專利名稱：磁控濺射-多弧多功能真空鍍膜設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型屬于在真空條件下，對(duì)可鍍覆的不同材料進(jìn)行多弧離子鍍膜、磁控濺射鍍膜、磁控濺射和多弧復(fù)合鍍膜的設(shè)備及技術(shù)。它可以在工具、模具、刀具表面鍍超硬薄膜提高其性能，也可以在各種建筑五金、鐘表首飾、工藝美術(shù)、鋼木家具、衛(wèi)生潔具、制筆、餐具等物品上鍍制仿金、黃金、白銀等單質(zhì)或合金膜。
現(xiàn)有技術(shù)，如航空航天工業(yè)部第五研究院五一一研究所的多弧-磁控濺射多功能鍍膜設(shè)備ZL90226142.8，是把原多弧鍍膜設(shè)備，真空鍍膜室軸線上的固定加熱器，改為在鍍膜室軸線上或裝加熱器、或裝一根同軸磁控濺射靶。該設(shè)備在磁控濺射鍍膜時(shí)，一次只能鍍制一種單質(zhì)膜；同軸磁控濺射靶的靶材加工困難、成本高；靶材軸向不宜過長，限制了該設(shè)備在大型鍍件方面的使用；使用中靶材局部濺射殘蝕后，需要重新加工整個(gè)靶材，造成浪費(fèi)；只加工幾個(gè)鍍件時(shí)，也要啟動(dòng)整個(gè)磁控濺射靶；靶材裝卸不便；在鍍膜室中沒有固定、專用的加熱器。
本實(shí)用新型的目的，是要提供一種成本低、損耗小，鍍件質(zhì)量高，使用方便、用途廣泛的磁控濺射-多弧多功能真空鍍膜設(shè)備。
磁控濺射-多弧多功能真空鍍膜設(shè)備，包括真空鍍膜室、連接真空描氣機(jī)的法蘭盤、充氣孔、自轉(zhuǎn)和公轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)、被鍍工件掛架、多弧離化蒸發(fā)源等，本實(shí)用新型的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的在鍍膜室壁的密封法蘭盤上，裝有至少一個(gè)平面磁控濺射靶，在鍍膜室內(nèi)，裝有專用的加熱器。
磁控濺射-多弧多功能真空鍍膜設(shè)備的平面磁控濺射靶，為圓形、矩形或多邊形。
磁控濺射-多弧多功能真空鍍膜設(shè)備，沿真空鍍膜室軸線，在鍍膜室的底面，裝有加熱器；或者在真空鍍膜室底面，靠近內(nèi)壁的同一圓周上，裝有至少二個(gè)加熱器。
磁控濺射-多弧多功能真空鍍膜設(shè)備的真空鍍膜室壁的密封法蘭盤上，裝有不同種類金屬靶材的平面磁控濺射靶。
本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)由于在真空鍍膜室壁上，裝有平面磁控濺射靶，鍍膜室的大小，不受加工同軸磁控濺射靶的限制，可以制造大型的同類設(shè)備，拓寬了磁控濺射-多弧多功能真空鍍膜設(shè)備的使用范圍；平面磁控濺射靶加工容易、成本低；靶材局部濺射殘蝕后，重新加工時(shí)，損耗??；加工少量鍍件時(shí)，可以根據(jù)需要啟動(dòng)相應(yīng)空間位置的磁控濺射靶，降低了鍍膜費(fèi)用；磁控濺射靶裝卸方便；由于在鍍膜室內(nèi)，裝有專用的加熱器，提高了鍍件的質(zhì)量。
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的說明。


圖1是磁控濺射-多弧多功能真空鍍膜設(shè)備的示意圖被鍍工件裝入真空鍍膜室13，密封后，連接于法蘭盤1的真空描氣機(jī)組，將鍍膜室13內(nèi)描成高真空；同時(shí)，根據(jù)工藝需要決定是否啟動(dòng)加熱器3，對(duì)被鍍工件進(jìn)行預(yù)加熱；充氣孔12向鍍膜室13內(nèi)輸入所需氣體；傳動(dòng)輪5帶動(dòng)裝于頂6上的自轉(zhuǎn)和公轉(zhuǎn)傳動(dòng)機(jī)構(gòu)4，通過掛架8帶動(dòng)被鍍工件，不斷自轉(zhuǎn)、公轉(zhuǎn)；啟動(dòng)轟偏電源、多弧離化蒸發(fā)源電源和、或平面磁控濺射電源，從多弧離化蒸發(fā)源2和、或平面磁控濺射靶9上，不斷蒸發(fā)出金屬離子和、或?yàn)R射出金屬原子，使其不斷沉積在被鍍工件上，實(shí)現(xiàn)鍍膜。
真空鍍膜室壁7、底10的內(nèi)側(cè)裝有內(nèi)襯11，鍍膜時(shí)為鍍膜室保溫；內(nèi)襯11由片狀體拼成，拆卸清洗方便。
平面磁控濺射靶在真空鍍膜室壁上的布置方案，要由磁控濺射鍍膜的具體要求決定。
在真空鍍膜室壁上裝有不同種類金屬靶材的平面磁控濺射靶時(shí)，磁控濺射-多弧多功能真空鍍膜設(shè)備，比原多弧-磁控濺射多功能鍍膜設(shè)備ZL90226142.8，增加了鍍磁控濺射多層單質(zhì)膜和合金膜的功能。
本實(shí)用新型的具體結(jié)構(gòu)和參數(shù)為通用的或該領(lǐng)域技術(shù)人員能自行實(shí)施的技術(shù)，在此不作具體描述。
權(quán)利要求1.磁控濺射-多弧多功能真空鍍膜設(shè)備，包括真空鍍膜室(13)、連接真空抽氣機(jī)的法蘭盤(1)、充氣孔(12)、自轉(zhuǎn)和公轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)(4)、被鍍工件掛架(8)、多弧離化蒸發(fā)源(2)等，其特征在于在真空鍍膜室壁(7)的密封法蘭盤上，裝有至少一個(gè)平面磁控濺射靶(9)，在真空鍍膜室(13)內(nèi)，裝有專用的加熱器。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控濺射-多弧多功能真空鍍膜設(shè)備，其特征在于該設(shè)備的平面磁控濺射靶(9)為圓形、矩形或多邊形。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的磁控濺射-多弧多功能真空鍍膜設(shè)備，其特征在于沿該設(shè)備真空鍍膜室(13)的軸線，在鍍膜室(13)的底面，裝有加熱器(3)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的磁控濺射-多弧多功能真空鍍膜設(shè)備，其特征在于在該設(shè)備真空鍍膜室底面，靠近內(nèi)壁的同一圓周上，裝有至少二個(gè)加熱器。
5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的磁控濺射-多弧多功能真空鍍膜設(shè)備，其特征在于在該設(shè)備真空鍍膜室壁(7)的密封法蘭盤上，裝有不同種類金屬靶材的平面磁控濺射靶(9)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的磁控濺射-多弧多功能真空鍍膜設(shè)備，其特征在于在該設(shè)備真空鍍膜室壁(7)、底(10)的內(nèi)側(cè)，裝有內(nèi)襯(11)，內(nèi)襯(11)由片狀體拼成。
專利摘要磁控濺射-多弧多功能真空鍍膜設(shè)備，在真空鍍膜室壁的密封法蘭盤上，裝有數(shù)個(gè)、不同種類金屬靶材的平面磁控濺射靶；在鍍膜室底面，裝有加熱器。其優(yōu)點(diǎn)在于可以制造大型的同類設(shè)備，拓寬了磁控濺射-多弧多功能真空鍍膜設(shè)備的應(yīng)用范圍；增加了鍍磁控濺射多層單質(zhì)膜和合金膜的功能；靶材加工容易、成本低、裝卸方便；靶材局部濺射殘蝕后，重新加工損耗?。患庸ど倭垮兗?，只要啟動(dòng)相應(yīng)位置的磁控濺射靶。
文檔編號(hào)C23C14/24GK2228916SQ9522408
公開日1996年6月12日 申請(qǐng)日期1995年10月23日 優(yōu)先權(quán)日1995年10月23日
發(fā)明者程廣河 申請(qǐng)人:北京美克亞通用技術(shù)有限責(zé)任公司