制造半導(dǎo)體基片的裝置的制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提供一種制造半導(dǎo)體基片的裝置。本實(shí)用新型的裝置包括密封腔體和設(shè)置在所述密封腔體內(nèi)部的第一加熱部、熱噴涂槍和承載部，所述熱噴涂槍的出口端設(shè)置在所述第一加熱部的出口端下方，并且所述熱噴涂槍與所述承載部能夠相對(duì)移動(dòng)；所述承載部具有基板和用于對(duì)所述基板進(jìn)行加熱的第二加熱部，所述基板設(shè)置在所述熱噴涂槍的下方。本實(shí)用新型的裝置在制造半導(dǎo)體基片時(shí)材料利用率高、制造成本低；此外，制造的半導(dǎo)體基片尺寸大、厚度可控、純度高，應(yīng)用前景廣泛。
【專利說(shuō)明】
制造半導(dǎo)體基片的裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型涉及一種半導(dǎo)體基片制造技術(shù)，具體涉及一種制造半導(dǎo)體基片的裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，傳統(tǒng)的化石能源一直占據(jù)能源供給的主要部分。然而，隨著化石能源儲(chǔ)量的不斷減少，開(kāi)采難度的不斷加大以及對(duì)環(huán)境的極大影響等問(wèn)題，急需發(fā)展新能源。
[0003]半導(dǎo)體基片是由半導(dǎo)體材料制成的基片，其被廣泛應(yīng)用于集成電路、光伏發(fā)電等領(lǐng)域。硅作為一種應(yīng)用最多的半導(dǎo)體材料，在地球上儲(chǔ)量豐富、開(kāi)采容易，因此硅太陽(yáng)能發(fā)電技術(shù)極具發(fā)展?jié)摿Α?br>[0004]目前，利用硅制備半導(dǎo)體基片通常采用拉拔法，該方法生產(chǎn)耗能大、環(huán)境污染嚴(yán)重，特別是該方法需要進(jìn)行切片來(lái)制備單片的半導(dǎo)體基片，易造成半導(dǎo)體材料浪費(fèi)，材料的利用率較低。同時(shí)，利用該方法制造的半導(dǎo)體基片尺寸較小，在制造大尺幅半導(dǎo)體基片時(shí)難以成型;此外，制造的半導(dǎo)體基片厚度通常較大、雜質(zhì)多，不僅制造成本高，并且無(wú)法制造柔性的半導(dǎo)體基片，上述缺陷極大地影響了半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0005]本實(shí)用新型提供一種制造半導(dǎo)體基片的裝置，利用該裝置制造的半導(dǎo)體基片尺寸大、厚度可控、純度高，特別是可以制造柔性的半導(dǎo)體基片，應(yīng)用前景廣泛。
[0006]本實(shí)用新型提供一種制造半導(dǎo)體基片的裝置，包括密封腔體和設(shè)置在所述密封腔體內(nèi)部的第一加熱部、熱噴涂槍和承載部，
[0007]所述熱噴涂槍的出口端設(shè)置在所述第一加熱部的出口端下方，并且所述熱噴涂槍與所述承載部能夠相對(duì)移動(dòng)；
[0008]所述承載部具有基板和用于對(duì)所述基板進(jìn)行加熱的第二加熱部，所述基板設(shè)置在所述熱噴涂槍的下方。
[0009]在本實(shí)用新型中，所述密封腔體用于提供密封、無(wú)塵、保溫的熱噴涂環(huán)境，密封腔體內(nèi)部的溫度應(yīng)當(dāng)高于半導(dǎo)體材料的熔點(diǎn)，從而利于半導(dǎo)體材料的噴涂。
[0010]進(jìn)一步地，在所述密封腔體的內(nèi)壁和/或外壁設(shè)置有保溫層。由于熱噴涂時(shí)高溫散熱快，因此從節(jié)能方面考慮，可以采用高溫導(dǎo)熱系數(shù)低、使用壽命長(zhǎng)的保溫材料對(duì)實(shí)施熱噴涂的各相關(guān)設(shè)備進(jìn)行內(nèi)外保溫，從而節(jié)約能源、減小能耗。
[0011 ]本實(shí)用新型對(duì)所述熱噴涂槍與所述承載部相對(duì)移動(dòng)的方式不作嚴(yán)格限制，例如可使承載部相對(duì)固定而使熱噴涂槍移動(dòng)，或者使熱噴涂槍相對(duì)固定而使承載部移動(dòng)。
[0012]在一實(shí)施方式中，在所述承載部的底部間隔設(shè)置有多個(gè)滾輪，從而使所述承載部相對(duì)所述熱噴涂槍移動(dòng)。
[0013]本實(shí)用新型的第二加熱部用于對(duì)所述基板進(jìn)行加熱。在一實(shí)施方式中，所述第二加熱部包括加熱腔和多根加熱棒，所述加熱腔設(shè)置在所述基板下方，所述多根加熱棒沿所述基板的長(zhǎng)度方向依次設(shè)置在所述加熱腔內(nèi)部。在該實(shí)施方式中，各個(gè)加熱棒的溫度可以獨(dú)自進(jìn)行調(diào)節(jié)和控制，從而利于降溫操作的實(shí)施。
[0014]進(jìn)一步地，本實(shí)用新型的裝置還包括設(shè)置在所述基板上方的噴吹部，所述噴吹部具有噴吹管和設(shè)置在所述噴吹管一端的噴頭，所述噴頭具有向外傾斜設(shè)置的噴嘴。該設(shè)置方式的噴吹部能夠向外噴吹半導(dǎo)體基片上的雜質(zhì)。
[0015]在另一實(shí)施方式中，本實(shí)用新型的裝置還包括設(shè)置在所述基板上方的噴吹部，所述噴吹部具有噴吹管和設(shè)置在所述噴吹管一端的噴頭，所述噴頭能夠相對(duì)所述噴吹管擺動(dòng)。該設(shè)置方式的噴吹部能夠擺動(dòng)噴吹半導(dǎo)體基片上的雜質(zhì)。
[0016]進(jìn)一步地，本實(shí)用新型的裝置還包括風(fēng)機(jī)、進(jìn)風(fēng)管和除塵部，所述進(jìn)風(fēng)管的一端與所述風(fēng)機(jī)連接，所述進(jìn)風(fēng)管的另一端與所述密封腔體連通，所述除塵部設(shè)置在所述進(jìn)風(fēng)管上。設(shè)置所述風(fēng)機(jī)、進(jìn)風(fēng)管和除塵部用于保證密封腔體內(nèi)部的無(wú)塵環(huán)境。
[0017]本實(shí)用新型對(duì)所述除塵部的結(jié)構(gòu)不作嚴(yán)格限制，可以為本領(lǐng)域的常規(guī)除塵設(shè)備。在一實(shí)施方式中，所述除塵部具有箱體和多個(gè)層疊設(shè)置在所述箱體內(nèi)的除塵網(wǎng)，在所述除塵網(wǎng)上設(shè)置有膠粘層。其中，膠粘層例如可以采用耐高溫的環(huán)氧樹(shù)脂等涂覆形成，該設(shè)置方式除塵效果好。
[0018]利用本實(shí)用新型的制造半導(dǎo)體基片的裝置制造半導(dǎo)體基片，可以包括如下步驟:
[0019]將半導(dǎo)體材料加熱至熔融狀態(tài)，得到熔融半導(dǎo)體材料；
[0020]利用熱噴涂槍將所述熔融半導(dǎo)體材料熱噴涂至基板上，隨后降溫，使基板上的熔融半導(dǎo)體材料凝固，得到半導(dǎo)體基片。
[0021]其中，對(duì)所述半導(dǎo)體材料不作嚴(yán)格限制，可以是本領(lǐng)域常規(guī)的元素半導(dǎo)體、無(wú)機(jī)化合物半導(dǎo)體、有機(jī)化合物半導(dǎo)體、非晶態(tài)與液態(tài)半導(dǎo)體等材料，包括但不限于多晶硅、鍺、砸、砷化鎵、碲化鎘、砷化鎘、氧化鋅等?？梢岳斫獾氖牵瑢?duì)半導(dǎo)體材料的加熱溫度應(yīng)當(dāng)為半導(dǎo)體材料的熔點(diǎn)溫度以上，從而利于得到熔融狀態(tài)的半導(dǎo)體材料;具體地，加熱溫度可以比半導(dǎo)體材料的熔點(diǎn)溫度高300-400°C，加熱溫度例如可以為1400-2000°C，進(jìn)一步為1600-1800。。。
[0022]熱噴涂是指將熔融狀態(tài)的半導(dǎo)體材料霧化噴射到基板表面，隨后降溫凝固從而沉積形成薄膜或基板的過(guò)程。在進(jìn)行熱噴涂時(shí)，環(huán)境溫度應(yīng)當(dāng)高于半導(dǎo)體材料的熔點(diǎn)，從而利于半導(dǎo)體材料的噴涂;此外，環(huán)境應(yīng)當(dāng)無(wú)塵，從而利于保證半導(dǎo)體基片的純度。
[0023]本實(shí)用新型的熱噴涂槍用于將熔融半導(dǎo)體材料霧化噴射到基板表面，其應(yīng)當(dāng)能夠耐受高溫且霧化均勻，對(duì)其不作嚴(yán)格限制，可以為接觸或非接觸式熱噴涂槍，例如氣動(dòng)熱噴涂槍、無(wú)氣熱噴涂槍、旋杯熱噴涂槍等;特別是，在使用氣體進(jìn)行霧化時(shí)，氣體的溫度應(yīng)當(dāng)高于半導(dǎo)體材料的熔點(diǎn)，從而利于半導(dǎo)體材料的噴涂。
[0024]在本實(shí)用新型中，基板用于承載半導(dǎo)體材料，即經(jīng)熱噴涂槍霧化噴射的熔融半導(dǎo)體材料落于基板上，可以理解的是，基板表面應(yīng)當(dāng)平整光滑并且基板應(yīng)當(dāng)能夠耐受半導(dǎo)體材料熔點(diǎn)以上的溫度，對(duì)其材料不作嚴(yán)格限制，例如可以為耐高溫的金屬或非金屬材料。
[0025]本實(shí)用新型的裝置利用熱噴涂法制備半導(dǎo)體基片，其對(duì)基板的尺寸無(wú)嚴(yán)格要求，即制造的半導(dǎo)體基片的尺幅不限，可根據(jù)具體需求進(jìn)行設(shè)置，特別是可制造大尺幅的半導(dǎo)體基片。此外，本實(shí)用新型的裝置還可根據(jù)具體需求制造不同厚度的半導(dǎo)體基片，特別是可制造厚度50μπι以下的半導(dǎo)體基片，此時(shí)半導(dǎo)體基片為柔性，應(yīng)用范圍更加廣泛。本實(shí)用新型的裝置在制造半導(dǎo)體基片時(shí)無(wú)需進(jìn)行切片，因此不會(huì)造成半導(dǎo)體材料浪費(fèi)，材料的利用率高，有利于降低制造成本。
[0026]進(jìn)一步地，還可以在基板上事先鋪裝晶種，例如在基板的一端鋪裝晶種，在進(jìn)彳丁熱噴涂時(shí)，可使熔融半導(dǎo)體材料自基板晶種向另一端噴涂，從而使融半導(dǎo)體材料在降溫凝固過(guò)程中形成晶體。
[0027]在利用本實(shí)用新型的裝置進(jìn)行熱噴涂時(shí)，對(duì)相關(guān)工藝控制參數(shù)不作嚴(yán)格限制，可根據(jù)所需制造的半導(dǎo)體基片的材料、尺寸、厚度等相關(guān)參數(shù)進(jìn)行合理設(shè)置。例如，可以控制所述熱噴涂的速度為0.1-0.5L/s，即每秒噴涂0.1-0.5L的熔融半導(dǎo)體材料。
[0028]進(jìn)一步地，可以控制所述降溫的速度為0.1-10°C/min。對(duì)降溫方式不作嚴(yán)格限制，例如可以為連續(xù)降溫、梯度降溫等。具體地，半導(dǎo)體材料為硅時(shí)，可控制降溫的速度為0.2-2°C/min;半導(dǎo)體材料為氧化鋅時(shí)，可控制降溫的速度為5-10°C/min;半導(dǎo)體材料為砷化鎵、碲化鎘、砷化鎘等其它化合物材料時(shí)，可控制降溫的速度為1-5 °C/min。在本實(shí)用新型的具體方案中，例如可以在基板下方設(shè)置溫度可控的加熱裝置來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)基板的加熱和降溫。
[0029]進(jìn)一步地，在進(jìn)行所述降溫之前，還可以向所述基板上的熔融半導(dǎo)體材料噴吹溫度高于所述半導(dǎo)體材料熔點(diǎn)的惰性氣體進(jìn)行提純。噴吹惰性氣體用于去除半導(dǎo)體基片上的雜質(zhì)，從而提高半導(dǎo)體基片的純度?？梢岳斫獾氖?，在噴吹時(shí)不應(yīng)當(dāng)暴露出基板，對(duì)噴吹方式不作嚴(yán)格限制，例如可以向外噴吹、擺動(dòng)噴吹等。
[0030]在本實(shí)用新型中，熱噴涂槍與基板能夠相對(duì)移動(dòng)，從而實(shí)現(xiàn)連續(xù)均勻的噴涂。例如，在進(jìn)行所述熱噴涂時(shí)，可以0.l-2m/min的速度連續(xù)移動(dòng)所述熱噴涂槍或所述基板;具體地，半導(dǎo)體材料為硅時(shí)，連續(xù)移動(dòng)的速度可以為0.1-0.5m/min;半導(dǎo)體材料為砷化鎵、碲化鎘、砷化鎘等化合物材料時(shí)，連續(xù)移動(dòng)的速度可以為0.5-2m/min。
[0031]進(jìn)一步地，還可以包括對(duì)所述半導(dǎo)體基片進(jìn)行光刻蝕或減反射處理?？梢圆捎帽绢I(lǐng)域的常規(guī)方式進(jìn)行所述光刻蝕或減反射處理;光刻蝕用以在半導(dǎo)體基片上形成納米網(wǎng)格，例如邊長(zhǎng)為10-50nm的納米網(wǎng)格;經(jīng)光刻蝕或減反射處理的半導(dǎo)體基片可直接形成無(wú)封裝電池片，或者在封裝玻璃后形成封裝電池片。
[0032]本實(shí)用新型裝置在制造半導(dǎo)體基片時(shí)生產(chǎn)耗能小、無(wú)環(huán)境污染、綠色環(huán)保，其不會(huì)造成半導(dǎo)體材料的浪費(fèi)，材料利用率高，制造成本低，成本僅為傳統(tǒng)拉拔法的1/6 ；并且，利用該裝置制造的半導(dǎo)體基片尺寸不限，特別是可制造大尺幅基片，半導(dǎo)體基片的厚度可控，特別是可制造厚度小于50μπι的柔性基片，制造的半導(dǎo)體基片雜質(zhì)少，純度可高達(dá)13-15個(gè)“9”(即99.的小數(shù)點(diǎn)后為13-15個(gè)9)，廢品率低，市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力強(qiáng)，應(yīng)用前景廣泛。
【附圖說(shuō)明】
[0033]圖1為本實(shí)用新型一實(shí)施方式的制造半導(dǎo)體基片的裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0034]圖2為利用本實(shí)用新型一實(shí)施方式的制造半導(dǎo)體基片的裝置制造半導(dǎo)體基片的工藝示意圖。
[0035]附圖標(biāo)記說(shuō)明:
[0036]I:密封腔體;2:第一加熱部;3:熱噴涂槍;4:基板;5:第二加熱部;51:加熱腔;52:加熱棒;6:滾輪。
【具體實(shí)施方式】
[0037]為使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本實(shí)用新型的附圖和實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本實(shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0038]如圖1所示，制造半導(dǎo)體基片的裝置包括密封腔體I和設(shè)置在密封腔體I內(nèi)部的第一加熱部2、熱噴涂槍3和承載部，熱噴涂槍3的出口端設(shè)置在第一加熱部2的出口端下方，并且熱噴涂槍3與承載部能夠相對(duì)移動(dòng);承載部具有基板4和用于對(duì)基板4進(jìn)行加熱的第二加熱部5，基板4設(shè)置在熱噴涂槍3的下方。
[0039]密封腔體I用于提供密封、無(wú)塵、保溫的熱噴涂環(huán)境，密封腔體I內(nèi)部的溫度應(yīng)當(dāng)高于半導(dǎo)體材料的熔點(diǎn)，從而利于半導(dǎo)體材料的噴涂;此外，可以在密封腔體I的內(nèi)壁和/或外壁設(shè)置保溫層(未圖示)，從而節(jié)約能源、減小能耗。
[0040]對(duì)熱噴涂槍3與承載部相對(duì)移動(dòng)的方式不作嚴(yán)格限制，例如可使承載部相對(duì)固定而使熱噴涂槍3移動(dòng)，或者使熱噴涂槍3相對(duì)固定而使承載部移動(dòng)。在承載部移動(dòng)的情形下，可以在承載部的底部間隔設(shè)置多個(gè)滾輪6。
[0041]在一實(shí)施方式中，第二加熱部5可以包括加熱腔51和多根加熱棒52，加熱腔51設(shè)置在基板4下方，多根加熱棒52沿基板4的長(zhǎng)度方向依次設(shè)置在加熱腔51內(nèi)部。在該方式中，各個(gè)加熱棒52的溫度可以獨(dú)自進(jìn)行調(diào)節(jié)和控制，從而利于降溫操作的實(shí)施。
[0042]進(jìn)一步地，上述裝置還可以包括設(shè)置在基板4上方的噴吹部(未圖示)，噴吹部具有噴吹管和設(shè)置在噴吹管一端的噴頭，噴頭具有向外傾斜設(shè)置的噴嘴。該設(shè)置方式的噴吹部能夠向外噴吹半導(dǎo)體基片上的雜質(zhì)。
[0043]在另一實(shí)施方式中，上述裝置還可以包括設(shè)置在基板上方的噴吹部(未圖示)，噴吹部具有噴吹管和設(shè)置在噴吹管一端的噴頭，噴頭能夠相對(duì)噴吹管擺動(dòng)。該設(shè)置方式的噴吹部能夠擺動(dòng)噴吹半導(dǎo)體基片上的雜質(zhì)。
[0044]進(jìn)一步地，上述裝置還可以包括風(fēng)機(jī)、進(jìn)風(fēng)管和除塵部，進(jìn)風(fēng)管的一端與風(fēng)機(jī)連接，進(jìn)風(fēng)管的另一端與密封腔體連通，除塵部設(shè)置在進(jìn)風(fēng)管上。設(shè)置風(fēng)機(jī)、進(jìn)風(fēng)管和除塵部用于保證密封腔體內(nèi)部的無(wú)塵環(huán)境。對(duì)上述除塵部的結(jié)構(gòu)不作嚴(yán)格限制，可以為本領(lǐng)域的常規(guī)除塵設(shè)備。在一實(shí)施方式中，除塵部具有箱體和多個(gè)層疊設(shè)置在箱體內(nèi)的除塵網(wǎng)，在除塵網(wǎng)上設(shè)置有膠粘層。該設(shè)置方式除塵效果好。
[0045]如圖2所示，利用上述裝置制造柔性硅基片具體包括:
[0046]在溫度為1800°C左右的密封腔體I中，利用第一加熱部2將多晶硅加熱至1800°C左右，使多晶硅呈熔融狀態(tài);在基板4的一端(左端)事先鋪裝單晶硅，利用第二加熱部5對(duì)基板4進(jìn)行加熱，在加熱時(shí)，分別對(duì)加熱腔51中的加熱棒52進(jìn)行控制，使承接熔融態(tài)硅處基板4的溫度為1800°C左右，隨后利用熱噴涂槍3以0.3L/s左右的噴涂速度將熔融態(tài)硅熱噴涂至基板4上，在熱噴涂時(shí)，使熔融態(tài)硅自基板4的單晶硅一端開(kāi)始延伸，并利用滾輪6以0.3m/min左右的速度連續(xù)移動(dòng)基板4。向基板4上的熔融態(tài)硅噴吹溫度為1800°C左右的惰性氣體，將雜質(zhì)吹離基板4后，控制各加熱棒52，以TC/min左右的速度連續(xù)降溫，使基板4上的熔融態(tài)硅逐漸凝固，凝固過(guò)程中形成晶體，得到厚度為50μπι的柔性硅基片，其純度為15個(gè)“9”(即99.的小數(shù)點(diǎn)后為15個(gè)9)。進(jìn)一步地，還可以對(duì)柔性硅基片進(jìn)行光刻蝕或減反射處理。
[0047]此外，利用上述裝置制造砷化鎵基片具體包括:
[0048]在溫度為1600°C左右的密封腔體I中，將砷化鎵加熱至1600°C左右，使砷化鎵呈熔融狀態(tài)。利用熱噴涂槍3以0.5L/s左右的噴涂速度將熔融態(tài)砷化鎵熱噴涂至基板4上，在熱噴涂時(shí)，以lm/min左右的速度連續(xù)移動(dòng)基板4。向基板4上的熔融態(tài)砷化鎵噴吹溫度為1600°(:左右的惰性氣體，將雜質(zhì)吹離基板4后，以3°C/min的速度連續(xù)降溫，以使基板4上的熔融態(tài)砷化鎵逐漸凝固，得到厚度為厚度ΙΟΟμπι的砷化鎵基片，其純度為13個(gè)“9”(即99.的小數(shù)點(diǎn)后為13個(gè)9)。
[0049]最后應(yīng)說(shuō)明的是:以上各實(shí)施例僅用以說(shuō)明本實(shí)用新型的技術(shù)方案，而非對(duì)其限制;盡管參照前述各實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解:其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分或者全部技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本實(shí)用新型各實(shí)施例技術(shù)方案的范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種制造半導(dǎo)體基片的裝置，其特征在于，包括密封腔體和設(shè)置在所述密封腔體內(nèi)部的第一加熱部、熱噴涂槍和承載部， 所述熱噴涂槍的出口端設(shè)置在所述第一加熱部的出口端下方，并且所述熱噴涂槍與所述承載部能夠相對(duì)移動(dòng)； 所述承載部具有基板和用于對(duì)所述基板進(jìn)行加熱的第二加熱部，所述基板設(shè)置在所述熱噴涂槍的下方。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，在所述密封腔體的內(nèi)壁和/或外壁設(shè)置有保溫層。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，在所述承載部的底部間隔設(shè)置有多個(gè)滾輪。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述第二加熱部包括加熱腔和多根加熱棒，所述加熱腔設(shè)置在所述基板下方，所述多根加熱棒沿所述基板的長(zhǎng)度方向依次設(shè)置在所述加熱腔內(nèi)部。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，還包括設(shè)置在所述基板上方的噴吹部，所述噴吹部具有噴吹管和設(shè)置在所述噴吹管一端的噴頭，所述噴頭具有向外傾斜設(shè)置的噴嘴。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，還包括設(shè)置在所述基板上方的噴吹部，所述噴吹部具有噴吹管和設(shè)置在所述噴吹管一端的噴頭，所述噴頭能夠相對(duì)所述噴吹管擺動(dòng)。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，還包括風(fēng)機(jī)、進(jìn)風(fēng)管和除塵部，所述進(jìn)風(fēng)管的一端與所述風(fēng)機(jī)連接，所述進(jìn)風(fēng)管的另一端與所述密封腔體連通，所述除塵部設(shè)置在所述進(jìn)風(fēng)管上。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置，其特征在于，所述除塵部具有箱體和多個(gè)層疊設(shè)置在所述箱體內(nèi)的除塵網(wǎng)，在所述除塵網(wǎng)上設(shè)置有膠粘層。
【文檔編號(hào)】C23C4/04GK205576257SQ201620213362
【公開(kāi)日】2016年9月14日
【申請(qǐng)日】2016年3月18日
【發(fā)明人】李光武
【申請(qǐng)人】李光武