專利名稱：一種陰極電弧的磁場調(diào)節(jié)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型屬于金屬鍍膜領(lǐng)域，尤其涉及一種用于陰極電弧鍍膜的磁場調(diào)節(jié)裝置。
背景技術(shù)：
在物理氣相沉積(PVD)領(lǐng)域通常采用的陰極電弧鍍膜，是通過陰極(靶)和陽極(真空室)之間在低電壓和高電流的放電過程，將材料直接電離。目前，常用的陰極電弧鍍膜技術(shù)是在陰極背后配置磁場，使蒸發(fā)后的離子獲得霍爾(hall)加速效應(yīng)，有利于離子增大能量轟擊量體，采用這種電弧蒸發(fā)離化源鍍膜，離化率較高。電弧點(diǎn)在靶面上高速運(yùn)動，當(dāng)靶面使用后，表面材料被消耗掉，靶面與磁場表面的距離發(fā)生改變；隨著靶面消耗后的跑道距離越來越深，電弧所跑的靶表面的磁場強(qiáng)度會得越來越強(qiáng)，如果不對磁鐵位置作調(diào)整，會產(chǎn)生弧電流不穩(wěn)，沉積速率變化，膜層性能改變等問題。
發(fā)明內(nèi)容鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷，本實(shí)用新型的目的是提出一種用于調(diào)節(jié)靶材與磁體之間距離的磁場調(diào)節(jié)裝置。本實(shí)用新型的目的將通過以下技術(shù)方案得以實(shí)現(xiàn)一種陰極電弧的磁場調(diào)節(jié)裝置，包括一陰極底座，所述陰極底座的上表面開設(shè)有上凹槽，所述上凹槽內(nèi)固定連接有一陰極電弧靶，所述陰極底座的下表面開設(shè)有與所述上凹槽對應(yīng)的下凹槽，所述下凹槽內(nèi)放置有一磁鐵，所述磁鐵固定連接在一升降支架上，所述磁鐵在升降支架的帶動下在所述下凹槽內(nèi)上下移動，以使所述磁鐵的端面與所述陰極電弧靶的工作端面之間的距離始終一致。優(yōu)選的，上述的一種陰極電弧的磁場調(diào)節(jié)裝置，其中所述升降支架通過螺栓連接在所述陰極底座的下表面上，所述升降支架與陰極底座之間通過旋緊或旋松螺栓實(shí)現(xiàn)相對所述陰極底座的上下移動。優(yōu)選的，上述的一種陰極電弧的磁場調(diào)節(jié)裝置，其中所述螺栓上帶有長度的刻度標(biāo)識。優(yōu)選的，上述的一種陰極電弧的磁場調(diào)節(jié)裝置，其中所述刻度標(biāo)識的最小單元為 0. 5mmο優(yōu)選的，上述的一種陰極電弧的磁場調(diào)節(jié)裝置，其中所述上凹槽與所述陰極電弧靶之間通過螺紋固定連接，可以方便更換陰極電弧靶。本實(shí)用新型在陰極電弧鍍膜過程中，根據(jù)靶面的消耗情況將磁場后移，并通過調(diào)整帶刻度的調(diào)節(jié)螺栓，可精確地控制每次調(diào)整的距離，從而保持靶面磁場強(qiáng)度的一致性，弧電流穩(wěn)定，沉積速率相等，膜層性能均勻。本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡單，調(diào)節(jié)方便、靈活，鍍膜效果好。以下便結(jié)合實(shí)施例附圖，對本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
作進(jìn)一步的詳述，以使本實(shí)用新型技術(shù)方案更易于理解、掌握。

圖1是本實(shí)用新型實(shí)施圖2是本實(shí)用新型實(shí)施圖3是本實(shí)用新型實(shí)施圖4是本實(shí)用新型實(shí)施圖5是本實(shí)用新型實(shí)施
J1的橫向剖視圖； J1的縱向剖視圖； J1的升降支架的結(jié)構(gòu)示意圖； J1的升降支架的剖視圖； Jl的螺栓的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
實(shí)施例1本實(shí)施例的一種陰極電弧的磁場調(diào)節(jié)裝置，如圖廣圖4所示，包括陰極底座1，陰極底座1的上表面開設(shè)有上凹槽2，上凹槽2內(nèi)固定連接有陰極電弧靶3，上凹槽2與陰極電弧靶3之間通過螺紋固定連接，可以方便更換陰極電弧靶3。陰極底座1的下表面開設(shè)有與上凹槽2對應(yīng)的下凹槽4，下凹槽4內(nèi)放置有磁鐵5，磁鐵5固定連接在一升降支架6上， 磁鐵5在升降支架6的帶動下在下凹槽4內(nèi)上下移動，以使磁鐵5的端面與陰極電弧靶3 的工作端面之間的距離始終一致。升降支架6通過帶有長度的刻度標(biāo)識的螺栓7連接在陰極底座1的下表面上，升降支架6與陰極底座1之間通過旋緊或旋松螺栓7實(shí)現(xiàn)相對陰極底座1的上下移動。如圖5所示，螺栓7上的刻度標(biāo)識的最小單元為0. 5mm。應(yīng)用本實(shí)施例，隨著陰極電弧靶3的靶材表面不斷被消耗，磁鐵5的端面與陰極電弧靶3的工作端面之間的距離發(fā)生變化，如圖2所示，A為消耗后的跑道底部距離。為了保持陰極電弧靶3的工作端面的磁場強(qiáng)度一致，通過旋轉(zhuǎn)帶刻度標(biāo)識的螺栓7帶動磁鐵5做精確的位置調(diào)整，如圖2所示，B為磁鐵5的調(diào)整距離，B=A，以使和靶材消耗的跑道相一致， 保持陰極電弧靶3的工作端面磁場強(qiáng)度的一致；調(diào)節(jié)的行程在Omm IOmm之間，每次調(diào)節(jié)的最小值為0. 5mm。本實(shí)施例保持陰極電弧靶3的工作端面磁場強(qiáng)度的一致性，弧電流穩(wěn)定， 沉積速率相等，膜層性能均勻；結(jié)構(gòu)簡單，調(diào)節(jié)方便、靈活，鍍膜效果好本實(shí)用新型尚有多種實(shí)施方式，凡采用等同變換或者等效變換而形成的所有技術(shù)方案，均落在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種陰極電弧的磁場調(diào)節(jié)裝置，包括一陰極底座，所述陰極底座的上表面開設(shè)有上凹槽，所述上凹槽內(nèi)固定連接有一陰極電弧靶，其特征在于所述陰極底座的下表面開設(shè)有與所述上凹槽對應(yīng)的下凹槽，所述下凹槽內(nèi)放置有一磁鐵，所述磁鐵固定連接在一升降支1 O
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種陰極電弧的磁場調(diào)節(jié)裝置，其特征在于所述升降支架通過螺栓連接在所述陰極底座的下表面上，所述升降支架與陰極底座之間通過旋緊或旋松螺栓實(shí)現(xiàn)相對所述陰極底座的上下移動。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種陰極電弧的磁場調(diào)節(jié)裝置，其特征在于所述螺栓上帶有長度的刻度標(biāo)識。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種陰極電弧的磁場調(diào)節(jié)裝置，其特征在于所述刻度標(biāo)識的最小單元為0. 5mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種陰極電弧的磁場調(diào)節(jié)裝置，其特征在于所述上凹槽與所述陰極電弧靶之間通過螺紋固定連接。
專利摘要本實(shí)用新型揭示了一種陰極電弧的磁場調(diào)節(jié)裝置，包括一陰極底座，所述陰極底座的上表面開設(shè)有上凹槽，所述上凹槽內(nèi)固定連接有一陰極電弧靶，所述陰極底座的下表面開設(shè)有與所述上凹槽對應(yīng)的下凹槽，所述下凹槽內(nèi)放置有一磁鐵，所述磁鐵固定連接在一升降支架上。本實(shí)用新型在陰極電弧鍍膜過程中，根據(jù)靶面的消耗情況將磁場后移，并通過調(diào)整帶刻度的調(diào)節(jié)螺栓，可精確地控制每次調(diào)整的距離，從而保持靶面磁場強(qiáng)度的一致性，弧電流穩(wěn)定，沉積速率相等，膜層性能均勻；結(jié)構(gòu)簡單，調(diào)節(jié)方便、靈活，鍍膜效果好。
文檔編號C23C14/32GK202157112SQ20112020113
公開日2012年3月7日 申請日期2011年6月15日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月15日
發(fā)明者趙紅艷, 錢濤 申請人:星弧涂層科技(蘇州工業(yè)園區(qū))有限公司