上元素。這些元素的添加有助于微細(xì)晶粒的生成，對軟磁特性的改善起到貢獻(xiàn)作用。具體的制造方法如下所述，即利用單輥等淬火技術(shù)，將所述組成的熔融液以100'C/秒以上的冷卻速度淬火，臨時(shí)制作以非晶形相為主相的合金后，將其加工，在結(jié)晶化溫度附近的溫度下實(shí)施熱處理，形成平均粒系為60nm以下的微結(jié)晶組織而得到。在大氣中或Ar、He、氮、一氧化碳、二氧化碳的氣氛中或減壓下進(jìn)行利用單輥法等淬火技術(shù)的薄帶的制作及熱處理。通過磁場中熱處理，能夠利用感應(yīng)磁各向異性改善軟磁特性。在這種情況下，為了賦予感應(yīng)磁各向異性，在熱處理中，以一定時(shí)間施加磁場，進(jìn)行磁場中熱處理。施加的磁場可以為直流、交流、重復(fù)的脈沖磁場的任一個(gè)。在磁場中熱處理中，在20(TC以上的溫度區(qū)域下通常施加20分鐘以上。在升溫中，以一定溫度保持中及冷卻中，施加磁場的情況下，也提高軟磁特性。另外，本發(fā)明合金包含Co，容易發(fā)生感應(yīng)磁各向異性，能夠改變B—H環(huán)形狀，改進(jìn)磁特性?？梢栽诖髿庵小⒄婵罩小r、氮等惰性氣體中進(jìn)行熱處理，但尤其期望在惰性氣體中進(jìn)行。在熱處理時(shí)，最高達(dá)到溫度期望從結(jié)晶化溫度到比其高7(TC左右的溫度區(qū)域。在將熱處理的保持時(shí)間設(shè)為1小時(shí)以上的情況下，雖然取決于組成，但最佳的是從35(TC到47(TC的范圍。以一定溫度保持的時(shí)間從批量生產(chǎn)性的觀點(diǎn)來說，通常為24小時(shí)以下，優(yōu)選4小時(shí)以下。熱處理的平均升溫速度優(yōu)選從o.rc/分鐘到100(xrc/分鐘，更優(yōu)選10(TC/分鐘以上，能夠抑制頑磁力的增加。熱處理可以不是一個(gè)階段，而以多個(gè)階段、多次進(jìn)行。迸而，還可以使電流直接流過合金，利用焦耳熱實(shí)施熱處理，或在應(yīng)力下進(jìn)行熱處理。通過經(jīng)過如上所述的工序，制作本發(fā)明的合金，容易地得到飽和磁通密度為1.85T以上，頑磁力為120A/m以下的磁性材料。對本發(fā)明合金的熱處理以形成微細(xì)結(jié)晶組織為目的。通過調(diào)節(jié)溫度和時(shí)間這兩個(gè)參數(shù)，能夠抑制核生成及晶粒生長。因此，即使為高溫中的熱處理，只要非常短時(shí)間，就得到能夠抑制晶粒生長，而且頑磁力變小，低磁場中的磁通密度提高，磁滯損失也減小的效果?？梢愿鶕?jù)期望的磁特性，適當(dāng)?shù)胤珠_使用所述低溫長時(shí)間的熱處理、和該高溫短時(shí)間的熱處理，但在該高溫短時(shí)間的熱處理的情況下，容易得到通常所需的磁特性，從而適合。保持溫度優(yōu)選43(TC以上。在小于43(TC的情況下，即使適當(dāng)?shù)卣{(diào)節(jié)保持時(shí)間，也難以得到上述效果。對于化合物析出的溫度(Tx2)，優(yōu)選設(shè)為Tx2—50r以上。另外，在利用該熱處理的制造方法中，由于高溫區(qū)域中的熱處理速度對特性產(chǎn)生影響，因此，優(yōu)選熱處理溫度超過30(TC時(shí)的升溫速度為100。C/分鐘以上，更優(yōu)選超過350。C時(shí)的升溫速度為10(TC/分鐘以上。另外，還可以通過以升溫速度的控制或各種溫度保持一定時(shí)間的多個(gè)階段的熱處理等，控制核生成。另外，在低于結(jié)晶化溫度的溫度下保持一定時(shí)間，對核生成賦予充分的時(shí)間后，利用在高于結(jié)晶化溫度的溫度下保持小于l小時(shí)的熱處理，進(jìn)行晶粒生長的情況下，晶粒之間相互抑制相互的生長，因此，得到均勻且微細(xì)的結(jié)晶組織。例如，將25(TC左右的熱處理進(jìn)行l(wèi)小時(shí)以上，然后，在高溫短時(shí)間、例如熱處理溫度超過30(TC時(shí)的升溫速度為10(TC/分鐘以上的條件下進(jìn)行熱處理的情況下，可以得到與上述制造方法相同的效果。就本發(fā)明的軟磁性微結(jié)晶合金來說，若根據(jù)需要進(jìn)行利用以Si02、Mg0、A1203等粉末或膜被覆合金薄帶表面的化成處理來進(jìn)行表面處理，形成絕緣層，利用陽極氧化處理，在表面形成氧化物絕緣層，進(jìn)行8層間絕緣等處理，則得到更優(yōu)選的結(jié)果。這是因?yàn)榫哂杏绕浣档驮趯娱g過渡的高頻下的渦電流的影響，改善高頻下的磁心損失的效果。這效果在由表面狀態(tài)良好且寬幅的薄帶構(gòu)成的磁心中使用的情況下尤其顯著。進(jìn)而，在由本發(fā)明合金制作磁心時(shí)，還可以根據(jù)需要進(jìn)行浸滲或涂敷等。本發(fā)明合金作為高頻的用途，尤其在脈沖狀電流流過之類的應(yīng)用中最大幅度發(fā)揮性能，但還可以使用于傳感器或低頻的磁性部件的用途。尤其，在磁飽和成為問題的用途中能夠發(fā)揮優(yōu)越的特性，尤其適合高功率的功率電子學(xué)的用途。沿與在使用時(shí)磁化的方向大致垂直的方向施加磁場的同時(shí)，進(jìn)行了熱處理的本發(fā)明合金中得到比以往的高飽和磁通密度的材料低的磁心損失。進(jìn)而，本發(fā)明合金在薄膜或粉末的情況下也能夠得到優(yōu)越的特性。在本發(fā)明的軟磁性微結(jié)晶合金的至少一部分或全部中形成有平均粒徑60nm以下的晶粒。期望所述晶粒為組織的30%以上的比例，更優(yōu)選50%以上，尤其優(yōu)選60%以上。尤其期望的平均結(jié)晶粒徑為從2nm到30mn，在該范圍中得到特別低的頑磁力及磁心損失。在所述本發(fā)明合金中形成的微晶粒是主要以Fe和Co為主體的體心立方結(jié)構(gòu)(bcc)的結(jié)晶相，固溶有Si、B、Al、Ge或Zr等也可。另外，含有超結(jié)晶格子也可。所述結(jié)晶相以外的殘部主要為非晶形相，但基本上僅包括結(jié)晶相的合金也包括在本發(fā)明中。包含Cu或Au的面心立方結(jié)構(gòu)的相(fcc相)存在也可。另外，在晶粒的周圍存在非晶形相的情況下，電阻率變高，由于晶粒生長的抑制，晶粒被微細(xì)化，改進(jìn)軟磁特性，因此，得到更優(yōu)選的結(jié)果。在本發(fā)明合金中化合物相不存在的情況下，在局部含有顯示更低的磁心損失的化合物相也可。本發(fā)明的第二側(cè)面有關(guān)使用了所述磁性合金的磁性部件。通過利用所述本發(fā)明的磁性合金構(gòu)成磁性部件，能夠?qū)崿F(xiàn)適合陽極電抗器等大電流用各種電抗器、有源過濾器用扼流圈、平滑扼流圈、各種變壓器、磁罩、電磁罩、電磁罩材料等噪音對策部件、激光電源、加速器用脈沖功率磁性部件、馬達(dá)、發(fā)電機(jī)等的高性能或小型磁性部件。根據(jù)本發(fā)明可知，能夠?qū)崿F(xiàn)在各種變壓器、大電流用各種電抗器、電磁罩材料等噪音對策部件、激光電源、加速器用脈沖功率磁性部件、有源過濾器用扼流圈、平滑扼流圈、馬達(dá)、發(fā)電機(jī)等中使用的顯示高飽和磁通密度且特別低的磁心損失，適當(dāng)?shù)臒崽幚項(xiàng)l件范圍廣，容易熱處理的高飽和磁通密度低損失的軟磁性微結(jié)晶合金及使用其的高性能磁性部件，因此，其效果顯著。圖1是示出了Fes2.65iCoxCu,.35B,4Si2合金的飽和磁通密度Bs和頑磁力Hc的圖。具體實(shí)施例方式以下，按照實(shí)施例，說明本發(fā)明，但本發(fā)明不限定于這些。(實(shí)施例1)利用單輥法，使Febal.Co15CUl.5B14Si2(原子％)的合金熔融液淬火，得到寬度10mm厚度19lim的非晶形合金薄帶。進(jìn)行X射線衍射和透過電子顯微鏡觀察的結(jié)果，確認(rèn)到在非晶形合金薄帶中形成有按體積分率小于30%的粒徑小于10nm的粒徑的納米比例的極微細(xì)的晶粒。認(rèn)為該晶粒是主要以體心立方結(jié)構(gòu)(bcc結(jié)構(gòu))的FeCo為主體的固溶體相。以升溫速度20(TC/分鐘升溫至43(rC，保持1小時(shí)后，從爐中取出，進(jìn)行空冷。對熱處理后的試料進(jìn)行利用X射線衍射及透過電子顯微鏡的組織觀察。粒徑為約25nm的bcc結(jié)構(gòu)的納米晶粒相在非晶質(zhì)母相中按體積分率占據(jù)50%以上。將這些試料加工為長度12cm，進(jìn)行磁測定。在8000A/m的磁場的情況下大致飽和，將8000A/m下的磁通密度設(shè)為Bs。顯示飽和磁通密度Bs4.94T，頑磁力Hc=17A/m，顯示高Bs且低頑磁力。另外，噴嘴壽命是顯示相同程度的Bs的以往的Feba.Co29」CuNb2B,2Si,合金的約1.5倍。(實(shí)施例2)利用單輥法，使Fe82.65iCOxCLh.3sBMSi2(原子％)的合金熔融液淬火，得到寬度5mm厚度18剛的非晶形合金薄帶。其次，進(jìn)行X射線衍射和透過電子顯微鏡觀察的結(jié)果，確認(rèn)到在非晶形合金薄帶中形成有按體積分率小于30%的粒徑小于lOrnn的粒徑的納米比例晶粒。認(rèn)為該晶粒是主要以體心立方結(jié)構(gòu)(bcc結(jié)構(gòu))的FeCo為主體的固溶體相。以升溫速度20(rC/分鐘升溫至43(TC，保持1小時(shí)后，從爐中取出，進(jìn)行空冷的熱處理。其次，進(jìn)行利用X射線衍射及透過電子顯微鏡的組織觀察。粒徑為約25nm的bcc結(jié)構(gòu)的納米晶粒相在非晶質(zhì)母相中按體積分率占據(jù)50%以上。將這些試料加工為長度12cm，進(jìn)行磁測定。在圖1中示出飽和磁通密度Bs和頑磁力Hc的Co量依賴性。在Co量x為10<x<25(原子％)的范圍中，得到Bs為1.85T以上，He為200A/m以下的優(yōu)越的特性。(實(shí)施例3)利用單輥法，使表1所示的各種組成的合金熔融液淬火，得到寬度5mm厚度1825|im的非晶形合金薄帶。將這些合金薄帶在350'C46(TC的范圍中進(jìn)行熱處理，用B—H描跡器(卜k一廿一)評價(jià)熱處理后的單板狀試料。這些熱處理后的磁性合金中組織的至少一部分均包含結(jié)晶粒徑60nm以下(不包括0)的晶粒。另外，納米晶粒相在非晶質(zhì)母相中按體積分率占據(jù)50%以上。表1中示出這些試料的頑磁力最低的熱處理?xiàng)l件的飽和磁通密度Bs、頑磁力H。最大導(dǎo)磁系數(shù)pm。為了比較，示出以往的納米結(jié)晶合金的磁特性。本發(fā)明合金在與以往的納米結(jié)晶合金比較的情況下，相對于1.85T以上的合金，頑磁力低，最大導(dǎo)磁系數(shù)高，.軟磁性優(yōu)越。以往的頑磁力低，軟磁性優(yōu)越的納米結(jié)晶合金中飽和磁通密度Bs小于1.85T,Bs比本發(fā)明合金低。如上所述，本發(fā)明合金與以往的納米結(jié)晶合金相比，雖然飽和磁通密度高，但軟磁特性優(yōu)越，使用于扼流圈或變壓器等的鐵心材料的情況下，能夠?qū)π⌒突?、低損失化起到貢獻(xiàn)作用。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table>權(quán)利要求1.一種磁性合金，其特征在于，其是由組成式Fe100-x-y-aCoaCuxBy表示，組織的至少一部分為結(jié)晶粒徑60nm以下但不包括0nm的結(jié)晶相，并且飽和磁通密度為1.85T以上，頑磁力為200A/m以下的磁性合金，所述組成式中，按原子％為1＜x≤3、10≤y≤20、10＜a＜25。2.—種磁性合金，其是由組成式Fe,。。-x-y-z-aCoaCuxByXz表示，組織的至少一部分為結(jié)晶粒徑60nm以下但不包括Onm的結(jié)鼎相，并且飽和磁通密度為1.85T以上，頑磁力為200A/m以下的磁性合金，所述組成式中，X為選自由Si、S、C、P、Al、Ge、Ga、Be構(gòu)成的組的一種以上元素，按原子W為Kx《3、10《y《20、0<z《10、10<a<25、10<y+z《24。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的磁性合金，其中，所述X為選自由Si、P構(gòu)成的組的一種以上元素。4.根據(jù)權(quán)利要求13中任一項(xiàng)所述的磁性合金，其中，就所述Cu量x來說，l<x《2。5.根據(jù)權(quán)利要求14中任一項(xiàng)所述的磁性合金，其中，在所述磁性合金中，相對于Fe量，含有小于所述Fe量的2原子M的Ni。6.根據(jù)權(quán)利要求15中任一項(xiàng)所述的磁性合金，其中，在所述磁性合金中，相對于Fe量，含有小于所述Fe量的1原子％的選自Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Re、鉑族元素、Au、Ag、Zn、In、Sn、As、Sb、Sb、Bi、Y、N、0及稀土類元素中的至少一種元素。7.—種磁性部件，其使用了權(quán)利要求16中任一項(xiàng)所述的磁性合金。8.—種非晶形合金薄帶，其由組成式Fe,Q?！獂-y-aC0aCuxBy表示,其中，按原子呢為Kx《3、10《y《20、10<a<25。9.一種非晶形合金薄帶，其由組成式Fe1Q。-x—y-z—aCoaCUxByXz表示，其中，X是選自Si、S、C、P、Al、Ge、Ga、Be中的一種以上元素，按原子W為Kx《3、10《y《20、0<z《10、10<a<25、10<y+z《24。10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的非晶形合金薄帶，其中，在所述非晶形合金薄帶中，相對于Fe量，含有小于所述Fe量的2原子。/。的Ni。11.根據(jù)權(quán)利要求810中任一項(xiàng)所述的非晶形合金薄帶，其中，在所述非晶形合金薄帶中，相對于Fe量，含有小于所述Fe量的l原子％的選自Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Re、鉑族元素、Au、Ag、Zn、In、Sn、As、Sb、Sb、Bi、Y、N、0及稀土類元素中的至少一種元素。全文摘要本發(fā)明提供在FeCo系納米結(jié)晶軟磁性材料中顯示1.85T以上的高飽和磁通密度，噴嘴壽命長，容易制造薄帶的軟磁性合金、及用于制作其的非晶形合金薄帶、及使用了所述軟磁性合金的磁性部件。所述軟磁性合金由組成式Fe_100-x-y-aCo_aCu_xB_y(其中，按原子％為1＜x≤3、10≤y≤20、10＜a＜25)表示，組織的至少一部分為結(jié)晶粒徑60nm以下(不包括0)的結(jié)晶相，且飽和磁通密度為1.85T以上，頑磁力為200A/m以下。文檔編號C22C38/00GK101627140SQ20088000718公開日2010年1月13日申請日期2008年3月5日優(yōu)先權(quán)日2007年3月16日發(fā)明者吉澤克仁,太田元基申請人:日立金屬株式會(huì)社