專利名稱：等離子體處理裝置和基板處理方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及等離子體處理裝置和基板處理方法，特別涉及作為等離子體源使用微波的等離子體處理裝置和使用這樣的等離子體處理裝置進行的基板處理方法。
背景技術(shù)：
LSI (Large Scale Integrated circuit，大規(guī)模集成電路)等的半導體裝置，通過對半導體基板實施蝕刻或CVD (Chemical Vapor Deposition,化學氣相沉積)、濺鍍等的處理來制造。關(guān)于蝕刻或CVD、濺鍍等的處理，具有作為其能量供給源使用等離子體的處理方法，即等離子體蝕刻或等離子體CVD、等離子體濺鍍等。在此，在日本特開2006-179477號公報(專利文獻1)中公開有涉及在產(chǎn)生等離子體時使用微波的微波等離子體處理裝置的技術(shù)。按照專利文獻1，在圓形矩形導波管與圓極化轉(zhuǎn)換器之間的圓筒導波管與假負載(Dummy Load)連接。該假負載的軸線構(gòu)成為從反射體向圓極化轉(zhuǎn)換器的方向偏離微波的被反射體反射的駐波的管內(nèi)波長的1/4波長L。由此，通過假負載有效地吸收從徑向波導箱反射來的微波。現(xiàn)有技術(shù)文獻專利文獻專利文獻1 日本特開2006-179477號公報

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的問題對專利文獻1代表的現(xiàn)有技術(shù)中的一般的等離子體處理裝置的結(jié)構(gòu)簡單地進行說明。圖15是擴大表示現(xiàn)有技術(shù)中的一般的等離子體處理裝置的一部分的概略截面圖。此夕卜，在圖15中，將紙面上下方向作為裝置的上下方向。另外，在圖15中，在規(guī)定的地方形象地圖示有微波。參照圖15，等離子體處理裝置101具備在其內(nèi)部對被處理基板進行等離子體處理的處理容器；使微波透過到處理容器內(nèi)的圓板狀的電介質(zhì)板102 ；縫隙天線板103，其呈薄板圓板狀，設置有在板厚方向上貫通的多個縫隙孔(未圖示)，并配置于電介質(zhì)板102的上方側(cè)，對電介質(zhì)板102發(fā)射(輻射)微波；配置于縫隙天線板103的上方側(cè)，且在徑向傳播微波的圓板狀的滯波板104 ；配置于處理容器的外部且產(chǎn)生微波的微波發(fā)生器105 ；和向處理容器內(nèi)供給由微波發(fā)生器105產(chǎn)生的微波的微波供給單元106。微波供給單元106包括同軸導波管107，其設置為在上下方向上延伸，并與縫隙天線板103連接。同軸導波管107具備圓棒狀的內(nèi)導體108 ；和與內(nèi)導體108隔著徑向的間隙110并設置于內(nèi)導體108的外徑側(cè)的圓筒狀的外導體109。對于同軸導波管107，從確保使在電介質(zhì)板102的下方一側(cè)生成的等離子體的圓周方向上的均勻性的觀點出發(fā)，以內(nèi)導體108的徑向的中心與縫隙天線板103的徑向的中心一致的方式，與該縫隙天線板連接。另外，對于外導體109，設置為外導體109的徑向的中心與內(nèi)導體108的徑向的中心一致。在具有這樣的結(jié)構(gòu)的等離子體處理裝置101中，一般來講，構(gòu)成同軸導波管107的內(nèi)導體108和外導體109，各自以不同的方式制造。然后，將以不同的方式制造的內(nèi)導體108 和外導體109，組合為內(nèi)導體108的徑向的中心與外導體109的徑向的中心一致。然后，以使縫隙天線板103的徑向的中心與內(nèi)導體108的徑向的中心一致的方式，組裝到等離子體處理裝置101。此外，在圖15中，將表示內(nèi)導體108的徑向的中心的中心線用點劃線111表示，將表示外導體109的徑向的中心的中心線用雙點劃線112表示。在此，當形成同軸導波管107時，具體來講，當組合內(nèi)導體108和外導體109時，內(nèi)導體108的徑向的中心與外導體109的徑向的中心的位置產(chǎn)生偏差。該偏差用圖15中的長度尺寸X表示，實際上大約為0.05mm左右。此外，從容易理解的觀點出發(fā)，夸張地圖示有用長度尺寸X表示的偏差。當產(chǎn)生該偏差時，內(nèi)導體108與外導體109之間的徑向的間隙110的距離，在同軸導波管107的圓周方向的位置上，變得不同。于是，在同軸導波管107內(nèi)傳播的微波的強度， 在同軸導波管107的圓周方向的位置上，變得不同。其結(jié)果，傳播到電介質(zhì)板102的微波的強度在圓周方向上變得不均勻，導致在電介質(zhì)板102的下方側(cè)形成的電磁場分布偏斜。這樣的電磁場分布的偏斜，使在處理容器內(nèi)產(chǎn)生的等離子體產(chǎn)生在圓周方向上的不均勻，其結(jié)果，產(chǎn)生被處理基板的面內(nèi)的處理的不均勻。在此，在組裝同軸導波管107時，將內(nèi)導體108的中心與外導體109的中心的偏差降低到不使等離子體的不均勻產(chǎn)生的程度是非常困難的，并且也成為成本增大的主要原因。對于滯波板、電介質(zhì)板的安裝，也是同樣的。本發(fā)明的目的在于提供能夠使產(chǎn)生的等離子體在電介質(zhì)板的下表面?zhèn)茸兊镁鶆虻牡入x子體處理裝置。本發(fā)明的其他的目的在于提供能夠使被處理基板的面內(nèi)的處理變得均勻的基板處理方法。用于解決課題的方法本發(fā)明涉及的等離子體處理裝置具備處理容器，其上部側(cè)開口，且在其內(nèi)部對被處理基板進行等離子體處理；氣體供給部，其對處理容器內(nèi)供給等離子體處理用的氣體； 保持臺，其配置于處理容器內(nèi)，并在該保持臺的上方保持被處理基板；微波發(fā)生器，其產(chǎn)生等離子體激勵用的微波；電介質(zhì)板，其以覆蓋處理容器的開口的方式配置，密封處理容器， 并且使微波透過到處理容器內(nèi)；縫隙天線板，其設置有多個縫隙孔，且配置于電介質(zhì)板的上方側(cè)，向電介質(zhì)板發(fā)射微波；滯波板，其配置于縫隙天線板的上方側(cè)，使微波在徑向傳播； 和微波供給單元，其向縫隙天線板供給由微波發(fā)生器產(chǎn)生的微波。微波供給單元具備同軸導波管，其包括一個端部與縫隙天線板的中心連接的大致圓棒狀的內(nèi)導體，和與內(nèi)導體在徑向隔開間隙且設置于內(nèi)導體的外徑側(cè)的大致圓筒狀的外導體；和變更單元，其使內(nèi)導體的外周面的一部分與在徑向與內(nèi)導體的外周面的一部分相對的相對部在徑向的距離變更。根據(jù)這樣的等離子體處理裝置，即使在制造時等的同軸導波管的內(nèi)導體的中心與外導體的中心產(chǎn)生偏差，也能夠通過使內(nèi)導體的外周面的一部分與在徑向與內(nèi)導體的外周面的一部分相對的相對部在徑向的距離變更的變更單元，來調(diào)整內(nèi)導體的外周面的一部分與相對于內(nèi)導體的外周面的一部分的相對部的徑向的長度，使在同軸導波管傳播的微波的強度在圓周方向上為非對稱。因此，能夠消除由內(nèi)導體的中心與外導體的中心的偏差引起的在電介質(zhì)板形成的電磁場分布的圓周方向上的偏斜，使在處理容器內(nèi)產(chǎn)生的等離子體在電介質(zhì)板的下表面?zhèn)茸兊镁鶆?。在該情況下，也能夠?qū)缬蓽ò宓陌惭b誤差等引起的電磁場分布的圓周方向上的偏斜。其結(jié)果，能夠使被處理基板的面內(nèi)的處理變得均勻。優(yōu)選變更單元包括能夠從外導體側(cè)向內(nèi)導體側(cè)延伸出的短截線部件。還優(yōu)選短截線部件包括在外導體側(cè)被支承并設置為在徑向延伸的棒狀部；和對棒狀部的徑向的移動量進行調(diào)整的移動量調(diào)整部件。另外，短截線部件也可以構(gòu)成為在延伸方向上隔開間隔地設置多個同軸導波管。還優(yōu)選在圓周方向上隔開間隔地設置多個短截線部件。作為還優(yōu)選的一個實施方式，在圓周方向上以大致相等的間隔設置多個短截線部件。還優(yōu)選短截線部件之中的至少能夠位于間隙的部分的材質(zhì)是電介質(zhì)。作為還優(yōu)選的一個實施方式，在同軸導波管的軸方向上，滯波板的上方側(cè)的端部與短截線部件的距離為IOmm以下。作為還優(yōu)選的一個實施方式，變更單元能夠使內(nèi)導體的外周面的一部分與相對于該一部分的相對部在徑向的距離變更為4mm以下。還優(yōu)選微波發(fā)生器包括磁控管、隔離器和調(diào)諧器。在本發(fā)明的其他的方面，基板處理方法的特征在于準備一種等離子體處理裝置， 該等離子體處理裝置具備處理容器，其上部側(cè)開口，且在其內(nèi)部對被處理基板進行等離子體處理；氣體供給部，其向處理容器內(nèi)供給等離子體處理用的氣體；保持臺，其配置于處理容器內(nèi)，且在保持臺的上方保持被處理基板；微波發(fā)生器，其產(chǎn)生等離子體激勵用的微波； 電介質(zhì)板，其以覆蓋處理容器的開口的方式配置，密封處理容器，并且使微波透過到處理容器內(nèi)；縫隙天線板，其設置有多個縫隙孔，且配置于電介質(zhì)板的上方側(cè)，向電介質(zhì)板發(fā)射微波；滯波板，其配置于縫隙天線板的上方側(cè)，在徑向傳播微波；和微波供給單元，向縫隙天線板供給由微波發(fā)生器產(chǎn)生的微波，微波供給單元具備同軸導波管，其包括一個端部與縫隙天線板的中心連接的大致圓棒狀的內(nèi)導體，和與內(nèi)導體在徑向隔開間隙且設置于內(nèi)導體的外徑側(cè)的大致圓筒狀的外導體；和變更單元，其使內(nèi)導體的外周面的一部分與在徑向與內(nèi)導體的外周面的一部分相對的相對部在徑向的距離變更，將被處理基板保持在保持臺， 通過微波發(fā)生器產(chǎn)生微波，通過變更單元，使內(nèi)導體的外周面的一部分與在徑向與內(nèi)導體的外周面的一部分相對的相對部在徑向的距離變更，使在處理容器內(nèi)產(chǎn)生的等離子體在電介質(zhì)板的下表面?zhèn)茸兊镁鶆?，并對被處理基板進行等離子體處理。根據(jù)這樣的基板處理方法，能夠使被處理基板的面內(nèi)的處理變得均勻。發(fā)明效果根據(jù)這樣的等離子體處理裝置，即使在制造時等的同軸導波管的內(nèi)導體的中心與外導體的中心產(chǎn)生偏差，通過使內(nèi)導體的外周面的一部分與在徑向與內(nèi)導體的外周面的一部分相對的相對部在徑向的距離變更的變更單元，來對內(nèi)導體的外周面的一部分與相對于內(nèi)導體的外周面的一部分的相對部的徑向的長度進行調(diào)整，能夠使在同軸導波管傳播的微波的強度在圓周方向上為非對稱。因此，能夠除去因內(nèi)導體的中心與外導體的中心的偏差而引起并在電介質(zhì)板形成的電磁場分布的圓周方向的偏斜，使在處理容器內(nèi)產(chǎn)生的等離子體在電介質(zhì)板的下表面?zhèn)茸兊镁鶆?。在該情況下，也能夠?qū)缫驕ò宓陌惭b誤差等引起的電磁場分布的圓周方向上的偏斜。其結(jié)果，能夠使被處理基板的面內(nèi)的處理變得均勻。另外，根據(jù)這樣的基板處理方法，能夠使被處理基板的面內(nèi)的處理變得均勻。


圖1是表示本發(fā)明的一個實施方式涉及的等離子體處理裝置的主要部分的概略截面圖。圖2是擴大地表示圖1所示的等離子體處理裝置具備的同軸導波管的附近的概略截面圖。圖3是從圖1中的箭頭III的方向觀察圖1所示的等離子體處理裝置具備的縫隙天線板的圖。圖4是用圖2中的IV-IV切斷圖1所示的等離子體處理裝置具備的同軸導波管時的截面圖。圖5用與軸垂直的平面切斷未設置有短截線部件時的同軸導波管的概略截面圖。圖6是表示在圖5中圖示的電力線的一維等效電路的概略圖。圖7用與軸垂直的平面切斷設置有短截線部件時的同軸導波管的概略截面圖。圖8是表示在圖7中圖示的電力線的一維等效電路的概略圖。圖9是本發(fā)明的一個實施方式涉及的等離子體處理裝置具備的設置有6個短截線部件的同軸導波管的截面圖，是表示各短截線部件的位置的圖。圖10是表示電介質(zhì)板的各方向的相對能量積分值的圖，表示一部分的短截線部件的前端與內(nèi)導體的外周面的距離為基準距離的情況。圖11是表示電介質(zhì)板的各方向的相對能量積分值的圖，表示一部分的短截線部件的前端與內(nèi)導體的外周面的距離為6mm的情況。圖12是表示電介質(zhì)板的各方向的相對能量積分值的圖，一部分的短截線部件的前端與內(nèi)導體的外周面的距離為4mm的情況。圖13是表示電介質(zhì)板的各方向的相對能量積分值的圖，一部分的短截線部件的前端與內(nèi)導體的外周面的距離為2mm的情況。圖14是擴大表示本發(fā)明的其他的實施方式涉及的等離子體處理裝置具備的同軸導波管的附近的概略截面圖。圖15是擴大表示現(xiàn)有技術(shù)中的一般的等離子體處理裝置具備的同軸導波管的附近的概略截面圖。圖16是表示微波發(fā)生器的結(jié)構(gòu)的概略圖。圖17是表示本發(fā)明的另外其他的實施方式涉及的等離子體處理裝置的主要部分的概略截面圖。圖18是擴大表示圖17所示的等離子體處理裝置具備的同軸導波管的附近的概略截面圖。
具體實施方式
以下，參照附圖對本發(fā)明的實施方式進行說明。圖1是表示本發(fā)明的一個實施方式涉及的等離子體處理裝置的主要部分的概略截面圖。圖2是擴大表示圖1所示的等離子體處理裝置具備的同軸導波管的附近的概略截面圖。圖3是從圖1中的箭頭III的方向觀察圖1所示的等離子體處理裝置具備的縫隙天線板的圖。圖4是用圖2中的IV-IV切斷圖 1所示的等離子體處理裝置具備的同軸導波管時的截面圖。此外，在圖1和圖2中，將紙面上下方向作為裝置的上下方向。另外，本申請說明書中，徑向是指圖4的從同軸導波管包括的內(nèi)導體朝向外導體的方向。參照圖1 圖4，等離子體處理裝置11具備處理容器12，其上部側(cè)開口，且在其內(nèi)部對被處理基板W進行等離子體處理；氣體供給部13，其向處理容器12內(nèi)供給等離子體激勵用的氣體和等離子體處理用的氣體；保持臺14，其配置于處理容器12內(nèi)，且在該保持臺的上方保持被處理基板W ；微波發(fā)生器15，其配置于處理容器12的外部，產(chǎn)生等離子體激勵用的微波；電介質(zhì)板16，其以覆蓋處理容器12的開口方式配置，密封處理容器12，并且使微波透過到處理容器12內(nèi)；薄板狀的縫隙天線板18，其設置有多個縫隙孔17，并配置于電介質(zhì)板16的上方側(cè)，向電介質(zhì)板16發(fā)射微波；滯波板19，其配置于縫隙天線板18的上方側(cè)，并在徑向傳播微波；微波供給單元20，向處理容器12內(nèi)供給由微波發(fā)生器15產(chǎn)生的微波；和對離子體處理裝置11的整體進行控制的控制部(未圖示)?？刂撇靠刂茪怏w供給部 13中的氣體流量、處理容器12內(nèi)的壓力等的、用于對被處理基板W進行等離子體處理的工序條件。此外，對于微波發(fā)生器15，用圖1中的點劃線表示。處理容器12包括位于保持臺14的下方側(cè)的底部21 ；和從底部21的外周部向上方延伸的側(cè)壁22。側(cè)壁22為圓筒狀。在處理容器12的底部21的徑向的中央側(cè)，設置有排氣用的排氣孔23。處理容器12的上部側(cè)開口，通過配置于處理容器12的上部側(cè)的電介質(zhì)板16和介于電介質(zhì)板16與處理容器12之間的作為密封部件的0形環(huán)M，使處理容器12 構(gòu)成為能夠密封。此外，上述的氣體供給部13的一部分設置為埋入側(cè)壁22，從處理容器12 的外部向處理容器12內(nèi)供給氣體。電介質(zhì)板16的下方側(cè)的面25是平坦的。電介質(zhì)板16的材質(zhì)是電介質(zhì)。作為電介質(zhì)板16的具體的材質(zhì)舉例有石英和氧化鋁等?？p隙天線板18的板厚方向的兩面各自是平坦的。在縫隙天線板18設置有在板厚方向上貫通的多個縫隙孔17?？p隙孔17構(gòu)成為以2個矩形狀的開口部為一對地呈大致T 字狀地配置。設置的縫隙孔17大致分為配置于內(nèi)周側(cè)的內(nèi)周側(cè)縫隙孔群；和配置于外周側(cè)的外周側(cè)縫隙孔群26b。內(nèi)周側(cè)縫隙孔群^a是設置在由圖3中的虛線圍成的范圍內(nèi)的8個縫隙孔17。外周側(cè)縫隙孔群^b是設置在由圖3中的點劃線圍成的范圍內(nèi)的16 個縫隙孔17。在內(nèi)周側(cè)縫隙孔群^a中，8個縫隙孔17各自等間隔地配置為環(huán)狀。在外周側(cè)縫隙孔群中，16個縫隙孔17各自等間隔地配置為環(huán)狀?？p隙天線板18具有以徑向的中心28為中心的旋轉(zhuǎn)對稱性，例如與以中心28為中心旋轉(zhuǎn)45°而呈的形狀相同。在滯波板19的中央設置有開口，該開口用于配置后述的同軸導波管31所具備的內(nèi)導體32。形成開口的周圍的滯波板19的內(nèi)徑側(cè)的端部向板厚方向突出。S卩，滯波板19 具備從內(nèi)徑側(cè)的端部向板厚方向突出的環(huán)狀的滯波板突出部27。滯波板突出部27安裝在滯波板19的上側(cè)。滯波板19的材質(zhì)是電介質(zhì)。作為滯波板19的具體的材質(zhì)舉例有石英和氧化鋁等。在滯波板19的內(nèi)部傳播的微波的波長，比在大氣中傳播的微波的波長短。
電介質(zhì)板16、縫隙天線板18和滯波板19都為圓板狀。在制造等離子體處理裝置 11時，以各自使電介質(zhì)板16的徑向的中心、縫隙天線板18的徑向的中心觀和滯波板19的徑向的中心都一致的方式制造。由此，使從中心側(cè)向外徑側(cè)傳播的微波在圓周方向上的微波傳播程度相同，以確保在電介質(zhì)板16的下方側(cè)產(chǎn)生的等離子體的圓周方向上的均勻性。 此外，在此，以縫隙天線板18的徑向的中心觀為基準。微波供給單元20具備同軸導波管31，該同軸導波管具備一個端部35與縫隙天線板18的中心觀連接的大致圓棒狀的內(nèi)導體32 ；和與內(nèi)導體32在徑向隔開間隙34地設置于內(nèi)導體32的外徑側(cè)的大致圓筒狀的外導體33。S卩，以內(nèi)導體32的外周面36與外導體33的內(nèi)周面37相對的方式組合內(nèi)導體32和外導體33，并構(gòu)成同軸導波管31。同軸導波管31被設置為在圖1中的紙面上下方向上延伸。內(nèi)導體32和外導體33各自以不同的方式制造。而且，被組合為使內(nèi)導體32的徑向的中心與外導體33的徑向的中心一致。另外，微波供給單元20包括一個端部38與微波發(fā)生器15連接的導波管39 ；和轉(zhuǎn)換微波的模式的模式轉(zhuǎn)換器40。導波管39設置為在橫方向上延伸，具體來講在圖1中的紙面左右方向上。此外，作為導波管39，使用截面為圓形形狀的導波管或截面為矩形形狀的導波管。在此，對微波發(fā)生器15的詳情進行簡單說明，如以下所述。圖16是表示微波發(fā)生器15的結(jié)構(gòu)的概略圖。參照圖16，微波發(fā)生器15具備在最上游側(cè)產(chǎn)生微波的磁控管^a ； 隔離器^b，其設置于磁控管29a的下游側(cè)，在向下游側(cè)供給由磁控管29a生成的微波時，其除去從下游側(cè)反射來的反射波；和4E調(diào)諧器^c，其配置于隔離器^b的下游側(cè)，在向下游側(cè)傳播由磁控管29a生成的微波時，作為對微波的相位進行調(diào)整的匹配單元。此外，在此， 將微波傳播的方向設為從上游到下游。即，磁控管29a位于最上游，隔離器^b、4E調(diào)諧器 29c依次位于下游側(cè)。4E調(diào)諧器29c被構(gòu)成為包括設置于微波的傳播方向，且從導波管向外徑側(cè)凹陷的4個凹部30a、30b、30c、30d ；和配置于4個凹部30a 30d的各自的內(nèi)部，能夠在徑向可動，且設為凹部30a 30d的蓋子那樣的形狀的4個可動短路板30e、30f、30g、 30h。在此所說的徑向是指圖16的上下方向。使4個可動短路板30e 30h各自在徑向移動，對在導波管39內(nèi)傳播的微波的相位進行調(diào)整。圖16的左側(cè)的端部30i與圖1的端部 38連接。在微波發(fā)生器15中產(chǎn)生的微波，經(jīng)由導波管39和同軸導波管31，被傳播到處理容器12內(nèi)。作為在微波發(fā)生器15中產(chǎn)生的微波的頻率，例如選擇2. 45GHz。例如，在微波發(fā)生器15產(chǎn)生的TE模式的微波，在導波管39內(nèi)向圖1中的箭頭八工所示的紙面左方傳播，通過模式轉(zhuǎn)換器40轉(zhuǎn)換向TEM模式。然后，被轉(zhuǎn)換為TEM模式微波， 在同軸導波管31內(nèi)向圖1中的箭頭A2所示的紙面下方傳播。具體來講，微波在形成有間隙；34的內(nèi)導體32與外導體33之間和在內(nèi)導體32與冷卻板突出部47之間傳播。在同軸導波管31傳播的微波，在滯波板19內(nèi)向徑向傳播，從設置于縫隙天線板18的多個縫隙孔 17發(fā)射到電介質(zhì)板16。透過電介質(zhì)板16的微波，在電介質(zhì)板16的正下方產(chǎn)生電場，使處理容器12內(nèi)生成等離子體。而且，等離子體處理裝置11具備電介質(zhì)板按壓環(huán)41，其配置于側(cè)壁22的開口側(cè)的上方端部的上方側(cè)，且從上方側(cè)按壓電介質(zhì)板16 ；按壓天線部件42，其配置于電介質(zhì)板按壓環(huán)41的上方側(cè)，且從上方側(cè)按壓縫隙天線板18 ；冷卻板43，其配置于滯波板19的上方側(cè)，且對滯波板19等進行冷卻；電磁遮蔽彈性體44，其配置為介于按壓天線部件42與冷卻板43之間，且在處理容器12內(nèi)外遮蔽電磁場；固定縫隙天線板18的外周部的外周固定環(huán) 45 ；和固定縫隙天線板18的中心的中心固定板46。在冷卻板43的中央，設置有用于配置同軸導波管31的開口。形成開口的周圍的冷卻板43的內(nèi)徑側(cè)的端部向板厚方向突出。即，冷卻板43具備從內(nèi)徑側(cè)的端部向板厚方向突出的環(huán)狀的冷卻板突出部47。冷卻板突出部47安裝在冷卻板43的上側(cè)。在冷卻板突出部47的上方側(cè)配置有圓筒狀的外導體33。冷卻板突出部47的上方側(cè)端部與外導體33的下方側(cè)端部抵接。在該情況下，外導體33的內(nèi)周面37與冷卻板突出部47的內(nèi)周面50相連，內(nèi)導體32的外周面36與外導體33的內(nèi)周面37的徑向的距離，與內(nèi)導體32的外周面36與冷卻板突出部47的內(nèi)周面50的徑向的距離相同。此外，在內(nèi)導體32與外導體33之間形成的間隙34位于上述的滯波板突出部27的上方側(cè)。另外，在冷卻板43的外周部分，設置有向電介質(zhì)板16側(cè)環(huán)狀地突出的滯波板定位部48。滯波板19的徑向的位置由滯波板定位部48決定。在設置有滯波板定位部48的徑向的位置，外周固定環(huán)45固定縫隙天線板18。此外，設置有收納凹部49，其在電介質(zhì)板16的上方側(cè)的面之中的徑向的中央，以自電介質(zhì)板16的上方側(cè)的面起減少板厚的方式凹陷，用于收納中心固定板46。在此，微波供給單元20具備短截線部件51，其作為使內(nèi)導體32的外周面36的一部分與在徑向的與內(nèi)導體32的外周面的一部分相對的相對部在此為冷卻板突出部47在徑向的距離變更的變更單元，能夠從外導體33側(cè)向內(nèi)導體32側(cè)延伸出。短截線部件51包括棒狀部52，其在外導體33側(cè)被支承，并被設置為在徑向延伸；和螺釘部53，其作為對棒狀部52的徑向的移動量進行調(diào)整的移動量調(diào)整部件。螺釘部 53設置于棒狀部52的外徑側(cè)端部。短截線部件51安裝于冷卻板突出部47。具體來講，在冷卻板突出部47設置有在徑向筆直地延伸貫通的螺釘孔M，通過螺合該螺釘孔M與螺釘部53，將短截線部件51安裝于冷卻板突出部47。即，短截線部件51，在外導體33側(cè)，通過與設置在冷卻板突出部47 的螺釘孔M螺合的螺釘部53而被支承。通過使螺釘部53旋轉(zhuǎn)，能夠使包括棒狀部52的短截線部件51整體在徑向移動。 在圖2中，短截線部件51能夠在紙面的左右方向上移動。另外，其移動量通過螺釘部53的旋轉(zhuǎn)量進行調(diào)整。短截線部件51在圓周方向上以大致相等的配置總共設置有6個(參照圖4)。艮口， 6個短截線部件配置為在圓周方向上的相鄰的短截線部件間的角度間隔為60°。6個短截線部件51各自獨立，能夠在徑向移動。即，能夠各自不同地調(diào)整各短截線部件51所包括的棒狀部52的前端部55的徑向的位置。根據(jù)這樣的等離子體處理裝置，即使在制造時等的同軸導波管的內(nèi)導體的中心與外導體的中心產(chǎn)生偏差，通過使內(nèi)導體的外周面的一部分與在徑向與內(nèi)導體的外周面的一部分相對的相對部在徑向的距離變更的變更單元，來調(diào)整內(nèi)導體的外周面的一部分與相對于內(nèi)導體的外周面的一部分的相對部在徑向的長度，能夠?qū)⒃谕S導波管傳播的微波的強度設為在圓周方向上非對稱。因此，消除由內(nèi)導體的中心與外導體的中心的偏差引起的、在電介質(zhì)板形成的電磁場分布的圓周方向上的偏斜，能夠使在處理容器內(nèi)產(chǎn)生的等離子體在電介質(zhì)板的下表面?zhèn)茸兊镁鶆颉Ｔ谠撉闆r下，也能夠?qū)缬蓽ò宓陌惭b誤差等引起的電磁場分布的圓周方向上的偏斜。其結(jié)果，能夠使被處理基板的面內(nèi)中的處理變得均勻。S卩，本發(fā)明的一個實施方式涉及的基板處理方法，準備一種等離子體處理裝置，該等離子體處理裝置具備處理容器，其上部側(cè)開口，且在其內(nèi)部對被處理基板進行等離子體處理；氣體供給部，其向處理容器內(nèi)供給等離子體激勵用的氣體和等離子體處理用的氣體； 保持臺，其配置于處理容器內(nèi)，且在該保持臺的上方保持被處理基板；產(chǎn)生等離子體激勵用的微波的微波發(fā)生器；電介質(zhì)板，其以覆蓋處理容器的開口的方式配置，密封處理容器，并且使微波透過到處理容器內(nèi)；縫隙天線板，其設置有多個縫隙孔，并配置于電介質(zhì)板的上方側(cè)，向電介質(zhì)板發(fā)射微波；滯波板，其配置于縫隙天線板的上方側(cè)，在徑向傳播微波；和向縫隙天線板供給由微波發(fā)生器產(chǎn)生的微波的微波供給單元，微波供給單元具備同軸導波管，其包括一個端部與縫隙天線板的中心連接的大致圓棒狀的內(nèi)導體，和與內(nèi)導體在徑向隔開間隙且設置于內(nèi)導體的外徑側(cè)的大致圓筒狀的外導體；和變更單元，其使內(nèi)導體的外周面的一部分與在徑向與內(nèi)導體的外周面的一部分相對的相對部在徑向的距離變更，此后將被處理基板保持在保持臺，通過微波發(fā)生器產(chǎn)生微波，通過變更單元，使內(nèi)導體的外周面的一部分與在徑向與內(nèi)導體的外周面的一部分相對的相對部在徑向的距離變更，使在處理容器內(nèi)產(chǎn)生的等離子體在電介質(zhì)板的下表面?zhèn)茸兊镁鶆?，并對所述被處理基板進行等離子體處理。在此，對本申請發(fā)明的原理進行說明。圖5是表示未設置有短截線部件的現(xiàn)有技術(shù)中的同軸導波管內(nèi)的電力線的模式圖。圖6是表示圖5所示的虛線上的圖5所示的電力線的一維等效電路的概念圖。圖7是表示設置有短截線部件的本申請發(fā)明涉及的同軸導波管內(nèi)的電力線的模式圖。圖8是表示圖7所示的虛線上的圖7所示的電力線的一維等效電路的概念圖。此外，上述的電力線的總根數(shù)取決于微波的功率。另外，從容易理解的觀點出發(fā)，僅表示同軸導波管所包括的內(nèi)導體和外導體。參照圖5和圖6，在沒有短截線部件的情況下，在同軸導波管61內(nèi)，從內(nèi)導體62向外導體63延伸的電力線64，在圓周方向上是均勻的。即使在一維等效電路65中，左右的電容器66、67的電容也相同。這樣的電力線64，在內(nèi)導體62的徑向的中心與外導體63的徑向的中心幾乎完全一致的情況下產(chǎn)生。在此，當內(nèi)導體62的徑向的中心與外導體63的徑向的中心產(chǎn)生偏差時，導致上述的電力線64的平衡崩潰。于是，其結(jié)果，導致產(chǎn)生的等離子體的圓周方向上的均勻性被損害。在該情況下，為了確保產(chǎn)生的等離子體的圓周方向上的均勻性，只能夠重新組裝，以使得如圖5所示的內(nèi)導體62的徑向的中心與外導體63的徑向的中心幾乎完全一致。具體來講，表示上述的圖15所示的徑向的中心間的偏差的長度尺寸X為0. Olmm的水平。另一方面，參照圖7和圖8，在設置有短截線部件的本申請發(fā)明中，在同軸導波管 71的內(nèi)導體72的徑向的中心與外導體73的徑向的中心產(chǎn)生偏差的情況下，變更短截線部件74的徑向的距離。如果存在內(nèi)導體72的外周面與其他部件，在此與短截線部件74的徑向的距離的較短的部分時，則電力線75在該部分集中。于是，在一維等效電路76中，相對左側(cè)的電容器77，右側(cè)的電容器78因圖8中的用剖面線79表示的短截線部件74的影響而其電容變大。因此，變更短截線部件74的徑向的移動量，具體來講內(nèi)導體72的外周面與短截線部件74的徑向的距離，調(diào)整電力線75的圓周方向上的平衡，以確保產(chǎn)生的等離子體的圓周方向上的均勻性。接著，對變更短截線部件與內(nèi)導體的距離時的影響進行說明。圖9是同軸導波管的截面圖，表示各短截線部件的位置。此外，圖9所示的截面相當于使圖4所示的截面向左旋轉(zhuǎn)90度的圖。圖10、圖11、圖12和圖13各自是表示電介質(zhì)板的各方向上的基于模擬結(jié)果的相對能量積分值的圖。具體來講，圖10 圖13中的徑向的數(shù)值是由如下方法所求得的值將電介質(zhì)板分割為圓周方向上的6個區(qū)域，計算各區(qū)域中的電場強度能量積分值，用電場強度能量積分值的6個區(qū)域中的平均值除去各區(qū)域的電場強度能量積分值。此外，在該計算中，縫隙孔的配置，雖然使用具有旋轉(zhuǎn)60°也得到相同形狀的旋轉(zhuǎn)對稱性的模型，但縫隙孔的旋轉(zhuǎn)對稱性和短截線部件的旋轉(zhuǎn)對稱性并不一定必須相同。在圖9的短截線部件付加的號碼和在圖10 圖13的電介質(zhì)的能量積分值的徑向的各軸付加的號碼，表示相同的圓周方向上的位置。即，圖9所示的號碼1的短截線部件的位置表示圓周方向上的相同位置的電介質(zhì)板的區(qū)域。圖10表示全部的短截線部件的位置相同的情況，并以此為基準。圖11表示號碼1、2、3的短截線部件的前端部與內(nèi)導體的外周面的距離為6mm的情況。圖12表示號碼1、2、3的短截線部件的前端部與內(nèi)導體的外周面的距離為4mm的情況。圖13表示號碼1、2、3的短截線部件的前端部與內(nèi)導體的外周面的距離為2mm的情況。另外，關(guān)于圓周方向上的均勻性，圖10中的1 ο的值為0. 8%，圖11中的1σ的值為1.9%，圖12中的1σ的值為3. 8%，圖13中的1 σ的值為7.6%。其中，σ 表示標準偏差。參照圖9 圖13，當變更短截線部件的位置時，具體來講，當使棒狀部的前端部與內(nèi)導體的外周面的距離變更時，電介質(zhì)板的相對能量積分值變大。在此，制造時的內(nèi)導體的徑向的中心與外導體的徑向的中心產(chǎn)生偏離，即使相對能量積分值與圖10所示的情況相差較大，也能夠使短截線部件在徑向移動，來調(diào)整各區(qū)域的相對能量積分值。而且，即使不重新組裝內(nèi)導體和外導體，也能夠接近圖10所示的基準。即，能夠使產(chǎn)生的等離子體在電介質(zhì)板的下表面?zhèn)茸兊镁鶆?。此外，作為短截線部件的材質(zhì)，優(yōu)選短截線部件之中的至少能夠位于間隙的部分的材質(zhì)為電介質(zhì)。由此，能夠?qū)崿F(xiàn)短截線部件的長壽命化。作為電介質(zhì)，例如舉例有石英和氧化鋁等。當然，短截線部件的整體也可以由金屬構(gòu)成。另外，優(yōu)選在同軸導波管的軸方向上，滯波板的上方側(cè)的端部與短截線部件的距離為IOmm以內(nèi)。具體來講，再次參照圖2，在圖2所示的截面中，將短截線部件51所具備的棒狀部52的軸方向的中心線56與滯波板突出部47的上方側(cè)的端部57的軸方向的距離L1 設為IOmm以內(nèi)。在上述結(jié)構(gòu)的等離子體處理裝置11中，較強地受到同軸導波管31的下方側(cè)區(qū)域的電磁場的強度分布的影響。在此，當距離L1比IOmm長時，圓周方向的呈非對稱的微波的強度有可能再次對稱，即恢復原狀。因此，通過這樣的結(jié)構(gòu)，能夠更加有效地使電磁場分布在圓周方向上變得均勻。在本實施例中，表示有短截線部件的延伸方向為水平方向，即短截線部件在徑向筆直地延伸的例子，但如圖14所示的方式，短截線部件的延伸方向也可以為斜下方。圖 14是擴大表示該情況下的等離子體處理裝置的同軸導波管的附近的概略截面圖，與圖2相當。參照圖14，在本發(fā)明的其他的實施方式涉及的等離子體處理裝置81所具備的冷卻板 82的冷卻板突出部83，設置有多個螺釘孔84，該多個螺釘孔以向內(nèi)徑側(cè)為下側(cè)的斜下方延伸的方式貫通冷卻板突出部83的一部分。而且，各螺釘孔84被以短截線部件85向斜下方延伸的方式安裝。通過這樣的結(jié)構(gòu)，短截線部件85起作用的點在于具體來講，能夠使短截線部件85的前端部分接近滯波板19。為了消除電磁場分布的圓周方向上的偏斜，優(yōu)選能夠在盡可能接近滯波板19的位置進行調(diào)整。因此，通過將短截線部件85設置為能夠向斜下方延伸，能夠更加有效地進行電磁場分布的圓周方向上的調(diào)整。在該情況下，短截線部件85和滯波板86設置為當延伸短截線部件85時，短截線部件85的前端部87與滯波板突出部88的上方側(cè)的端部89之間的距離L3為IOmm以下即可。此外，在上述的結(jié)構(gòu)的等離子體處理裝置中，優(yōu)選變更單元構(gòu)成為能夠使內(nèi)導體的外周面的一部分與相對于該一部分的部分在徑向的距離變更為4mm以下。具體來講，參照圖2， 構(gòu)成為能夠使內(nèi)導體32的外周面36與短截線部件51所具備的棒狀部52的前端部55在徑向的距離L2變更為4mm以下。由此，能夠在更加寬的范疇內(nèi)提高圓周方向上的等離子體的均勻性。另外，在上述的實施方式中，短截線部件在冷卻板突出部被支承，但不限定于此， 也可以為在外導體被支承的結(jié)構(gòu)。具體來講，在外導體設置在徑向貫通的螺釘孔，使該螺釘孔與螺釘部螺合地安裝短截線部件。在該情況下，與內(nèi)導體的外周面的一部分相對的相對部為外導體的內(nèi)周面的一部分。此外，在本實施例中，短截線部件設為具有旋轉(zhuǎn)對稱性的等間隔的配置，但如果具有旋轉(zhuǎn)對稱性，則短截線部件的配置也可以不為等間隔。另外，在上述的實施方式中，短截線部件在圓周方向合計設置6個，但不限定于該個數(shù)，例如也可以是4個、8個等，按照需要設置任意個數(shù)的短截線部件。此外，在上述的實施方式中，在同軸導波管的延伸方向上設置一個，即在上下方向的相同位置設置6個短截線部件，但不限定于此，也可以在同軸導波管的延伸方向隔開間隔地設置多個短截線部件。當設置作為電磁場調(diào)整單元的短截線部件時，微波的一部分通過上述的棒狀部向上方向反射。在此，有可能產(chǎn)生用入射波的電場強度除去反射波的電場強度而得到的值所表示的反射率的部分的功率損失，并且有可能因該反射波的影響，而使得電磁場的調(diào)整變得復雜，難以使得電磁場分布變得均勻。于是，通過在同軸導波管的延伸方向隔開間隔地設置多個短截線部件，能夠較大地降低因短截線部件而產(chǎn)生的反射波的影響，使電磁場的調(diào)整變得容易，使電磁場分布在圓周方向上更加均勻。對此，進行具體說明。圖17是表示該情況下的等離子體處理裝置的一部分的截面圖，是與圖2相當?shù)慕孛?。參照圖17，在本發(fā)明的進一步其他的實施方式涉及的等離子體處理裝置91中，在圖17的上下方向上設置有2個短截線部件群92a、92b。在下方側(cè)設置的作為電磁場調(diào)整機構(gòu)的第一短截線部件群92a，與被設置于圖1所示的等離子體處理裝置11 的情況相同地，設置于冷卻板43之中的冷卻板突出部47。第一短截線部件群9 之中的各短截線部件是與設置于圖1所示的等離子體處理裝置的短截線部件相同的結(jié)構(gòu)。即，第一短截線部件群9 所具備的各短截線部件是具備螺釘部和棒狀部的結(jié)構(gòu)，該螺釘部和棒狀部設置為能夠在徑向延伸出，且在徑向筆直地延伸，與在冷卻板突出部47設置的螺釘孔螺合。另一方面，在上方側(cè)設置的作為反射波補償機構(gòu)的第二短截線部件群92b，設置于同軸導波管31之中的外導體33。第二短截線部件群92b所具備的各短截線部件，也是與第一短截線部件群9 所具備的各短截線部件相同的結(jié)構(gòu)，且是具備螺釘部和棒狀部的結(jié)
1構(gòu)，該螺釘部和棒狀部設置為能夠在徑向延伸出，且在徑向筆直地延伸，與在外導體33設置的螺釘孔螺合。關(guān)于2個短截線部件群之中的第一短截線部件群92a，與圖1所示的情況相同地在圓周方向上大致相等間隔地設置有6個短截線部件。關(guān)于第二短截線部件群92b，也在圓周方向上大致相等間隔地設置有6個短截線部件。此外，在此所說的2個短截線部件群表示在上下方向上各自隔開間隔地設置有由在圓周方向隔開間隔地設置的6個短截線部件構(gòu)成的短截線部件的群。關(guān)于第一和第二短截線部件群92a、92b之中的設置各短截線部件的圓周方向上的位置，構(gòu)成為第一短截線部件群9 之中的各短截線部件和第二短截線部件群92b之中的各短截線部件形成于相同位置。即，構(gòu)成為在從圖17的上方觀察的情況下，能夠看見圖 4所示的那樣，即能夠看見第一短截線部件群9 之中的各自的短截線部件與第二短截線部件群92b之中的各自的短截線部件重疊。另外，關(guān)于第一短截線部件群92a與第二短截線部件群92b的上下方向的間隔，即第一短截線部件群9 與第二短截線部件群92b之間的距離L4，構(gòu)成為同軸導波管31的管內(nèi)波長的四分之一。第一短截線部件群9 與第二短截線部件群92b之間的距離L4,是圖17中的由點劃線表示的第一短截線部件群9 的軸方向即上下方向的中央的位置與圖17中的由雙點劃線表示的第二短截線部件群92b的上下方向的中央的位置之間的距離。另外，第一短截線部件群9 所具備的各短截線部件的微波的反射率與第二短截線部件群92b所具備的各短截線部件的微波的反射率相同。第一和第二短截線部件群92a、92b所具備的各短截線部件的材質(zhì)，例如是氧化鋁和金屬等。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，通過作為電磁場調(diào)整機構(gòu)起作用的第一短截線部件群9 和作為反射波補償機構(gòu)起作用的第二短截線部件群92b，能夠更加有效地使電磁場分布變得均勻。此外，關(guān)于與圖1和圖2所示的等離子體處理裝置11同樣的結(jié)構(gòu)，在圖17和后述的圖 18中使用相同的符號進行表示，且省略它們的說明。在此，對上述的圖17所示的等離子體處理裝置91的原理進行說明。圖18是擴大表示圖17所示的等離子體處理裝置91所具備的同軸導波管31的附近的概略截面圖。此夕卜，從理解容易的觀點出發(fā)，在圖18中概略地圖示有第一和第二短截線部件群92a、92b的
結(jié)構(gòu)等。參照圖17和圖18，從上側(cè)向下方入射的入射波C1在到達作為電磁場調(diào)整機構(gòu)的第一短截線部件群9 所具備的短截線部件之后，其一部分作為反射波C2向上方反射。另夕卜，入射波D1在到達作為反射波補償機構(gòu)的第二短截線部件群92b所具備的短截線部件之后，其一部分作為反射波A向上方反射。在此，延遲了經(jīng)過第一短截線部件群9 與第二短截線部件群92b之間的距離L4的往返的距離所需的時間的反射波C2,與反射波&發(fā)生干涉。在該情況下，第一短截線部件群9 與第二短截線部件群92b之間的距離L4是同軸導波管31的管內(nèi)波長的四分之一，因此第一短截線部件群9 與第二短截線部件群92b之間的距離的往返的距離是同軸導波管31的管內(nèi)波長的二分之一。于是，各自的反射波C2、 D2的相位偏差180度。在此，由于第一短截線部件群9 所具備的短截線部件的反射率與第二短截線部件群92b所具備的短截線部件的反射率相同，因此反射波C2、D2恰好消除，能夠進行反射波的影響被很大地降低了的電磁場調(diào)整。因此能夠更加有效地均勻地供給電磁場。此外，上述的微波發(fā)生器15所具備的包括可動短路板30e 30h的4E調(diào)諧器^c，設置于導波管39，用于單獨地調(diào)整由磁控管^^產(chǎn)生的微波的相位，該4E調(diào)諧器，與設置于同軸導波管31，具備短截線部件，作為反射波補償機構(gòu)用于消除從配置于下游側(cè)的第一短截線部件群92a反射的反射波的第二短截線部件群92b相比較，其結(jié)構(gòu)有很大不同。在此，使第一短截線部件群9 所具備的短截線部件的反射率與第二短截線部件群92b所具備的短截線部件的反射率相同，但根據(jù)具體的實施方式，可以設置各自的反射率為0. 1 0. 2，總和的反射率為0. 03以下。但是，嚴密來講，上述的入射波C1被第二短截線部件群92b所具備的短截線部件反射一部分而變小。因此，考慮其影響，也可以變更第一短截線部件群9 所具備的短截線部件的反射率和第二短截線部件群92b所具備的短截線部件的反射率。此外，在上述的圖17所示的實施方式中，第一短截線部件群和第二短截線部件群的上下方向的間隔為同軸導波管的管內(nèi)波長的四分之一，但不限定于此，也可以為同軸導波管的管內(nèi)波長的四分之一的奇數(shù)倍。由此，也能夠使各自的反射波的相位偏差180度，能夠起到上述的效果。另外，即使與同軸導波管的管內(nèi)波長的四分之一的奇數(shù)倍稍微偏差，也能夠降低反射波的影響。另外，在上述的圖17所示的實施方式中，使第一短截線部件群所具備的各短截線部件的圓周方向上的位置與第二短截線部件群所具備的各短截線部件的圓周方向上的位置相同，但不限定于此，即使在圓周方向上稍微偏差也沒關(guān)系。另外，也可以使第一短截線部件群所具備的短截線部件的數(shù)量與第二短截線部件群所具備的短截線部件的數(shù)量不同。此外，在上述的圖17所示的實施方式中，第一和第二短截線部件群所具備的各短截線部件設置為在徑向筆直地延伸，但不限定于此，也可以使各短截線部件的延伸方向為斜下方。在該情況下，可以將在第一和第二短截線部件群中的任一群所具備的短截線部件的延伸方向設為斜下方，也可以將在第一和第二短截線部件群的雙方所具備的各短截線部件的延伸方向設為斜下方。此外，在上述的實施方式中，將短截線部件設為變更單元，但不限定于此，變更單元也可以為其他的結(jié)構(gòu)。即，例如可以在外導體的內(nèi)周面設置能夠在徑向延伸出且能夠調(diào)整延伸出的距離的突起部，并將其作為變更單元。另外，也可以設為以下那樣的結(jié)構(gòu)使外導體的外徑面凹進，根據(jù)該凹部變更外導體的內(nèi)周面與內(nèi)導體的外周面的距離。另外，在上述的實施方式中，在外導體側(cè)設置變更單元，但不限定于此，也可以在內(nèi)導體側(cè)設置變更單元。具體來講，該變更單元的結(jié)構(gòu)為設置在內(nèi)導體側(cè)，能夠使內(nèi)導體的外周面向外徑側(cè)即形成有間隙的方向延伸出，并能夠調(diào)整延伸出的距離?？梢栽O為這樣的結(jié)構(gòu)。另外，在上述的實施方式中，使電介質(zhì)板的下方側(cè)的表面平坦，但不限定于此例如，也可以在電介質(zhì)板的下方側(cè)的表面設置向電介質(zhì)板的內(nèi)方側(cè)即上側(cè)凹進的凹部。以上，參照附圖對本發(fā)明的實施方式進行了說明，但本發(fā)明并不限定于圖示的實施方式。對于圖示的實施方式，在與本發(fā)明相同的范圍內(nèi)或均等的范圍內(nèi)，可以添加各種修正和變形。產(chǎn)業(yè)上的可利用性本發(fā)明涉及的等離子體處理裝置，能夠有效地利用于在被處理基板的面內(nèi)要求進行均勻的等離子體處理的情況。
符號說明11、81、91等離子體處理裝置，12處理容器，13氣體供給部，14保持臺，15微波發(fā)生器，16電介質(zhì)板，17縫隙孔，18縫隙天線板，19,86滯波板，20微波供給單元，21底部，22側(cè)壁，23排氣孔，240形環(huán)，25面，26a 內(nèi)周側(cè)縫隙孔群，26b外周側(cè)縫隙孔群，27,88滯波板突出部，28中心，29a磁控管，29b隔離器，29c 4E調(diào)諧器，30a、30b、30c、30d凹部，30e、30f、 30g、30h可動短路板，31、61、71同軸導波管，32、62、72內(nèi)導體，33、63、73外導體，34間隙， 30i、35、38、57、89端部，36外周面，37、50內(nèi)周面，39導波管，40模式轉(zhuǎn)換器，41電介質(zhì)按壓環(huán)，42按壓天線部件，43、82冷卻板，44電池遮蔽彈性體，45外周固定環(huán)，46中心固定板，47、 83冷卻板突出部，48滯波板定位部，49收納凹部，51、74、85短截線部件，52棒狀部，53螺釘部，54、84螺釘孔，55、87前端部，56中心線，64、75電力線，65、76 —維等效電路，66、67、77、 78電容器，79剖面線，9h、92b短截線部件群。
權(quán)利要求
1.一種等離子體處理裝置，其特征在于，具備處理容器，其上部側(cè)開口，且在其內(nèi)部對被處理基板進行等離子體處理； 氣體供給部，其向所述處理容器內(nèi)供給等離子體處理用的氣體； 保持臺，其配置于所述處理容器內(nèi)，且在所述保持臺的上方保持所述被處理基板； 微波發(fā)生器，其產(chǎn)生等離子體激勵用的微波；電介質(zhì)板，其以覆蓋所述處理容器的開口的方式配置，密封所述處理容器，并且使微波透過到所述處理容器內(nèi)；縫隙天線板，其設置有多個縫隙孔，且配置于所述電介質(zhì)板的上方側(cè)，向所述電介質(zhì)板發(fā)射微波；滯波板，其配置于所述縫隙天線板的上方側(cè)，在徑向傳播微波；和微波供給單元，向所述縫隙天線板供給由所述微波發(fā)生器產(chǎn)生的微波， 所述微波供給單元具備同軸導波管，其包括一個端部與所述縫隙天線板的中心連接的大致圓棒狀的內(nèi)導體， 和與所述內(nèi)導體在徑向隔開間隙且設置于所述內(nèi)導體的外徑側(cè)的大致圓筒狀的外導體；和變更單元，其使所述內(nèi)導體的外周面的一部分與在徑向與所述內(nèi)導體的外周面的一部分相對的相對部在徑向的距離變更。
2.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于所述變更單元包括能夠從所述外導體側(cè)向所述內(nèi)導體側(cè)延伸出的短截線部件。
3.如權(quán)利要求2所述的等離子體處理裝置，其特征在于 所述短截線部件包括棒狀部，其在所述外導體側(cè)被支承，且設置為在徑向延伸；和移動量調(diào)整部件，其對所述棒狀部的徑向的移動量進行調(diào)整。
4.如權(quán)利要求2所述的等離子體處理裝置，其特征在于在所述同軸導波管的延伸方向上隔開間隔地設置有多個所述短截線部件。
5.如權(quán)利要求2所述的等離子體處理裝置，其特征在于 在圓周方向上隔開間隔地設置有多個所述短截線部件。
6.如權(quán)利要求5所述的等離子體處理裝置，其特征在于 在圓周方向上以大致相等的間隔設置有所述多個短截線部件。
7.如權(quán)利要求2所述的等離子體處理裝置，其特征在于所述短截線部件之中的至少能夠位于所述間隙的部分的材質(zhì)是電介質(zhì)。
8.如權(quán)利要求2所述的等離子體處理裝置，其特征在于在所述同軸導波管的軸方向上，所述滯波板的上方側(cè)的端部與所述短截線部件的距離為IOmm以下。
9.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于所述變更單元能夠使所述內(nèi)導體的外周面的一部分與相對于所述一部分的相對部在徑向的距離變更為4mm以下。
10.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于 所述微波發(fā)生器包括磁控管、隔離器和調(diào)諧器。
11.一種基板處理方法，其特征在于準備一種等離子體處理裝置，該等離子體處理裝置具備處理容器，其上部側(cè)開口，且在其內(nèi)部對被處理基板進行等離子體處理；氣體供給部，其向所述處理容器內(nèi)供給等離子體處理用的氣體；保持臺，其配置于所述處理容器內(nèi)，且在所述保持臺的上方保持所述被處理基板；微波發(fā)生器，其產(chǎn)生等離子體激勵用的微波；電介質(zhì)板，其以覆蓋所述處理容器的開口的方式配置，密封所述處理容器，并且使微波透過到所述處理容器內(nèi)；縫隙天線板，其設置有多個縫隙孔，且配置于所述電介質(zhì)板的上方側(cè)，向所述電介質(zhì)板發(fā)射微波；滯波板，其配置于所述縫隙天線板的上方側(cè)，在徑向傳播微波；和微波供給單元，向所述縫隙天線板供給由所述微波發(fā)生器產(chǎn)生的微波， 所述微波供給單元具備同軸導波管，其包括一個端部與所述縫隙天線板的中心連接的大致圓棒狀的內(nèi)導體， 和與所述內(nèi)導體在徑向隔開間隙且設置于所述內(nèi)導體的外徑側(cè)的大致圓筒狀的外導體；和變更單元，其使所述內(nèi)導體的外周面的一部分與在徑向與所述內(nèi)導體的外周面的一部分相對的相對部在徑向的距離變更， 將被處理基板保持在所述保持臺， 通過所述微波發(fā)生器產(chǎn)生微波，通過所述變更單元，使所述內(nèi)導體的外周面的一部分與在徑向與所述內(nèi)導體的外周面的一部分相對的相對部在徑向的距離變更，使在所述處理容器內(nèi)產(chǎn)生的等離子體在所述電介質(zhì)板的下表面?zhèn)茸兊镁鶆?，對所述被處理基板進行等離子體處理。
全文摘要
等離子體處理裝置(11)所具備的微波供給單元(20)具備短截線部件(51)，該短截線部件，作為使內(nèi)導體(32)的外周面(36)的一部分與在徑向與內(nèi)導體(32)的外周面的一部分相對的相對部在此為冷卻板突出部(47)在徑向的距離變更的變更單元，能夠從外導體(33)側(cè)向內(nèi)導體(32)側(cè)延伸出。短截線部件(51)包括在外導體(33)側(cè)被支承，且設置為在徑向延伸的棒狀部(52)；和作為對棒狀部(52)的徑向的移動量進行調(diào)整的移動量調(diào)整部件的螺釘部(53)。
文檔編號C23C16/511GK102484939SQ20108003715
公開日2012年5月30日 申請日期2010年8月16日 優(yōu)先權(quán)日2009年8月21日
發(fā)明者森田治, 石橋清隆 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社