專利名稱：：高純度硅的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種高純度硅的制造方法。更詳細(xì)而言，本發(fā)明所涉及的高純度硅的制造方法是在利用鋅還原法由四氯化硅制造硅時，使用氫氣將副生的(by-produced)氯化鋅還原并分離回收鋅及氯化氫，其中的鋅用于和四氯化硅進行反應(yīng)，氯化氫用于制造四氯化硅。
背景技術(shù)：
：近年來，為了防止地球溫暖化，對被視作溫暖化原因物質(zhì)之一的二氧化碳的排放量的降低要求日漸提高。因此，火力發(fā)電站的建設(shè)也變困難，太陽光發(fā)電作為新的適應(yīng)電力需求的技術(shù)而倍受關(guān)注。太陽光發(fā)電是使用具有硅的太陽電池，由太陽光獲得電。太陽電池用硅主要是使用半導(dǎo)體用硅的非標(biāo)準(zhǔn)品，今后，如果太陽光發(fā)電設(shè)備普及，使得太陽電池的需求也飛躍增加，則硅的供給量可能會不足。因此，必需另外進行和半導(dǎo)體用硅的制造所不同的太陽電池用硅的制造。其方法之一是，提出了利用鋅還原法由四氯化硅來制造硅的方法，但此時副生的大量氯化鋅的處理成為問題。為了解決所述問題，提出了如下方法，即，通過使副生的氯化鋅電解而回收鋅和氯，其中的鋅用作四氯化硅的還原用原料，且氯制成氯化氬并在制造四氯化硅時使用(例如，參照專利文獻(xiàn)l)。但是，此方法會使設(shè)備變得大型而需要巨大的投資，因此具有導(dǎo)致硅成本增高的問題。專利文獻(xiàn)1:日本專利特開平11-92130號公報
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的課題是提供一種高純度硅的制造方法，在利用鋅還原法由四氯化硅制造硅時，對副生的氯化鋅進行有效的處理，從而比較廉價地制造高純度硅。本發(fā)明者等人為了解決所述問題而反復(fù)進行了努力研究。其結(jié)果發(fā)現(xiàn)，在通過四氯化硅與鋅氣體的氣相反應(yīng)來制造高純度硅時，使副生的氯化鋅和氫氣進行反應(yīng)，并分離回收鋅及氯化氫，其中所回收的鋅用于再次和四氯化硅進行氣相反應(yīng)，所回收的氯化氫用于和金屬硅反應(yīng)而制造四氯化硅，這樣可解決所述問題，從而完成了由以下構(gòu)成所組成的本發(fā)明。[l]一種高純度硅的制造方法，其特征在于，包括如下步驟(1)使金屬硅和氯化氫氣體進行反應(yīng)的步驟；(2)對所述步驟(1)獲得的反應(yīng)生成物進行蒸餾而獲得四氯化硅的步驟；(3)在溫度為800°C~1200。C的反應(yīng)爐內(nèi)，使所述步驟(2)獲得的四氯化硅和鋅氣體進行氣相反應(yīng)而生成高純度硅的步驟；(4)使所述步驟(3)中副生的氯化鋅和氫氣進行反應(yīng)的步驟；以及(5)從所述步驟(4)獲得的反應(yīng)生成物中分離回收鋅和氯化氫的步驟，將所述步驟(5)中經(jīng)分離回收的鋅用作供所述步驟(3)的反應(yīng)的鋅氣體的原料，且將所述步驟(5)中經(jīng)分離回收的氯化氫用作供所述步驟(1)的反應(yīng)的氯化氫氣體的原料。[2]根據(jù)所述[1]中記載的高純度硅的制造方法，其特征在于，供所述步驟(4)的反應(yīng)的氯化鋅是430。C90(TC的氯化鋅氣體。[3]根據(jù)所述[1]或[2]中記載的高純度硅的制造方法，其特征在于，所述步驟(4)中氯化鋅和氫氣的反應(yīng)是在700°C~1500。C的溫度下進行的。[4]根據(jù)所述[1]~[3]中任一項所記載的高純度硅的制造方法，其特征在于，在所述步驟(5)中，待所述步驟(4)中獲得的反應(yīng)生成物冷卻到小于等于5CTC之后，鋅以粉體鋅狀態(tài)被分離回收，氯化氫經(jīng)水吸收而被分離回收。[5]根據(jù)所述[1]至[4]中任一項所記載的高純度硅的制造方法，其特征在于，在所述步驟(5)中，還包括分離回收未反應(yīng)的氬氣，并將所述未反應(yīng)的氫氣用作供所述步驟(4)的反應(yīng)的氫氣。[6]根據(jù)所述[1]至[5]中任一項所記載的高純度硅的制造方法，其特征在于，在所述步驟(2)中，分離回收所述步驟(1)中副生的氫氣，并將所述副生氫氣用作供所述步驟(4)的反應(yīng)的氫氣。[7]根據(jù)所述[1]至[6]中任一項所記載的高純度硅的制造方法，其特征在于，將所述步驟(3)中排出的反應(yīng)氣體冷卻到小于等于732。C的溫度，從而將以液體狀態(tài)從所述反應(yīng)氣體中分離回收的氯化鋅提供給所述步驟(4)，將以粉體鋅狀態(tài)從所述反應(yīng)氣體中分離回收的鋅用作供所述步驟(3)的鋅氣體的原料，并且將從所述反應(yīng)氣體中分離回收的四氯化硅用作供所述步驟(3)的四氯化硅。[發(fā)明的效果]根據(jù)本發(fā)明，在利用鋅還原法由四氯化硅制造硅時使副生的氯化鋅直接和氫氣進行反應(yīng)，這樣，可以在不使用需要巨大投資的熔融鹽電解之類的大型設(shè)備的情況下，分別分離回收鋅及氯化氫，因此可以比較廉價且有效地制造高純度硅。圖1是表示本發(fā)明的高純度硅的制造方法的流程圖。圖2是在本發(fā)明的制造方法中，使氯化鋅和氫氣進行反應(yīng)的裝置的一例示的模式圖。圖3是在本發(fā)明的制造方法中，間歇地提供氯化鋅來和氫氣進行反應(yīng)的裝置的一例示的模式圖。1:反應(yīng)器2:熔融蒸發(fā)部3:石英制蒸發(fā)器4:載氣供給部5:反應(yīng)部6:氫氣供給部7:冷卻部(空氣冷卻)8:集塵器9:過濾器10:氯化氫氣體吸收器11:氯化鋅氣體入口12:生成鋅接受器13溫度計保護管具體實施方式以下，對本發(fā)明的高純度硅的制造方法進行詳細(xì)說明。另外，本發(fā)明的高純度硅是指可以用作太陽電池用硅的原料的純度大于等于99.99%、優(yōu)選純度大于等于99.999%的硅。圖1是表示本發(fā)明的高純度硅的制造方法的流程圖。如圖1所示，本發(fā)明的高純度硅的制造方法包括如下步驟(l)氯化步驟，使成為原料的金屬硅和氯化氫氣體進行反應(yīng)；(2)蒸餾步驟，從所述步驟(1)獲得的反應(yīng)生成物中分離純化四氯化硅；(3)鋅還原步驟，使所述步驟(2)獲得的四氯化硅和鋅氣體進行氣相反應(yīng)，生成高純度硅；(4)氫還原步驟，使所述步驟(3)中副生的氯化鋅和氫氣進行反應(yīng)；以及(5)分離步驟，從所述步驟(4)獲得的反應(yīng)生成物中分離回收鋅及氯化氫。以下，對各步驟進行說明。(1)氯化步驟在此步驟中，使成為原料的粗制金屬硅和氯化氫氣體進行反應(yīng)，生成四氯化硅。金屬硅和氯化氫氣體的反應(yīng)可以使用眾所周知的方法來進行。具體而言，可以在溫度優(yōu)選250°C~1000°C、更優(yōu)選300°C80(TC的反應(yīng)器內(nèi)，通過金屬硅和氯化氫氣體的流化床反應(yīng)(fluidbedreaction)來進行。另外，本步驟(l)中，如下述反應(yīng)式所示，生成四氯化硅，并且也副生出三氯硅烷及氫氣，溫度越高，則四氯化硅的比率越高。Si+3HC1—SiHCl3+H2Si+4HC1—SiCl4+2H2供本步驟(1)的反應(yīng)的金屬硅并無特別限定，例如，可以使用硅純度為75%~95%的鐵硅齊(ferrosilicon)或者硅純度大于等于95%的金屬硅等。而且，供本步驟(1)的反應(yīng)的氯化氫氣體并無特別限定，可以將下述分離步驟(5)中回收的氯化氫用作原料的一部分或全部。(2)蒸餾步驟在此步驟中，對含有三氯硅烷、四氯化硅及氫氣的所述步驟(1)的反應(yīng)生成物進行蒸餾，以去除三氯硅烷及氫氣等，并分離純化四氯化硅。另外，對于所述步驟(l)中副生的氫氣，可另外經(jīng)分離回收后，用作供下述氫還原步驟(4)的反應(yīng)的氫氣，而且，三氯硅烷可以用作氫還原反應(yīng)的所謂西門子(Siemens)法等的原料。所述蒸餾可使用眾所周知的方法及條件來進行。具體而言，利用冷凝器將反應(yīng)生成氣體冷凝，分離出氫氣，并使冷凝液通過蒸餾塔，利用蒸發(fā)缸進行加熱，這樣，可以從塔頂取出三氯硅烷，從塔底取出四氯化硅。進一步，對三氯硅烷及四氯化硅分別反復(fù)地進行蒸餾，由此可實現(xiàn)各自的高純度化。(3)鋅還原步驟在此步驟中，利用鋅來使所述蒸餾步驟(2)中經(jīng)分離純化的四氯化硅還原，生成高純度硅。還原是可以通過四氯化硅氣體和鋅氣體的氣相反應(yīng)而以眾所周知的設(shè)備及條件來進行的。具體而言，可以在溫度800°C~1，200°C、優(yōu)選900°C~1100。C的反應(yīng)爐內(nèi)，通過使四氯化硅氣體和鋅氣體反應(yīng)而進行。如果反應(yīng)溫度在所述范圍內(nèi)，則四氯化硅氣體和鋅氣體容易反應(yīng)，從而難以對反應(yīng)爐造成損傷。而且，反應(yīng)爐內(nèi)的壓力例如為0kPaG~500kPaG。在本步驟(3)中，如下述反應(yīng)式所示，生成高純度硅，并且副生出氯化鋅。SiCl4+2Zn—Si+2ZnCl2生成高純度硅之后的反應(yīng)氣體是含有氯化鋅、鋅及四氯化硅等的混合氣體，使溫度下降到氯化鋅的沸點以下，具體而言小于等于732°C，優(yōu)選500。C左右，這樣，氯化鋅會以液體狀態(tài);故分離回收。而且，鋅可以在以粉體鋅或液體鋅狀態(tài)經(jīng)回收后，用作供本步驟(3)的鋅氣體原料的一部分。殘余的四氯化硅可以再次用作供本步驟(3)的原料氣體的一部分。供本步驟(3)的反應(yīng)的鋅氣體并無特別限定，可以將所述的從含有未反應(yīng)鋅氣體的反應(yīng)氣體中回收的粉體或液體鋅、以及下述的分離步驟(5)中回收的粉體鋅用作原料。(4)氫還原步驟在此步驟中，如下述反應(yīng)式所示，利用氬氣將所述鋅還原步驟(3)中副生的氯化鋅還原，生成氯化氫及鋅。ZnCl2+H2—Zn+2HC1氯化鋅與氫氣的還原反應(yīng)是在優(yōu)選700°C~1500°C、更優(yōu)選800°C~1400°C、特別優(yōu)選900。C~1300。C的溫度下進行的。摩爾比優(yōu)選氬氯化鋅=2:1~200:1，更優(yōu)選5:1~100:1。而且，反應(yīng)停留時間優(yōu)選0.01秒~1秒，更優(yōu)選0.03秒~0.1秒。另夕卜，由于本反應(yīng)是可逆反應(yīng)，因此在反應(yīng)后立即強制冷卻到鋅的融點(meltingpoint)以下。在所述反應(yīng)條件下利用氫氣來還原氯化鋅，這樣可以獲得金屬鋅的微粉末。供本步驟(4)的還原反應(yīng)的氯化鋅優(yōu)選430°C~900°C、更優(yōu)選500°C~80(TC的氯化鋅氣體，并且優(yōu)選將所述步驟(3)中獲得的氯化鋅蒸發(fā)、氣體化后進行供給。另外，根據(jù)需要而優(yōu)選使用氮氣或氬氣等作為載氣。通過在所述條件下使氯化鋅蒸發(fā)、氣體化而可以對反應(yīng)部穩(wěn)定地供給氯化鋅氣體。供本步驟(4)的氫氣并無特別限定，可以將所述氯化步驟(1)中副生且在所述蒸餾步驟(2)中經(jīng)分離回收的副生氫氣、以及下述分離步驟(5)中經(jīng)分離回收的未反應(yīng)氫氣進行再利用。(5)分離步驟在此步驟中，從所述氬還原步驟(4)獲得的反應(yīng)生成物中，分離回收鋅、氯化氫以及未反應(yīng)的氯化鋅和氫氣。作為分離回收方法，例如，將所述反應(yīng)生成物冷卻到小于等于50°C,這樣，鋅以粉體鋅狀態(tài)被分離回收，未反應(yīng)的氯化鋅以固態(tài)狀態(tài)被回收，氯化氫經(jīng)水吸收或者深冷分離或膜分離而^皮分離回收，并且可以分離回收未反應(yīng)氫氣。所回收的鋅用作供所述鋅還原步驟(3)的反應(yīng)的鋅氣體的原料。而且，所回收的氯化氫用作供所述氯化步驟(1)的反應(yīng)的氯化氫氣體的原料，當(dāng)氯化氬不足時，根據(jù)需要，用所購買的氯化氫等來補充。進一步，所回收的未反應(yīng)的氯化鋅及氫氣分別再用作供所述氫還原步驟(4)的反應(yīng)的氯化鋅及氫氣。這樣，在本發(fā)明中，副生的氯化鋅直接由氫氣而還原，因此在無需電解之類的昂貴設(shè)備的情況下，使所生成的鋅及氯化氫有效地循環(huán)利用。以下，參照圖式，對本發(fā)明的制造方法的所述步驟(4)及步驟(5)進行具體說明。圖2是使本發(fā)明的高純度硅的制造方法的步驟(3)中副生的氯化鋅和氫氣進行反應(yīng)，并從所獲得的反應(yīng)生成物中分離回收鋅、氯化氫、未反應(yīng)原料的裝置的一例示的模式圖。反應(yīng)器1為臥式管狀(horizontaltubular),由蒸發(fā)部2、反應(yīng)部5及冷卻部7所組成。蒸發(fā)部2及反應(yīng)部5的溫度分別通過管外的電熱爐來調(diào)節(jié)，冷卻部7通過管外的空氣冷卻而冷卻。氯化鋅在石英制蒸發(fā)器3中，通過管外的電熱而蒸發(fā)、氣體化，成為優(yōu)選43(TC~900°C、更優(yōu)選500。C80(TC的氯化鋅氣體。氯化鋅氣體和由反應(yīng)器的蒸發(fā)部2側(cè)的載氣供給部(carriergassupplyingpart)4所供給的載氣(通常為氮氣)一起被導(dǎo)入到反應(yīng)部5中。另外，也可不必使用載氣。在反應(yīng)部5中，氯化鋅氣體和由反應(yīng)器1的蒸發(fā)部2側(cè)的氫氣供給部6所供給的氫氣接觸、混合并發(fā)生反應(yīng)。此反應(yīng)是在優(yōu)選700。C~1500°C、更優(yōu)選800°C~DO(TC的溫度下進行的，反應(yīng)溫度通過反應(yīng)部電爐來調(diào)節(jié)。在冷卻部7中將反應(yīng)生成物冷卻到小于等于5(TC之后，以粉體鋅狀態(tài)分離回收鋅，在氯化氫氣體吸收器10中，將氯化氫經(jīng)水吸收而分離回收，未反應(yīng)的氯化鋅及氫氣可供再次反應(yīng)。而且，圖3的反應(yīng)器1與圖2的情況不同，蒸發(fā)部2為立式(verticaltype)，從氯化鋅氣體入口11對石英制蒸發(fā)器3間歇地供給氯化鋅，半連續(xù)地制造粉體鋅。在本發(fā)明的高純度硅的制造方法中，使副生的氯化鋅和氫氣進行反應(yīng)的反應(yīng)裝置可以是臥式反應(yīng)管，也可以是立式反應(yīng)管。而且，為了實現(xiàn)耐熱性及防止雜質(zhì)混入，反應(yīng)管的材質(zhì)一般使用石英。[實施例]以下，根據(jù)實施例來更具體地說明本發(fā)明，但本發(fā)明并不限定于這些實施例。[實施例1](1)氯化步驟在石英制反應(yīng)器中加入金屬硅50g，使用電爐進行加熱，使金屬硅達(dá)到300。C。接著，從反應(yīng)器下部向所述反應(yīng)器內(nèi)以150NL/Hr的速度供給氯化氫氣體，并且以60g/Hr的速度供給金屬硅，進行10小時反應(yīng)。所生成的氯硅烷氣體被鹽水冷凝器(brinecondenser)冷凝捕集，獲得3000g的反應(yīng)液。才艮據(jù)氣相色i普(gaschromatography)分才斤可知，所獲4尋的反應(yīng)液的組成為三氯硅烷85.2%、四氯化硅14.0%,根據(jù)高頻電感耦合等離子體發(fā)射光譜分析法(InductivelyCoupledPlasma-AtomicEmissionSpectroscopy,ICP-AES)可知，反應(yīng)液中的雜質(zhì)金屬化合物的總量為140ppm。(2)蒸餾步驟經(jīng)所獲得的反應(yīng)液的單蒸餾而去除雜質(zhì)金屬化合物，之后利用理論塔板數(shù)為30層的精餾塔反復(fù)進行蒸餾。蒸餾是反復(fù)進行精餾，直到由氣相色譜分析所得的四氯化硅的純度大于等于99.99%，且由高頻電感耦合等離子體發(fā)射光譜分析法(ICP-AES)所得的雜質(zhì)金屬化合物總量小于等于lppm為止，從而獲得160g的四氯化硅。(3)鋅還原步驟利用電爐對反應(yīng)器進行加熱，使得整個反應(yīng)器達(dá)到約950°C。其次，向所述反應(yīng)器內(nèi)供給950。C的所述步驟(2)獲得的四氯化硅氣體作為硅氯化物氣體、以及950。C的鋅氣體作為還原劑氣體，使得以摩爾比表示時，四氯化硅鋅=0.7:1,并進行7.5小時的反應(yīng)，從而獲得純度99.999%的高純度硅9.8g。而且，將高純度硅生成后的反應(yīng)氣體冷卻到200°C,從而獲得純度85%的副生氯化鋅123g。另外，高純度硅的純度是利用高頻電感耦合等離子體發(fā)射光譜分析法(ICP-AES)而求出的。而且，副生氯化鋅的純度是由以下方法求出的，即，將氯化鋅溶解于純水中，去除不溶物的未反應(yīng)鋅，之后通過不溶物鋅的比例、水溶性鋅滴定及C1滴定而求出。(4)氫還原步驟使用如圖2所示的石英制反應(yīng)器1，在蒸發(fā)部2的石英制蒸發(fā)器3中放入所述步驟(3)中獲得的約20g的副生氯化鋅(純度85%),使其在600°C時蒸發(fā)，伴隨于此，從載氣供給部4向1200。C的反應(yīng)部5供給1L/Hr的氮氣作為載氣，從氫氣供給部6向1200。C的反應(yīng)部5供給130L/Hr的氫氣。(5)分離步驟利用冷卻部7或者集塵器(dusttrap)8，以粉體鋅的狀態(tài)來捕集所述步驟(4)中生成的鋅。所獲得的粉體鋅的純度大于等于99.99wt%(重量百分比)，此純度可以用作四氯化硅的鋅還原法中所使用的鋅。利用高頻電感耦合等離子體發(fā)射光譜分析法(ICP-AES)對粉體鋅所含雜質(zhì)的分析結(jié)果示于表l。而且，在氯化氫氣體吸收器10中將所生成的氯化氫經(jīng)水吸收后回收，并且與未反應(yīng)的氫氣分離。反復(fù)進行6次從所述步驟(4)到步驟(5)的操作之后，將所述步驟(5)中分離回收的鋅用作供所述步驟(3)反應(yīng)的鋅氣體的原料，且將所述步驟(5)中分離回收的氯化氫用作供所述步驟(1)反應(yīng)的氯化氫氣體的原料。[參考例1]使用氯化鋅試劑(東信化學(xué)工業(yè)抹式會社制，純度99.23%)來取代實施例1中的(3)鋅還原步驟的副生氯化鋅，除此之外，和實施例l相同，分離回收粉體鋅、氯化氫及未反應(yīng)氫氣。所獲得的粉體鋅的純度大于等于99.99wt%。利用高頻電感耦合等離子體發(fā)射光譜分析法(ICP-AES)對粉體鋅所含雜質(zhì)的分析結(jié)果示于表1。[參考例2]在實施例1的(4)氫還原步驟中，使用圖3所示的石英制反應(yīng)器1,在蒸發(fā)部2的石英制蒸發(fā)器3中放入約40g經(jīng)脫水的氯化鋅試劑(東進化學(xué)制)，于710。C時進行蒸發(fā)，伴隨于此，從載氣供給部4向120(TC的反應(yīng)部5供給1L/Hr的氮氣作為載氣，從氫氣供給部6向1200。C的反應(yīng)部5供給卯L/Hr的氫氣。所生成的鋅被冷卻部7或集塵器8以粉體鋅的狀態(tài)而捕集，并分離回收粉體鋅、氯化氫及未反應(yīng)氫氣。所獲得的粉體鋅的純度大于等于99.99wt%,此純度可以用作四氯化硅的鋅還原法中所使用的鋅。利分析結(jié)果(于表:^'"''—、、[表l]<table>tableseeoriginaldocumentpage10</column></row><table>權(quán)利要求1、一種高純度硅的制造方法，其特征在于其包括如下步驟使金屬硅和氯化氫氣體進行反應(yīng)的第一步驟；對所述第一步驟獲得的反應(yīng)生成物進行蒸餾而獲得四氯化硅的第二步驟；在溫度為800℃～1200℃的反應(yīng)爐內(nèi)，使所述第二步驟獲得的四氯化硅和鋅氣體進行氣相反應(yīng)而生成高純度硅的第三步驟；使所述第三步驟中副生的氯化鋅和氫氣進行反應(yīng)的第四步驟；以及從所述第四步驟獲得的反應(yīng)生成物中分離回收鋅和氯化氫的第五步驟，將所述第五步驟中經(jīng)分離回收的鋅用作供所述第三步驟的反應(yīng)的鋅氣體的原料，且將所述第五步驟中經(jīng)分離回收的氯化氫用作供所述第一步驟的反應(yīng)的氯化氫氣體的原料。2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的高純度硅的制造方法，其特征在于，供所述第四步驟的反應(yīng)的氯化鋅是430°C~900°C的氯化鋅氣體。3、根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的高純度硅的制造方法，其特征在于，所述第四步驟中氯化鋅和氫氣的反應(yīng)是在700°C-1500。C的溫度下進行的。4、根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的高純度硅的制造方法，其特征在于，在所述第五步驟中，待所述第四步驟中獲得的反應(yīng)生成物冷卻到小于等于50。C之后，鋅以粉體鋅狀態(tài)被分離回收，氯化氫經(jīng)水吸收后被分離回收。5、根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的高純度硅的制造方法，其特征在于，在所述第五步驟中，還包括分離回收未反應(yīng)的氫氣，并將所述未反應(yīng)的氫氣用作供所述第四步驟的反應(yīng)的氫氣。6、根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的高純度硅的制造方法，其特征在于，在所述第二步驟中，分離回收所述第一步驟中副生的氫氣，并將所述副生氫氣用作供所述第四步驟的反應(yīng)的氫氣。7、根據(jù)權(quán)利要求l或2所述的高純度硅的制造方法，其特征在于，將所述第三步驟中排出的反應(yīng)氣體冷卻到小于等于732。C的溫度，從而將以液體狀態(tài)從所述反應(yīng)氣體中分離回收的氯化鋅提供給所述第四步驟，將以粉體鋅狀態(tài)從所述反應(yīng)氣體中分離回收的鋅用作供所述第三步驟的鋅氣體的原料，并且將從所述反應(yīng)氣體中分離回收的四氯化硅用作供所述第三步驟的四氯化石圭。全文摘要本發(fā)明提供一種高純度硅的制造方法，在利用鋅還原法由四氯化硅制造硅時，對副生的氯化鋅進行有效的處理，從而比較廉價地制造高純度硅。本發(fā)明的高純度硅的制造方法的特征在于，包括如下步驟(1)使金屬硅和氯化氫氣體進行反應(yīng)的步驟；(2)對所獲得的反應(yīng)生成物進行蒸餾而獲得四氯化硅的步驟；(3)使所獲得的四氯化硅和鋅氣體進行氣相反應(yīng)而生成高純度硅的步驟；(4)使副生的氯化鋅和氫氣進行反應(yīng)的步驟；以及(5)從所獲得的反應(yīng)生成物中分離回收鋅和氯化氫的步驟，將所述步驟(5)中經(jīng)分離回收的鋅用作所述步驟(3)中鋅氣體的原料，且將所述步驟(5)中經(jīng)分離回收的氯化氫用作所述步驟(1)中氯化氫氣體的原料。文檔編號C01B33/039GK101269814SQ20081008508公開日2008年9月24日申請日期2008年3月17日優(yōu)先權(quán)日2007年3月19日發(fā)明者林田智申請人:智索株式會社