專利名稱：等離子體處理裝置、磁電阻元件的制造裝置、磁性薄膜的成膜方法以及成膜控制程序的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種制造磁盤驅(qū)動(dòng)裝置的磁頭、磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)元件、磁傳感器以及薄膜電感器等的等離子體處理裝置、磁電阻元件的制造裝置、磁性薄膜的成膜方法以及成膜控制程序。
背景技術(shù)：
磁盤驅(qū)動(dòng)裝置的磁頭、磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)的存儲(chǔ)元件、磁傳感器以及薄膜電感器具有磁性薄膜或者在多層薄膜中含有磁性薄膜。這些磁性薄膜要求易磁化軸在基板面內(nèi)沿著一個(gè)方向平行地對(duì)齊。通常，作為使易磁化軸在一個(gè)方向上對(duì)齊的方法已知一種磁場(chǎng)中成膜法，例如研究在基板保持件上的基板兩側(cè)平行地配置兩個(gè)棒狀磁體，對(duì)基板施加一個(gè)方向的磁體(參照專利文獻(xiàn)1)。但是，在該技術(shù)中，保持磁力線的平行度的區(qū)域非常窄，因此不適合在大口徑基板上形成磁性薄膜。因此，為了擴(kuò)大兩個(gè)棒狀磁體之間的磁力線平行的區(qū)域，研究將棒狀磁體安裝到強(qiáng)磁性材料的極片(pole Piece)(參照專利文獻(xiàn)幻。另外，還提出一種在基板的背面配置平板狀的磁體而不是棒狀磁體(參照專利文獻(xiàn)3)。然而，在專利文獻(xiàn)1 3的技術(shù)中，在基板保持件上固定有磁體，因此無法在成膜過程中改變磁場(chǎng)的施加方向。特別是，在利用了巨大磁電阻效果的自旋閥(spin valve)型的磁頭中，需要將固定層和自由層這兩個(gè)磁性層的易磁化軸的相對(duì)角度設(shè)定為90度，尋求一種機(jī)構(gòu)來在成膜過程中改變磁場(chǎng)施加方向(參照非專利文獻(xiàn)1)。為了實(shí)現(xiàn)這些，提出了一種技術(shù)，即例如使用具有多個(gè)線圈組的電磁體，控制流過各線圈組的電流的流向、流量來產(chǎn)生正交的磁場(chǎng) (參照專利文獻(xiàn)4)。近年來，隨著設(shè)備需求增加為了從一個(gè)基板選取大量的元件而導(dǎo)致基板大口徑化，除了要求磁場(chǎng)的平行度以外還要求膜厚的均勻性。為了確保膜厚的均勻性例如旋轉(zhuǎn)基板的成膜法比較有效(參照專利文獻(xiàn)幻。該旋轉(zhuǎn)成膜法使用永久磁體作為磁場(chǎng)施加單元， 在基板保持件上固定永久磁體，對(duì)基板始終施加一個(gè)方向的平行磁場(chǎng)。如上所述，研究在成膜過程中要求改變磁場(chǎng)方向的情況下，獨(dú)立地設(shè)置基板保持件的旋轉(zhuǎn)軸和磁體支承保持件的旋轉(zhuǎn)軸，在成膜時(shí)使兩者的旋轉(zhuǎn)軸的旋轉(zhuǎn)同步，在基板上施加固定方向的磁場(chǎng)(參照專利文獻(xiàn)6)。并且，在改變磁場(chǎng)的施加方向時(shí)暫時(shí)改變旋轉(zhuǎn)相位，之后繼續(xù)同步旋轉(zhuǎn)來進(jìn)行下一個(gè)磁性薄膜的磁場(chǎng)中成膜。這樣，為了使磁性薄膜的易磁化軸在一個(gè)方向上對(duì)齊而進(jìn)行的研究是以下技術(shù) 在大口徑基板中得到磁力線的平行度的磁電路的設(shè)計(jì)以及使磁體與基板的旋轉(zhuǎn)同步而對(duì)于基板始終得到固定的靜止磁場(chǎng)。作為用于對(duì)大口徑基板施加平行對(duì)齊的磁場(chǎng)的磁電路， 近來提出了一種將Halbach型Dipole-Ring Magnet應(yīng)用于磁性薄膜的成膜的裝置的例子(參照專利文獻(xiàn)7)。專利文獻(xiàn)1 日本特開平5-339711號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2 日本特開平10-3沈718號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)3 日本特開平10-245675號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)4 日本特開平11-26230號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)5 日本特開2000-265^3號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)6 日本特開2002-53956號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)7 :US6743340B2號(hào)公報(bào)非專利文獻(xiàn)1 恒川孝ニ「月刊セミコンダクターワールド」，94(1997，4)

發(fā)明內(nèi)容
劍脾■白■是頁可是，在以往的技術(shù)中，仍然存在基板上進(jìn)行成膜的磁性薄膜的易磁化軸的偏差。 特別是，在大于06英寸的大口徑基板的情況下，易磁化軸的偏差較明顯。本發(fā)明是鑒于上述情形而完成的，即使對(duì)大口徑基板也能夠改進(jìn)成膜的磁性薄膜 的易磁化軸的偏差的等離子體處理裝置、磁電阻元件的制造裝置、磁性薄膜的成膜方法以 及成膜控制程序。用于解決問題的方案為了達(dá)到上述目的而完成的本發(fā)明的等離子體處理裝置，將處理氣體導(dǎo)入到可抽 成真空的腔室內(nèi)部，對(duì)陰極施加放電電壓而使陰極與基板保持件之間產(chǎn)生等離子體放電， 對(duì)安裝于上述陰極的靴進(jìn)行溉射來在基板處理面形成含有磁性薄膜的薄膜，該等離子體處 理裝置的特征在干，具備基板保持件，其支承上述基板；磁體保持件，其被配置在上述基板保持件的周圍，支承磁體，該磁體在上述基板的 處理面形成磁場(chǎng)；陰極部件，其被配置在上述基板保持件的上方，被施加放電電壓；旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，其能夠使上述基板保持件和上述磁體保持件中的至少一個(gè)或者兩者沿 著上述基板的處理面的面方向旋轉(zhuǎn)；旋轉(zhuǎn)位置檢測(cè)單元，其檢測(cè)上述基板保持件或者/以及上述磁體保持件的旋轉(zhuǎn)位 置；以及控制裝置，其控制隨著成膜處理而產(chǎn)生的各操作要素的動(dòng)作，其中，上述控制裝置根據(jù)上述旋轉(zhuǎn)位置檢測(cè)單元的檢測(cè)信號(hào)對(duì)上述基板保持件或 者/以及上述磁體保持件的上述旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)進(jìn)行控制以使在上述磁性薄膜的溉射成膜中使 設(shè)定于上述基板的處理面的易磁化軸與由上述磁體施加的磁場(chǎng)之間的相對(duì)角度擺動(dòng)變化。另外，本發(fā)明的薄膜器件的制造裝置的特征在干，具備上述本發(fā)明的等離子體處理裝置；蝕刻腔室，其去除基板處理面的雜質(zhì)；氧化處理腔室，其對(duì)金屬薄膜進(jìn)行氧化處理；以及加載互鎖腔室，其在真空空間與大氣之間取出和放入上述基板，
其中，上述等離子體處理裝置、上述蝕刻腔室、上述氧化處理腔室、以及上述加載互鎖腔室通過具備真空輸送機(jī)構(gòu)的真空輸送腔室進(jìn)行連接。另外，在本發(fā)明的磁性薄膜的成膜方法中，將處理氣體導(dǎo)入到可抽成真空的腔室內(nèi)部，在基板周圍配置磁體，該磁體在該基板的處理面上形成磁場(chǎng)，對(duì)陰極施加放電電壓而使陰極與基板保持件之間產(chǎn)生等離子體放電，對(duì)安裝于上述陰極的靶進(jìn)行濺射來對(duì)基板處理面成膜磁性薄膜，該磁性薄膜的成膜方法的特征在于，在上述磁性薄膜的濺射成膜中使設(shè)定于上述基板處理面的易磁化軸與由上述磁體施加的磁場(chǎng)之間的相對(duì)角度擺動(dòng)變化。另外，本發(fā)明的成膜控制程序的特征在于，使控制裝置執(zhí)行以下步驟，該控制裝置根據(jù)對(duì)支承基板的基板保持件或者/以及支承磁體的磁體保持件的旋轉(zhuǎn)位置進(jìn)行檢測(cè)的旋轉(zhuǎn)位置檢測(cè)單元的檢測(cè)信號(hào)對(duì)上述基板保持件或者/以及上述磁體保持件的旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)的旋轉(zhuǎn)進(jìn)行控制，其中，上述步驟為定位步驟，對(duì)上述基板以及上述磁體進(jìn)行定位，使得相對(duì)于上述基板的標(biāo)記在垂直方向上形成磁場(chǎng)；擺動(dòng)變化步驟，在上述磁性薄膜的濺射成膜中在最大士5度的范圍內(nèi)使設(shè)定于上述基板處理面的易磁化軸與由上述磁體施加的磁場(chǎng)之間的相對(duì)角度擺動(dòng)變化；擺動(dòng)變化步驟，以隨著成膜的進(jìn)行而相對(duì)角度的偏轉(zhuǎn)逐漸收斂的方式使擺動(dòng)變化；以及濺射成膜步驟，在上述定位的狀態(tài)下使靜止地進(jìn)行濺射成膜。發(fā)明的效果根據(jù)本發(fā)明，即使對(duì)大口徑基板也能夠改進(jìn)成膜的磁性薄膜的易磁化軸的偏差。


圖1是表示本發(fā)明所涉及的等離子體處理裝置的一個(gè)實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)的示意圖。圖2是表示基板、磁體以及陰極部件的位置關(guān)系的說明圖。圖3是表示由磁體施加到基板的磁場(chǎng)的說明圖。圖4是表示控制裝置和附加要素的框圖。圖5是表示實(shí)施例1的磁性薄膜的成膜方法的示意圖。圖6是表示實(shí)施例1的基板與磁體的位置關(guān)系的俯視圖。圖7是表示實(shí)施例1的動(dòng)作的時(shí)序圖。圖8是對(duì)磁性薄膜的易磁化軸的方向進(jìn)行測(cè)量得到的分布圖，(a)是以往的方法， (b)是本發(fā)明的方法。圖9是表示實(shí)施例2的基板與磁體的位置關(guān)系的俯視圖。圖10是表示實(shí)施例2的動(dòng)作的時(shí)序圖。圖11是表示實(shí)施例3的基板與磁體的位置關(guān)系的俯視圖。圖12是表示實(shí)施例3的動(dòng)作的時(shí)序圖。圖13是表示實(shí)施例4的磁性薄膜的成膜方法的說明圖。圖14是表示實(shí)施例4的基板與磁體的位置關(guān)系的俯視圖。圖15是表示實(shí)施例4的動(dòng)作的時(shí)序圖。
圖16是表示薄膜器件的制造裝置的裝置結(jié)構(gòu)例的俯視圖。圖17是表示利用實(shí)施例5的制造裝置制作的隧道磁電阻元件的膜結(jié)構(gòu)的示意圖。附圖標(biāo)記說明1 等離子體處理裝置；2 腔室；10 基板；11 基板保持件；20 基板保持件的旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)；25 基板保持件的旋轉(zhuǎn)位置檢測(cè)單元；30 磁體；31 磁體保持件；40 磁體保持件的旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)；45 磁體保持件的旋轉(zhuǎn)位置檢測(cè)單元；60 控制裝置。
具體實(shí)施例方式下面，參照

本發(fā)明的實(shí)施方式，但是本發(fā)明并不限于本實(shí)施方式。參照?qǐng)D1至圖3，說明本發(fā)明所涉及的等離子體處理裝置的一個(gè)實(shí)施方式。圖1 是表示本發(fā)明所涉及的等離子體處理裝置的一個(gè)實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)的示意圖。圖2是表示基板、磁體以及陰極部件的位置關(guān)系的說明圖。圖3是表示由磁體施加到基板的磁場(chǎng)的說明圖。如圖1以及圖2所示，本實(shí)施方式的等離子體處理裝置1例如為在基板的處理面形成含有磁性薄膜的薄膜的濺射裝置，具備對(duì)處理空間進(jìn)行分割形成的腔室(反映容器)2。在該腔室2中，作為能夠?qū)ζ鋬?nèi)部進(jìn)行真空排氣直到期望的真空度的排氣系統(tǒng)，通過閘閥等主閥3連接有排氣泵4。在該腔室2中氣體注入口 5開口，在該氣體注入口 5上連接有處理氣體導(dǎo)入系統(tǒng) 6，該處理氣體導(dǎo)入系統(tǒng)6將反應(yīng)性氣體等處理氣體導(dǎo)入到腔室2內(nèi)部。處理氣體導(dǎo)入系統(tǒng) 6例如通過自動(dòng)流量控制器7與儲(chǔ)氣罐8相連接，從氣體注入口 5以規(guī)定流量被導(dǎo)入處理氣體。在腔室2內(nèi)進(jìn)行濺射的情況下，該處理氣體導(dǎo)入系統(tǒng)6將處理氣體提供給腔室2內(nèi)。在腔室2內(nèi)的處理空間的下部設(shè)置有基板保持件11，該基板保持件11在上表面支承基板10。作為處理對(duì)象的基板10例如利用搬運(yùn)機(jī)器人(未圖示)通過水平切槽12被搬運(yùn)到基板保持件11上?；灞３旨?1為圓板狀的載置臺(tái)(stage)，例如在其上表面通過靜電吸附來吸附支承基板10。基板保持件11由導(dǎo)電性部件形成，還作為使與后述的陰極之間產(chǎn)生放電的電極而發(fā)揮功能。該基板保持件11具有以下結(jié)構(gòu)該基本保持件11包含有在其載置面上被支承的基板10的中心，并連接于將與其處理面相垂直的軸作為旋轉(zhuǎn)軸21的旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)20，并構(gòu)成為能夠繞該軸旋轉(zhuǎn)，從而使得基板10沿其處理面進(jìn)行旋轉(zhuǎn)。后面詳細(xì)說明該旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)20?；?晶圓)10在基板保持件11的載置面上維持水平狀態(tài)而被保持。作為基板 10例如使用圓板狀的硅片(SiO2基板)，但是并不限于此。另外，在基板10上形成有成為用于確定易磁化軸的標(biāo)記的定位平面(定向平面)10a、槽口。例如以相對(duì)于該定向平面IOa 在垂直方向上形成易磁化軸的方式設(shè)定配置在基板10周圍的磁體30的極性。另外，在圓板狀基板保持件11周圍配置有環(huán)狀的磁體保持件31，該環(huán)狀的磁體保持件31的內(nèi)徑大于基板保持件11的外徑。在該磁體保持件31上支承有環(huán)狀的基板側(cè)磁體30，該環(huán)狀的基板側(cè)磁體30在基板10的處理面上形成磁場(chǎng)。磁體保持件31具備與上述基板保持件11不同的另外一個(gè)旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)40。后面詳細(xì)說明該旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)40。如圖3所示，該磁體30沿著基板10的處理面而形成在處理面內(nèi)朝向一個(gè)方向的平行磁場(chǎng)M。本實(shí)施方式的磁體30例如優(yōu)選由環(huán)狀的永久磁體形成，但是不一定必須是Halbach型Dipole-Ring Magnet (偶極環(huán)形磁鐵)。例如也可以構(gòu)成為將分離為兩個(gè)平行配置的棒狀的永久磁體、圓弧狀的永久磁體組合成環(huán)狀來形成上述同一方向的磁場(chǎng)M。再次參照?qǐng)D1，說明基板保持件11的旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)20以及磁體保持件31的旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu) 40。具備一種旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，該旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)沿著基板10的處理面的面方向能夠使基板保持件11和磁體保持件31中的至少一個(gè)或者兩者旋轉(zhuǎn)。如上所述，在本實(shí)施方式中，具備基板保持件 11的旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)20以及磁體保持件31的旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)40兩者，它們被獨(dú)立地設(shè)置。即，基板保持件11被固定在旋轉(zhuǎn)軸21上，通過齒輪機(jī)構(gòu)23由馬達(dá)等驅(qū)動(dòng)裝置22進(jìn)行旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)。另一方面，磁體保持件31通過旋轉(zhuǎn)軸41和齒輪機(jī)構(gòu)43由馬達(dá)等驅(qū)動(dòng)裝置42進(jìn)行旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)。 在各旋轉(zhuǎn)軸21、41上安裝有編碼器磁環(huán)對(duì)、44，由設(shè)置于編碼器磁環(huán)外周側(cè)的編碼器磁性檢測(cè)器25、45檢測(cè)出基板10的方位、磁場(chǎng)的方位以及各自的轉(zhuǎn)速。即，編碼器磁性檢測(cè)器 25,45作為基板保持件11、磁體保持件31的旋轉(zhuǎn)位置檢測(cè)單元而發(fā)揮功能。將升降銷沈設(shè)置成貫通基板保持件11和旋轉(zhuǎn)軸21的內(nèi)部，在搬入搬出基板時(shí)由汽缸27上下移動(dòng)，在搬運(yùn)機(jī)器人(未圖示)與基板保持件11之間進(jìn)行基板10的交接。在升降銷26的下端部配置有波紋管觀。另外，在與基板保持件11的底面相對(duì)的磁體保持件31上面部分上設(shè)置有在圓周方向上具有多個(gè)凹凸、起到制動(dòng)作用的凹凸部件46，通過使該凹凸部件46與基板保持件11 的底面接觸，能夠使兩者一體地進(jìn)行旋轉(zhuǎn)。即，增加基板保持件11的轉(zhuǎn)速來使其接近磁體 30的轉(zhuǎn)速，在通過編碼器的輸出而基板10和磁體30的方位成為規(guī)定角度以內(nèi)的時(shí)刻，通過驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)使磁體旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)整體上升來使凹凸部件46與基板保持件11的底面接觸。由此， 保持磁體30與基板10的方位在規(guī)定角度以內(nèi)一致的狀態(tài)的同時(shí)能夠使基板10旋轉(zhuǎn)。另外，在上述處理空間的基板保持件11的上方配置有陰極部件50。在本實(shí)施方式中，配置成陰極部件50與基板保持件11相對(duì)，但是也可以使基板中心與陰極中心錯(cuò)開進(jìn)行偏移配置。此外，不特別限定基板直徑、靶直徑，但是在進(jìn)行偏移配置而使基板10旋轉(zhuǎn)的情況下，即使靶直徑小于基板直徑也能夠均勻地進(jìn)行成膜。各陰極部件50中的陰極的背面?zhèn)壤缇邆渑渲昧硕鄠€(gè)永久磁體(陰極側(cè)磁體) 而得到的磁控管(未圖示)，在靶51的表面?zhèn)刃纬纱艌?chǎng)。磁控管也可以具有以下結(jié)構(gòu)例如在陰極背面?zhèn)葮?gòu)成將永久磁體縱橫配置而得到的磁體組件，在靶表面?zhèn)刃纬蓵?huì)切磁場(chǎng)。在陰極部件50的陰極表面?zhèn)劝惭b有板狀的靶51。S卩，靶51被設(shè)置于比陰極還要靠近處理空間側(cè)，靶51被配置成朝向下方。靶材料根據(jù)在基板10上成膜的膜的種類不同而不同，在磁性薄膜的情況下，含有與該磁性薄膜相同的材料或者原來的的磁性材料，例如可舉出Nii^e靶、CoFe靶以及CoFeB靶等。陰極部件50與未圖示的放電用電源進(jìn)行電連接，該未圖示的放電用電源對(duì)陰極施加放電電壓。放電用電力是高頻電力、DC電力中的任一個(gè)即可。并且，陰極部件50的套管與放電用氣體導(dǎo)入系統(tǒng)52相連接，該放電用氣體導(dǎo)入系統(tǒng)52在陰極附近提供給放電用處理氣體(放電用氣體)。放電用氣體例如使用Ar等惰性氣體。陰極與基板保持件11之間產(chǎn)生等離子體放電，能夠?qū)Π惭b于陰極部件50的靶51進(jìn)行濺射。接著，參照?qǐng)D4，說明本實(shí)施方式的濺射裝置1具備的、對(duì)隨著成膜處理而產(chǎn)生的各操作要素進(jìn)行控制的控制裝置60。圖4是表示本實(shí)施方式中的控制裝置和附加要素的框圖。如圖4所示，本實(shí)施方式的控制裝置60例如包括由CPU 6UROM,RAM等存儲(chǔ)部62 等構(gòu)成的普通個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)。CPU 61按照程序進(jìn)行上述各部的控制、各種運(yùn)算處理等。 存儲(chǔ)部62包括預(yù)先保存各種程序或參數(shù)的ROM、以及作為作業(yè)區(qū)域暫時(shí)存儲(chǔ)程序或數(shù)據(jù)的 RAM 等。具體地說，控制裝置60對(duì)放電用電源73、放電用氣體導(dǎo)入系統(tǒng)52、排氣泵4、處理氣體導(dǎo)入系統(tǒng)6、基板保持件11的旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)20、磁體保持件31的旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)40以及汽缸裝置27等輸出控制命令。按照該命令對(duì)放電時(shí)間、放電電力以及加工過程壓力等各種加工過程條件進(jìn)行控制。另外，還能夠獲取對(duì)腔室2內(nèi)的壓力進(jìn)行測(cè)量的壓力計(jì)71、對(duì)氣體流量進(jìn)行測(cè)量的流量計(jì)72以及對(duì)基板10的旋轉(zhuǎn)位置進(jìn)行檢測(cè)的編碼器磁性檢測(cè)器25、45等的各種傳感器的輸出值，能夠根據(jù)裝置的狀態(tài)進(jìn)行控制。特別是，該控制裝置60具備基板保持件旋轉(zhuǎn)控制部63和磁體保持件旋轉(zhuǎn)控制部 64?；灞３旨D(zhuǎn)控制部63根據(jù)由編碼器磁性檢測(cè)器25檢測(cè)出的旋轉(zhuǎn)位置來調(diào)整基板保持件11的旋轉(zhuǎn)方向和速度。另外，磁體保持件旋轉(zhuǎn)控制部64根據(jù)由編碼器磁性檢測(cè)器 45檢測(cè)出的旋轉(zhuǎn)位置來調(diào)整磁體保持件31的旋轉(zhuǎn)方向和速度。接著，與本實(shí)施方式的等離子體處理裝置1的作用一起說明使用該裝置1實(shí)施的本發(fā)明所涉及的磁性薄膜的成膜方法。此外，本發(fā)明所涉及的磁性薄膜的成膜方法的算法作為成膜控制程序存儲(chǔ)在控制裝置60的存儲(chǔ)部62中，在開始動(dòng)作時(shí)由CPU 61讀出而執(zhí)行。在此，成膜控制程序是以下程序根據(jù)對(duì)基板保持件11或者/以及磁體保持件31 的旋轉(zhuǎn)位置進(jìn)行檢測(cè)的旋轉(zhuǎn)位置檢測(cè)單元25、45的檢測(cè)信號(hào)，使控制裝置執(zhí)行上述旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)20、40的旋轉(zhuǎn)控制。即，該成膜控制程序具有如下的第一步驟對(duì)基板10和磁體30進(jìn)行定位以使相對(duì)于基板10的標(biāo)記(定向平面)IOa在垂直方向上形成磁場(chǎng)。另外，具有第二步驟，在該第二步驟中，在磁性薄膜的濺射成膜過程中，使設(shè)定于基板10的處理面的易磁化軸與由磁體30施加的磁場(chǎng)之間的相對(duì)角度在最大士5度的范圍內(nèi)擺動(dòng)變化。并且，具有第三步驟，在該第三步驟中，以隨著成膜的進(jìn)行而相對(duì)角度的偏轉(zhuǎn)逐漸收斂的方式使其擺動(dòng)變化。然后，具有第四步驟，在該第四步驟中，在上述定位狀態(tài)下靜止地進(jìn)行剩余部分的濺射成膜。上述成膜控制程序被記錄在由PC能夠讀取的記錄介質(zhì)中，被安裝到PC的存儲(chǔ)部 62中。記錄介質(zhì)可舉出軟盤(注冊(cè)商標(biāo))、ZIP(注冊(cè)商標(biāo))等磁記錄介質(zhì)、MO等光磁記錄介質(zhì)、CD-R、DVD-R、DVD+R、CD-R、DVD-RAM、DVD+RW (注冊(cè)商標(biāo))、PD等光盤等。另外，可舉出袖珍閃存(注冊(cè)商標(biāo))、智能媒體(注冊(cè)商標(biāo))、存儲(chǔ)棒(注冊(cè)商標(biāo))、多媒體卡、SD存儲(chǔ)卡等快閃存儲(chǔ)器系列、微型硬盤(注冊(cè)商標(biāo))、Jaz (注冊(cè)商標(biāo))等可移動(dòng)硬盤。本發(fā)明所涉及的磁性薄膜的成膜方法首先在基板保持件11上設(shè)置作為處理對(duì)象的基板(晶圓)10?；?0例如使用搬運(yùn)機(jī)器人(未圖示)通過水平切槽12被搬運(yùn)到基板保持件11上。然后，根據(jù)需要從未圖示的電源對(duì)基板保持件11施加基板偏壓。接著，利用排氣系統(tǒng)將腔室2內(nèi)部排氣到規(guī)定的真空度。并且，從放電用氣體導(dǎo)入系統(tǒng)52將Ar等放電用氣體導(dǎo)入到腔室2內(nèi)部。在進(jìn)行反應(yīng)性濺射的情況下，從處理氣體導(dǎo)入系統(tǒng)6向腔室2內(nèi)部導(dǎo)入反應(yīng)性氣體。在陰極部件50上安裝在基板10的處理面上成膜的材料成分的靶51。本實(shí)施方式的靶51的材料為與在基板10上成膜的磁性薄膜相同的材料或者成為原來的磁性材料，例如可舉出Nii^e靶、CoFe靶以及CoFeB靶等。在本實(shí)施方式中，將基板10與靶51進(jìn)行相對(duì)配置，因此靶51例如呈圓板狀，形成為大于基板直徑的尺寸。此外，也可以將陰極部件50和靶51配置成在基板10的傾斜上方傾斜而進(jìn)行偏移配置。在這樣進(jìn)行偏移配置而使基板10旋轉(zhuǎn)的情況下，即使靶直徑小于基板直徑也能夠均勻地進(jìn)形成膜。另外，在本發(fā)明的應(yīng)用中不對(duì)靶51的傾斜角度特別進(jìn)行限定，但是優(yōu)選將陰極部件50配置成陰極中心軸相對(duì)于基板10的處理面的法線的角度θ大于0°而形成 45°以下的角度。在基板保持件11和磁體保持件31的靜止?fàn)顟B(tài)下，為了在基板10的處理面上形成具有朝向一個(gè)方向的方向性的磁場(chǎng)Μ，對(duì)相對(duì)于基板10的定向平面IOa定位配置易磁化軸被設(shè)定于垂直方向上的基板10與磁體30。在這種狀態(tài)下，從放電用氣體導(dǎo)入系統(tǒng)52導(dǎo)入Ar氣體直到腔室2內(nèi)的壓力到達(dá)規(guī)定的壓力為止。在氣體壓力穩(wěn)定之后，在陰極部件50的靶表面形成磁場(chǎng)，從未圖示的電源提供放電用電力，與基板保持件11之間產(chǎn)生等離子體放電，在基板上濺射靶材料，從而成膜薄膜。在成膜初期(開始成膜的同時(shí))，以設(shè)定于基板10的處理面的易磁化軸與由磁體 30施加的磁場(chǎng)之間的最大相對(duì)角度士5度的范圍內(nèi)的方式使擺動(dòng)變化，并且，以隨著成膜的進(jìn)行而偏轉(zhuǎn)角度變小并收斂的方式進(jìn)行控制。例如在成膜20nm的膜厚的過程過程中，進(jìn)行控制以使在IOnm的位置擺動(dòng)變化結(jié)束，其余的IOnm在定向平面IOa與磁場(chǎng)方向處于垂直狀態(tài)下靜止成膜(參照后述的圖7)。在陰極部件50的放電中，位置檢測(cè)單元25、45檢測(cè)基板10和磁體30的旋轉(zhuǎn)位置， 根據(jù)檢測(cè)出的旋轉(zhuǎn)位置來調(diào)整基板保持件11或者/以及磁體保持件31的旋轉(zhuǎn)速度。當(dāng)成膜完成時(shí)，利用汽缸27使升降銷沈上升，打開水平切槽12在搬運(yùn)機(jī)器人(未圖示)與基板保持件11之間進(jìn)行基板10的交接。如上所述，根據(jù)本實(shí)施方式的成膜方法，通過使基板保持件11與磁體保持件31之間的相對(duì)角度擺動(dòng)變化，從而磁性薄膜的易磁化軸大致平行地對(duì)齊，來改進(jìn)偏差。當(dāng)易磁化軸與磁場(chǎng)之間的最大相對(duì)角度大于士5度的范圍時(shí)，偏差改進(jìn)效果明顯下降，因此優(yōu)選最大相對(duì)角度在士5度的范圍內(nèi)。并且，當(dāng)控制為隨著磁性薄膜的成膜的進(jìn)行而偏轉(zhuǎn)角度變小并收斂時(shí)，具有逐漸減小偏差的效果，得到易磁化軸更平行地對(duì)齊的磁性薄膜這一點(diǎn)較理想，但是并不限于此。實(shí)施例下面，舉出實(shí)施例來更詳細(xì)說明本發(fā)明，但是本發(fā)明并不限于這些實(shí)施例。[實(shí)施例1]圖5是表示實(shí)施例1的磁性薄膜的成膜方法的示意圖。圖6是表示實(shí)施例1的基板與磁體的位置關(guān)系的俯視圖。圖7是表示實(shí)施例1的動(dòng)作的時(shí)間圖。如圖5所示，在實(shí)施例1中，在帶有定向平面的06英寸Si晶圓10上形成在相對(duì)于定向平面IOa的垂直方向上具有易磁化軸的NWe (鎳和鐵)的磁性薄膜。在靶51中使用012英寸的NiFe，配置成基板10與靶51平行地相對(duì)。將基板10 與靶51之間的距離設(shè)定為430mm。在基板保持件11和磁體保持件31的靜止?fàn)顟B(tài)下，以在相對(duì)于定向平面IOa的垂直方向上施加磁場(chǎng)M的方式對(duì)基板10和磁體30進(jìn)行定位，以在相對(duì)于基板10的定向平面 IOa的垂直方向形成期望的易磁化軸。由磁體30形成的磁場(chǎng)M的平行度在06英寸面內(nèi)為士 1度，磁場(chǎng)強(qiáng)度在磁場(chǎng)變得最弱的基板的中心部中為7958A/m(IOOOe (奧斯特))。導(dǎo)入Ar氣體直到腔室內(nèi)的壓力到達(dá)0. 03Pa為止，在氣體壓力穩(wěn)定之后，對(duì)陰極接入4kW的DC電力來開始進(jìn)行成膜。如圖6所示，在開始進(jìn)行成膜的同時(shí)以士3度的偏轉(zhuǎn)角度(相對(duì)角度)使磁體保持件31擺動(dòng)變化，以隨著成膜的進(jìn)行而偏轉(zhuǎn)角度變小并收斂的方式進(jìn)行控制。更具體地說，在形成20nm的膜厚的過程中，控制為在IOnm的位置擺動(dòng)結(jié)束， 其余的IOnm在定向平面IOa與磁場(chǎng)方向處于垂直狀態(tài)下靜止成膜。由圖7的時(shí)間圖表示其情況。圖8是對(duì)磁性薄膜的易磁化軸的方向進(jìn)行測(cè)量得到的分布圖，(a)是以往的方法， (b)是本發(fā)明的方法。在圖8中，使用磁Kerr效果在基板的處理面內(nèi)對(duì)Mi^e膜的易磁化軸的方向進(jìn)行35點(diǎn)測(cè)量。此外，例如在「磁性材料一物性 工學(xué)的特性i測(cè)定法」(島田寛、山田興治、八田真一郎、福永博俊共著、P. 346 · 364、講談社、1999年6月20日、第1刷発行)中示出Kerr效果的磁化方向的測(cè)量方法。在圖8的(a)的以往的方法中，易磁化軸的偏差為士 7.3度。與此相對(duì)，在圖8的 (b)的本發(fā)明的方法中，易磁化軸的偏差為士 1.9度，可知即使對(duì)06英寸的大口徑基板也能夠改進(jìn)成膜的易磁化軸的偏差。[實(shí)施例2]圖9是表示實(shí)施例2的基板與磁體的位置關(guān)系的俯視圖。圖10是表示實(shí)施例2 的動(dòng)作的時(shí)間圖。如圖9所示，在實(shí)施例2中，將磁體保持件31設(shè)為靜止的狀態(tài)，僅使基板保持件11 擺動(dòng)變化。與實(shí)施例1同樣地，在形成20nm的膜厚的過程中，控制為在IOnm的位置擺動(dòng)結(jié)束，定向平面IOa與磁場(chǎng)方向處于垂直狀態(tài)而靜止地來對(duì)其余的IOnm進(jìn)行成膜。圖10的時(shí)間圖表示其狀態(tài)。即使這樣使進(jìn)行動(dòng)作也與實(shí)施例1同樣地改進(jìn)易磁化軸的偏差。[實(shí)施例3]圖11是表示實(shí)施例3的基板與磁體的位置關(guān)系的俯視圖。圖12是表示實(shí)施例3 的動(dòng)作的時(shí)間圖。如圖11所示，在實(shí)施例3中，使磁體保持件31與基板保持件11在相互逆向的方向上擺動(dòng)變化而進(jìn)行動(dòng)作。與實(shí)施例1同樣地，在形成20nm的膜厚的過程中，控制為在IOnm 的位置擺動(dòng)結(jié)束，定向平面IOa與磁場(chǎng)方向處于垂直狀態(tài)而靜止來對(duì)其余的IOnm進(jìn)行成膜。圖12的時(shí)間圖表示其狀態(tài)。即使這樣使進(jìn)行動(dòng)作也與實(shí)施例1同樣地改進(jìn)易磁化軸的偏差。[實(shí)施例4]在實(shí)施例4中，說明在基板10的傾斜上方配置陰極部件50的情況下的磁性薄膜的成膜方法。圖13是表示實(shí)施例4的磁性薄膜的成膜方法的說明圖。圖14是表示實(shí)施例4的基板與磁體的位置關(guān)系的俯視圖。圖15是表示實(shí)施例4的動(dòng)作的時(shí)間圖。如圖13所示，在實(shí)施例4中，在帶有定向平面的06英寸Si晶圓10上形成在相對(duì)于定向平面IOa的垂直方向上具有易磁化軸的NiFe (鎳鐵)的磁性薄膜。在靶51中，使用 07.1英寸的Nii^e靶，配置成基板10與靶51變得傾斜。此時(shí)，靶51的中心軸從基板10的中心分離的方式進(jìn)行偏移配置。另外，基板保持件11和磁體保持件31通過各個(gè)旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)20、40都以60rpm的速度在相同方向上連續(xù)進(jìn)行旋轉(zhuǎn)。此時(shí)，為了使期望的易磁化軸相對(duì)于基板10的定向平面IOa 成為垂直方向，以施加到基板10的磁場(chǎng)的方向相對(duì)于定向平面IOa始終垂直的方式維持定位狀態(tài)。由磁體30形成的磁場(chǎng)M的平行度在06英寸面內(nèi)為士 1度，磁場(chǎng)強(qiáng)度在磁場(chǎng)變得最弱的基板10的中心部中為7958A/m(IOOOe (奧斯特))。導(dǎo)入Ar氣體直到腔室內(nèi)的壓力到達(dá)0.03 為止，在氣體壓力穩(wěn)定之后，對(duì)陰極接入IkW的DC電力來開始進(jìn)行成膜。如圖14所示，在開始進(jìn)行成膜的同時(shí)調(diào)制磁體保持件 31的旋轉(zhuǎn)速度，使基板保持件11與磁體保持件31的旋轉(zhuǎn)相位差變化，調(diào)整為磁體30的磁場(chǎng)方向相對(duì)于易磁化軸以士3度的偏轉(zhuǎn)角度(相對(duì)角度)擺動(dòng)變化。另外，控制為旋轉(zhuǎn)相位差隨著成膜的進(jìn)行而變小并收斂。更具體地說，在形成20nm的膜厚的過程中，控制為在 IOnm的位置旋轉(zhuǎn)相位差成為零，在其余的IOnm中以定向平面IOa與磁場(chǎng)方向維持垂直狀態(tài)的方式以相同速度使基板保持件11與磁體保持件31旋轉(zhuǎn)。由圖15的時(shí)間圖表示其狀態(tài)。即使具有這種結(jié)構(gòu)，也能與實(shí)施例1同樣地改進(jìn)易磁化軸的偏差。特別是，在將靶 51相對(duì)于基板10進(jìn)行偏移配置的情況下，即使靶直徑小于實(shí)施例1也能夠均勻地進(jìn)行成膜。[實(shí)施例5]實(shí)施例5是將本發(fā)明所涉及的等離子體處理裝置應(yīng)用于隧道磁電阻元件的制造裝置的情況下的應(yīng)用例。圖16是表示薄膜器件的制造裝置的裝置結(jié)構(gòu)例的俯視圖。如圖16所示，薄膜器件(隧道磁電阻元件)的制造裝置100在中央具備真空輸送腔室110，在該真空輸送腔室110內(nèi)具備兩臺(tái)由搬運(yùn)機(jī)器人等構(gòu)成的真空輸送機(jī)構(gòu)111。在該真空輸送腔室110內(nèi)，三個(gè)濺射成膜腔室120A、120B、120C通過閘閥160相連接。另外，在真空輸送腔室110內(nèi)，蝕刻腔室130與氧化處理腔室140分別通過閘閥160相連接，其中， 該蝕刻腔室130物理地去除基板10處理面的雜質(zhì)，該氧化處理腔室140對(duì)金屬薄膜進(jìn)行氧化處理。并且，真空輸送腔室110連接有兩個(gè)加載互鎖腔室150，該兩個(gè)加載互鎖腔室150 用于在真空空間與大氣之間取出和放入基板10。在各濺射成膜腔室120A、120B、120C的上壁上在圓周方向上均勻地5等分地配置有五個(gè)陰極部件50。如實(shí)施例4所示，將各陰極部件50裝載成基板10與靶51形成傾斜配置。另外，在各濺射成膜腔室120A、120B、120C中，配置有具備旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)20的基板保持件11 以及具備旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)40的磁體保持件31。在磁體保持件31上支承有永久磁體30，該永久磁體30在0200mm的范圍內(nèi)產(chǎn)生士 1度以下的平行的磁場(chǎng)。圖17是表示利用實(shí)施例5的制造裝置制作的隧道磁電阻元件的膜結(jié)構(gòu)的示意圖。如圖17所示，隧道磁電阻元件膜結(jié)構(gòu)從基板側(cè)起依次為Ta(IOnm)、PtMn(15nm)、 Co70Fe30 (2. 5nm)、Ru (0. 9nm)、Co60Fe20B20 (3nm)、MgO (1. lnm)、Co60Fe20B20 (3nm)、Ta (IOnm)、Ru(7nm)。為了得到這樣的膜結(jié)構(gòu)，在濺射成膜腔室120A內(nèi)安裝Ta靶、PtMn靶、( 靶。 在濺射成膜腔室120B內(nèi)安裝Ru靶、CoFeB靶、Mg靶。在濺射成膜腔室120C內(nèi)安裝Coi^eB 靶、Ta靶、Ru靶。在隧道磁電阻元件的制作中，首先通過加載互鎖腔室150將從大氣搬入到真空空間內(nèi)的基板10輸送到蝕刻腔室130，通過蝕刻物理地去除在大氣中附著于基板10的處理面上的水分。接著，將基板10輸送到濺射成膜腔室120A內(nèi)，依次濺射形成Ta/PtMn/Coi^e層膜。 在對(duì)作為非磁性體的Ta和PtMn進(jìn)行成膜時(shí)，磁體保持件31不旋轉(zhuǎn)，但是在對(duì)作為磁性體的( 進(jìn)行成膜時(shí)使用實(shí)施例4的方法在磁場(chǎng)中進(jìn)行成膜。接著，將基板10輸送到濺射成膜腔室120B內(nèi)，依次濺射形成Ru/CoFe/Mg膜。在對(duì)作為非磁性體的Ru和Mg進(jìn)行成膜時(shí)，磁體保持件31不旋轉(zhuǎn)，但是在成膜作為磁性體的 CoFeB時(shí)使用實(shí)施例4的方法在磁場(chǎng)中進(jìn)行成膜。之后，將基板10輸送到氧化處理腔室140內(nèi)，僅使最表面的Mg層氧化，來形成MgO層。接著，將基板10輸送到濺射成膜腔室120C內(nèi)，依次濺射形成Cc^eB/Ta/Ru膜。在對(duì)作為非磁性體的Ta和Ru進(jìn)行成膜時(shí)，磁體保持件31不旋轉(zhuǎn)，但是在成膜作為磁性體的 CoFeB時(shí)使用實(shí)施例4的方法在磁場(chǎng)中進(jìn)行成膜。如上所述，能夠?qū)⒈景l(fā)明所涉及的磁性薄膜的成膜方法以及成膜裝置應(yīng)用于隧道磁電阻元件的制造裝置中，從而得到具有改進(jìn)了易磁化軸的偏差的磁性薄膜的隧道磁電阻元件。產(chǎn)業(yè)上的可利用性本發(fā)明所涉及的成膜方法不僅作為由濺射裝置進(jìn)行的成膜方法而應(yīng)用，還能夠作為由具備了干蝕刻裝置、等離子體引導(dǎo)裝置、CVD裝置以及液晶顯示器制造裝置等的真空容器的等離子體處理裝置應(yīng)用為成膜方法。
1權(quán)利要求
1.一種等離子體處理裝置，將處理氣體導(dǎo)入到可抽成真空的腔室內(nèi)部，對(duì)陰極施加放電電壓而使陰極與基板保持件之間產(chǎn)生等離子體放電，對(duì)安裝于上述陰極的靶進(jìn)行濺射來在基板的處理面形成含有磁性薄膜的薄膜，該等離子體處理裝置的特征在于，具備基板保持件，其支承上述基板；磁體保持件，其被配置在上述基板保持件的周圍，支承磁體，該磁體在上述基板的處理面形成磁場(chǎng)；陰極部件，其被配置在上述基板保持件的上方，被施加放電電壓； 旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，其能夠使上述基板保持件和上述磁體保持件中的至少一個(gè)或者兩者沿著上述基板的處理面的面方向旋轉(zhuǎn)；旋轉(zhuǎn)位置檢測(cè)單元，其檢測(cè)上述基板保持件或者/以及上述磁體保持件的旋轉(zhuǎn)位置；以及控制裝置，其控制隨著成膜處理而產(chǎn)生的各操作要素的動(dòng)作，其中，上述控制裝置根據(jù)上述旋轉(zhuǎn)位置檢測(cè)單元的檢測(cè)信號(hào)對(duì)上述基板保持件或者/ 以及上述磁體保持件的上述旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)進(jìn)行控制，以使在上述磁性薄膜的濺射成膜中使設(shè)定于上述基板的處理面的易磁化軸與由上述磁體施加的磁場(chǎng)之間的相對(duì)角度擺動(dòng)變化。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于，上述控制裝置控制上述相對(duì)角度在最大相對(duì)角度為士5度的范圍內(nèi)擺動(dòng)變化。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于，上述控制裝置以如下方式控制上述相對(duì)角度在上述磁性薄膜的成膜初期使上述相對(duì)角度在最大相對(duì)角度為士5度的范圍內(nèi)擺動(dòng)變化，且隨著成膜的進(jìn)行使上述相對(duì)角度的偏轉(zhuǎn)逐漸收斂。
4.一種薄膜器件的制造裝置，其特征在于，具備權(quán)利要求1 3中的任一項(xiàng)所述的等離子體處理裝置； 蝕刻腔室，其去除基板的處理面的雜質(zhì)； 氧化處理腔室，其對(duì)金屬薄膜進(jìn)行氧化處理；以及加載互鎖腔室，其在真空空間與大氣之間取出和放入上述基板， 其中，上述等離子體處理裝置、上述蝕刻腔室、上述氧化處理腔室、以及上述加載互鎖腔室通過具備真空輸送機(jī)構(gòu)的真空輸送腔室進(jìn)行連接。
5.一種磁性薄膜的成膜方法，將處理氣體導(dǎo)入到可抽成真空的腔室內(nèi)部，在基板周圍配置磁體，該磁體在該基板的處理面上形成磁場(chǎng)，對(duì)陰極施加放電電壓而使陰極與基板保持件之間產(chǎn)生等離子體放電，對(duì)安裝于上述陰極的靶進(jìn)行濺射來在基板處理面形成磁性薄膜，該磁性薄膜的成膜方法的特征在于，在上述磁性薄膜的濺射成膜中使設(shè)定于上述基板處理面的易磁化軸與由上述磁體施加的磁場(chǎng)之間的相對(duì)角度擺動(dòng)變化。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的磁性薄膜的成膜方法，其特征在于， 使上述相對(duì)角度在最大相對(duì)角度為士5度的范圍內(nèi)擺動(dòng)變化。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的磁性薄膜的成膜方法，其特征在于，以如下方式控制上述相對(duì)角度在上述磁性薄膜的成膜初期使上述相對(duì)角度在最大相對(duì)角度為士5度的范圍內(nèi)擺動(dòng)變化，且隨著成膜的進(jìn)行使上述相對(duì)角度的偏轉(zhuǎn)逐漸收斂。
8.一種成膜控制程序，其特征在于，使控制裝置執(zhí)行以下步驟，該控制裝置根據(jù)對(duì)支承基板的基板保持件或者/以及支承磁體的磁體保持件的旋轉(zhuǎn)位置進(jìn)行檢測(cè)的旋轉(zhuǎn)位置檢測(cè)單元的檢測(cè)信號(hào)對(duì)上述基板保持件或者/以及上述磁體保持件的旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)的旋轉(zhuǎn)進(jìn)行控制，其中，上述步驟為對(duì)上述基板以及上述磁體進(jìn)行定位，使得在與上述基板的標(biāo)記垂直的方向上形成磁場(chǎng)；在上述磁性薄膜的濺射成膜中使設(shè)定于上述基板的處理面的易磁化軸與由上述磁體施加的磁場(chǎng)之間的相對(duì)角度在最大士5度的范圍內(nèi)擺動(dòng)變化；以隨著成膜的進(jìn)行而相對(duì)角度的偏轉(zhuǎn)逐漸收斂的方式使上述相對(duì)角度擺動(dòng)變化；以及在上述定位的狀態(tài)下使上述基板靜止并進(jìn)行濺射成膜。
9.一種存儲(chǔ)介質(zhì)，能夠由計(jì)算機(jī)讀取，其特征在于，記錄了權(quán)利要求8所述的成膜控制程序。
全文摘要
提供一種等離子體處理裝置、磁電阻元件的制造裝置、磁性薄膜的成膜方法以及成膜控制程序，針對(duì)大口徑基板，改進(jìn)磁性薄膜的易磁化軸的偏差。等離子體處理裝置(1)具備基板保持件(11)，其支承基板(10)；磁體保持件(31)，其在基板保持件周圍支承磁體(30)；陰極部件(50)，其在基板上方施加放電電壓；旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)(20、40)，其沿著基板處理面的面方向能夠使基板保持件和磁體保持件中的至少一個(gè)或者兩者旋轉(zhuǎn)；旋轉(zhuǎn)位置檢測(cè)單元(25、45)，其檢測(cè)基板和磁體的旋轉(zhuǎn)位置；以及控制裝置(60)，其控制各操作要素的動(dòng)作，其中，控制裝置根據(jù)旋轉(zhuǎn)位置檢測(cè)單元的檢測(cè)信號(hào)對(duì)基板保持件或者/以及磁體保持件的旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)進(jìn)行控制以使在磁性薄膜的濺射成膜中使基板處理面的易磁化軸與由磁體施加的磁場(chǎng)之間的相對(duì)角度擺動(dòng)變化。
文檔編號(hào)C23C14/34GK102239276SQ20098014874
公開日2011年11月9日 申請(qǐng)日期2009年10月15日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月3日
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