還原爐噴嘴裝置制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種還原爐噴嘴裝置，它為一個(gè)整體，噴嘴的頂部為錐形，在噴嘴的上部開有主孔，在噴嘴的側(cè)面開有斜孔，斜孔與水平方向成一定角度，斜孔的中心在同一個(gè)圓周上，斜孔的孔數(shù)為3個(gè)，每個(gè)孔間按120°間距均勻分布，噴嘴的底部為螺紋結(jié)構(gòu)。噴嘴頂部錐形增加噴射阻力使進(jìn)料混合氣向側(cè)孔噴射。主孔(2)為直口，氣速最大，向爐頂噴射物料。側(cè)孔(3)降低主孔噴射壓力減少主孔氣流對硅棒的沖擊力，側(cè)孔按120°方向均勻分布，朝向分別指對硅棒之間的空隙，不直接沖擊硅棒，同時(shí)側(cè)孔傾斜一定角度可增加硅棒中部和底部的氣流濃度分布，使?fàn)t內(nèi)氣體濃度長更均勻。
【專利說明】還原爐噴嘴裝置
一、【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種還原爐噴嘴裝置，屬于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域。
二、【背景技術(shù)】
[0002]在多晶硅生產(chǎn)過程中，進(jìn)料混合氣的流量和流速對多晶硅的生長有很大的影響。在保證達(dá)到一定沉積速率的條件下，混合氣流量越大，爐產(chǎn)量越高。反應(yīng)混合氣體的流速則影響反應(yīng)爐內(nèi)的氣體循環(huán)和濃度分布情況，較高氣速下爐內(nèi)氣體形成湍動(dòng)，有利于硅棒表面的氣相濃度得到更新增加氣體對沉積面的碰撞機(jī)會(huì)，還有利于爐內(nèi)氣體濃度的均勻分布。而還原爐進(jìn)料的流速和流量以及爐內(nèi)氣場的分布都是由還原爐進(jìn)料噴嘴的結(jié)構(gòu)決定的。在等同壓力條件下，還原爐噴嘴的孔徑越大，其噴射的物料高度將會(huì)逐漸降低，這樣會(huì)因?yàn)槲锪系牧可俣鴮?dǎo)致硅棒上部，尤其是橫梁部位生長緩慢，甚至出現(xiàn)裂棒。另外，孔徑過大，會(huì)導(dǎo)致硅棒表面粗糙，出現(xiàn)塊狀顆粒，容易生成爆米花。還原爐的孔徑越小，其噴射的物料高度會(huì)增高，但是氣流速度會(huì)加大，這樣就會(huì)加大物料對硅棒的沖擊，使其發(fā)生搖擺或是硅棒出現(xiàn)凹槽，容易出現(xiàn)倒棒，尤其是出現(xiàn)倒芯。目前多晶硅生產(chǎn)中常出現(xiàn)硅棒生長不均勻，上重下輕或硅棒某處彎曲的情況。
三、實(shí)用新型內(nèi)容
[0003]為解決以上硅棒生長不均勻的問題，本實(shí)用新型的目的是提供一種還原爐噴嘴裝置，其既能滿足物料的噴射高度，保證硅芯橫梁的生長，又能減少氣體對硅棒的沖刷而造成的硅棒生長不均勻。
[0004]為實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型的目的，本實(shí)用新型的技術(shù)方案是:一種還原爐噴嘴裝置，它為一個(gè)整體，噴嘴的頂部為錐形，在噴嘴的上部開有主孔，在噴嘴的側(cè)面開有斜孔，斜孔與水平方向成一定角度，斜孔的中心在同一個(gè)圓周上，斜孔的孔數(shù)為3個(gè)，每個(gè)孔間按120°間距均勻分布，噴嘴的底部為螺紋結(jié)構(gòu)。
[0005]本實(shí)用新型噴嘴側(cè)面開孔后，增加氣體噴射的覆蓋面，使?fàn)t內(nèi)物料濃度分布和氣速分布更均勻，從而提高硅棒生長的均勻性。
[0006]四、【專利附圖】

【附圖說明】
[0007]附圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0008]其中:1—噴嘴，2主孔，3側(cè)孔，4螺紋。
五、【具體實(shí)施方式】
[0009]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對本實(shí)用新型做進(jìn)一步說明。
[0010]參照附圖，本實(shí)用新型還原爐噴嘴裝置，它為一個(gè)整體，噴嘴I的頂部為錐形，在噴嘴I的上部開有主孔2，在噴嘴I的側(cè)面開有斜孔3，斜孔3與水平方向成一定角度，斜孔3的中心在同一個(gè)圓周上，斜孔3的孔數(shù)為3個(gè)，每個(gè)孔間按120°間距均勻分布，噴嘴I的底部為螺紋4結(jié)構(gòu)。[0011]本實(shí)用新型為一個(gè)整體件，下部螺紋4可將噴嘴I和還原爐底盤內(nèi)螺紋氣孔相連，采用螺紋連接方式方便更換。噴嘴頂部錐形增加噴射阻力使進(jìn)料混合氣向側(cè)孔噴射。主孔2為直口，氣速最大，向爐頂噴射物料。側(cè)孔3降低主孔噴射壓力減少主孔氣流對硅棒的沖擊力，側(cè)孔按120°方向均勻分布，朝向分別指對硅棒之間的空隙，不直接沖擊硅棒，同時(shí)側(cè)孔傾斜一定角度可增加硅棒中部和底部的氣流濃度分布，使?fàn)t內(nèi)氣體濃度長更均勻。有效解決硅棒底部和中部生長的凹彎現(xiàn)象。
【權(quán)利要求】
1.一種還原爐噴嘴裝置，它為一個(gè)整體，其特征在于:噴嘴(I)的頂部為錐形，在噴嘴(I)的上部開有主孔(2)，在噴嘴⑴的側(cè)面開有斜孔(3)，斜孔(3)與水平方向成一定角度，斜孔(3)的中心在同一個(gè)圓周上，斜孔(3)的孔數(shù)為3個(gè)，每個(gè)孔間按120°間距均勻分布，噴嘴(I)的底部為螺紋(4)結(jié)構(gòu)。
【文檔編號(hào)】C01B33/027GK203411333SQ201320403868
【公開日】2014年1月29日 申請日期:2013年6月28日 優(yōu)先權(quán)日:2013年6月28日
【發(fā)明者】韋武杰, 史超, 薛濤 申請人:陜西天宏硅材料有限責(zé)任公司