專利名稱：一種提高薄膜電容器粘著力并具有優(yōu)良抗氧化性的鍍鋅膜的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種可以提高薄膜電容器中的鋅與聚合物薄膜粘著力，并具有優(yōu)良抗氧化性的鍍鋅膜的制造方法。
由于大多數(shù)電氣和電子裝置具有致密細小的結(jié)構(gòu)，使用金屬鍍膜的薄膜電容器的應(yīng)用最近大大增加了。特別是，因為這樣的覆蓋膜電容器具有優(yōu)良的高頻特性和修補電極表面膜損傷或可能因自身污染造成的缺陷的自身修復(fù)能力，而顯示出非常高的可靠性。與傳統(tǒng)的電解電容器相比，在制造和成本方面，它們也有很多優(yōu)點。由于這些原因，利用金屬沉積(鍍金屬)膜的薄膜電容器的使用已經(jīng)有所增加。
根據(jù)沉積金屬種類的不同，電容器的鍍金屬膜分為純鋁(Al)沉積型、鋁-鋅(Al-Zn)沉積型和鋅(Zn)沉積型。
同那些利用鋁沉積的薄膜的金屬鍍膜電容器(在下文寫成MF-Al電容器)相比，利用鍍鋅膜的金屬鍍膜電容器(在下文寫成MF-Zn電容器)，具有更優(yōu)越的電氣性能。然而，因MF-Zn電容器的抗潮濕和自我修復(fù)性能或多或少有點低，使其應(yīng)用受到限制。
另一方面，由于鋁比鍍鋅膜具有更高的電導(dǎo)率，使得鋁沉積膜的厚度較小，從而顯示優(yōu)異的自我修復(fù)性能。特別是，因為在鍍鋁膜表面有一層有助于薄膜化學(xué)穩(wěn)定的氧化鋁，使膜具有非常好的抗氧化性質(zhì)，因此有利于貯存。但是，這樣的鍍鋁膜也有缺點隨時間的推移，其電容量會減小。另外從成本上考慮也不利，因為它要求1.33×10-2至1.33×10-3帕(10-4到10-5托)的真空度和1,500℃至1,800℃這樣高的蒸發(fā)溫度作為其沉積條件，沉積膜太薄(100至250)以致無法與鉛導(dǎo)線接觸。由于這樣小的厚度，沉積膜很難具有厚邊。因而，在將與金屬導(dǎo)體接觸的薄膜表面部分，形成不導(dǎo)電的氧化鋁。鍍鋁膜上的氧化鋁增加了電極與鉛導(dǎo)線間的接觸電阻。
相反，隨著時間的推移，鍍鋅膜電容的電容量幾乎或根本不增大。沉積在約600℃的低溫、1.33至1.33×10-1帕(10-2到10-3托)的真空度下就可實現(xiàn)。既然鍍鋅膜比鍍鋁膜厚度大，氧化鋅在與鉛導(dǎo)線接觸的薄膜表面形成，因此減小了鉛導(dǎo)線與電極間的接觸電阻。同鍍鋁膜相比，這種膜在成本上也有優(yōu)勢。由于這些優(yōu)點，鍍鋅膜已經(jīng)得到了廣泛的應(yīng)用。
但是，鋅有高氧化活性，以及它與絕緣材料制成的聚合物膜之間的粘著力很弱，例如聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、取向聚丙烯(OPP)、聚乙烯(PE)或聚碳酸酯(PC)。由于上述原因，鋅層顯示低的表面粘結(jié)強度。因此，鍍鋅膜具有其鋅層易被刮傷的缺點。
典型的是，鍍鋅膜的氧化以一種連續(xù)的方式，隨著水分和氧氣穿透薄膜，通過兩個步驟來實現(xiàn)。只要膜中有水份存在，氧化就會繼續(xù)。
第一步的氧化以下述方式實現(xiàn)而第二步氧化進行的方式是。水分的滲透通過如圖2所示的A、B、C三種途徑。通過途徑A，空氣中的水分與鍍鋅膜結(jié)合；通過途徑B，鍍鋅膜與電容器的聚合物膜所含水分結(jié)合；通過途徑C，鍍鋅膜也和滲過聚合物膜的水分結(jié)合。水分與鍍鋅膜的結(jié)合程度以途徑A最大，途徑C最小。
由于鍍鋅薄膜具有如下性質(zhì)即在空氣中迅速氧化的性質(zhì)以及在電容器制造過程中，從膜沉積之后氧化一直繼續(xù)直到沉浸過程開始，盡管具有優(yōu)良的電氣性能，其應(yīng)用受到限制。當(dāng)存放很長一段時間時，也存在問題。為了提高沉積膜的粘著性能，同時仍保持鍍鋅膜的優(yōu)點，于是英國專利No.1,754,064提出一種與沉積金屬氧化物有關(guān)的方法，例如在聚合物膜上覆蓋Al2O3并且在金屬氧化物層上鍍鋅，從而提高鍍鋅膜的抗氧化性能。在德國專利No.0,083,137上，公開了另一種方法，鋅基合金、如Zn-Al合金以單層形式沉積在塑料薄膜上來替代多層薄膜，從而提高了抗氧化性。事實上，當(dāng)一種金屬、如Cr沉積在鋅層上能提高抗氧化性。但是在這種情況下需要高溫和高真空度來沉積Cr。由于這個原因，這種方法仍不實用。
因此，本發(fā)明的目的在于提供一種為薄膜電容器制造鋅金屬膜的方法，該膜具有優(yōu)良的抗氧化性，即通過表面處理沉積有鋅金屬膜的聚合物膜提高聚合物膜的表面張力使金屬膜與水分隔離，或依靠在鋅膜上沉積一種具有高結(jié)合能的金屬達到這一目的。
一方面，本發(fā)明為制造具有優(yōu)良抗氧化性能的用于薄膜電容器的鍍鋅膜提供了一種方法，這種方法包括以下幾個步驟(a)用具有高結(jié)合能的金屬，通過蒸發(fā)一個鋁、錫或銀的種子層的真空噴涂方法來處理聚合物膜表面，通過熱蒸發(fā)在聚合物膜表面形成具有單層或多層結(jié)構(gòu)的金屬層。(b)把鋅或鋅鋁合金沉積在(a)步驟中獲得的薄膜上，從而得到2到10Ω/m2(歐姆/平方米)的總表面電阻。
另一方面，本方法進一步包括在沉積鋅或鋅-鋁合金之前，在由步驟(a)中得到的薄膜上，沉積一個金屬種子層，這些金屬包括鋁、銀或鈦，它們比鋅具有更高的氧化活性，得到3.5到10Ω/m2的表面電阻，并且用連續(xù)的方法在種子層上沉積鋁。
另一方面，本發(fā)明為制造具有優(yōu)良抗氧化性能的用于薄膜電容器的鍍鋅膜提供了一種方法，其步驟包括在含O2空氣中、即如O2+Ar或O2+N2+Ar的混合氣中利用輝光放電在聚合物膜表面產(chǎn)生氧負離子(O-)；鋅作為電極金屬沉積在沒有金屬種子層的聚合物膜上，從而得到2到10Ω/m2的總表面電阻；利用輝光放電或陰極真空噴鍍方法在鋅膜上形成一個防止鋅氧化的保護膜。
從下面參考附圖對實施方案的描述，可很清楚地看到本發(fā)明的其它用途和情況。


圖1是本發(fā)明中鋅沉積狀態(tài)的圖解。
圖2是水分穿過鍍金屬膜的不同途徑的圖解。
圖3是用本發(fā)明方法制造的鍍鋅膜的截面圖。
圖4是本發(fā)明中用來制造鍍鋅膜的真空加熱爐的圖解。
圖5是本發(fā)明的鍍鋅膜與傳統(tǒng)膜的抗氧化性能比較的曲線圖。
用熱電阻蒸發(fā)方法在聚合物膜上形成鍍金屬膜時會產(chǎn)生多孔結(jié)構(gòu)，當(dāng)膜暴露在空氣中，空氣中的水分很容易滲入膜，在這種情況下，膜會降低粘著力，可能會導(dǎo)致膜突然的氧化。為了提高金屬膜的抗氧化性以防止這種氧化，在鋅沉積在聚合物膜上之前，由對聚合物膜具有高粘著力的金屬或氧化物組成的種子層鍍在聚合物膜上。金屬膜的粘著力和氧化性可能取決于種子層的種類。當(dāng)種子層和聚合物膜之間的結(jié)合力低時，由于種子層表面張力能，種子層沉積不均勻，形成塊狀物。在這種情況下，覆蓋在種子層上的鍍鋅膜的粘著力降低。這趨勢在當(dāng)使用聚丙烯或聚碳酸酯薄膜時特別明顯。沉積層與聚合物膜的粘著力對沉積層的抗氧化性和氧化機理有很大影響。特別是，被廣泛使用做為電容器聚合物膜的雙軸拉伸的聚丙烯膜(OPP膜)由于它們具有相當(dāng)?shù)偷恼持?、?.2×103牛頓/平方米(32dyne/cm2)(而聚酯(PET)膜的粘著力為4.8×103牛頓/平方米(48dyne/cm2))表現(xiàn)出對鋅層的粘著力降低，因此，象這樣的膜需經(jīng)特殊處理，如用電暈放電處理來提高其粘著張力，能達到不低于3.8-4.2×103牛頓/平方米(38-42dyne/cm2)的水平。
根據(jù)本發(fā)明，鍍鋅膜的制造方法是把有優(yōu)良抗氧化性的鋁作為一個種子層鍍在厚度為1.5到20微米的電容器聚合物膜上，以使鋁層的表面電阻為100至300Ω/m2，或者利用輝光放電或真空噴鍍方法對聚合物膜進行處理，然后將鋅鍍在由上述方法得到的膜上，從而使膜具有3-4.0Ω/m2的總表面電阻。鍍鋅膜的形成是在一個真空加熱爐中用連續(xù)操作完成的。如圖4所示，真空加熱爐包括上端室9和下端室10，上端室9要保持2.66帕(2×10-2托)的真空度，下端室10要保持2.66×10-2帕(2×10-4托)的真空度。特別是，鍍鋁是在真空加熱爐中的鍍鋁區(qū)5中完成，而鍍鋅是在真空加熱爐中的鍍鋅區(qū)6中完成。另一方面，對聚合物膜的處理是在真空室中的等離子區(qū)域4中進行。
在如圖4所示的真空室中，電容器聚合物膜從基膜卷筒到冷卻轉(zhuǎn)鼓1以不低于6米/秒的速度連續(xù)進給，這以后，聚合物膜沿冷卻轉(zhuǎn)鼓1進給，同時聚合物膜與冷卻轉(zhuǎn)鼓1接觸，然后繞在用來纏繞膜的卷筒3上。當(dāng)聚合物膜沿冷卻轉(zhuǎn)鼓1進給時要通過鍍鋅區(qū)6，在區(qū)6的600到800℃的熱鋅蒸氣就粘到聚合物膜上。然后，鍍鋅膜用溫度保持在-25到-10℃的冷卻轉(zhuǎn)鼓1處迅速冷卻。金屬種子層就在高速進給的聚合物膜或聚合物膜金屬電極上形成。金屬種子層是通過在等離子區(qū)域4中產(chǎn)生具有高氧化速率的金屬等離子體而形成的，等離子區(qū)域4是間歇類型的真空容器，等離子體的產(chǎn)生是當(dāng)惰性氣體和氧氣或氮氣以一定比例向等離子區(qū)域4供應(yīng)時，使用直流(DC)或射頻(RF)電源進行輝光放電或真空噴鍍。形成金屬種子層的替代方法是，在鍍鋁區(qū)5中通過熱蒸發(fā)方法實現(xiàn)。通過金屬種子層可以在聚合膜或金屬電極上形成具有高結(jié)合能的抗氧化膜。
因為鍍鋅膜具有微多晶體結(jié)構(gòu)，鍍鋅膜與聚合物膜間有原子結(jié)合力。但是，由于熱能轉(zhuǎn)化為吸附能造成能量消耗，這種結(jié)合力并不夠。用于形成絕緣聚合物薄膜的聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)和取向聚丙烯(OPP)分別具有以下分子結(jié)構(gòu) 當(dāng)具有高氧化性的金屬作為一個種子層沉積在PET上，由于PET分子結(jié)構(gòu)中的氧原子使PET與金屬種子層間顯示很強的粘著力。即氧原子與金屬種子層原子間產(chǎn)生結(jié)合力。因為金屬種子層和鋅之間是強的金屬鍵，當(dāng)鋅沉積在種子層上時能產(chǎn)生一層均勻而致密的鋅膜。由此使抗氧化性得到提高。
但是，對于沒有氧基團的聚合物、如聚丙烯就沒有這樣的性能，對這樣的聚合物相應(yīng)地需要在含有少量氧氣的等離子氣氛中，利用真空噴鍍或輝光放電法進行處理。當(dāng)聚合物膜經(jīng)過這種表面處理后，在其表面就具有含氧基團的分子。然后用真空噴鍍或離子電鍍的方法在進行表面處理過的聚合物膜上形成一層具有高氧化活性的金屬。在這種情況下，通過上述類似于處理PET的作法，便可在聚合物膜上沉積一層均勻致密的鋅層，因此，有可能得到具有高結(jié)合力和優(yōu)良抗氧化性的電容器。這種表面處理和高氧化性金屬的涂覆是通過連續(xù)方法實現(xiàn)的。因此，本發(fā)明目的在于，使用直流(DC)電源進行等離子氧化或氮化處理形成一個氧化物或氮化物層，或者用真空噴鍍方法沉積具有高氧化性的金屬來防止金屬電極的氧化。
本發(fā)明方法適合在10-2到10-6托/立方厘米的真空度下處理金屬電極或聚合物膜的一個或兩個表面，以此來增加薄膜與電極間的結(jié)合力從而提高粘著力，這種粘著力的提高使抗氧化性得到提高。
根據(jù)本發(fā)明所用方法，在薄膜金屬電極上涂覆一層氧化物或氮化物膜，該膜是以連續(xù)沉積的方式在聚合物膜表面的一側(cè)或兩側(cè)形成的，其厚度為100至1,500，該過程是在由DC或RF電壓400到1,000伏的電場形成的等離子氣氛中進行，等離子氣氛由惰性氣體與氧氣或氮氣的混合物通過氣體控制閥(MFC質(zhì)量流動控制器)產(chǎn)生。在等離子氣氛中，氧氣或氮氣同靶材、也就是沉積有氧化物或氮化物的材料反應(yīng)，從而在金屬電極上形成一個厚度為50-200的氧化物或氮化物涂層。
為了防止鋅膜被水分或氧氣氧化，在鋅膜上形成一個由具有高氧化活性的材料、如鉻、鈦、鈮或鋁組成的層，以此來形成一個致密的氧化物膜。由于有了這個氧化物膜，鋅膜具有超強的抗氧化性。
根據(jù)本發(fā)明將OPP膜應(yīng)用到電容器的第一個實施方案，通過增加聚合物膜的表面張力來增加聚合物膜和金屬沉積膜之間的結(jié)合力。由于結(jié)合力的增加，鍍金屬膜和聚合物膜牢固地結(jié)合在一起。為了增加表面張力能，在真空沉積裝置中通過輝光放電過程產(chǎn)生的等離子來處理聚合物膜。通過等離子處理，在聚合物膜上形成一個厚度從20到幾萬埃()的種子層，從而如下激活聚合物膜(Zn-O-C，Zn-N-C，Al-O-C或Al-N-C) 然后，將如Cr、Ti、Al、Ag或兩種金屬都具有高氧化活性的鋁合金這樣的金屬在種子層上均勻地沉積一個厚度從5到大于幾百埃(A)的膜。Zn或Zn-Al合金沉積在得到的膜上，于是得到一個多層膜結(jié)構(gòu)。
根據(jù)本發(fā)明的第二個實施方案，用DC或RF電源產(chǎn)生的Ar、Ar+O2或Ar+N2的氣氛中，采用真空噴鍍法用Cr、Ti、Al、Ag或Zr做靶材在聚合物膜上形成一個種子層。同時，在聚合物膜表面產(chǎn)生氧和氮基團。然后，將Zn或Zn-Al合金用與第一個實施方案相同的方法沉積在得到的膜上，根據(jù)該實施方案的作法，提高了抗氧化性和結(jié)合力。由于致密的氧化物或氮化物層有助于使金屬膜不受含于聚合物中的水分或水分從外面滲入聚合物膜的水份的侵害，鍍金屬膜抗氧化性提高了。另外，氧化物或氮化物在金屬電極上形成一層厚度為50到100的膜，這也有助于防止鍍金屬電極被空氣中的水分氧化。
根據(jù)本發(fā)明的第三個實施方案，用熱蒸發(fā)法在聚合物膜上沉積具有比鋅更高氧化活性的金屬作為一層厚度為20到50的中間層。然后，在得到的膜上沉積一層鋅膜。因為鋅膜處于還原電位態(tài)，所以中間層在鋅膜之前被氧化，于是便得到一個具有致密結(jié)構(gòu)的氧化物膜。在鋁組成的中間層，因為鋁電勢為-1.662伏而鋅電勢為-0.763伏，所以鋁處在氧化電位態(tài)而鋅處在還原電位態(tài)。鋁膜比鋅膜先氧化。另外，因為鋁被氧化時形成氧化鋁，所以不形成原電池。因此可以防止鋅膜被很快氧化。這種氧化膜有助于防止鋅膜被聚合物膜中含的水或透過聚合物膜的水分氧化。所以鋅膜抗氧化性提高了。
中間層金屬(Al+3)穿過電極金屬、即鋅(Zn+2)遷移到聚合物表面，以致于它在鋅膜之前與氧氣結(jié)合，于是形成了一層厚度為20到50A的致密的氧化物膜。這個氧化物膜有助于保護鋅膜不被空氣中透過聚合物膜的水分氧化。
根據(jù)本發(fā)明，也可采用另一種適用于高壓電容器的方法。這種方法包括在聚合物膜上涂一層抗氧化膜，在鋅膜上沉積鋅作為電極金屬，然后在鋅膜上沉積一層有保護性的金屬層來防止鋅膜被氧化。根據(jù)這種方法，鋅沉積在聚合物膜上，得到4到100Ω/m2的表面電阻。用連續(xù)操作在鋅膜上沉積保護金屬，得到2到10Ω/m2的表面電阻。因此，用連續(xù)沉積的辦法得到一個多層結(jié)構(gòu)。
根據(jù)上面提到的方法，有可能會獲得有超強抗氧化性能和許多優(yōu)點的鋅膜。
參照以下幾個實施例，將能更容易地了解本發(fā)明；但是這些實施例意在說明本發(fā)明，不要理解為限制本發(fā)明的范圍。實施例1在一個由真空度為2.66帕(2×10-2托)的上端室和真空度為2.66×10-2帕(2×10-4托)的下端室組成的真空室中，鋁沉積在一層厚4-6微米的由電暈放電處理過的聚丙烯膜上作為一個種子層，完成這種沉積得到100-300Ω/m2的表面電阻。鋅沉積在這層鋁膜上得到3-4Ω/m2的表面電阻，這樣就獲得了一個鍍金屬的電容器的膜結(jié)構(gòu)。
然后，這種電容器膜結(jié)構(gòu)維持在一個恒溫恒濕的容器中，在2、8、12、20小時的不同時間內(nèi)保持溫度60℃和相對濕度80％，再測定該膜結(jié)構(gòu)表面電阻的變化，根據(jù)所測的表面電阻的變化可測出膜的氧化程度，結(jié)果如圖5所示。實施例2用與實施例1相同的方法制成一個電容器膜結(jié)構(gòu)，然后將鋁沉積在電容器膜結(jié)構(gòu)的鋅膜上，使其具有3Ω/m2的表面電阻，對所得的電容器膜結(jié)構(gòu)進行與實施例1同樣的測定，結(jié)果如圖5所示。實施例3制備一個沒有經(jīng)過電暈處理的厚6微米的聚丙烯膜，然后在一個上端室真空度2.66帕(2×10-2托)和下端室真空度2.66×10-2帕(2×10-4托)的真空加熱爐中，聚丙烯膜在上端室形成的Ar(60％)+O2(40％)的氣氛中經(jīng)過輝光放電處理，鋁作為種子層沉積在聚丙烯膜上，用連續(xù)操作將鋅沉積在這層鋁膜上，得到的表面電阻為3Ω/m2。這樣得到一個鍍金屬的電空器膜結(jié)構(gòu)，對這種電容器膜結(jié)構(gòu)進行與實施例1相同的測試測得其氧化程度，結(jié)果如圖5所示。實施例4用與實施例3相同的方法制備一個鍍金屬的電容器膜結(jié)構(gòu)，但沒有在聚丙烯膜上形成種子層。對這種電容器膜結(jié)構(gòu)進行與實施例1相同的測試測得其氧化程度，結(jié)果如圖5所示。實施例5用與實施例3相同的方法，使鋁和鋅以連續(xù)操作沉積在與實施例3相同的聚丙烯膜上。再用連續(xù)操作將鋁沉積在鋅膜上，得到10Ω/m2的表面電阻，從而總的表面電阻約2.5Ω/m2。這樣得到一個鍍金屬的電容器膜結(jié)構(gòu)。對這種電容器膜結(jié)構(gòu)進行與實施例1相同的測試測得其氧化程度，結(jié)果如圖5所示。實施例6用與實施例3相同的方法使鋁和鋅以連續(xù)操作沉積在與實施例3中的相同的聚丙烯膜上，然后在下端室經(jīng)過輝光放電對鋅膜進行處理，從而得到4-5.5Ω/m2的總表面電阻。這樣，得到一個鍍金屬的電容器膜結(jié)構(gòu)。對這種電容器膜結(jié)構(gòu)進行與實施例1相同的測試測得其氧化程度，結(jié)果如圖5所示。對比例鋅沉積在一層聚丙烯膜或聚對苯二甲醇乙二醇酯膜上得到3.5Ω/m2的總表面電阻。這樣得到一個沉積電容器膜結(jié)構(gòu)，對這種電容器膜結(jié)構(gòu)進行與實施例1相同的測試測得其氧化程度，結(jié)果如圖5所示。
參照圖5，可以發(fā)現(xiàn)實施例1到6的電容器膜結(jié)構(gòu)比對比例中的電容器膜結(jié)構(gòu)具有更高的抗氧化性。也可看到，實施例1到6的電容器膜結(jié)構(gòu)在電氣性質(zhì)方面也有所提高(提高了長期使用的可靠性且電容衰減小)。
雖然是為了說明本發(fā)明的目的公開了本發(fā)明的優(yōu)選實施方案，但是那些在此領(lǐng)域的技術(shù)人員知道，在不脫離隨申請所公開權(quán)利要求書的范圍與實質(zhì)的情況下，不同的調(diào)整、附加和替換是合理的。
權(quán)利要求
1.一種在膜電容器上鍍上具有優(yōu)良抗氧化性的鋅金屬膜的方法，該方法包括以下幾步(a)使用真空噴鍍方法或蒸發(fā)方法用具有高結(jié)合能的金屬處理聚合物的表面，用熱蒸發(fā)方法使鋁、錫或銀做為具有單層或多層結(jié)構(gòu)的種子層覆蓋在聚合物膜表面。(b)在步驟(a)中所得到的結(jié)構(gòu)上沉積一層鋅或鋅—鋁合金，以得到2到10Ω/m2的總表面電阻。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，該方法進一步包括以下步驟在步驟(a)所得的結(jié)構(gòu)上在沉積鋅或鋅—鋁合金以前，沉積一層比鋅具有更高氧化活性的金屬組成的種子層，該類金屬包括鋁、銀、鈦，得到3.5到10Ω/m2的表面電阻，然后用連續(xù)操作在種子層上沉積鋁。
3.一種在膜電容器上鍍一層具有優(yōu)良抗氧化性的鋅金屬膜的方法，包括以下幾個步驟使用輝光放電在O2、O2+N2+Ar氣氛中，在一聚合物膜表面產(chǎn)生負氧離子基團。在沒有金屬種子層的聚合物膜表面沉積鋅作為電極金屬，得到2到10Ω/m2的總表面電阻。利用輝光放電或真空噴鍍方法，在鋅膜上形成一層保護鋅的氧化膜。
全文摘要
一種在膜電容器上鍍一層鋅膜的方法，使其具有使鋅膜與水分隔離的能力，從而免受氧化。該方法包括利用氧氣或氮氣氣氛中的輝光放電或真空噴鍍方法，用具有高結(jié)合力的金屬處理聚合物膜表面，或利用熱蒸發(fā)方法在聚合物膜表面上蒸上一層鋁、錫和鉻的種子層，做為中間層的種子層在聚合物膜和鋅膜間提供使兩膜結(jié)合的高結(jié)合力。借助于這種高結(jié)合力，鋅金屬膜顯示出更高的抗氧化性、更優(yōu)異的電氣性能和更長的使用壽命。
文檔編號C23C14/20GK1152035SQ9512081
公開日1997年6月18日 申請日期1995年12月13日 優(yōu)先權(quán)日1995年12月13日
發(fā)明者金容漢 申請人:成門電子株式會社