技術(shù)總結(jié)
一種碳化硅單晶的制造方法，所述方法包括以下步驟：準(zhǔn)備具有粘接部(Bp)和階梯部(Sp)的支撐構(gòu)件(20b)，階梯部(Sp)配置在所述粘接部(Bp)的周緣的至少一部分處；和在階梯部(Sp)上配置緩沖材料。粘接部(Bp)和緩沖材料(2)構(gòu)成支撐面(Sf)。此外，這種制造方法還包括以下步驟：在支撐面(Sf)上配置種晶(10)并將所述粘接部(Bp)與所述種晶(10)互相粘接；和在種晶(10)上生長單晶(11)。

技術(shù)研發(fā)人員：川瀨智博
受保護(hù)的技術(shù)使用者：住友電氣工業(yè)株式會(huì)社
文檔號(hào)碼：201580035227
技術(shù)研發(fā)日：2015.06.24
技術(shù)公布日：2017.03.01