本技術(shù)涉及半導(dǎo)體設(shè)備，具體涉及一種基座裝置和物理氣相沉積設(shè)備。

背景技術(shù)：

1、在半導(dǎo)體制造過程中，通過使用濺射鍍膜的方法在晶圓片上生長銅膜和鋁膜等金屬膜。濺射是利用在高真空環(huán)境下，反應(yīng)室通入適當(dāng)?shù)臍怏w(大多使用氬氣)，反應(yīng)室內(nèi)的自由電子撞擊氬分子，使氬分子解離，產(chǎn)生二次電子和氬離子，氬離子受到靶材上負(fù)電位的影響，轟擊靶材，使金屬原子逸出靶材表面，通過擴(kuò)散沉積到晶圓片上。

2、如圖1和圖2所示，濺射設(shè)備包括濺射腔體，濺射腔體內(nèi)包括載臺(tái)1’、沉積環(huán)2’和蓋環(huán)3’。載臺(tái)1’用于承載晶圓片4’，以及向晶圓片4’提供溫度；沉積環(huán)2’是用于避免薄膜沉積在載臺(tái)1’上；當(dāng)進(jìn)行鍍膜時(shí)，載臺(tái)1’抬升使蓋環(huán)3’與沉積環(huán)2’相貼合。如圖2中虛線框所指區(qū)域所示，沉積環(huán)2’的凸出部與蓋環(huán)3’的凹陷部之間設(shè)有一定間隙d，因此，沉積膜會(huì)生長到該間隙位置處的沉積環(huán)2’和蓋環(huán)3’上，且隨時(shí)沉積膜次數(shù)的增加，間隙處沉積環(huán)2’和蓋環(huán)3’上的生長膜厚度會(huì)增加。當(dāng)濺射膜為鋁膜時(shí)，由于熱鋁具有粘附性，沉積環(huán)2’和蓋環(huán)3’可通過鋁膜連接在一起。當(dāng)載臺(tái)1’進(jìn)行下降動(dòng)作取出濺射好的晶圓片4’時(shí)，可能會(huì)出現(xiàn)由于沉積環(huán)2’和蓋環(huán)3’粘附在一起，蓋環(huán)3’將沉積環(huán)2’帶起，導(dǎo)致沉積環(huán)2’發(fā)生位移(如圖3所示)，如果位移過大，則會(huì)使沉積環(huán)2’無法正常回落至原位，導(dǎo)致晶圓片4’無法正常下降取片。若晶圓片4’無法正常取片時(shí)，則需開腔取出晶圓片4’，并還需對(duì)濺射腔體進(jìn)行清潔保養(yǎng)，才能再次開始濺射膜層，這樣會(huì)縮短濺射機(jī)臺(tái)的保養(yǎng)周期，降低濺射機(jī)臺(tái)的產(chǎn)能。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中的問題，本實(shí)用新型的目的在于提供一種基座裝置及物理氣相沉積設(shè)備，解決蓋環(huán)帶起沉積環(huán)導(dǎo)致晶圓片偏移的問題，降低開腔取片的頻率，延長濺射腔體保養(yǎng)周期。

2、本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種基座裝置，用于濺射腔體中，包括：

3、載臺(tái)，包括第一面；

4、沉積環(huán)，置于所述第一面上；所述沉積環(huán)包括第一環(huán)形本體，所述第一環(huán)形本體包括沿背離所述載臺(tái)軸線方向延伸的環(huán)狀凸出部，所述環(huán)狀凸出部設(shè)有朝靠近所述載臺(tái)的軸線方向內(nèi)凹的凹槽；

5、固定組件，與所述凹槽相配合，以將所述沉積環(huán)與所述載臺(tái)固定連接。

6、在一些實(shí)施例中，所述固定組件包括卡箍，所述卡箍包括第一凸出部、第二凸出部和連接部，所述第一凸出部和所述第二凸出部朝靠近所述載臺(tái)的軸線方向延伸，所述連接部連接所述第一凸出部和所述第二凸出部；所述載臺(tái)還包括與所述第一面相對(duì)設(shè)置的第二面，所述第一凸出部伸入至所述凹槽的內(nèi)部，所述第二凸出部與所述第二面相抵接，以將所述沉積環(huán)與載臺(tái)固定連接。

7、在一些實(shí)施例中，所述第二凸出部與所述載臺(tái)通過螺紋固定連接。

8、在一些實(shí)施例中，所述連接部背離所述第二凸出部的一側(cè)還設(shè)有第三凸出部，所述第三凸出部朝背離所述；載臺(tái)的軸線方向延伸；所述固定組件還包括配重環(huán)，所述配重環(huán)包括第二環(huán)狀本體，所述第二環(huán)狀本體上設(shè)有安裝孔，所述配重環(huán)與所述第三凸出部通過所述安裝孔固定連接。

9、在一些實(shí)施例中，所述配重環(huán)與所述卡箍通過螺紋連接。

10、在一些實(shí)施例中，所述第二環(huán)狀本體的內(nèi)徑大于所述載臺(tái)的外徑。

11、在一些實(shí)施例中，所述環(huán)狀凸出部設(shè)有多個(gè)所述凹槽，多個(gè)所述凹槽沿所述環(huán)狀凸出部的周向均勻分布。

12、在一些實(shí)施例中，所述載臺(tái)設(shè)有加熱組件。

13、在一些實(shí)施例中，所述載臺(tái)與所述濺射腔體沿第一方向可移動(dòng)連接。

14、本實(shí)用新型實(shí)施例還提供了一種物理氣相沉積設(shè)備，包括濺射腔體，在所述濺射腔體中設(shè)置有如上所述的基座裝置。

15、本實(shí)用新型所提供的基座裝置及物理氣相沉積設(shè)備具有如下優(yōu)點(diǎn)：

16、該基座裝置用于濺射腔體中，該裝置包括載臺(tái)、沉積環(huán)和固定組件。載臺(tái)包括第一面；沉積環(huán)置于所述第一面上；所述沉積環(huán)包括第一環(huán)形本體，所述第一環(huán)形本體包括沿背離所述載臺(tái)軸線方向延伸的環(huán)狀凸出部，所述環(huán)狀凸出部設(shè)有朝靠近所述載臺(tái)的軸線方向內(nèi)凹的凹槽；固定組件與所述凹槽相配合，以將所述沉積環(huán)與所述載臺(tái)固定連接。本實(shí)用新型可解決蓋環(huán)帶起沉積環(huán)導(dǎo)致晶圓片偏移的問題，降低開腔取片的頻率，延長濺射腔體保養(yǎng)周期，降低濺射腔體的保養(yǎng)次數(shù)，提高濺射機(jī)臺(tái)的產(chǎn)能。

技術(shù)特征：

1.一種基座裝置，其特征在于，用于濺射腔體中，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基座裝置，其特征在于，所述固定組件包括卡箍，所述卡箍包括第一凸出部、第二凸出部和連接部，所述第一凸出部和所述第二凸出部朝靠近所述載臺(tái)的軸線方向延伸，所述連接部連接所述第一凸出部和所述第二凸出部；所述載臺(tái)還包括與所述第一面相對(duì)設(shè)置的第二面，所述第一凸出部伸入至所述凹槽的內(nèi)部，所述第二凸出部與所述第二面相抵接，以將所述沉積環(huán)與載臺(tái)固定連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基座裝置，其特征在于，所述第二凸出部與所述載臺(tái)通過螺紋固定連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基座裝置，其特征在于，所述連接部背離所述第二凸出部的一側(cè)還設(shè)有第三凸出部，所述第三凸出部朝背離所述載臺(tái)的軸線方向延伸；所述固定組件還包括配重環(huán)，所述配重環(huán)包括第二環(huán)狀本體，所述第二環(huán)狀本體上設(shè)有安裝孔，所述配重環(huán)與所述第三凸出部通過所述安裝孔固定連接。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基座裝置，其特征在于，所述配重環(huán)與所述卡箍通過螺紋連接。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基座裝置，其特征在于，所述第二環(huán)狀本體的內(nèi)徑大于所述載臺(tái)的外徑。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基座裝置，其特征在于，所述環(huán)狀凸出部設(shè)有多個(gè)所述凹槽，多個(gè)所述凹槽沿所述環(huán)狀凸出部的周向均勻分布。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基座裝置，其特征在于，所述載臺(tái)設(shè)有加熱組件。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基座裝置，其特征在于，所述載臺(tái)與所述濺射腔體沿第一方向可移動(dòng)連接。

10.一種物理氣相沉積設(shè)備，其特征在于，包括濺射腔體，在所述濺射腔體中設(shè)置有如權(quán)利要求1至9任一項(xiàng)所述的基座裝置。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)提供了一種基座裝置及物理氣相沉積設(shè)備。該基座裝置用于濺射腔體中，該裝置包括載臺(tái)、沉積環(huán)和固定組件。載臺(tái)包括第一面；沉積環(huán)置于所述第一面上；所述沉積環(huán)包括第一環(huán)形本體，所述第一環(huán)形本體包括沿背離所述載臺(tái)軸線方向延伸的環(huán)狀凸出部，所述環(huán)狀凸出部設(shè)有朝靠近所述載臺(tái)的軸線方向內(nèi)凹的凹槽；固定組件與所述凹槽相配合，以將所述沉積環(huán)與所述載臺(tái)固定連接。本技術(shù)可解決蓋環(huán)帶起沉積環(huán)導(dǎo)致晶圓片偏移的問題，降低開腔取片的頻率，延長濺射腔體保養(yǎng)周期，降低濺射腔體的保養(yǎng)次數(shù)，提高濺射機(jī)臺(tái)的產(chǎn)能。

技術(shù)研發(fā)人員：張金華,嚴(yán)翔,蔣文軍,閆曉暉
受保護(hù)的技術(shù)使用者：上海積塔半導(dǎo)體有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240125
技術(shù)公布日：2024/12/19