專利名稱：電容式觸摸屏及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及觸摸屏，尤其涉及一種電容式觸摸屏及其制作方法。
背景技術(shù)：
目前，觸摸屏技術(shù)得到蓬勃發(fā)展。其中，觸摸屏技術(shù)包括一種電容觸摸屏，參見(jiàn)圖 1、圖2，現(xiàn)有菲林結(jié)構(gòu)的電容觸摸屏是在菲林上蝕刻ITO圖案后，再在ITO圖案的四周通過(guò)絲印銀漿的方法來(lái)做電極，絲印銀漿的厚度大概在10 μ m左右，菲林做成knsor后與Lens 貼合而成電容觸摸屏。當(dāng)手指接觸觸摸屏表面時(shí)，就會(huì)有一定量的電荷轉(zhuǎn)移到人體，為了恢復(fù)這些電荷損失，電荷從屏幕的四角補(bǔ)充進(jìn)來(lái)，各方向補(bǔ)充的電荷量和觸摸點(diǎn)的距離成比例，由此推算出觸摸點(diǎn)的位置?，F(xiàn)有技術(shù)中的這種采用絲印銀漿制導(dǎo)線的方法，具有如下缺占.1、絲印銀漿制成的導(dǎo)線，厚度約為ΙΟμπι，貼合時(shí)由于厚度大會(huì)造成氣泡不良；2、絲印銀漿制成的導(dǎo)線線條不夠均勻、精細(xì)，電阻均勻性不好，從而影響觸摸屏的性能；3、由于絲印技術(shù)的限制，絲印銀漿制成的導(dǎo)線，導(dǎo)線與導(dǎo)線之間的間距一般都在 80 μ m左右，這樣就使得觸摸屏上的觸摸視區(qū)較小。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明目的在于，提供一種電容式觸摸屏的制備方法，能夠降低導(dǎo)線厚度，改善制得的電容式觸摸屏的性能?；诖?，本發(fā)明還公開(kāi)一種電容式觸摸屏。為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明的一種電容式觸摸屏的制作方法，包括如下步驟在菲林上蝕刻圖案后，在圖案周?chē)捎缅兘饘倌さ姆绞街瞥蓪?dǎo)線，再將菲林與LENS貼合。優(yōu)選地，鍍金屬膜在真空下進(jìn)行。優(yōu)選地，鍍金屬膜的膜厚為0. 3 μ m 0. 6 μ m。優(yōu)選地，鍍金屬膜采用的金屬包括但不限于鉬、銅。本發(fā)明的一種電容式觸摸屏，采用如下方法制得在菲林上蝕刻圖案后，在圖案周?chē)捎缅兘饘倌さ姆绞街瞥蓪?dǎo)線，再將菲林與LENS貼合。優(yōu)選地，鍍金屬膜采用真空磁控濺射鍍膜機(jī)進(jìn)行。優(yōu)選地，鍍金屬膜的膜厚為0. 3 μ m 0. 6 μ m。優(yōu)選地，鍍金屬模采用的金屬包括但不限于鉬、銅。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明電容式觸摸屏的制作方法具有如下優(yōu)點(diǎn)1、本發(fā)明采用鍍膜方式制作的金屬導(dǎo)線厚度在0. 3 μ m 0. 6 μ m，遠(yuǎn)小于絲印銀漿的10 μ m，這樣可以降低貼合時(shí)由于厚度大造成的氣泡不良。2、采用鍍膜的方式制作的導(dǎo)線線條精細(xì)均勻，遠(yuǎn)高于絲印銀漿，電阻均勻性好，從而大大地提高了觸摸屏的性能。3、絲印銀漿導(dǎo)線由于絲印技術(shù)的限制，導(dǎo)線與導(dǎo)線之間的間距一般都在80μπι左右，而鍍膜的方法制作導(dǎo)線，導(dǎo)線線間距可以縮小到25 μ m，這樣就可以在相同尺寸的觸摸屏上有更大的觸摸視區(qū)。


圖1是現(xiàn)有技術(shù)中電容式觸摸屏的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)示圖；圖2為圖1中的放大圖；圖3為本發(fā)明電容式觸摸屏的制作方法的流程圖。
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明的技術(shù)方案更加清楚，以下結(jié)合附圖，通過(guò)具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。電容式觸摸屏的制作方法實(shí)施例參見(jiàn)圖3，本發(fā)明的電容式觸摸屏的制作方法，包括如下步驟Si、菲林基材準(zhǔn)備；S2、菲林絲印抗蝕刻保護(hù)膜，進(jìn)行ITO圖案蝕刻；S3、菲林上做完ITO圖案后，在真空磁控濺射鍍膜機(jī)中進(jìn)行鍍金屬膜；S4、在已鍍完金屬的菲林上進(jìn)行導(dǎo)線制作，即將鍍的金屬膜形成導(dǎo)線；S5、將做好導(dǎo)線的菲林貼合成半成品，綁定FPC，再與LENS貼合成成品。其中，鍍的金屬膜的膜厚為0. 3 μ m 0. 6 μ m。 其中，鍍金屬膜所采用的金屬為銅。在其他實(shí)施例中也可采用鉬。電容式觸摸屏優(yōu)選實(shí)施例本發(fā)明的電容式觸摸屏，其結(jié)構(gòu)與現(xiàn)有技術(shù)一致，其不同的點(diǎn)在于，形成導(dǎo)線的方式不同，形成導(dǎo)線的厚度與現(xiàn)有技術(shù)不同，形成的導(dǎo)線與導(dǎo)線的間距與現(xiàn)有技術(shù)不同。在本實(shí)施例中，本發(fā)明的電容式觸摸屏，采用如下方法制得1、菲林基材準(zhǔn)備；2、菲林絲印抗蝕刻保護(hù)膜，進(jìn)行ITO圖案蝕刻；3、菲林上做完ITO圖案后，在真空磁控濺射鍍膜機(jī)中進(jìn)行鍍金屬膜；4、在已鍍完金屬層的菲林上進(jìn)行導(dǎo)線制作，即將鍍的金屬膜形成導(dǎo)線；5、將做好導(dǎo)線的菲林貼合成半成品，綁定FPC，再與LENS貼合成成品。本發(fā)明由于采用鍍金屬膜形成導(dǎo)線的方式，因而相比于現(xiàn)有技術(shù)的絲印銀漿導(dǎo)線的方式，具有如下的優(yōu)點(diǎn)1、本發(fā)明摒棄現(xiàn)有技術(shù)中采用絲印銀漿制作導(dǎo)線的方式，采用鍍膜方式制作的金屬導(dǎo)線，其厚度能夠控制在0. 5 μ m左右，遠(yuǎn)小于現(xiàn)有技術(shù)中絲印銀漿導(dǎo)線的10 μ m的厚度， 這樣可以降低貼合時(shí)由于厚度大而造成的氣泡不良。2、本發(fā)明采用鍍膜的方式制作的導(dǎo)線線條精細(xì)均勻，遠(yuǎn)高于絲印銀漿，可以提供很好的電阻均勻性，從而大大的提高了觸摸屏的性能。3、現(xiàn)有技術(shù)中絲印銀漿導(dǎo)線由于絲印技術(shù)的限制，導(dǎo)線與導(dǎo)線之間的間距一般都在80 μ m左右，而本發(fā)明鍍膜的方法制作導(dǎo)線，線間距可以縮小到25 μ m，這樣就可以在相同尺寸的觸摸屏上有更大的觸摸視區(qū)。
由此可見(jiàn)，本發(fā)明得到的電容式觸摸屏，由于性能上的改善，具有較大的市場(chǎng)前景。以上僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出的是，上述優(yōu)選實(shí)施方式不應(yīng)視為對(duì)本發(fā)明的限制，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所確定的范圍為準(zhǔn)。對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，還可以做出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種電容式觸摸屏的制作方法，其特征在于，包括如下步驟在菲林上蝕刻圖案后， 在圖案周?chē)捎缅兘饘倌さ姆绞街瞥蓪?dǎo)線，再將菲林與LENS貼合。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容式觸摸屏的制作方法，其特征在于，鍍金屬膜在真空下進(jìn)行。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容式觸摸屏的制作方法，其特征在于，鍍金屬膜的膜厚為 0. 3 μ m 0. 6 μ m。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容式觸摸屏的制作方法，其特征在于，鍍金屬膜采用的金屬包括但不限于鉬、銅。
5.一種電容式觸摸屏，其特征在于，采用如下方法制得在菲林上蝕刻圖案后，在圖案周?chē)捎缅兘饘倌さ姆绞街瞥蓪?dǎo)線，再將菲林與LENS貼合。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電容式觸摸屏，其特征在于，鍍金屬膜采用真空磁控濺射鍍膜機(jī)進(jìn)行。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電容式觸摸屏，其特征在于，鍍金屬膜的膜厚為0.3 μ m 0. 6 μ m0
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電容式觸摸屏，其特征在于，鍍金屬模采用的金屬包括但不限于鉬、銅。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)一種電容式觸摸屏的制作方法，包括如下步驟在菲林上蝕刻圖案后，在圖案周?chē)捎缅兘饘倌さ姆绞街瞥蓪?dǎo)線，再將菲林與LENS貼合。本發(fā)明采用鍍膜方式制作的金屬導(dǎo)線，厚度在0.3μm～0.6μm，遠(yuǎn)小于絲印銀漿的10μm，這樣可以降低貼合時(shí)由于厚度大造成的氣泡不良，本發(fā)明采用鍍膜的方式制作的導(dǎo)線線條精細(xì)均勻，遠(yuǎn)高于絲印銀漿，電阻均勻性好，從而大大地提高了觸摸屏的性能?，F(xiàn)有技術(shù)的絲印銀漿導(dǎo)線由于絲印技術(shù)的限制，導(dǎo)線與導(dǎo)線之間的間距一般都在80μm左右，而本發(fā)明采用鍍膜的方法制作導(dǎo)線，導(dǎo)線線間距可以縮小到25μm，這樣就可以在相同尺寸的觸摸屏上有更大的觸摸視區(qū)。本發(fā)明還公開(kāi)一種電容式觸摸屏。
文檔編號(hào)C23C14/35GK102221949SQ20111012236
公開(kāi)日2011年10月19日 申請(qǐng)日期2011年5月12日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月12日
發(fā)明者何基強(qiáng), 劉亞鋒, 張家添, 朱景河, 蔡漢業(yè) 申請(qǐng)人:信利半導(dǎo)體有限公司