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      一種晶體生長用雙層坩堝

      文檔序號:40076411發(fā)布日期:2024-11-27 11:17閱讀:16來源:國知局
      一種晶體生長用雙層坩堝

      本技術(shù)涉及晶體生長,尤其涉及一種晶體生長用雙層坩堝。


      背景技術(shù):

      1、在晶體生長實(shí)驗(yàn)中,坩堝是一個常用的實(shí)驗(yàn)工具,用于容納和固定晶體生長的材料或試樣,選擇適當(dāng)?shù)嫩釄鍖τ趯?shí)驗(yàn)的成功至關(guān)重要,因?yàn)樗苯佑绊懙骄w的生長條件和最終的晶體質(zhì)量。

      2、經(jīng)檢索,公開號為cn201832664u的一種雙層坩堝公開了一種耐高溫、耐強(qiáng)腐蝕的雙層坩堝,由a、b坩堝組成,a坩堝作為首要反應(yīng)器,b坩堝為二級保護(hù)反應(yīng)器,a、b坩堝均選取高級耐材加工制作而成,其材質(zhì)取決于其試驗(yàn)試劑侵蝕機(jī)理,a坩堝為普通坩堝,b坩堝內(nèi)置三個角托,用于放置a坩堝,同時也可以控制a坩堝外壁和b坩堝內(nèi)壁在一個合適距離,在試驗(yàn)時,若a坩堝在高溫、強(qiáng)腐蝕下被試劑侵蝕穿透,則試驗(yàn)可以在b坩堝中得以繼續(xù),但是,上述技術(shù)方案在實(shí)際使用時,仍存在以下不足:

      3、在該技術(shù)方案中,b坩堝通過三個角托放置在a坩堝中,導(dǎo)致b坩堝底部受力不均,由于重量集中在三個支撐點(diǎn)上,可能導(dǎo)致b坩堝底部的應(yīng)力集中,增加了破裂的風(fēng)險(xiǎn),且為了能夠單獨(dú)取出b坩堝,a坩堝與b坩堝之間留有縫隙,b坩堝側(cè)面得不到支撐,這樣b坩堝受到原料內(nèi)應(yīng)力的影響也容易出現(xiàn)破裂,尤其是在晶體生長過程中可能受到的溫度變化和壓力變化的影響更為明顯,影響晶體生長的效率。

      4、所以,需要設(shè)計(jì)一種晶體生長用雙層坩堝來解決上述問題。


      技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

      1、本實(shí)用新型的目的是為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的缺點(diǎn),而提出的一種晶體生長用雙層坩堝。

      2、為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本實(shí)用新型采用了如下技術(shù)方案:

      3、一種晶體生長用雙層坩堝,包括制備爐,所述制備爐的內(nèi)部設(shè)有外層坩堝,所述外層坩堝的內(nèi)部設(shè)有內(nèi)層坩堝,所述制備爐上設(shè)有爐蓋,所述外層坩堝的內(nèi)側(cè)固定連接有放置環(huán),所述放置環(huán)上設(shè)有連接環(huán),所述連接環(huán)內(nèi)側(cè)固定連接有若干支撐桿,所述內(nèi)層坩堝位于支撐桿上,所述制備爐的內(nèi)部設(shè)有用于對內(nèi)層坩堝結(jié)構(gòu)進(jìn)行加強(qiáng)的緊固組件。

      4、作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選技術(shù)方案,所述緊固組件包括設(shè)置在制備爐內(nèi)部的驅(qū)動板,所述驅(qū)動板內(nèi)部轉(zhuǎn)動連接有轉(zhuǎn)動板,所述驅(qū)動板與轉(zhuǎn)動板之間設(shè)有若干連接板,所述連接板上表面固定有導(dǎo)向柱,所述轉(zhuǎn)動板上貫穿設(shè)有與連接板數(shù)量相適配的導(dǎo)向口,所述導(dǎo)向柱位于導(dǎo)向口的內(nèi)部,所述連接板的下表面固定連接有限位塊,所述驅(qū)動板的內(nèi)底面設(shè)有限位槽,全部的所述限位塊均位于限位槽內(nèi),所述驅(qū)動板底部貫穿設(shè)有開口,所述連接板下表面還固定有固定板,所述固定板穿過開口內(nèi)部,所述緊固組件還包括驅(qū)動件,所述驅(qū)動件用于驅(qū)動轉(zhuǎn)動板轉(zhuǎn)動。

      5、作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選技術(shù)方案,所述驅(qū)動件包括固定連接在爐蓋上的電機(jī),所述電機(jī)的輸出軸末端軸接有轉(zhuǎn)軸,所述轉(zhuǎn)軸遠(yuǎn)離電機(jī)的一端與轉(zhuǎn)動板轉(zhuǎn)動連接,所述驅(qū)動板上固定連接有連接架,所述連接架與爐蓋內(nèi)頂面相固定。

      6、作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選技術(shù)方案,所述內(nèi)層坩堝的側(cè)壁上固定連接有兩個滑塊,所述外層坩堝內(nèi)側(cè)和內(nèi)層坩堝外側(cè)間的間隙與滑塊的尺寸相適配。

      7、作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選技術(shù)方案,全部的所述固定板呈圓周向等間距設(shè)置。

      8、作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選技術(shù)方案,所述爐蓋上固定連接有兩個把手。

      9、本實(shí)用新型具有以下有益效果:

      10、1、受力均勻:通過設(shè)置多個支撐桿,內(nèi)層坩堝底部的受力點(diǎn)得以分散,從而減小內(nèi)層坩堝破裂的風(fēng)險(xiǎn),這樣的設(shè)計(jì)可以提高內(nèi)層坩堝的穩(wěn)定性,使其更能承受來自內(nèi)部原料和外部環(huán)境的力;

      11、2、支撐作用:固定板位于內(nèi)層坩堝與外層坩堝的間隙中,通過驅(qū)動件和緊固組件,固定板能夠與內(nèi)層坩堝側(cè)壁相貼,進(jìn)而對內(nèi)層坩堝側(cè)壁起到支撐的作用,這樣的設(shè)計(jì)提高了內(nèi)層坩堝結(jié)構(gòu)的牢固性,降低了破裂的幾率;

      12、3、成本節(jié)約:通過有效地設(shè)計(jì)支撐結(jié)構(gòu),可以降低內(nèi)層坩堝破裂的可能性,減少實(shí)驗(yàn)失敗的風(fēng)險(xiǎn),這不僅有助于提高實(shí)驗(yàn)的成功率,還能夠減少坩堝的損耗和更換頻率,進(jìn)而減少了晶體生長制備的成本。



      技術(shù)特征:

      1.一種晶體生長用雙層坩堝,包括制備爐(1),所述制備爐(1)的內(nèi)部設(shè)有外層坩堝(3),所述外層坩堝(3)的內(nèi)部設(shè)有內(nèi)層坩堝(4),其特征在于,所述制備爐(1)上設(shè)有爐蓋(2),所述外層坩堝(3)的內(nèi)側(cè)固定連接有放置環(huán)(5),所述放置環(huán)(5)上設(shè)有連接環(huán)(6),所述連接環(huán)(6)內(nèi)側(cè)固定連接有若干支撐桿(7),所述內(nèi)層坩堝(4)位于支撐桿(7)上,所述制備爐(1)的內(nèi)部設(shè)有用于對內(nèi)層坩堝(4)結(jié)構(gòu)進(jìn)行加強(qiáng)的緊固組件。

      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種晶體生長用雙層坩堝,其特征在于,所述緊固組件包括設(shè)置在制備爐(1)內(nèi)部的驅(qū)動板(9),所述驅(qū)動板(9)內(nèi)部轉(zhuǎn)動連接有轉(zhuǎn)動板(10),所述驅(qū)動板(9)與轉(zhuǎn)動板(10)之間設(shè)有若干連接板(13),所述連接板(13)上表面固定有導(dǎo)向柱(14),所述轉(zhuǎn)動板(10)上貫穿設(shè)有與連接板(13)數(shù)量相適配的導(dǎo)向口(15),所述導(dǎo)向柱(14)位于導(dǎo)向口(15)的內(nèi)部,所述連接板(13)的下表面固定連接有限位塊(12),所述驅(qū)動板(9)的內(nèi)底面設(shè)有限位槽(11),全部的所述限位塊(12)均位于限位槽(11)內(nèi),所述驅(qū)動板(9)底部貫穿設(shè)有開口(16),所述連接板(13)下表面還固定有固定板(8),所述固定板(8)穿過開口(16)內(nèi)部,所述緊固組件還包括驅(qū)動件,所述驅(qū)動件用于驅(qū)動轉(zhuǎn)動板(10)轉(zhuǎn)動。

      3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種晶體生長用雙層坩堝,其特征在于,所述驅(qū)動件包括固定連接在爐蓋(2)上的電機(jī)(19),所述電機(jī)(19)的輸出軸末端軸接有轉(zhuǎn)軸(18),所述轉(zhuǎn)軸(18)遠(yuǎn)離電機(jī)(19)的一端與轉(zhuǎn)動板(10)轉(zhuǎn)動連接,所述驅(qū)動板(9)上固定連接有連接架(17),所述連接架(17)與爐蓋(2)內(nèi)頂面相固定。

      4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種晶體生長用雙層坩堝,其特征在于,所述內(nèi)層坩堝(4)的側(cè)壁上固定連接有兩個滑塊(20),所述外層坩堝(3)內(nèi)側(cè)和內(nèi)層坩堝(4)外側(cè)間的間隙與滑塊(20)的尺寸相適配。

      5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種晶體生長用雙層坩堝,其特征在于,全部的所述固定板(8)呈圓周向等間距設(shè)置。

      6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種晶體生長用雙層坩堝,其特征在于,所述爐蓋(2)上固定連接有兩個把手。


      技術(shù)總結(jié)
      本技術(shù)涉及晶體生長技術(shù)領(lǐng)域,并公開了一種晶體生長用雙層坩堝,包括制備爐,所述制備爐的內(nèi)部設(shè)有外層坩堝,所述外層坩堝的內(nèi)部設(shè)有內(nèi)層坩堝,所述制備爐上設(shè)有爐蓋,所述外層坩堝的內(nèi)側(cè)固定連接有放置環(huán),所述放置環(huán)上設(shè)有連接環(huán),所述連接環(huán)內(nèi)側(cè)固定連接有若干支撐桿,所述內(nèi)層坩堝位于支撐桿上,所述制備爐的內(nèi)部設(shè)有用于對內(nèi)層坩堝結(jié)構(gòu)進(jìn)行加強(qiáng)的緊固組件。本技術(shù)能夠使內(nèi)層坩堝底部的受力點(diǎn)得以分散,從而減小內(nèi)層坩堝破裂的風(fēng)險(xiǎn),其次能夠?qū)?nèi)層坩堝側(cè)壁起到支撐的作用,這樣的設(shè)計(jì)提高了內(nèi)層坩堝結(jié)構(gòu)的牢固性,降低了破裂的幾率。

      技術(shù)研發(fā)人員:田忠軍,孫志剛,楊陳,馮杰
      受保護(hù)的技術(shù)使用者:寧波大學(xué)
      技術(shù)研發(fā)日:20240218
      技術(shù)公布日:2024/11/26
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