本發(fā)明涉及一種熱原子層沉積技術(shù)生長(zhǎng)gete合金薄膜的方法，屬于半導(dǎo)體制備技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)：

隨著科技的進(jìn)步，半導(dǎo)體技術(shù)得到快速的發(fā)展，其中微電子器件中的存儲(chǔ)器的類(lèi)型及制作工藝技術(shù)隨之發(fā)生了變革。相變存儲(chǔ)器(pcram)融合了動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(dram)的高容量、低成本及靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(sram)的高速度、低電壓、低功耗等優(yōu)勢(shì)，成為國(guó)際上公認(rèn)的下一代的信息存儲(chǔ)器。相變材料的核心組成為硫?qū)俸辖鸨∧ぃ渲術(shù)e-sb-te三元體系中的gesbte225薄膜以最為優(yōu)良的綜合性能倍受青睞。尤其是gete合金薄膜的制備是半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)中的關(guān)鍵技術(shù)。

在已公開(kāi)的專(zhuān)利中，相較于pvd、cvd技術(shù)，ald技術(shù)具有明顯優(yōu)勢(shì)，制得的相變材料薄膜的保型性較好，但是仍然存在沉積過(guò)程中源之間化學(xué)反應(yīng)活性低、雜元素污染薄膜及工藝條件苛刻等問(wèn)題。

ald原理依賴(lài)于交替的脈沖，將前驅(qū)體蒸汽分別傳送到反應(yīng)室中基質(zhì)材料的表面，隨后發(fā)生化學(xué)吸附和界面反應(yīng)的過(guò)程。在前驅(qū)體蒸汽以脈沖的形式進(jìn)入沉積室后，用惰性氣體對(duì)沉積室進(jìn)行清洗凈化，以此循環(huán)，進(jìn)而根據(jù)循環(huán)次數(shù)控制所沉積薄膜的厚度。成功的ald過(guò)程嚴(yán)重依賴(lài)于合適的前驅(qū)體，ald前驅(qū)體可以是氣體、液體或揮發(fā)性固體材料，其中液態(tài)前驅(qū)體為最佳選擇。首先，氣態(tài)前驅(qū)體不易控制，在高溫條件下存在一定危險(xiǎn)；然后，在ald成膜過(guò)程中需要短時(shí)間內(nèi)維持恒定的前驅(qū)體脈沖，而固態(tài)前驅(qū)體的揮發(fā)依賴(lài)于粒徑大小，會(huì)導(dǎo)致前驅(qū)體脈沖不規(guī)律地變化，另外，固體前驅(qū)體在揮發(fā)過(guò)程中其表面會(huì)有雜質(zhì)集中的傾向，會(huì)阻礙揮發(fā)。相比之下，液態(tài)前驅(qū)體是一個(gè)表面成分不斷更新?lián)]發(fā)的過(guò)程，能夠維持恒定的表面積，有恒定持續(xù)的蒸氣壓，能減少前驅(qū)體的浪費(fèi)，也能夠更好的控制操作過(guò)程。

更具體地，理想的ald的前驅(qū)體應(yīng)該具備如下性質(zhì)：

(1)具有較好的揮發(fā)性，即具有較低的揮發(fā)溫度，在稍微加熱或不加熱的情況下，就能獲得足夠高的蒸汽壓，將前驅(qū)體有效的傳輸?shù)椒磻?yīng)室內(nèi)并達(dá)到沉積薄膜所需要的蒸汽壓；(2)具有足夠的熱穩(wěn)定性，即保證將前驅(qū)體傳輸?shù)椒磻?yīng)室的過(guò)程中及在基質(zhì)表面不發(fā)生分解；(3)具有較高的化學(xué)反應(yīng)活性，即前驅(qū)體必須在化學(xué)吸附或與材料表面基團(tuán)快速有效反應(yīng)進(jìn)而沉積薄膜；(4)具有較高的化學(xué)純度，避免雜元素的摻雜影響薄膜的性能及器件壽命；(5)利于儲(chǔ)存運(yùn)輸，在正常條件下能盡可能長(zhǎng)時(shí)間的儲(chǔ)存且不發(fā)生分解，并在運(yùn)輸過(guò)程中不會(huì)發(fā)生易燃易爆的現(xiàn)象；(6)無(wú)毒無(wú)害，危險(xiǎn)系數(shù)低；(7)廉價(jià)易得。

雖然，在cvd技術(shù)的基礎(chǔ)上進(jìn)化出的ald技術(shù)可以通過(guò)合適前驅(qū)體的選擇，在基質(zhì)板上發(fā)生飽和的界面化學(xué)反應(yīng)，實(shí)現(xiàn)薄膜自限制生長(zhǎng)的特性。但是目前，ald沉積ge及其合金薄膜仍受到ge前驅(qū)體缺乏的限制。

由于烷基/氨基ge配合物的化學(xué)穩(wěn)定性很高，化學(xué)反應(yīng)活性低，與其他前驅(qū)體之間缺乏靈活的配體交換反應(yīng)，所以多被用于cvd方法熱分解沉積ge/ge合金薄膜。目前，僅有較少烷基/氨基ge配合物被用作ald前驅(qū)體沉積gst的文獻(xiàn)報(bào)道。

2007年，choibjetal分別ge(ⁱbu)4、sb(ⁱpr)3、te(ⁱpr)2作為ge、sb、te的前驅(qū)體，成功制備gst薄膜，但僅有g(shù)e膜的生長(zhǎng)過(guò)程呈現(xiàn)出飽和生長(zhǎng)的特性。2007年，j.leeetal分別選用ge(n(tms)2)4/ge(nme2)4、sb(nme2)3、te(c3h7)2作為ge、sb、te的前驅(qū)體成功制備gst薄膜，但是存在高濃度的si、c、n的殘留。另外ge(nme2)4的合成過(guò)程中涉及易燃且有腐蝕性二甲氨基鋰；ge[n(tms)2]4作為前驅(qū)體成膜時(shí)生長(zhǎng)速率緩慢等，也都阻礙了此類(lèi)ge前驅(qū)體的進(jìn)一步應(yīng)用。2015年，songetal.用ge(nme2)4、sb(nme2)3、te(^tbu)2作為ge、sb、te的的前驅(qū)體，沉積得到gst225和gst181晶態(tài)膜，依然存在高濃度的c、n的殘留。以上雖然都采用了ald技術(shù)，仍然是利用了前驅(qū)體的分解成膜，不能滿(mǎn)足pcram對(duì)薄膜性能的要求。

直到烷硅基碲作為前驅(qū)體被應(yīng)用到ald中，才使得ald的自限制反應(yīng)沉積gt/gst薄膜的特性得以顯現(xiàn)。這主要是由于te在烷基碲中為+2價(jià)，正價(jià)態(tài)的te化合物難以與正價(jià)態(tài)的ge配合物進(jìn)行反應(yīng)，所以烷基碲多被用于熱分解沉積合金薄膜。而te在烷硅基碲中顯-2價(jià)，較容易與正價(jià)態(tài)的ge配合物反應(yīng)。為實(shí)現(xiàn)ge、te前驅(qū)體之間化學(xué)反應(yīng)，proeetal.利用鍺的氯化物為前驅(qū)體，引入si-cl路易斯酸堿對(duì)，實(shí)現(xiàn)ge、te前驅(qū)體之間靈活的配體交換。自此，激發(fā)了研究者們對(duì)ald沉積gt/gst薄膜的熱情。

2009年，proeetal.分別使用gecl2(c4h8o2)、sbcl3、(et3si)2te作為ald的ge、sb、te前驅(qū)體。在90℃下，通過(guò)配體交換反應(yīng)(反應(yīng)方程式見(jiàn)圖1的式a)實(shí)現(xiàn)每一個(gè)沉積過(guò)程的飽和界面反應(yīng)過(guò)程，成功制備具有優(yōu)秀保型性的gst225薄膜。

2012年，eometal.分別用ge(ome)4、sb(oet)3、(tms)2te為ald的ge、sb、te前驅(qū)體。在70℃下，ald過(guò)程沉積出gst227膜(反應(yīng)方程式見(jiàn)圖1的式b)，但是不能滿(mǎn)足pcm對(duì)gst三元合金化學(xué)比例的要求。這是因?yàn)間e原子在ge(ome)4為+4價(jià)，而te原子在(tms)2te中為-2價(jià)，當(dāng)這兩種化合物發(fā)生配體交換反應(yīng)時(shí)會(huì)生成gete2，所以用+4價(jià)的ge化合物作為ald的前驅(qū)體不能直接得到gst225薄膜。

為了解決ald沉積gst薄膜的化學(xué)比例的問(wèn)題，2016年，eometal.選用ge(n(tms)2)2、(tms)2te為ald前驅(qū)體，并以meoh為還原劑。在70-120℃的操作窗口下沉積得到gete薄膜(反應(yīng)方程式見(jiàn)圖1的式c)

上述的方法，有的雖然是ald方法，但沒(méi)有ald之實(shí)；目前僅有proeetal、eometal.實(shí)現(xiàn)了純粹的ald沉積gt/gst薄膜過(guò)程。他們選用的ge前驅(qū)體不同，但同樣采用路易斯酸堿反應(yīng)的理論基礎(chǔ)，目的在于形成si-cl、si-o路易斯酸堿對(duì)。這就不可避免的造成薄膜中o、cl雜元素的摻雜，影響薄膜的性能及器件壽命。另外pore等所使用的gecl2(c4h8o2)前驅(qū)體本身熱穩(wěn)定性差，高溫下易在薄膜表面形成顆粒，而且生成的氯化物會(huì)對(duì)設(shè)備造成腐蝕。eom等使用的ge(ome)4前驅(qū)體難以得到gst225的化學(xué)比例的薄膜；ge(n(tms)2)2的熱穩(wěn)定性差等，都限制了這些ge前驅(qū)體的應(yīng)用。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了克服上述現(xiàn)有技術(shù)存在的缺點(diǎn)，本發(fā)明提供了一種適用于ald沉積技術(shù)制備gete合金薄膜的ge前驅(qū)體化合物以及利用該化合物進(jìn)行熱原子層沉積技術(shù)生長(zhǎng)gete合金薄膜的方法。本發(fā)明中的方法使用了合適的源前驅(qū)體組合，極大的提高了源之間的化學(xué)反應(yīng)活性、有效的避免了雜元素的摻雜，制得的薄膜的化學(xué)組份單一，另外，在溫和的工藝條件下，在納米級(jí)的半導(dǎo)體器件上沉積形成保型性?xún)?yōu)良的gete沉積層。

本發(fā)明的熱原子沉積技術(shù)生長(zhǎng)gete合金薄膜的方法，包括以下步驟：a)將襯底置于反應(yīng)腔中，在真空條件下，以脈沖形式向反應(yīng)腔中通入氣相ge源進(jìn)行沉積，得到沉積有g(shù)e源的襯底，所述ge源包括具有式i所示結(jié)構(gòu)的化合物；b)將氣相還原劑以脈沖形式通入反應(yīng)腔，對(duì)沉積在襯底上的ge源進(jìn)行還原得到中間物質(zhì)；c)以脈沖的形式向反應(yīng)腔中通入氣相te源，與沉積在襯底上的中間物質(zhì)進(jìn)行反應(yīng)得到gete合金薄膜的襯底；其中所述ge源為具有式i所示結(jié)構(gòu)的化合物；

其中r1表示氫原子、c1～c6烷基、c2～c5鏈烯，r2，r5表示氫原子、c1～c6烷基、c2～c5鏈烯基、c6～c10芳基或-si(r6)3，r3，r4表示-si(r6)3，其中r6為c1～c6烷基；r1，r2，r5相同或相異，r3，r4相同或相異。

在本發(fā)明的一種實(shí)施方式中，所述式i的化合物中，r1表示甲基或nbu，r3、r4表示-si(r6)3且r6為甲基，r2、r5表示仲丁基sbu或者異丙基ipr，且r2、r5相同或相異。

在本發(fā)明的一種實(shí)施方式中，所述te源為具有式ⅱ所示結(jié)構(gòu)的化合物：

其中r⁷，r⁸為c1～c6烷基，r⁷，r⁸相同或相異。

在一種實(shí)施方式中，所述步驟a)中以脈沖形式向反應(yīng)腔中通入氣相ge源的單個(gè)脈沖的持續(xù)時(shí)間為0.05～20s。

在一種實(shí)施方式中，所述步驟a)中兩個(gè)脈沖之間的間隔時(shí)間為0.5～30s。

在一種實(shí)施方式中，所述步驟a)中的沉積的溫度為60～400℃。

在一種實(shí)施方式中，所述氣相ge源在載氣存在條件下以脈沖形式通入；載氣的流量為10～200sccm。

在一種實(shí)施方式中，所述步驟b)中氣相還原劑包括h2、nh3、b2h6、單烷基硼烷、氨基硼烷、醇類(lèi)、肼類(lèi)、烷基鋁、氨基鋁烷類(lèi)和烷基鋅中的一種或幾種。

在一種實(shí)施方式中，所述步驟b)中將氣相還原劑以脈沖形式通入反應(yīng)腔的單個(gè)脈沖的持續(xù)時(shí)間為0.01～20s。

在一種實(shí)施方式中，所述步驟b)中兩個(gè)脈沖之間的間隔時(shí)間為0.5～30s。

在一種實(shí)施方式中，所述步驟b)中氣相還原劑在載氣存在的條件下以氣相脈沖形式通入；所述載氣的流量為10～200sccm。

在一種實(shí)施方式中.，所述步驟c)中以脈沖形式向反應(yīng)腔中通入氣相te源的單個(gè)脈沖的持續(xù)時(shí)間為0.05～20s。

在一種實(shí)施方式中，所述步驟c)中兩個(gè)脈沖之間的間隔時(shí)間為0.5～30s。

在一種實(shí)施方式中，所述步驟c)中的沉積的溫度為60～400℃。

在一種實(shí)施方式中，所述氣相te源在載氣存在條件下以脈沖形式通入；所述載氣的流量為10～200sccm。

在一種實(shí)施方式中，所述半導(dǎo)體襯底包括硅、氧化硅、氮化硅、tan和藍(lán)寶石中的一種或幾種。

本發(fā)明的第二個(gè)目的是提供一種ge源化合物，其結(jié)構(gòu)是如式i所示：

其中r1表示氫原子、c1～c6烷基、c2～c5鏈烯；r2，r5表示氫原子、c1～c6烷基、c2～c5鏈烯基、c6～c10芳基或-si(r6)3；r3，r4表示-si(r6)3，其中r6為c1～c6烷基；r1，r2，r5相同或相異；r3，r4相同或相異。

在本發(fā)明的一種實(shí)施方式中，所述式i的化合物中，r1表示甲基或nbu，r3、r4表示-si(r6)3且r6為甲基，r2、r5表示仲丁基sbu或者異丙基ipr，且r2、r5相同或相異。

本發(fā)明的有益效果：

本發(fā)明的具有式i中的ge源較目前應(yīng)用于ald的源如二氯化鍺二氧六環(huán)、四(烷氧基)鍺和二(二三甲基硅基氨基)鍺具有如下優(yōu)勢(shì)：

(1)揮發(fā)性與二氯化鍺二氧六環(huán)相仿，但熱分解溫度遠(yuǎn)高于二氯化鍺二氧六環(huán)；本申請(qǐng)中的ge源的熱分解溫度大于300℃，且殘余質(zhì)量幾乎為零，在提純過(guò)程中發(fā)現(xiàn)可以在150℃的高溫下，1d內(nèi)不會(huì)發(fā)生任何熱分解，能夠適用于較高溫度的ald過(guò)程；

(2)二氯化鍺二氧六環(huán)中含有cl元素，在高溫條件下生成的氯化物不僅污染薄膜且腐蝕儀器，另外還含有o元素也會(huì)造成薄膜中o元素的摻雜而導(dǎo)致影響薄膜的性能及器件壽命；而本申請(qǐng)中的ge源前驅(qū)體分子中無(wú)o、cl等對(duì)薄膜性能造成不良影響的雜元素，且該ge源前驅(qū)體該對(duì)空氣濕度敏感程度低，易于存儲(chǔ)及運(yùn)輸。

(3)室溫下，二氯化鍺二氧六環(huán)為固態(tài)，高溫下易分解，而本申請(qǐng)中的ge源為液態(tài)，且熱穩(wěn)定性良好，易于獲得滿(mǎn)足電子元器件對(duì)高純?cè)吹囊螅m用于大規(guī)模生產(chǎn)；

(4)本申請(qǐng)中的ge源前驅(qū)體能夠被多種液態(tài)還原劑還原生成中間物質(zhì)，然后與te源前驅(qū)體反應(yīng)制得gete合金薄膜，相對(duì)于目前常用的h2或nh3更易于操作、更安全。

進(jìn)一步的，具有式i中化合物較其他結(jié)構(gòu)類(lèi)似的ge配合物，如(n,n’-二異丙基-二三甲基硅基胍基)(六甲基二硅氮基)ge具有如下優(yōu)勢(shì)：

(1)胍基鍺的熱穩(wěn)定性差與脒基鍺，且合成麻煩，成本更高；

(2)(n,n’-二異丙基-二三甲基硅基胍基)(六甲基二硅氮基)ge為固態(tài)；而本申請(qǐng)的式i化合物為液態(tài)，更易在保證純度的前提下工業(yè)化生產(chǎn)；液態(tài)前驅(qū)體為ald前驅(qū)體的最佳選擇。在ald成膜過(guò)程中需要短時(shí)間內(nèi)維持恒定的前驅(qū)體脈沖，而固態(tài)前驅(qū)體的揮發(fā)依賴(lài)于粒徑大小，會(huì)導(dǎo)致前驅(qū)體脈沖不規(guī)律地變化；另外，固體前驅(qū)體在揮發(fā)過(guò)程中其表面會(huì)有雜質(zhì)集中的傾向，會(huì)阻礙揮發(fā)。相比之下，液態(tài)前驅(qū)體是一個(gè)表面成分不斷更新?lián)]發(fā)的過(guò)程，能夠維持恒定的表面積，有恒定持續(xù)的蒸氣壓，能減少前驅(qū)體的浪費(fèi)，也能夠更好的控制操作過(guò)程。

本發(fā)明的方法具有如下優(yōu)點(diǎn)：

(1)選用了合適的前驅(qū)體組合，提高了源之間的化學(xué)反應(yīng)活性、有效的避免了雜元素的摻雜，制得的薄膜的化學(xué)組份單一；所制備得到的gete合金薄膜為高電阻率的非晶態(tài)薄膜；gete合金薄膜的電阻在1.4～4*10⁵ω·cm，薄膜的均方根粗糙度在0.7nm。

(2)對(duì)多種襯底如硅、氧化硅、氮化硅、tan、藍(lán)寶石等均表現(xiàn)出兼容性。

(3)選用的源都是易揮發(fā)的液態(tài)源，且都具有良好的熱穩(wěn)定性，有效地降低了沉積成膜的工藝難度，因此能夠適用于較高溫度的熱原子層(t-ald)沉積過(guò)程，制得高純且保型性較好的gete沉積層。

(4)在溫和的工藝條件下，使用t-ald技術(shù)在納米級(jí)的半導(dǎo)體器件上沉積形成保型性?xún)?yōu)良的gete沉積層。

(5)本發(fā)明提供的熱原子沉積技術(shù)生長(zhǎng)gete合金薄膜的方法有效地克服現(xiàn)有的技術(shù)缺點(diǎn)，提高了源之間的化學(xué)反應(yīng)活性，保證了薄膜中化學(xué)組分的純凈單一性，有效地降低了沉積工藝的難度，廣泛地應(yīng)用于半導(dǎo)體存儲(chǔ)和微電子技術(shù)領(lǐng)域。

附圖說(shuō)明

圖1為反應(yīng)方程式；

圖2為(n,n’-二仲丁基-甲基脒基)(六甲基二硅氮基)ge(ⅱ)的h-nmr；

圖3為(n,n’-二仲丁基-甲基脒基)(六甲基二硅氮基)ge(ⅱ)與二氯化鍺二氧六環(huán)的熱分解圖；

圖4為實(shí)施例2中的gete合金薄膜的eds圖片；

圖5為實(shí)施例2中的gete合金薄膜的sem圖片；

圖6為實(shí)施例2中的gete合金薄膜的afm圖片；

圖7為(n,n’-二異丙基-正丁基脒基)(六甲基二硅氮基)ge(ⅱ)的h-nmr；

圖8為式v化合物的h-nmr。

具體實(shí)施方案

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)提供的附圖獲得其他的附圖。

本發(fā)明提供了一種熱原子沉積技術(shù)生長(zhǎng)gete合金薄膜的方法，包括以下步驟：

a)將襯底置于反應(yīng)腔中，在真空條件下，以脈沖形式向反應(yīng)腔中通入氣相ge源進(jìn)行沉積，得到沉積有g(shù)e源的襯底，所述ge源包括具有式i所示結(jié)構(gòu)的化合物；

其中r1表示氫原子、c1～c6烷基、c2～c5鏈烯；r2，r5表示氫原子、c1～c6烷基、c2～c5鏈烯基、c6～c10芳基或-si(r6)3；r3，r4表示-si(r6)3，其中r6為c1～c6烷基；r1，r2，r5相同或相異，r3，r4相同或相異。

b)將氣相還原劑以脈沖形式通入反應(yīng)腔，對(duì)沉積在襯底上的ge源進(jìn)行還原得到中間物質(zhì)；

c)以脈沖的形式向反應(yīng)腔中通入氣相te源，與沉積在襯底上的ge的中間物質(zhì)進(jìn)行反應(yīng)得到gete合金薄膜，所述te源包括具有式ⅱ所示結(jié)構(gòu)的化合物。

其中r⁷，r⁸為c1～c6烷基；r⁷，r⁸相同或相異。本發(fā)明將襯底置于反應(yīng)腔中，在真空條件下，以脈沖形式向反應(yīng)腔中通入氣相ge源進(jìn)行沉積，得到沉積有g(shù)e源的襯底，本發(fā)明優(yōu)選先將所述需要沉積含gete合金薄膜的襯底進(jìn)行清洗，得到預(yù)處理的襯底。在本發(fā)明中，優(yōu)選使用工業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)清洗，如，使用spm(h2so4/h2o2)溶液去除襯底表面的有機(jī)沾污，使用apm(nh4oh/h2o2)溶液去除襯底表面的顆粒沾污，采用稀釋的hf溶液漂洗去除襯底表面的自然氧化層。在實(shí)際應(yīng)用中，不限于此種清洗方法，也可視實(shí)際應(yīng)用使用其它清洗方法，如丙酮-異丙醇清洗等。

得到預(yù)處理的襯底后，本發(fā)明優(yōu)選將預(yù)處理的襯底放入原子層沉積設(shè)備的傳片腔并抽真空，實(shí)現(xiàn)沉積所需的真空環(huán)境，達(dá)到要求的真空度后，再傳入反應(yīng)腔，以避免空氣中的水氧擴(kuò)散至反應(yīng)腔影響金屬膜的生長(zhǎng)。為了進(jìn)一步的保證原子層沉積設(shè)備中各管路及腔體內(nèi)無(wú)水氧殘留，在放置襯底前，本發(fā)明優(yōu)選對(duì)原子層沉積設(shè)備的管路及反應(yīng)腔體進(jìn)行抽空或預(yù)長(zhǎng)膜處理。

在本發(fā)明中，襯底優(yōu)選包括硅、氧化硅、氮化硅、tan和藍(lán)寶石中的一種或幾種；所述氣相ge源包括具有式i所示結(jié)構(gòu)的化合物，該化合物化學(xué)式包括(n,n’-二仲丁基-甲基脒基)(六甲基二硅氮基)ge(ⅱ)、(n,n’-二異丙基-正丁基脒基)(六甲基二硅氮基)ge(ⅱ)、(n-仲丁基-n’-正丙基-甲基脒基)(六甲基二硅氮基)ge(ⅱ)、(n-仲丁基-n’-異丙基-甲基脒基)(六甲基二硅氮基)ge(ⅱ)、(n-仲丁基-n’-正丁基-甲基脒基)(六甲基二硅氮基)ge(ⅱ)和(n-仲丁基-n’-叔丁基-甲基脒基)(六甲基二硅氮基)ge(ⅱ)中的一種或幾種。所述氣相te源包括具有式ⅱ所示結(jié)構(gòu)的化合物，該化合物化學(xué)式為(et3si)2te，本發(fā)明對(duì)具有式ⅱ所示結(jié)構(gòu)的te源沒(méi)有特殊的限制，可以按照參考文獻(xiàn)ecstransactions，2009，25(8):609-616.進(jìn)行合成。

本發(fā)明優(yōu)選對(duì)ge源進(jìn)行加熱，使之氣化，得到氣相ge源，所述對(duì)ge源加熱的溫度優(yōu)選為25～200℃，更優(yōu)選為50～180℃，具體的，可以是50℃、100℃或150℃。

其中r1表示氫原子、c1～c6烷基、c2～c5鏈烯；r2，r5表示氫原子、c1～c6烷基、c2～c5鏈烯基、c6～c10芳基或-si(r6)3；r3，r4表示-si(r6)3，其中r6為c1～c6烷基；r1，r2，r5相同或相異；r3，r4相同或相異。

在本發(fā)明中，所述氣相ge源的單個(gè)脈沖的持續(xù)時(shí)間優(yōu)選為0.05～20s，更優(yōu)選為1～18s，最優(yōu)選為3～15s，具體的，在本發(fā)明的實(shí)施例中，可以是1s、5s、8s、12s或16s；所述氣相ge源兩個(gè)脈沖之間的間隔時(shí)間優(yōu)選為0.5～30s，更優(yōu)選為1～25s，最優(yōu)選為5～20s，具體的，在本發(fā)明的實(shí)施例中，可以是5s、10s、15s、20s或25s；所述沉積的溫度優(yōu)選為50～300℃，更優(yōu)選為70～250℃，最優(yōu)選為90～200℃，具體的，在本發(fā)明的實(shí)施例中，可以是70℃、90℃、125℃、200℃或250℃；所述氣相ge源的的載氣優(yōu)選為高純氮?dú)饣蚋呒儦鍤猓鲚d氣的流量?jī)?yōu)選為10～200sccm，更優(yōu)選為20～160sccm，最優(yōu)選為60～120sccm，具體的，可以是20sccm、90sccm、120sccm、160sccm或60sccm。

完成一次ge源的沉積后，本發(fā)明優(yōu)選采用高純氮?dú)饣蚋呒儦鍤鈱?duì)反應(yīng)腔體進(jìn)行吹掃清洗，清洗的時(shí)間優(yōu)選為5～50s，更優(yōu)選為10～45s，最優(yōu)選為15～40s。

然后，本發(fā)明將氣相還原劑以氣相脈沖形式通入反應(yīng)腔內(nèi)，對(duì)沉積在襯底上的ge源進(jìn)行還原，得到沉積有含ge中間物質(zhì)的襯底，在本發(fā)明中，所述還原劑優(yōu)選包括h2、nh3、b2h6、單烷基硼烷、氨基硼烷、醇類(lèi)、肼類(lèi)、烷基鋁、氨基鋁烷類(lèi)和烷基鋅中的一種或幾種，更優(yōu)選包括h2、nh3、b2h6、單烷基硼烷(r1bh2或r1r2bh)、氨基硼烷(r1r2hn·bh3或r1r2r3n·bh3)、醇類(lèi)(r1oh)、肼類(lèi)(r1nhnh2或n2h4)、烷基鋁(alr1r2r3)、氨基鋁烷類(lèi)(r1r2r3n·alh3)和烷基鋅(znr1r2)中的一種或幾種其中r1，r2，r3為c1～c10烴基，且三者可以相同也可以不同，不同物質(zhì)中的可以相同也可以不同，如r1oh和r1nhnh2中的r1可以相同也可以不同。具體的，在本發(fā)明的實(shí)施例中，還原劑可采用n2h4、me2nh·bh3、ch3oh、alme3或znet2。本發(fā)明優(yōu)選將所述還原劑加熱，使之氣化，形成氣態(tài)的還原劑。所述加熱還原劑的溫度優(yōu)選為25～150℃，更優(yōu)選為40～140℃，具體的，在本發(fā)明的實(shí)施例中，可以是60℃、90℃、25℃或85℃。

在本發(fā)明中，所述通入還原劑的單個(gè)脈沖的持續(xù)時(shí)間優(yōu)選為0.01～20s，更優(yōu)選為1～15s，更優(yōu)選為5～10s，具體的，在本發(fā)明的實(shí)施例中，可以是10s、1s、20s、15s或5s；所述通入還原劑兩個(gè)脈沖之間的間隔時(shí)間優(yōu)選為0.5～30s，更優(yōu)選為1～25s，最優(yōu)選為5～20s，具體的，在本發(fā)明的實(shí)施例中，可以是15s、5s、10s、25s或20s。所述氣相還原劑的載氣優(yōu)選為高純氮?dú)饣蚋呒儦鍤?，所述載氣的流量?jī)?yōu)選為10～200sccm，更優(yōu)選為20～160sccm，最優(yōu)選為60～120sccm。

完成一次還原后，本發(fā)明優(yōu)選采用高純氮?dú)饣蚋呒儦鍤鈱?duì)反應(yīng)腔體進(jìn)行吹掃清洗，所述清洗的時(shí)間優(yōu)選為5～50s，更優(yōu)選為10～45s，最優(yōu)選為15～40s。

在本發(fā)明中，所述氣相te源的單個(gè)脈沖的持續(xù)時(shí)間優(yōu)選為0.05～20s，更優(yōu)選為1～18s，最優(yōu)選為3～15s，具體的，在本發(fā)明的實(shí)施例中，可以是1s、5s、8s、12s或16s；所述氣相te源兩個(gè)脈沖之間的間隔時(shí)間優(yōu)選為0.5～30s，更優(yōu)選為1～25s，最優(yōu)選為5～20s，具體的，在本發(fā)明的實(shí)施例中，可以是5s、10s、15s、20s或25s；所述沉積的溫度優(yōu)選為50～300℃，更優(yōu)選為70～250℃，最優(yōu)選為90～200℃，具體的，在本發(fā)明的實(shí)施例中，可以是70℃、90℃、125℃、200℃或250℃；所述氣相源的的載氣優(yōu)選為高純氮?dú)饣蚋呒儦鍤猓鲚d氣的流量?jī)?yōu)選為10～200sccm，更優(yōu)選為20～160sccm，最優(yōu)選為60～120sccm，具體的，可以是20sccm、90sccm、120sccm、160sccm或60sccm。

完成一次te源的沉積后，本發(fā)明優(yōu)選采用高純氮?dú)饣蚋呒儦鍤鈱?duì)反應(yīng)腔體進(jìn)行吹掃清洗，清洗的時(shí)間優(yōu)選為5～50s，更優(yōu)選為10～45s，最優(yōu)選為15～40s。

本發(fā)明優(yōu)選重復(fù)上述氣相ge源沉積-吹掃清洗-氣相還原劑還原-吹掃清洗-氣相te源沉積-吹掃起清洗這一過(guò)程，重復(fù)循環(huán)的次數(shù)視實(shí)際需求而定，在本發(fā)明中，所述循環(huán)的次數(shù)優(yōu)選為300～4500次，更優(yōu)選為1000～3000次，具體的，在本發(fā)明的實(shí)施例中，可以是300次、1000次、1500次、3000次或4500次。

為了進(jìn)一步說(shuō)明本發(fā)明，以下結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明提供的一種熱原子層沉積技術(shù)生長(zhǎng)gete合金薄膜的方法進(jìn)行詳細(xì)描述，但不能將其理解為對(duì)本發(fā)明保護(hù)范圍的限定。

實(shí)施例1：(n,n’-二仲丁基-甲基脒基)(六甲基二硅氮基)ge(ⅱ)的制備

式iii所示的(n,n’-二仲丁基-甲基脒基)(六甲基二硅氮基)ge(ⅱ)的制備方法如下：

100mlschlenk瓶抽真空充氬氣置換三次，氬氣保護(hù)下加入n,n’-二仲丁基-甲基脒配體(0.510g，3mmol)、重蒸除水的乙醚(15ml)，體系為無(wú)色溶液。在-78℃下，逐滴滴加正丁基鋰(1.2ml，3mmol)。緩慢恢復(fù)室溫，并繼續(xù)攪拌3h，體系為淡黃色溶液。

另取100mlschlenk瓶抽真空充氬氣置換三次，氬氣保護(hù)下加入二氯化鍺二氧六環(huán)(0.693g，3mmol)、重蒸除水的乙醚(10ml)。在氬氣氣體保護(hù)、-78℃下，將鋰鹽的乙醚溶液逐滴滴加至二氯化鍺二氧六環(huán)的乙醚液中。緩慢恢復(fù)室溫后并繼續(xù)攪拌12h。

另取100mlschlenk瓶抽真空充氬氣置換三次，在氬氣氣體保護(hù)下，加入六甲基二硅氮烷(0.484g，3mmol)、重蒸除水的乙醚(15ml)，體系為無(wú)色溶液。在-78℃下，逐滴滴加正丁基鋰(1.2ml，3mmol)。緩慢恢復(fù)室溫后繼續(xù)攪拌3h，體系為無(wú)色溶液。

在氬氣氣體保護(hù)、-78℃下，將上述鋰鹽的乙醚溶液緩慢滴加至上述單取代的鍺配合物的乙醚液中。緩慢恢復(fù)室溫后并繼續(xù)攪拌12h。真空條件除去體系中易揮發(fā)組份，并用15ml*2重蒸除水的正己烷提取產(chǎn)物。真空條件除去提取液中易揮發(fā)組份，得到淡黃色油狀粗產(chǎn)物。提純：真空條件、油浴溫度120℃下，用微量減壓蒸餾裝置提純得到無(wú)色油狀液態(tài)產(chǎn)物0.399g(產(chǎn)率約51％)。

其中：¹hnmr(400mhz,c6d6)δ3.14(ddd,j＝12.9hz,2h)，1.44–1.33(m,4h)，1.30(s,3h)，1.18(d,j＝6.4hz,3h)，1.06(d,j＝6.4hz,3h)，0.91(dd,j＝10.5hz,3h)，0.80(t,j＝7.4hz,3h)，0.44(d,j＝0.8hz,18h)，見(jiàn)附圖2。

在結(jié)構(gòu)確認(rèn)后，進(jìn)行了熱化學(xué)性質(zhì)測(cè)試，如圖3所示為本實(shí)施例中的ge源與二氯化鍺二氧六環(huán)的熱分解圖。由圖3可以看出，二氯化鍺二氧六環(huán)在170℃開(kāi)始分解，殘余質(zhì)量較高，在成膜過(guò)程中分解形成顆粒物摻雜在薄膜中；而本實(shí)施例中的ge源熱分解溫度遠(yuǎn)高于二氯化鍺二氧六環(huán)。本實(shí)施例中的ge源，初始揮發(fā)溫度為165℃，t50(失重50％時(shí)的溫度)為190℃，終止揮發(fā)溫度為210℃，揮發(fā)過(guò)程為單階揮發(fā)曲線(xiàn)、無(wú)多余拐點(diǎn)，且最終殘余質(zhì)量?jī)H為1.2％，說(shuō)明(n,n’-二仲丁基-甲基脒基)(六甲基二硅氮基)ge(ⅱ)具有良好的揮發(fā)性；本實(shí)施例中的ge源，熱分解溫度大于300℃(300℃下ge源未發(fā)生分解)，且殘余質(zhì)量幾乎為零；所以該ge源化合物熱穩(wěn)定性好，適用于ald前驅(qū)體。

實(shí)施例2：基于原子層沉積的gete合金薄膜的制備

一種以(n,n’-二仲丁基-甲基脒基)(六甲基二硅氮基)ge(ⅱ)為ge源，見(jiàn)具有式iii，以n2h4為還原劑，以(et3si)2te為te源制備gete合金薄膜原子層沉積方法，包括以下過(guò)程：

1)以si為襯底，沉積溫度為150℃，ge源(n,n’-二仲丁基-甲基脒基)(六甲基二硅氮基)ge(ⅱ)的加熱溫度為50℃，使之氣化，以高純氮?dú)鉃檩d氣，通入氣相ge源(n,n’-二仲丁基-甲基脒基)(六甲基二硅氮基)ge(ⅱ)，載氣流量為20sccm。脈沖時(shí)間為12s，等待時(shí)間為10s；

2)完成一個(gè)ge源脈沖后使用高純氮?dú)膺M(jìn)行清洗，清洗時(shí)間為25s；

3)還原劑n2h4加熱溫度為40℃，使之氣化，以高純氮?dú)鉃檩d氣，載氣流量為60sccm，以脈沖的形式通入n2h4脈沖時(shí)間為5s，等待時(shí)間為15s。

4)完成一個(gè)還原劑脈沖后采用高純氮?dú)膺M(jìn)行清洗，清洗時(shí)間為15s。

5)te源(et3si)2te的加熱溫度為45℃，使之氣化，以高純氮?dú)鉃檩d氣，通入氣相te源(et3si)2te，載氣流量為20sccm。脈沖時(shí)間為12s，等待時(shí)間為10s；

6)完成一個(gè)te源脈沖后使用高純氮?dú)膺M(jìn)行清洗，清洗時(shí)間為45s；

將上述1)～6)步驟重復(fù)循環(huán)300次，所得gete合金薄膜厚度為10nm，采用四探針?lè)y(cè)試電阻率為4*10⁵ω·cm。

本發(fā)明對(duì)本實(shí)施例得到的gete合金薄膜進(jìn)行x射線(xiàn)能譜儀測(cè)試，結(jié)果如圖4所示，圖4為本發(fā)明實(shí)施例2中的薄膜的圖片，由圖4可以看出，本實(shí)施例得到的gete合金薄膜薄膜具有純凈的化學(xué)組份，無(wú)其他雜元素的摻雜，其中si元素的出現(xiàn)是薄膜層較薄致使電子束轟擊到了硅片表面而檢測(cè)到元素si。對(duì)本實(shí)施例得到的gete合金薄膜進(jìn)行掃描電鏡測(cè)試，結(jié)果如圖5所示，圖5為本發(fā)明實(shí)施例2中的薄膜的圖片，由圖5可以看出，本實(shí)施例得到的gete合金薄膜薄膜具有良好的臺(tái)階覆蓋性，無(wú)堆積成島現(xiàn)象，由此表明該方法制備的gete合金薄膜具有良好的保型性。對(duì)本實(shí)施例得到的gete合金薄膜進(jìn)行原子力學(xué)顯微鏡測(cè)試，結(jié)果如圖6所示，由圖6可以看出，本實(shí)施例得到的gete合金薄膜的均方根粗糙度在0.7nm，表明該方法制備gete合金的薄膜的表面形態(tài)較好。

實(shí)施例3

一種以(n,n’-二異丙基-正丁基脒基)(六甲基二硅氮基)ge(ⅱ)為ge源，見(jiàn)具有式iv，以n2h4為還原劑，以(et3si)2te為te源制備gete合金薄膜原子層沉積方法，包括以下過(guò)程：

1)以sio2為襯底，沉積溫度為100℃，ge源(n,n’-二異丙基-正丁基脒基)(六甲基二硅氮基)ge(ⅱ)的加熱溫度為70℃，使之氣化，以高純氬氣為載氣，通入氣相ge源(n,n’-二異丙基-正丁基脒基)(六甲基二硅氮基)ge(ⅱ)，載氣流量為50sccm。脈沖時(shí)間為5s，等待時(shí)間為20s；

2)完成一個(gè)ge源脈沖后使用高純氬氣進(jìn)行清洗，清洗時(shí)間為45s；

3)還原劑meoh加熱溫度為70℃，使之氣化，以高純氬氣為載氣，載氣流量為10sccm，以脈沖的形式通入meoh脈沖時(shí)間為15s，等待時(shí)間為5s。

4)完成一個(gè)還原劑脈沖后采用高純氬氣進(jìn)行清洗，清洗時(shí)間為35s。

5)te源(et3si)2te的加熱溫度為60℃，使之氣化，以高純氬氣為載氣，通入氣相te源(et3si)2te，載氣流量為40sccm。脈沖時(shí)間為20s，等待時(shí)間為25s；

6)完成一個(gè)te源脈沖后使用高純氬氣進(jìn)行清洗，清洗時(shí)間為45s；

將上述1)～6)步驟重復(fù)循環(huán)1000次，所得gete合金薄膜厚度為27nm，采用四探針?lè)y(cè)試電阻率為1.4*10⁵ω·cm。得到的gete合金薄膜薄膜具有純凈的化學(xué)組份，無(wú)其他雜元素的摻雜，具有良好的保型性。

實(shí)施例4

一種以(n-仲丁基-n’-異丙基-甲基脒基)(六甲基二硅氮基)ge(ⅱ)為ge源，見(jiàn)具有式v，以alme3為還原劑，以(et3si)2te為te源制備gete合金薄膜原子層沉積方法，包括以下過(guò)程：

1)以氮化硅為襯底，沉積溫度為80℃，ge源(n-仲丁基-n’-異丙基-甲基脒基)(六甲基二硅氮基)ge(ⅱ)的加熱溫度為90℃，使之氣化，以高純氬氣為載氣，通入氣相ge源(n-仲丁基-n’-異丙基-甲基脒基)(六甲基二硅氮基)ge(ⅱ)，載氣流量為100sccm。脈沖時(shí)間為8s，等待時(shí)間為5s；

2)完成一個(gè)ge源脈沖后使用高純氬氣進(jìn)行清洗，清洗時(shí)間為15s；

3)還原劑alme3加熱溫度為50℃，使之氣化，以高純氬氣為載氣，載氣流量為120sccm，以脈沖的形式通入alme3脈沖時(shí)間為1s，等待時(shí)間為25s。

4)完成一個(gè)還原劑脈沖后采用高純氬氣進(jìn)行清洗，清洗時(shí)間為45s。

5)te源(et3si)2te的加熱溫度為70℃，使之氣化，以高純氬氣為載氣，通入氣相te源(et3si)2te，載氣流量為45sccm。脈沖時(shí)間為25s，等待時(shí)間為45s；

6)完成一個(gè)te源脈沖后使用高純氬氣進(jìn)行清洗，清洗時(shí)間為25s；

將上述1)～6)步驟重復(fù)循環(huán)1500次，所得gete合金薄膜厚度為16nm，采用四探針?lè)y(cè)試電阻率為0.9*10⁵ω·cm。得到的gete合金薄膜薄膜具有純凈的化學(xué)組份，無(wú)其他雜元素的摻雜，具有良好的保型性。

實(shí)施例5：式iv化合物的制備及結(jié)構(gòu)確認(rèn)

(n,n’-二異丙基-正丁基脒基)(六甲基二硅氮基)ge(ⅱ)的制備：

取100mlschlenk瓶抽真空充氬氣置換三次，氬氣保護(hù)下，加入n,n'-二異丙基碳二亞胺(4.086g，32.3mmol)、重蒸除水的正己烷(50ml)，體系為無(wú)色透明液體。然后在-78℃下逐滴滴加正丁基鋰(14ml，35mmol)，無(wú)沉淀生成，為淡黃色澄清透明溶液，緩慢升至室溫反應(yīng)直至有白色沉淀析出。通過(guò)無(wú)水無(wú)氧過(guò)濾洗滌裝置在氬氣保護(hù)下將反應(yīng)體系過(guò)濾，20ml*2重蒸除水的正己烷洗滌白色固體，真空干燥后得到白色固體(5.547g，產(chǎn)率約90％，熔點(diǎn)：128～131℃)，放置在手套箱中保存待取用。

手套箱中取n,n’-二異丙基-正丁基脒基鋰鹽(0.369g，1.5mmol)于100mlschlenk瓶中。氬氣保護(hù)下，加入重蒸除水的乙醚(15ml)并攪拌20min，體系為無(wú)色溶液。在-78℃下，將鋰鹽的乙醚溶液逐滴滴加至二氯化鍺二氧六環(huán)(0.346g，1.5mmol)的乙醚(10ml)懸濁液中。緩慢恢復(fù)室溫后并繼續(xù)攪拌12h。

另取100mlschlenk瓶抽真空充氬氣置換三次，在氬氣氣體保護(hù)下，加入六甲基二硅氮烷(0.242g,，1.5mmol)、重蒸除水的乙醚(15ml)，體系為無(wú)色溶液。在-78℃下，逐滴滴加正丁基鋰(0.6ml，1.5mmol)。緩慢恢復(fù)室溫后繼續(xù)攪拌3h，體系為無(wú)色溶液。

在氬氣氣體保護(hù)、-78℃下，將上述鋰鹽的乙醚溶液逐滴滴加至上述單取代的鍺配合物的乙醚液中。緩慢恢復(fù)室溫后并繼續(xù)攪拌12h。真空條件除去體系中易揮發(fā)組份，并用15ml*2重蒸除水的正己烷提取產(chǎn)物。真空條件除去提取液中易揮發(fā)組份，得到淡黃色油狀粗產(chǎn)物。提純：真空條件、油浴溫度120℃下，用微量減壓蒸餾裝置提純得到無(wú)色油狀液態(tài)產(chǎn)物0.399g(產(chǎn)率約51％)。

其中，¹hnmr(400mhz,c6d6)δ3.49(dt,j＝12.7,6.3hz,2h)，1.90–1.74(m,2h)，1.36–1.26(m,4h)，1.29–1.13(m,12h)，0.77(t,j＝7.3hz,3h)，0.47(s,18h)；如圖7所示。

在結(jié)構(gòu)確認(rèn)后，進(jìn)行了熱化學(xué)性質(zhì)測(cè)試，測(cè)試結(jié)果如下：初始揮發(fā)溫度為182℃，t50(失重50％時(shí)的溫度)為207℃，終止揮發(fā)溫度為225℃，揮發(fā)過(guò)程為單階揮發(fā)曲線(xiàn)、無(wú)多余拐點(diǎn)，且最終殘余質(zhì)量?jī)H為2％，說(shuō)明(n,n’-二仲丁基-甲基脒基)(六甲基二硅氮基)ge(ⅱ)具有良好的揮發(fā)性及熱穩(wěn)定性，適用于ald前驅(qū)體。

實(shí)施例6：式v化合物的制備及結(jié)構(gòu)確認(rèn)

100mlschlenk瓶抽真空充氬氣置換三次，氬氣保護(hù)下加入n-仲丁基-n’-異丙基-甲基脒基配體(0.468g，3mmol)、重蒸除水的乙醚(15ml)，體系為無(wú)色溶液。在-78℃下，逐滴滴加正丁基鋰(1.2ml，3mmol)。緩慢恢復(fù)室溫，并繼續(xù)攪拌3h，體系為淡黃色溶液。

另取100mlschlenk瓶抽真空充氬氣置換三次，氬氣保護(hù)下加入二氯化鍺二氧六環(huán)(0.693g，3mmol)、重蒸除水的乙醚(10ml)。在氬氣氣體保護(hù)、-78℃下，將鋰鹽的乙醚溶液逐滴滴加至二氯化鍺二氧六環(huán)的乙醚液中。緩慢恢復(fù)室溫后并繼續(xù)攪拌12h。

另取100mlschlenk瓶抽真空充氬氣置換三次，在氬氣氣體保護(hù)下，加入六甲基二硅氮烷(0.484g，3mmol)、重蒸除水的乙醚(15ml)，體系為無(wú)色溶液。在-78℃下，逐滴滴加正丁基鋰(1.2ml，3mmol)。緩慢恢復(fù)室溫后繼續(xù)攪拌3h，體系為無(wú)色溶液。

在氬氣氣體保護(hù)、-78℃下，將上述鋰鹽的乙醚溶液逐滴滴加至上述單取代的鍺配合物的乙醚液中。緩慢恢復(fù)室溫后并繼續(xù)攪拌12h。真空條件除去體系中易揮發(fā)組份，并用15ml*2重蒸除水的正己烷提取產(chǎn)物。真空條件除去提取液中易揮發(fā)組份，得到淡黃色油狀粗產(chǎn)物。提純：真空條件、油浴溫度110℃下，用微量減壓蒸餾裝置提純得到無(wú)色油狀液態(tài)產(chǎn)物0.689g(產(chǎn)率約57％)。

其中，¹hnmr(400mhz,c6d6)δ3.33(dt,j＝12.7,6.4hz,1h)，3.16–3.03(m,1h)，1.60–1.42(m,2h)，1.27(s,3h)，1.21–1.04(m,9h)，0.85(dt,j＝44.3,7.4hz,3h)，0.44(d,j＝1.3hz,18h)；如圖8所示。

在結(jié)構(gòu)確認(rèn)后，進(jìn)行了熱化學(xué)性質(zhì)測(cè)試，測(cè)試結(jié)果如下：初始揮發(fā)溫度為156℃，t50(失重50％時(shí)的溫度)為180℃，終止揮發(fā)溫度為199℃，揮發(fā)過(guò)程為單階揮發(fā)曲線(xiàn)、無(wú)多余拐點(diǎn)，且最終殘余質(zhì)量?jī)H為0.2％，說(shuō)明(n,n’-二仲丁基-甲基脒基)(六甲基二硅氮基)ge(ⅱ)具有良好的揮發(fā)性及熱穩(wěn)定性，適用于ald前驅(qū)體。

以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。