本發(fā)明涉及半導(dǎo)體加工，尤其涉及一種拋光墊修整器、拋光墊及硅片。

背景技術(shù)：

1、化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)(chemical?mechanical?polishing，cmp)屬于化學(xué)作用和機(jī)械作用相結(jié)合的技術(shù)，其是半導(dǎo)體制程中獲得全局平坦化的一種手段。cmp處理過(guò)程中，首先待加工硅片表面材料與拋光液中的氧化劑、催化劑等發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成一層相對(duì)容易去除的軟質(zhì)層。然后在拋光液中的磨料和拋光墊的機(jī)械作用下去除軟質(zhì)層，使待加工硅片表面重新裸露出來(lái)。然后再進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)，這樣在化學(xué)作用過(guò)程和機(jī)械作用過(guò)程的交替進(jìn)行中完成待加工硅片表面拋光。拋光墊對(duì)經(jīng)過(guò)化學(xué)機(jī)械拋光形成的表面的質(zhì)量具有重要影響。

2、化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備中通常通過(guò)拋光墊修整器對(duì)拋光墊的表面進(jìn)行修整，去除釉化層，以恢復(fù)拋光墊表面粗糙度。

3、邊緣平坦度(edege?flatness)是硅片平坦度中及其重要的參數(shù)。然而，現(xiàn)有技術(shù)中cmp工序處理后的硅片邊緣平坦度有待提高。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、為了解決上述現(xiàn)有技術(shù)中至少一種技術(shù)問(wèn)題，本公開(kāi)實(shí)施例提供了一種拋光墊修整器、拋光墊及硅片。

2、本公開(kāi)實(shí)施例所提供的技術(shù)方案如下：

3、第一方面，本公開(kāi)實(shí)施例提供了一種拋光墊修整器，包括修整器本體，所述修整器本體具有用于對(duì)拋光墊的表面進(jìn)行修整的修整面，所述修整面上具有修整區(qū)，所述修整區(qū)被構(gòu)造為具有磨粒；其中所述修整區(qū)包括若干子修整區(qū)，且若干所述子修整區(qū)沿著所述修整面的周向依次間隔分布，且所述修整區(qū)在所述修整面上的總面積占比為10～30％。

4、示例性的，所述子修整區(qū)的形狀為圓形，且各個(gè)所述子修整區(qū)的面積相同。

5、示例性的，若干所述子修整區(qū)沿所述修整面的周向均勻分布，任意相鄰兩個(gè)所述子修整區(qū)之間對(duì)應(yīng)的圓心角均相同。

6、示例性的，任意相鄰兩個(gè)所述子修整區(qū)之間對(duì)應(yīng)的圓心角的取值范圍為60～120°。

7、示例性的，所述修整區(qū)中的磨粒目數(shù)為大于或等于200目。

8、示例性的，所述修整面還包括支撐區(qū)，若干所述子修整區(qū)圍繞在所述支撐區(qū)的外圍。

9、第二方面，本公開(kāi)實(shí)施例還提供了一種拋光墊，所述拋光墊具有通過(guò)如上所述的拋光墊修整器進(jìn)行修整得到的表面。

10、示例性的，所述拋光墊的材質(zhì)硬度大于或等于80jis-a。

11、示例性的，所述拋光墊的材質(zhì)包括聚氨酯。

12、第三方面，本公開(kāi)實(shí)施例還提供了一種根據(jù)如上所述的拋光墊研磨得到的硅片，所述硅片的邊緣部位正面基準(zhǔn)最小二乘范圍esfqr值的范圍為20～40納米。

13、本公開(kāi)實(shí)施例所帶來(lái)的有益效果如下：

14、本公開(kāi)實(shí)施例中提供的拋光墊修整器、拋光墊及硅片中，在拋光墊修整器的修整面上設(shè)置有修整區(qū)，且修整區(qū)被構(gòu)造為包括若干子修整區(qū)，若干子修整區(qū)沿著修整面周向依次間隔分布，且所有子修整區(qū)在修整面上的總面積占比為10～30％，這樣，通過(guò)對(duì)拋光墊修整器上的修整區(qū)進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)，通過(guò)增大修整區(qū)在修整面上的總面積占比，來(lái)增加修整區(qū)與拋光墊的接觸面積，以提高修整后的拋光墊的均勻性和平整性，進(jìn)而使得拋光墊在對(duì)硅片進(jìn)行拋光加工過(guò)程中作用到硅片上的力更為均勻，以改善硅片邊緣平坦度；同時(shí)，將修整區(qū)設(shè)計(jì)為沿著修整面的周向依次間隔分布的若干子修整區(qū)，可以在增大修整區(qū)在修整面上的總面積占比的同時(shí)，避免修整區(qū)覆蓋區(qū)域過(guò)大，而造成對(duì)拋光墊修整過(guò)度，從而確保達(dá)到預(yù)期的拋光墊修整效果，以改善硅片邊緣平坦度。

技術(shù)特征：

1.一種拋光墊修整器，其特征在于，包括修整器本體，所述修整器本體具有用于對(duì)拋光墊的表面進(jìn)行修整的修整面，所述修整面上具有修整區(qū)，所述修整區(qū)被構(gòu)造為具有磨粒；其中所述修整區(qū)包括若干子修整區(qū)，且若干所述子修整區(qū)沿著所述修整面的周向依次間隔分布，且所述修整區(qū)在所述修整面上的總面積占比為10～30％。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拋光墊修整器，其特征在于，所述子修整區(qū)的形狀為圓形，且各個(gè)所述子修整區(qū)的面積相同。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拋光墊修整器，其特征在于，若干所述子修整區(qū)沿所述修整面的周向均勻分布，任意相鄰兩個(gè)所述子修整區(qū)之間對(duì)應(yīng)的圓心角均相同。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的拋光墊修整器，其特征在于，任意相鄰兩個(gè)所述子修整區(qū)之間對(duì)應(yīng)的圓心角的取值范圍為60～120°。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拋光墊修整器，其特征在于，所述修整區(qū)中的磨粒目數(shù)為大于或等于200目。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拋光墊修整器，其特征在于，所述修整面還包括支撐區(qū)，若干所述子修整區(qū)圍繞在所述支撐區(qū)的外圍。

7.一種拋光墊，其特征在于，所述拋光墊具有通過(guò)如權(quán)利要求1至6中的任一項(xiàng)所述的拋光墊修整器進(jìn)行修整得到的表面。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的拋光墊，其特征在于，所述拋光墊的材質(zhì)硬度大于或等于80jis-a。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的拋光墊，其特征在于，所述拋光墊的材質(zhì)包括聚氨酯。

10.一種根據(jù)權(quán)利要求1-9中的任一項(xiàng)所述的拋光墊研磨得到的硅片，其特征在于，所述硅片的邊緣部位正面基準(zhǔn)最小二乘范圍esfqr值的范圍為20～40納米。

技術(shù)總結(jié)
本公開(kāi)提供一種拋光墊修整器、拋光墊及硅片，所述拋光墊修整器包括修整器本體，所述修整器本體具有用于對(duì)拋光墊的表面進(jìn)行修整的修整面，所述修整面上具有修整區(qū)，所述修整區(qū)被構(gòu)造為具有磨粒；其中所述修整區(qū)包括若干子修整區(qū)，且若干所述子修整區(qū)沿著所述修整面的周向依次間隔分布，且所述修整區(qū)在所述修整面上的總面積占比為10～30％。本公開(kāi)提供的拋光墊修整器、拋光墊及硅片可提高修整后的拋光墊的均勻性和平整性，進(jìn)而使得拋光墊在對(duì)硅片進(jìn)行拋光加工過(guò)程中作用到硅片上的力更為均勻，以改善硅片邊緣平坦度。

技術(shù)研發(fā)人員：楊軒,崔俊杰,王旭輝
受保護(hù)的技術(shù)使用者：西安奕斯偉材料科技股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/28