專利名稱：：感光性組合物、感光性薄膜、感光性層疊體、永久圖案形成方法及印制電路板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種可以高效形成高精度的永久圖案(保護膜、層間絕緣膜及抗焯劑圖案等)的感光性組合物、感光性薄膜、使用上述感光性組合物的永久圖案形成方法、以及通過該永久圖案形成方法形成永久圖案的印制電路板。
背景技術(shù)：
：以往抗焊劑等永久圖案形成時，是使用將感光性組合物涂布于支撐體并干燥形成感光層的感光性薄膜。作為上述永久圖案的制造方法，是在形成上述永久圖案的鍍銅層疊板等基體上，層疊上述感光性薄膜，形成層疊體，對該層疊體上的上述感光層進行曝光，曝光后使上述感光層顯影形成圖案，然后進行固化處理等，從而形成上述永久圖案。為了高精度而且高效地得到上述永久圖案，就要謀求提高感光度。為此，本發(fā)明者以提高感光度為目的，提出具有感光層的感光性薄膜，其中感光層使用a—氨基烷基苯酮化合物(依路嘎庫阿(一々力'年-7)907)作為光聚合引發(fā)劑，含噻噸酮化合物(卡亞庫阿(力亇年二了)DETX-S)作為增感劑(參照專利文獻l)。但是，由于上述a—氨基垸基苯酮化合物具有胺結(jié)構(gòu)，在使用具有環(huán)氧基的化合物作為熱交聯(lián)劑時，上述感光性薄膜的感光度的經(jīng)時穩(wěn)定性等生保存性會降低。在此，在將形成感光層的感光性組合物溶液直接涂敷于基體上的情況(以下稱為"液蝕型(液蝕夕一7°)")下，如果分別制作將熱交聯(lián)劑以外的成分分散的分散液和分散或溶解熱交聯(lián)劑而成的溶液，然后將兩者混合進行調(diào)制，即所謂的二液型，可以確保上述生保存性，但還是希望不需要混合作業(yè)的一液型。另外，先在支撐體上制作形成由上述感光性組合物而成的感光層的薄膜，將該薄膜層疊于印制電路板等基體上的情況(以下稱為"薄膜型")下，由于要求操作容易，因而難以采用上述液蝕型的狀態(tài)。另一方面，提出了一種感光性組合物，其中含有含不飽和雙鍵的堿可溶性粘合劑、光聚合性化合物肟化合物、增感劑噻噸酮化合物、聚合性化合物和含2個以上環(huán)氧基的環(huán)氧化合物(參照專利文獻2和3)。即使使用這些化合物，提高了感光度，但仍存在感光度的經(jīng)時穩(wěn)定性等生保存性下降的問題。現(xiàn)狀是，以抗焊劑等永久圖案形成為目的，即使對于上述薄膜型，也沒有提供感光度良好且生保存性優(yōu)良的感光性組合物、感光性薄膜、使用上述感光性組合物的永久圖案形成方法以及由上述永久圖案形成方法形成圖案的印制電路板，因此希望更進一步的改良開發(fā)。專利文獻1:特開2000—232264號公報專利文獻2:特開2002—519732號公報專利文獻3:特開2005—182004號公報
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明鑒于所涉及的現(xiàn)狀，以解決以往的上述諸問題，達成以下的目的為課題。即，本發(fā)明以抗焊劑等永久圖案的形成為目的，對于上述薄膜型，提供感光度良好，且生保存性優(yōu)良的感光性組合物、感光性薄膜、使用上述感光性組合物的永久圖案形成方法、以及由該永久圖案形成方法形成永久圖案的印制電路板。作為解決上述課題的方法，如下所述。即〈1〉一種感光性組合物，其特征在于含有粘合劑、聚合性化合物、光聚合引發(fā)劑和熱交聯(lián)劑，對形成的感光層進行曝光顯影時使上述感光層層疊于基體、用于使在24。C60XRH下密閉、于40。C保存3天后的上述感光層的曝光部分的厚度，在該曝光及顯影后不發(fā)生變化的上述曝光的光的最小能量(E。相對用于在24。C的暗處保存30分鐘后的上述曝光的光的最小能量(Eo)的變化率logu)(E,/E2)在±0.3以內(nèi)?！?〉上述〈1〉所述的感光性組合物，其中用于感光層制作后的曝光的光的最小能量(E。)為0.l200mj/cm2。<3〉上述<1〉至〈2〉的任何一項所述的感光性組合物，其中光聚合引發(fā)劑含中性自由基發(fā)生劑。〈4〉上述〈3〉所述的感光性組合物，其中光聚合引發(fā)劑含肟衍生物?！?>上述<4>所述的感光性組合物，其中肟衍生物具有下述通式(A)和通式(B)的任何一個所示的部分結(jié)構(gòu)。[化4]"C(Y"N-0-丫l通式(A)"W1)==N—Q—《通式(B)上述通式(A)和(B)中，Ar表示芳香族基和雜環(huán)基的任何一種，Y'表示氫原子和一價取代基的任何一種，Y2表示脂肪族基、芳香族基、雜環(huán)基、C0Y3、C02f和C0NY4Y5的任何一種，Y3、^和"表示脂肪族基、芳香族基和雜環(huán)基的任何一種，m表示l以上的整數(shù)。<6>上述〈5>所述的感光性組合物，其中通式(A)和(B)中的Ar具有苯基和萘基中的任何一種。<7>上述〈5〉至〈6〉中的任何一項所述的感光性組合物，其中通式(A)和(B)中的Ar具有萘基中的任何一種。<8〉上述<5〉至<7〉中的任何一項所述的感光性組合物，其中通式(A)表示下述通式(C)和(D)中的任何一項。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage7</formula>通式(c)通式(D)上述通式(C)禾Q(D)中，R朋與通式(A)和(B)中的Y'含義相同，Yi2與通式(A)和(B)中的y2含義相同。〈9>上述〈1>至<8〉的任何一項所述的感光性組合物，其中粘合劑含側(cè)鏈具有酸性基和乙烯性不飽和鍵的高分子化合物。<10〉上述<1〉至<9〉的任何一項所述的感光性組合物，其中粘合劑含側(cè)鏈具有酸性基、可以含雜環(huán)的芳香族基和乙烯性不飽和鍵的高分子化合物。<11>上述<10>所述的感光性組合物，其中高分子化合物含0.53.0meq/g的乙烯性不飽和鍵。<12>上述<10>至<11>的任何一項所述的感光性組合物，其中高分子化合物的側(cè)鏈具有羧基，高分子化合物中上述羧基的含量為1.04.0m叫/g。<13>上述<10>至<12>的任何一項所述的感光性組合物，其中高分子化合物的重均分子量為10，000以上且不到100，000。<14>上述<10>至<13>的任何一項所述的感光性組合物，其中高分子化合物含下述結(jié)構(gòu)式(I)所示結(jié)構(gòu)單元20moP/。以上。上述結(jié)構(gòu)式(I)中，R。R2和R3表示氫原子或1價有機基團。L表示有機基團，也可以沒有。Ar表示芳香族基團。<15>上述<1>至<14>的任何一項所述的感光性組合物，其中聚合性化合物含從具有(甲基)丙烯酸基的單體中選擇的至少l種。<16>上述<1>至<15>的任何一項所述的感光性組合物，其中熱交聯(lián)劑為從環(huán)氧化合物、氧雜環(huán)丁垸化合物、聚異氰酸酯化合物、封端劑與聚異氰酸結(jié)構(gòu)式(I)酯化合物反應所得化合物、以及三聚氰胺衍生物中選擇的至少1種化合物。<17>上述<16>所述的感光性組合物，其中熱交聯(lián)劑含環(huán)氧化合物，該環(huán)氧化合物為從雙苯酚型環(huán)氧樹脂、(線型)酚醛樹脂型環(huán)氧樹脂、含脂環(huán)基型環(huán)氧樹脂和難溶性環(huán)氧樹脂中選擇的至少1種化合物。<18>上述<1>至<17>的任何一項所述的感光性組合物，其中含增感劑。<19>上述<18>所述的感光性組合物，其中增感劑含雜稠環(huán)類化合物。<20>上述<19>所述的感光性組合物，其中雜稠環(huán)類化合物為噻噸酮化合<21>—種感光性薄膜，其特征在于，具有支撐體和支撐體上的由上述<1>至<20>的任何一項所述的感光性組合物而成的感光層。<22>上述<21>所述的感光性薄膜，其中感光層的厚度為l~100pm。<23>上述<21>至<22>的任何一項所述的感光性薄膜，其中支撐體含合成樹脂，而且是透明的。<24>上述<21>至<23>的任何一項所述的感光性薄膜，其中支撐體為長條狀。<25>上述<21>至<24>的任何一項所述的感光性薄膜，其為長條狀，巻成輥狀。<26>上述<21>至<25>的任何一項所述的感光性薄膜，其中感光層上具有保護膜。<27>—種圖案形成裝置，其特征在于至少具有可照射光的光照射機構(gòu)和調(diào)制來自該光照射機構(gòu)的光的光調(diào)制機構(gòu)，所述光調(diào)制機構(gòu)對由上述<1〉至<20〉的任何一項所述的感光性組合物形成的感光層進行曝光。該<27>所述的圖案形成裝置中，上述光照射機構(gòu)向上述光調(diào)制機構(gòu)照射光。上述光調(diào)制機構(gòu)對由上述光照射機構(gòu)接受的光進行調(diào)制。由上述光調(diào)制機構(gòu)調(diào)制的光使上述感光層曝光。然后將上述感光層顯影，就可形成高精細的圖案。<28>上述<27>所述的圖案形成裝置，其中光調(diào)制機構(gòu)還具有基于所形成的圖案信息生成控制信號的圖案信號生成機構(gòu)，按照由該圖案信號生成機構(gòu)生成的控制信號，調(diào)制由光照射機構(gòu)照射的光。該<28>所述的圖案形成裝置中，由于上述光調(diào)制機構(gòu)具有上述圖案信號生成機構(gòu)，可以按照由該圖案信號生成機構(gòu)生成的控制信號調(diào)制由上述光照射機構(gòu)照射的光。<29>上述<27>至<28>的任何一項所述的圖案形成裝置，其中光調(diào)制機構(gòu)具有n個描素部，可以按照所形成的圖案信息，控制該n個描素部中連續(xù)排列的任意少于n個的上述描素部。該<29>所述的圖案形成裝置中，通過按照圖案信息來控制上述光調(diào)制機構(gòu)的n個描素部中連續(xù)排列的任意少于n個的上述描素部，可快速調(diào)制來自于上述光照射機構(gòu)的光。<30>上述<27>至<29>的任何一項所述的圖案形成裝置，其中光調(diào)制機構(gòu)為空間光調(diào)制元件。<31>上述<30>所述的圖案形成裝置，其中空間光調(diào)制元件為數(shù)碼微鏡元件(DMD)。<32>上述<29>至<31>的任何一項所述的圖案形成裝置，其中描素部為微反射鏡。<33>上述<27>至<32>的任何一項所述的圖案形成裝置，其中光照射機構(gòu)可將2種以上的光合成照射。該<33>所述的圖案形成裝置中，由于上述光照射機構(gòu)可以將上述2種以上的光合成照射，可以由焦點深度深的曝光光進行曝光。結(jié)果，對上述感光層的曝光可以極其高精細地進行。如果其后進行上述感光層的顯影，則可以形成極其高精細的圖案。<34>上述<27>至<33>的任何一項所述的圖案形成裝置，其中光照射機構(gòu)具有多個激光器、多模式光學纖維、將由該多個激光器分別照射出的激光聚光而結(jié)合于上述多模式光學纖維的聚光光學系統(tǒng)。該<34>所述的圖案形成裝置中，由于上述光照射機構(gòu)中可以利用上述聚光光學系統(tǒng)將上述多個激光器分別照射的激光聚光并結(jié)合于上述多模式光學纖維，可以用焦點深度深的曝光光進行曝光。結(jié)果，對上述感光層的曝光可以極其高精細地進行。如果其后進行上述感光層的顯影，則可以形成極其高精細的圖案。<35>—種永久圖案形成方法，其特征在于，包含對由上述<1>至<20>的任何一項所述的感光性組合物形成的感光層進行曝光的工序。<36>上述<35>所述的永久圖案形成方法，其中感光層由上述<21>至<26>的任何一項所述的感光性薄膜形成。<37>上述<36>所述的永久圖案形成方法，其中使用350415nm波長的激光進行曝光。<38>上述<36>至<37>的任何一項所述的永久圖案形成方法，其中根據(jù)所形成的圖案信息，以圖案狀進行曝光。<39>上述<36>至<38>的任何一項所述的永久圖案形成方法，其中曝光時使用的曝光頭具有光照射機構(gòu)和光調(diào)制機構(gòu)，所述光調(diào)制機構(gòu)具有接受來自上述光照射機構(gòu)的光并射出的n個(n為2以上的自然數(shù))2維排列的描素部，并可以按照圖案信息控制上述描素部，使上述描素部的列方向相對于該曝光頭的掃描方向成規(guī)定的設定傾斜角度e，曝光時，對于上述曝光頭，通過使用描素部指定機構(gòu)來指定可以使用的上述描素部中用于N重曝光(N為2以上的自然數(shù))的上述描素部，并通過描素部控制機構(gòu)對上述描素部進行控制，以只使由上述使用描素部指定機構(gòu)指定的上述描素部參與曝光，同時使上述曝光頭相對于上述感光層，沿掃描方向相對移動。該<39>所述的永久圖案形成方法中，對于上述曝光頭，利用使用描素部指定機構(gòu)，指定可以使用的上述描素部中用于N重曝光(N為2以上的自然數(shù))的上述描素部，并通過描素部控制機構(gòu)控制上述描素部，以只使由上述使用描素部指定機構(gòu)指定的上述描素部參與曝光。通過使上述曝光頭相對上述感光層沿掃描方向相對移動而進行曝光，可以淡化上述曝光頭的安裝位置或安裝角度的偏差所造成的、在上述感光層的被曝光面上形成的上述圖案的分辨率的不均勻或濃度斑。其結(jié)果，可以使上述感光層的曝光高精細地進行，然后通過上述感光層的顯影形成高精細的圖案。<40>上述<39>所述的永久圖案形成方法，其中曝光由多個曝光頭進行，使用描素部指定機構(gòu)在參與由多個上述曝光頭形成的被曝光面上的重復曝光區(qū)域即曝光頭間連接區(qū)域的曝光的描素部中，指定為了實現(xiàn)上述曝光頭間連接區(qū)域的N重曝光而使用的上述描素部。該〈4(^所述的永久圖案形成方法中，通過使曝光由多個曝光頭進行，使用描素部指定機構(gòu)在參與由多個上述曝光頭形成的被曝光面上的重復曝光區(qū)域即曝光頭間連接區(qū)域的曝光的描素部中，指定為了實現(xiàn)上述曝光頭間連接區(qū)域的N重曝光而使用的上述描素部，可以淡化由于上述曝光頭的安裝位置或安裝角度的偏差造成的、在上述感光層的被曝光面上的曝光頭間連接區(qū)域內(nèi)形成的上述圖案的分辨率的不均勻或濃度斑。其結(jié)果，可以高精細地進行上述感光層的曝光。其后通過使上述感光層顯影可以形成高精細的圖案。<41>上述<40>所述的永久圖案形成方法，其中曝光由多個曝光頭進行，使用描素部指定機構(gòu)在參與由多個上述曝光頭形成的被曝光面上的重復曝光區(qū)域即曝光頭間連接區(qū)域以外區(qū)域的曝光的描素部中，指定為了實現(xiàn)上述曝光頭間連接區(qū)域以外的區(qū)域的N重曝光而使用的上述描素部。該〈4b所述的永久圖案的形成方法中，通過使曝光由多個曝光頭進行，使用描素部指定機構(gòu)在參與由多個上述曝光頭形成的被曝光面上的重復曝光區(qū)域即曝光頭間連接區(qū)域以外區(qū)域的曝光的描素部中，指定為了實現(xiàn)上述曝光頭間連接區(qū)域以外的區(qū)域的N重曝光而使用的上述描素部，可以淡化由于上述曝光頭的安裝位置或安裝角度的偏差造成的、在上述感光層的被曝光面上的曝光頭間連接區(qū)域以外的區(qū)域形成的上述圖案的分辨率的不均勻或濃度斑。其結(jié)果，可以高精細地進行上述感光層的曝光。其后通過使上述感光層顯影可以形成高精細的圖案。<42>上述<39>至<41>的任何一項所述的永久圖案形成方法，其中設定傾斜角度e被設定為滿足e^e^的關(guān)系，其中e,滿足式spsineidea^NS，其中N為N重曝光數(shù)，s為描素部的列方向的個數(shù)，p為上述描素部的列方向的間隔，S為曝光頭傾斜的狀態(tài)下與該曝光頭的掃描方向垂直的方向上的描素部的列方向的間距。<43>上述<39>至<42>的任何一項所述的永久圖案形成方法，其中N重曝光的N為3以上的自然數(shù)。該<43>所述的永久圖案形成方法中，由于N重曝光的N為3以上的自然數(shù)，可以進行多重描繪。其結(jié)果，由于補償?shù)男Ч?，由上述曝光頭的安裝位置或安裝角度的偏差造成的、上述感光層的被曝光面上形成的上述圖案分辨率的不均勻或濃度斑會更精密地被淡化。<44>上述<39>至<43>的任何一項所述的永久圖案形成方法，其中使用描素部指定機構(gòu)包括光點位置檢測機構(gòu)和描素部選擇機構(gòu)，所述光點位置檢測機構(gòu)在被曝光面上檢測由描素部生成的、作為構(gòu)成被曝光面上的曝光區(qū)域的描素單元的光點位置，所述描素部選擇機構(gòu)根據(jù)上述光點位置檢測機構(gòu)的檢測結(jié)果，選擇為了實現(xiàn)N重曝光而使用的描素部。<45>上述<39>至<44〉的任何一項所述的永久圖案形成方法，其中使用描素部指定機構(gòu)以行為單位指定為了實現(xiàn)N重曝光使用的使用描素部。<46>上述<44>至<45>的任何一項所述的永久圖案形成方法，其中光點位置檢測機構(gòu)基于所檢測的至少2個光點位置，設定使曝光頭傾斜的狀態(tài)下被曝光面上光點的列方向和上述曝光頭的掃描方向形成的實際傾斜角度e'，描素部選擇機構(gòu)選擇使用描素部以消除上述實際傾斜角度e'和設定傾斜角度e間的誤差。<47>上述<46>所述的永久圖案形成方法，其實際傾斜角度e'為使曝光頭傾斜的狀態(tài)下被曝光面上光點的列方向和上述曝光頭的掃描方向所形成的多個實際傾斜角的平均值、中間值、最大值和最小值中的任何一個。<48>上述<44>至<47>的任何一項所述的永久圖案形成方法，其中描素部選擇機構(gòu)基于實際傾斜角度e'，導出接近滿足關(guān)系ttane^N(N表示N重曝光的N)的t的自然數(shù)T，并且從排列成m行(m表示2以上的自然數(shù))的描素部中，選擇第1行到上述第T行的上述描素部作為使用描素部。<49>上述<44>至<48>的任何一項所述的永久圖案形成方法，其中描素部選擇機構(gòu)基于實際傾斜角度e'，導出接近滿足關(guān)系ttane^N(N表示N重曝光的N)的t的自然數(shù)T，將排列成m行(m表示2以上的自然數(shù))的描素部中的第(T+l)行到第m行的上述描素部設定為不使用描素部，選擇除去該不使用描素部的上述描素部作為使用描素部。<50>上述<44>至<49>的任何一項所述的永久圖案形成方法，其中描素部選擇機構(gòu)為以如下所述的(1)一(4)中任一種方式選擇使用描素部的機構(gòu)，在至少含有由多個描素部列形成的被曝光面上的重復曝光區(qū)域的區(qū)域內(nèi)，(1)相對于理想的N重曝光，曝光過度的區(qū)域和曝光不足的區(qū)域的合計面積達到最小；(2)相對于理想的N重曝光，曝光過度區(qū)域的描素單元數(shù)和曝光不足區(qū)域的描素單元數(shù)相等；(3)相對于理想的N重曝光，曝光過度區(qū)域的面積最小，而且盡量不產(chǎn)生曝光不足的區(qū)域；(4)相對于理想的N重曝光，曝光不足區(qū)域的面積最小，而且盡量不產(chǎn)生曝光過度的區(qū)域。<51>上述<44>至<50>的任何一項所述的永久圖案形成方法，其中描素部選擇機構(gòu)為以如下所述的(1)一(4)中任一種方式從曝光頭間連接區(qū)域的參與曝光的描素部設定不使用描素部并將除該不使用描素部之外的所述描素部選擇為使用描素部的機構(gòu)，在由多個曝光頭形成的被曝光面上的重復曝光區(qū)域即曝光頭間連接區(qū)域中，(1)相對于理想的N重曝光，曝光過度區(qū)域和曝光不足區(qū)域的合計面積最?。?2)相對于理想的N重曝光，曝光過度區(qū)域的描素單元數(shù)和曝光不足區(qū)域的描素單元數(shù)相等；(3)相對于理想的N重曝光，曝光過度區(qū)域的面積最小，而且盡量不產(chǎn)生曝光不足的區(qū)域；(4)相對于理想的N重曝光，曝光不足區(qū)域的面積最小，而且盡量不產(chǎn)生曝光過度的區(qū)域。<52>上述<51>所述的永久圖案形成方法，其中不使用描素部以行為單位被加以設定。<53>上述<44>至<52>的任何一項所述的永久圖案形成方法，其中為了在使用描素部指定機構(gòu)中指定使用描素部，在可以使用的上述描素部中，只使用對于N重曝光的N構(gòu)成每(N-l)列的描素部列的上述描素部進行參照曝光。該<53>所述的永久圖案形成方法中，為了用使用描素部指定機構(gòu)指定使用描素部，在可以使用的上述描素部中，只使用相對于N重曝光的N構(gòu)成每(N-l)列的描素部列的上述描素部進行參照曝光，得到近似1重描繪的單純圖案。其結(jié)果，容易指定上述曝光頭間連接區(qū)域的上述描素部。<54>上述<44>至<53>的任何一項所述的永久圖案形成方法，其中為了在使用描素部指定機構(gòu)中指定使用描素部，在可以使用的上述描素部中，只使用相對于N重曝光的N構(gòu)成每1/N行的描素部行的上述描素部進行參照曝光。該<54>所述的永久圖案形成方法中，為了用使用描素部指定機構(gòu)指定使用描素部，在可以使用的上述描素部中，只使用對于N重曝光的N構(gòu)成每1/N行的描素部行的上述描素部進行參照曝光，得到近似1重描繪的單純圖案。其結(jié)果，容易指定上述曝光頭間連接區(qū)域的上述描素部。<55>上述<39>至<54>的任何一項所述的永久圖案形成方法，其中使用描素部指定機構(gòu)中，作為光點位置檢測機構(gòu)具有狹縫(slit)和光檢測器，同時作為描素部選擇機構(gòu)具有與上述光檢測器連接的演算裝置。<56>上述<39>至<55>的任何一項所述的永久圖案形成方法，其中N重曝光的N為3以上7以下的自然數(shù)。<57>上述<39>至<56>的任何一項所述的永久圖案形成方法，其中光調(diào)制機構(gòu)還具有基于形成的圖案信息生成控制信號的圖案信號生成機構(gòu)，對于由光照射機構(gòu)照射的光，按照該圖案信號生成機構(gòu)生成的控制信號進行調(diào)制。該<57>所述的永久圖案形成裝置中，由于上述光調(diào)制機構(gòu)具有上述圖案信號生成機構(gòu)，因此來自于上述光照射機構(gòu)的照射光可以按照該圖案信號生成機構(gòu)生成的控制信號被加以調(diào)制。<58>上述<57>所述的永久圖案形成方法，其中光調(diào)制機構(gòu)為空間光調(diào)制元件。<59>上述<58>所述的永久圖案形成方法，其中空間光調(diào)制元件為數(shù)碼.微反射鏡元件(DMD)。<60>上述<39>至<59>的任何一項所述的永久圖案形成方法，其中描素部為微反射鏡。<61>上述<39>至<60>的任何一項所述的永久圖案形成方法，其中具有變換上述圖案信息的變換機構(gòu)，通過其變換，圖案信息所表示的圖案的規(guī)定部分的尺寸，變成與由指定的使用描素部可以實現(xiàn)的對應部分的尺寸相一致。<62>上述<39>至<61>的任何一項所述的永久圖案形成方法，其中光照射機構(gòu)可以將2種以上的光合成、照射。該<62>所述的永久圖案形成方法中，由于上述光照射機構(gòu)可以合成、照射2種以上的光，因此曝光可以由焦點深度深的曝光光進行。結(jié)果對上述感光性薄膜的曝光可以極其高精細地進行。如果其后使上述感光層顯影，則可以形成極其高精細的圖案。<63>上述<39>至<62>的任何一項所述的永久圖案形成方法，其中光照射機構(gòu)具有多個激光器、多模式光學纖維、將由該多個激光器分別照射的激光聚光并結(jié)合于上述多模式光學纖維的聚光光學系統(tǒng)。該<63>所述的永久圖案形成方法中，由于上述光照射機構(gòu)中可以通過上述聚光光學系統(tǒng)將上述多種激光分別照射的激光聚光并結(jié)合于上述多模式光學纖維，因此可以由焦點深度深的曝光光進行曝光。結(jié)果，對上述感光性薄膜的曝光可以極其高精細地進行。如果其后進行上述感光層的顯影，則可以形成極其高精細的圖案。<64〉上述<36>至<63>的任何一項所述的永久圖案形成方法，其中曝光后進行感光層的顯影。該<64>所述的永久圖案形成方法中，通過上述曝光后使上述感光層顯影，可以形成高精細的圖案。<65>上述<64>所述的永久圖案形成方法，其中顯影后形成永久圖案。<66>上述<65>所述的永久圖案形成方法，其中顯影后對感光層進行固化處理。<67>—種永久圖案，其特征在于，該圖案是由上述<35>至<65>的任何一項所述的圖案形成方法形成。由于該<67>所述的永久圖案是由上述圖案形成方法所形成，因此具有優(yōu)良的耐藥品性、表面硬度、耐熱性等，而且精度高，對半導體或零件的多層布線基板或組合布線基板等的高密度安裝是有用的。<68>上述<67>所述的永久圖案，它是保護膜、層間絕緣膜和抗焊劑圖案的至少任何一種。由于該<68>所述的永久圖案是保護膜、層間絕緣膜和抗焊劑圖案的至少任何一種，因此通過該膜具有的絕緣性、耐熱性等，可以保護布線免受來自外部的沖擊或彎曲等。<69>—種印制電路板，其特征在于，其通過上述<36>至<66>的任何一項所述的永久圖案形成方法形成永久圖案。根據(jù)本發(fā)明可以解決以往的問題，以抗焊劑等永久圖案的形成為目的，對上述薄膜型也可以提供感光度良好且生保存性優(yōu)良的感光性組合物、感光性薄膜、使用上述感光性組合物的永久圖案形成方法、以及由該永久圖案形成方法形成永久圖案的印制電路板。圖1是表示圖案形成裝置之一例的外觀的立體圖。圖2是表示圖案形成裝置的掃描器結(jié)構(gòu)之一例的立體圖。圖3A是表示在感光層的被曝光面上形成的已曝光區(qū)域的平面圖。圖3B是表示由各曝光頭形成的曝光區(qū)域的排列的平面圖。圖4是表示曝光頭大致結(jié)構(gòu)之一例的立體圖。圖5A是表示曝光頭的詳細結(jié)構(gòu)之一例的仰視圖。[圖5B]圖5B是表示曝光頭的詳細結(jié)構(gòu)之一例的側(cè)視圖。圖6是表示圖1的圖案形成裝置的DMD之一例的部分放大圖。閨7A]圖7A是說明DMD動作的立體圖。[圖7B]圖7B是說明DMD動作的立體圖。圖8是表示存在曝光頭的安裝角度誤差和圖案變形時，被曝光面上的圖案上產(chǎn)生的斑點例的說明圖。圖9是表示一個DMD產(chǎn)生的曝光區(qū)域和對應的狹縫間的位置關(guān)系的仰視圖。圖IO是為說明用狹縫測定被曝光面上光點位置的方法的仰視圖。[圖ll]圖11是表示只將被選擇的微反射鏡用于曝光從而改善了被曝光面上的圖案上產(chǎn)生的斑點的狀態(tài)的說明圖。圖12是表示相鄰曝光頭間相對位置有偏差時，被曝光面上的圖案上產(chǎn)生斑點的例子的說明圖。圖13是表示由相鄰的2個曝光頭形成的曝光區(qū)域和對應的狹縫間的位置關(guān)系的仰視圖。圖14是為說明用狹縫測定被曝光面上光點位置的方法的仰視圖。圖15是表示只使圖12的例子中選擇的使用描素發(fā)生實際動作，從而改善被曝光面上的圖案上產(chǎn)生的斑點的狀態(tài)的說明圖。圖16是表示存在相鄰曝光頭間相對位置的偏差和安裝角度的誤差時，被曝光面上的圖案上產(chǎn)生的斑點的例子的說明圖。圖17是表示只使用了圖16的例子中所選擇的使用描素部的曝光的說明圖。圖18A是表示放大倍率失真的例子的說明圖。[圖18B]圖18B是表示光束失真的例子的說明圖。[圖19A]圖19A是表示使用單一曝光頭的參照曝光的第一例的說明圖。[圖19B]圖19B是表示使用單一曝光頭的參照曝光的第一例的說明圖。[20]圖20是表示使用多個曝光頭的參照曝光的第一例的說明圖。[21A]圖21A是表示使用單一曝光頭的參照曝光的第二例的說明圖。[21B]圖21B是表示使用單一曝光頭的參照曝光的第二例的說明圖。[圖22]圖22是表示使用多個曝光頭的參照曝光的第二例的說明圖。具體實施例方式(感光性組合物)本發(fā)明的感光性組合物含有粘合劑、聚合性化合物、光聚合引發(fā)劑、增感劑和熱交聯(lián)劑，根據(jù)需要還可以含有其它成分。一感光層一對由上述感光性組合物形成的感光層進行曝光顯影時使上述感光層層疊于基體、用于使在24'C60XRH下密閉、于4(TC保存3天后的上述感光層的曝光部分的厚度在曝光及顯影后不發(fā)生變化的上述曝光的光的最小能量(E,)相對用于在24r的暗處保存30分鐘后的上述曝光的光的最小能量(Eo)的變化率logu)(E!/Eo)在±0.3以內(nèi)，優(yōu)選為±0.2以內(nèi)，更優(yōu)選為±0.15以內(nèi)，特別優(yōu)選為士O.l以內(nèi)。上述變化率如果不在土0.3以內(nèi)，在冰箱或室溫下長期保存時，圖案形狀或分辨率會變差。另外，對上述感光層進行曝光顯影時，該曝光及顯影后不使該感光層的曝光部分的厚度發(fā)生變化的上述曝光所用光的最小能量優(yōu)選為0.1200mJ/cm2，更優(yōu)選為0.2100mJ/cm2，特別優(yōu)選為0.550mJ/cm2。上述最小能量如果不足O.lmJ/cm2，則處理工序時產(chǎn)生灰霧，如果超過200mJ/cm2，則曝光所必需的時間變長，處理速度變慢。在此，"該曝光及顯影后不使該感光層的曝光部分的厚度發(fā)生變化的上述曝光所用光的最小能量"(以下只稱為"光的最小能量")即為所謂的顯影感光度，可以由表示上述感光層曝光時上述曝光中所用光的能量(曝光量)與上述曝光后的上述顯影處理所生成的上述固化層的厚度間的關(guān)系圖(感光度曲線)求得。上述固化層的厚度隨著上述曝光量的增加而增加，然后變?yōu)榕c上述曝光前的上述感光層的厚度大致相同且大致一定。上述顯影感光度是通過讀取上述固化層的厚度變?yōu)榇笾乱欢〞r的最小曝光量而求得的值。在此，認為上述固化層的厚度與上述曝光前的上述感光層的厚度之差在士l)am以內(nèi)時，上述固化層的厚度不會由于曝光和顯影而發(fā)生變化。作為上述固化層和上述曝光前的上述感光層的厚度的測定方法，沒有特別的限制，可以根據(jù)需要適當選擇，可以列舉使用膜厚測定裝置、表面粗糙度測定儀(如，薩胡庫穆(寸一7〕厶)1400D(東京精密公司制))等測定的方法。另外，波長400410nm的光中上述光的最小能量的變化率(％)(以下有時也稱為"感光度的不均勻。)優(yōu)選為20。％以內(nèi)。上述變化率如果超過20%，畫面內(nèi)的圖案形狀會產(chǎn)生偏差。在此，可以通過測定波長400nm的光中上述光的最小能量，然后以波長lnm為間隔依次測定上述光的最小能量直至波長410nm的光，由這些光的最小能量的最大值(Emax)和最小值(Emin)的差，通過下式求得上述變化率。[式](Emax—Emin)/Emax上述感光層的厚度沒有特別的限制，可以根據(jù)需要適當選擇，例如優(yōu)選為1100jim，更優(yōu)選為250^im，特別優(yōu)選為430|im。一光聚合引發(fā)劑一作為上述光聚合引發(fā)劑沒有特別的限制，優(yōu)選如中性自由基發(fā)生劑，上述中性自由基發(fā)生劑中，尤其優(yōu)選?；趸⒒衔铩⑼s醇化合物、羥基烷基酮化合物和肟衍生物，其中特別優(yōu)選肟衍生物。另外，根據(jù)需要也可以含其它的光聚合引發(fā)劑。一中性自由基發(fā)生劑一上述中性自由基發(fā)生劑，只要是中性的則沒有特別的限制，可以從受電子型自由基發(fā)生劑和供電子型活性自由基發(fā)生劑中適當選擇使用，但由于受電子型活性自由基發(fā)生劑賦予更高的感光度，因而是優(yōu)選的。上述中性自由基發(fā)生劑可以從分子中不含氨基等堿性基、羧酸基、磺酸基等酸性基的化合物、以及即使這些化合物存在，但可以通過分子內(nèi)酸性基或堿性基的結(jié)合、或其它酸性分子或堿性分子的結(jié)合而中和的化合物中適當選擇。作為這樣的中性自由基發(fā)生劑，優(yōu)選為單?；趸?、雙?；趸?、三?；趸ⅰ⑼s醇化合物、羥基垸基酮化合物和肟衍生物。作為上述?；趸⒒衔?，可以適當列舉如下述通式(II)所示的化合物。[化8]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage20</formula>通式(II)上述通式(II)中，RU和R^分別各自獨立地表示碳原子數(shù)112的烷基、芐基、氫原子、鹵原子、由碳原子數(shù)18的垸基取代14次的苯基、由碳原子數(shù)18的垸氧基取代14次的苯基、環(huán)己基、以及下述式(i)中的CORB所示基團中的任何一種，R"也可以是一OR"和下述式(i)所示基團的任何一種。1113表示氫原子、碳原子數(shù)18的垸基、碳原子數(shù)18的垸氧基、碳原子數(shù)18的烷硫基、由鹵原子取代14次的苯基、以及下述式(ii)所示基團中的任何一種，R"表示碳原子數(shù)18的烷基、苯基、芐基中的任何一種。Y表示亞苯基、碳原子數(shù)112的亞垸基、環(huán)亞己基中的任何一種，X表示碳原子數(shù)18的亞烷基和下述式(iii)所示基團的任何一種。[化9]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage20</formula>作為上述通式(II)所示的具體的化合物，可以列舉如雙(2，6—二甲氧基苯甲?；?苯基氧化膦、雙(2，6—二甲氧基苯甲?；?(2，4，4一三甲基戊基)氧化膦、雙(2，6—二甲氧基苯甲?；?一n—丁基氧化膦、雙(2，6—二甲氧基苯甲酰基)一(2—甲基丙烷一1一基)氧化膦、雙(2，6—二甲氧基苯甲?；?一(l一甲基丙垸一l一基)氧化膦、雙(2，6—二甲氧基苯甲?；?一t一丁基氧化膦、雙(2，6—二甲氧基苯甲?；?環(huán)己基氧化膦、雙(2，6—二甲氧基苯甲?；?辛基氧化膦、雙(2—甲氧基苯甲?；?(2—甲基丙烷一1一基)氧化膦、雙(2—甲氧基苯甲?；?(l一甲基丙烷一l一基)氧化膦、雙(2，6—二乙氧基苯甲?；?(2—甲基丙烷一l一基)氧化膦、雙(2，6—二乙氧基苯甲酰基)(l一甲基丙烷一l一基)氧化膦、雙(2，6—二丁氧基苯甲酰基)(2—甲基丙烷一1一基)氧化膦、雙(2，4一二甲氧基苯甲?；?(2—甲基丙烷一1一基)氧化膦、雙(2，4，6—三甲基苯甲酰基)(2，4一二戊氧基苯基)氧化膦、雙(2，6—二甲氧基苯甲?；?芐基氧化膦、雙(2，6—二甲氧基苯甲?；?一2一苯基丙基氧化膦、雙(2，6—二甲氧基苯甲?；?一2—苯基乙基氧化膦、雙(2，6—二甲氧基苯甲?；?芐基氧化膦、雙(2，6—二甲氧基苯甲酰基)一2—苯基丙基氧化膦、雙(2，6—二甲氧基苯甲?；?一2—苯基乙基氧化膦、2，6—二甲氧基苯甲?；S基丁基氧化膦、2，6—二甲氧基苯甲?；S基辛基氧化膦、雙(2，4，6—三甲基苯甲?；?一2，5—二異丙基苯基氧化膦、雙(2，4，6—三甲基苯甲酰基)一2—甲基苯基氧化膦雙(2，4，6—三甲基苯甲酰基)一4一甲基苯基氧化膦、雙(2，4，6—三甲基苯甲?；?一2，5—二乙基苯基氧化膦、雙(2，4，6—三甲基苯甲?；?一2，3，5，6—四甲基苯基氧化膦、雙(2，4，6—三甲基苯甲酰基)一2，4一二一n—丁氧基苯基氧化膦、2，4，6—三甲基苯甲酰基二苯基氧化膦、雙(2,6—二甲氧基苯甲?；?一2，4，4一三甲基戊基氧化膦、雙(2，4，6—三甲基苯甲酰基)異丁基氧化膦、2，6—二甲氧基苯甲酰基一2，4，6—三甲基苯甲?；籲—丁基氧化膦、雙(2,4，6一三甲基苯甲?；?苯基氧化膦、雙(2，4，6—三甲基苯甲酰基)一2,4一二丁氧基苯基氧化膦、1，IO—雙[雙(2，4，6—三甲基苯甲?；?氧化膦]癸烷、三(2—甲基苯甲?；?氧化膦等。其中特別優(yōu)選雙(2，4，6—三甲基苯甲酰基)苯基氧化膦、雙(2，4，6—三甲基苯甲?；?一2，4一二一n—丁氧基苯基氧化膦、2，4,6—三甲基苯甲?；交趸ⅰ㈦p(2，6—二甲氧基苯甲酰基)一2，4，4一三甲基戊基氧化膦。作為上述酮縮醇化合物，可以列舉如芐基甲基酮縮醇依路嘎庫阿/P力、年-了)651等。作為上述羥基垸基酮化合物，可以列舉如羥基垸基苯酮依路嘎庫阿184、達咯庫阿(夕、'口年二7)1173、依路嘎庫阿2959、依路嘎庫阿127等。作為上述肟衍生物沒有特別的限制，可以根據(jù)需要適當選擇，但優(yōu)選至少具有芳香族基的化合物，更優(yōu)選具有下述通式(A)和下述通式(B)的任何一式所示部分結(jié)構(gòu)的化合物。上述肟衍生物可以2種以上并用。[化10]上述通式(A)和(B)中，Ar表示芳香族基和雜環(huán)基中的任何一種，Y1表示氫原子和一價取代基中的任何一種，￥2表示脂肪族基、芳香族基、雜環(huán)基、COY3、C02Y3、和CONYs中的任何一種，Y3、Y,Y5表示脂肪族基、芳香族基和雜環(huán)基中的任何一種，m表示l以上的整數(shù)。作為上述Y1，優(yōu)選為氫原子、脂肪族基和芳香族基中的任何一種。作為上述Y2，優(yōu)選為脂肪族基、一CO—(脂肪族基)、一CO—(芳香族基)、—CO—(雜環(huán)基)、—C02—(脂肪族基)、一CO廣(芳香族基)、以及一C02—(雜環(huán)基)中的任何一種。作為上述￥3和Y4，優(yōu)選為脂肪族基和芳香族基中的任何一種。作為上述肟衍生物，也可以是上述通式(A)和上述通式(B)所示的結(jié)構(gòu)通過連接基團形成多個鏈結(jié)的化合物。上述通式(A)和上述通式(B)中，上述脂肪族基表示可以具有各種取代基的垸基、烯基、炔基，上述芳香族基表示可以具有各種取代基的芳基、雜環(huán)基，上述l價的取代基表示鹵原子、可以具有取代基的氨基、垸氧羰基、羥基、醚基、硫基、硫醚基、甲硅烷基、硝基、氰基、可以具有各種取代基的垸基、烯基、炔基、芳基、雜環(huán)基。作為上述芳香族基，可以列舉1至3個苯環(huán)形成稠環(huán)的基團、苯環(huán)和5元不飽和環(huán)形成稠環(huán)的基團，作為具體的例子，可以列舉苯基、萘基、蒽基、菲基、茚基、苊基、荷基，其中優(yōu)選具有苯基和萘基中任何一種的通式(A)基團，特別優(yōu)選具有萘基的基團。另外，這些芳香族基也可以具有取代基，作為這樣的取代基，可以列舉由除了氫原子以外的1價非金屬原子團而成的基團。可以列舉如后述的烷基、取代垸基或作為取代烷基中的取代基所示的基團等。作為上述雜環(huán)基，可以列舉吡咯環(huán)基、呋喃環(huán)基、噻吩環(huán)基、苯并口比咯環(huán)基、苯并呋喃環(huán)基、苯并噻吩環(huán)基、吡唑環(huán)基、異噁唑環(huán)基、異噻唑環(huán)基、B引唑環(huán)基、苯并異噁唑環(huán)基、苯并異噻唑環(huán)基、咪唑環(huán)基、噁唑環(huán)基、噻唑環(huán)基、苯咪唑環(huán)基、苯噁唑環(huán)基、苯并噻唑環(huán)基、吡啶環(huán)基、喹啉環(huán)基、異喹啉環(huán)基、噠嗪環(huán)基、嘧啶環(huán)基、吡嗪環(huán)基、酞嗪環(huán)基、喹唑啉環(huán)基、喹喔啉環(huán)基、氮丙啶環(huán)基、菲啶環(huán)基、咔唑環(huán)基、嘌呤環(huán)基、吡喃環(huán)基、哌啶環(huán)基、哌嗪環(huán)基、嗎啉環(huán)基、噴哚環(huán)基、吲哚嗪環(huán)基、色烯環(huán)基、肉啉環(huán)基、吖啶環(huán)基、吩噻嗪環(huán)基、四唑環(huán)基、三嗪環(huán)基等，其中特別優(yōu)選呋喃環(huán)基、噻吩環(huán)基、咪唑環(huán)基、噻唑環(huán)基、苯并噻唑環(huán)基、吡啶環(huán)基、吲哚環(huán)基、吖啶環(huán)基。另外，這些雜環(huán)基也可以具有取代基，作為這樣的取代基，可以列舉由除氫原子外的1價非金屬原子團而成的基團?？梢粤信e如后述的烷基、取代垸基、或作為取代垸基中的取代基所示的基團。作為上述l價取代基，優(yōu)選鹵原子、可以具有取代基的氨基、烷氧羰基、羥基、醚基、硫基、硫醚基、甲硅烷基、硝基、氰基、可以具有各種取代基的烷基、烯基、炔基、芳基、雜環(huán)基。作為由上述非金屬原子而成的1價取代基，優(yōu)選可以具有各種取代基的烷基、烯基、炔基、芳基、雜環(huán)基。作為上述可以具有取代基的垸基，可以列舉碳原子數(shù)1至20的直鏈型、支鏈型和環(huán)狀的烷基，作為其具體的例子，可以列舉甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十一烷基、十二垸基、十三垸基、十六垸基、十八烷基、二十垸基、異丙基、異丁基、S-丁基、t-丁基、異戊基、新戊基、l-甲基丁基、異己基、2-乙基己基、2-甲基己基、環(huán)己基、環(huán)戊基、2-降冰片基等。其中優(yōu)選為碳原子數(shù)1至12的直鏈型烷基、碳原子數(shù)3至12的支鏈型垸基、碳原子數(shù)5至10的環(huán)狀烷基。作為上述可以具有取代基的垸基中的取代基，可以列舉除氫原子外的一價非金屬原子團而成的基團。作為優(yōu)選的例子，可以列舉卣原子(-F、-Br、-Cl、-1)、羥基、垸氧基、芳氧基、巰基、烷硫基、芳硫基、烷二硫基、芳二硫基、氨基、N-垸基氨基、N，N-二垸基氨基、N-芳基氨基、N，N-二芳基氨基、N-烷基-N-芳基氨基、酰氧基、氨基甲酰氧基、N-烷基氨基甲酰氧基、N-芳基氨基甲酰氧基、N,N-二烷基氨基甲酰氧基、N，N-二芳基氨基甲酰氧基、N-烷基-N-芳基-氨基甲酰氧基、烷基硫氧基(sulfoxy)、芳基硫氧基、?；蚧?、酰基氨基、N-烷基酰基氨基、N-芳基酰基氨基、脲基、N'-烷基脲基、N'，N'-二垸基脲基、N'-芳基脲基、N'，N'-二芳基脲基、N'-烷基-N'-芳基脲基、N-垸基脲基、N-芳基脲基、N'-垸基-N-烷基脲基、N'-烷基-N-芳基脲基、N'，N'-二垸基-N-烷基脲基、N'，N'-二烷基-N-芳基脲基、N'-芳基-N-垸基脲基、N'-芳基-N-芳基脲基、N'，N'-二芳基-N-垸基脲基、N'，N'-二芳基-N-芳基脲基、N'-垸基-N'-芳基-N-烷基脲基、N'-烷基-N'-芳基-N-芳基脲基、垸氧基羰基氨基、芳氧基羰基氨基、N-烷基-N-烷氧基羰基氨基、N-垸基-N-芳氧基羰基氨基、N-芳基-N-烷氧基羰基氨基、N-芳基-N-芳氧基羰基氨基、甲?；?、酰基、羧基、垸氧基羰基、芳氧基羰基、氨基甲?；?、N-烷基氨基甲酰基、N，N-二烷基氨基甲?；-芳基氨基甲?；?、N，N-二芳基氨基甲酰基、N-烷基-N-芳基氨基甲?；?、烷基亞硫?；⒎蓟鶃喠蝓；?sulfmyl)、烷基磺?；?、芳基磺?；⒒腔?-S03H)及其共軛堿基(稱為磺酸根基)、垸氧基磺?；?、芳氧基磺酰基、氨亞磺酰基(sulfinamoyl，7少:7^于乇^W)、N-垸基氨亞磺?；，N-二烷基氨亞磺?；-芳基氨亞磺?；?、N，N-二芳基氨亞磺?；?、N-烷基-N-芳基氨亞磺?；?、氨磺?；?、N-垸基氨磺?；?、N，N-二烷基氨磺?；?、N-芳基氨磺酰基、N,N-二芳基氨磺?；?、N-烷基-N-芳基氨磺?；?、膦酸基(-P03H2)及其共軛堿基(稱為膦酸根基)、二烷基膦酸基(-P03(alkyl)2)(以下"alkyl"即指烷基)、二芳基膦酸基(-P03(ary1)2)(以下"aryl"即指芳基)、垸基芳基膦酸基(-P03(alkyl)(aryl))、單烷基膦酸基(-P03(alkyl))及其共軛堿基(稱為烷基膦酸根基)、單芳基膦酸基(-P03H(ary1))及其共軛堿基(稱為芳基膦酸根基)、膦酸氧基(-OP03H2)及其共軛堿基(稱為膦酸根氧基)、二垸基膦酸氧基(-OP03H(aikyl)2)、二芳基膦酸氧基(-OP03(aryl)2)、烷基芳基膦酸氧基(-OP03(alkyl)(aryl))、單烷基膦酸氧基(-OP03H(alkyl))及其共軛堿基(稱為烷基膦酸根氧基)、單芳基膦酸氧基(-OP03H(aryl))及其共軛堿基(稱為芳基膦酸根氧基)、氰基、硝基、芳基、烯基、炔基、雜環(huán)基、甲硅烷基等。作為這些取代基中的烷基的具體例子，可以列舉上述垸基，作為上述取代基中芳基的具體例子，可以列舉苯基、聯(lián)苯基、萘基、甲苯基、二甲苯基、2，4，6-三甲苯基、異丙苯基、氯苯基、溴苯基、氯甲基苯基、羥基苯基、甲氧基苯基、乙氧基苯基、苯氧基苯基、乙酰氧基苯基、苯甲酰氧基苯基、甲硫基苯基、苯硫基苯基、甲基氮基苯基、二甲基氨基苯基、乙?；被交?、羧基苯基、甲氧基羰基苯基、乙氧基苯基羰基、苯氧基羰基苯基、N-苯基氨基甲?；交⑶杌交?、磺基苯基、磺酸根苯基、膦酸基苯基、膦酸根苯基等。另外，作為上述取代基中烯基的例子，可以列舉乙烯基、l-丙烯基、l-丁烯基、肉桂基、2-氯-l-乙烯基等。作為上述取代基中炔基的例子，可以列舉乙炔基、l-丙炔基、l-丁炔基、三甲基甲硅烷基乙炔基等。作為上述取代基中的雜環(huán)基，可以列舉如吡啶基、哌啶基等。作為上述取代基中的甲硅烷基，可以列舉三甲基甲硅烷基等。上述取代基可以含有?；?R，0—)，作為該?；?，可以列舉IT為氫原子、上述烷基、芳基的基團。作為?；?ITCO—)的R,可以列舉氫原子、上述垸基、芳基。這些取代基中，尤其優(yōu)選鹵原子(一F、一Br、一C1、一I)、烷氧基、芳氧基、烷硫基、芳硫基、N-烷基氨基、N，N-二垸基氨基、酰氧基、N-烷基氨基甲酰氧基、N-芳基氨基甲酰氧基、酰氨基、甲酰基、?；?、羧基、烷氧基羰基、芳氧基羰基、氨基甲?；-烷基氨基甲?；，N-二烷基氨基甲?；?、N-芳基氨基甲?；?、N-烷基-N-芳基氨基甲?；?、磺基、磺酸根基、氨磺?；-烷基氨磺?；?、N，N-二垸基氨磺酰基、N-芳基氨磺酰基、N-烷基-N-芳基氨磺?；?、膦酸基、膦酸根基、二烷基膦酸基、二芳基膦酸基、單烷基膦酸基、烷基膦酸根基、單芳基膦酸基、芳基膦酸根基、膦酸氧基、膦酸根氧基、芳基、烯基。另一方面，作為取代烷基中的亞垸基，可以列舉除去上述碳原子數(shù)1至20的烷基上任何1個氫原子、成為2價有機殘基的亞垸基，優(yōu)選碳原子數(shù)1至12的直鏈型亞烷基、碳原子數(shù)3至12的支鏈型亞烷基、碳原子數(shù)5至10的環(huán)狀亞垸基。作為這樣的取代基和亞烷基組合所得取代烷基的具體優(yōu)選例子，可以列舉氯甲基、溴甲基、2-氯乙基、三氟甲基、甲氧基甲基、異丙氧基甲基、丁氧基甲基、s-丁氧基丁基、甲氧乙氧基乙基、烯丙氧基甲基、苯氧基甲基、甲硫基甲基、甲苯基硫基甲基、吡啶基甲基、四甲基哌啶基甲基、N-乙?；募谆哙せ谆⑷谆坠柰榛谆?、甲氧基乙基、乙基氨基乙基、二乙基氨基丙基、嗎啉代丙基、乙酰氧基甲基、苯甲酰氧基甲基、N-環(huán)己基氨基甲酰氧基乙基、N-苯基氨基甲酰氧基乙基、乙酰氨基乙基、N-甲基苯甲酰氨基丙基、2-氧代乙基、2-氧代丙基、羧基丙基、甲氧基羰基乙基、烯丙氧基羰基丁基、氯苯氧基羰基甲基、氨基甲?；谆?、N-甲基氨基甲酰基乙基、N,N-二丙基氨基甲?；谆?、N-(甲氧基苯基)氨基甲?；一?、N-甲基-N-(磺基苯基)氨基甲?；谆?、磺基丁基、磺酸根丁基、氨磺?；』?、N-乙基氨磺?；谆?、N,N-二丙基氨磺?；?、N-甲苯基氨磺?；?、N-甲基-N-(膦酸基苯基)氨磺?；粱?、膦酸基丁基、膦酸根己基、二乙基膦酸基丁基、二苯基膦酸基丙基、甲基膦酸基丁基、甲基膦酸根丁基、甲苯基膦酸基己基、甲苯基膦酸根己基、膦酸氧基丙基、膦酸根氧基丁基、芐基、苯乙基、oc-甲基芐基、l-甲基-l-苯基乙基、p-甲基芐基、肉桂基、烯丙基、1-丙烯基甲基、2-丁烯基、2-甲基烯丙基、2-甲基丙烯基甲基、2-丙炔基、2-丁炔基、3-丁炔基等。作為上述芳基，可以列舉1至3個苯環(huán)形成稠環(huán)的芳基、苯環(huán)和5元不飽和環(huán)形成稠環(huán)的芳基。作為具體例子，可以列舉苯基、萘基、蒽基、菲基、茚基、苊基、芴基等。其中優(yōu)選為苯基、萘基。作為上述取代芳基，可以使用除氫原子外的1價非金屬原子團而成的基團作為形成上述芳基的環(huán)的碳原子上的取代基。作為優(yōu)選的取代基的例子，可以列舉上述烷基、取代烷基以及前面作為取代垸基中的取代基所示的基團。作為優(yōu)選的上述取代芳基的具體例子，可以列舉聯(lián)苯基、甲苯基、二甲苯基、2，4，6-三甲苯基、異丙苯基、氯苯基、溴苯基、氟苯基、氯甲基苯基、三氟甲基苯基、羥基苯基、甲氧基苯基、甲氧乙氧基苯基、烯丙氧基苯基、苯氧基苯基、甲基硫基苯基、甲苯基硫基苯基、乙基氨基苯基、二乙基氨基苯基、嗎啉代苯基、乙酰氧基苯基、苯甲酰氧基苯基、N-環(huán)己基氨基甲酰氧基苯基、N-苯基氨基甲酰氧基苯基、乙?；被交-甲基苯甲酰氨基苯基、羧基苯基、甲氧基羰基苯基、烯丙氧基羰基苯基、氯苯氧基羰基苯基、氨基甲?；交?、N-甲基氨基甲?；交?、N，N-二丙基氮基甲酰基苯基、N-(甲氧基苯基)氨基甲酰基苯基、N-甲基-N-(磺基苯基)氨基甲?；交?、磺基苯基、磺酸根苯基、氨磺酰苯基、N-乙基氨磺酰苯基、N,N-二丙基氨磺酰苯基、N-甲苯基氨磺酰苯基、N-甲基-N-(膦酸基苯基)氨磺酰苯基、膦酸苯基、膦酸根苯基、二乙基膦酸苯基、二苯基膦酸苯基、甲基膦酸苯基、甲基膦酸根苯基、甲苯基膦酸苯基、甲苯基膦酸根苯基、烯丙基苯基、1-丙烯基甲基苯基、2-丁烯基苯基、2-甲基烯丙基苯基、2-甲基丙烯基苯基、2-丙炔基苯基、2-丁炔基苯基、3-丁炔基苯基等。作為上述烯基、上述取代烯基、上述炔基和上述取代炔基(-C(RQ2)=C(R03)(R04))以及(-C三C(R05))，可以使用R02、R03、RM和R05由一價非金屬原子團構(gòu)成的基團。作為R，RQ3、RQ4、RQ5，優(yōu)選氫原子、鹵原子、烷基、取代烷基、芳基和取代芳基，作為它們的具體例子，可以列舉上述作為例子所示的基團。其中優(yōu)選為氫原子、鹵原子、碳原子數(shù)1至10的直鏈型烷基、支鏈型烷基、環(huán)狀烷基。具體可以列舉乙烯基、1-丙烯基、1-丁烯基、1-戊烯基、卜己烯基、l-辛烯基、l-甲基-l-丙烯基、2-甲基-l-丙烯基、2-甲基-l-丁烯基、2-苯基-l-乙烯基、2-氯-l-乙烯基、乙炔基、1-丙炔基、l-丁炔基、苯基乙炔基等。作為雜環(huán)基，可以列舉作為取代垸基的取代基所示的吡啶基等。作為上述取代氧基(RQ60—)，可以使用RQ6為除氫原子外的一價非金屬原子所成的基團。作為優(yōu)選的取代氧基，可以列舉垸氧基、芳氧基、酰氧基、氨基甲酰氧基、N-烷基氨基甲酰氧基、N-芳基氨基甲酰氧基、N，N-二烷基氨基甲酰氧基、N，N-二芳基氨基甲酰氧基、N-烷基-N-芳基氨基甲酰氧基、烷基硫氧基、芳基硫氧基、膦酸氧基、膦酸根氧基等。作為這些中的烷基和芳基，可以列舉作為上述烷基、取代烷基、芳基及取代芳基所示的基團。另夕卜，作為酰氧基中的酰基(RG7CO-)，可以列舉1^7為前面所舉例的垸基、取代烷基、芳基和取代芳基的基團。這些取代基中，尤其優(yōu)選烷氧基、芳氧基、酰氧基、芳基硫氧基。作為優(yōu)選的取代氧基的具體例子，可以列舉甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基、戊氧基、己氧基、十二烷氧基、苯氧基、烯丙氧基、苯乙氧基、羧乙氧基、甲氧羰基乙氧基、乙氧羰基乙氧基、甲氧乙氧基、苯氧乙氧基、甲氧乙氧乙氧基、乙氧乙氧乙氧基、嗎啉代乙氧基、嗎啉代丙氧基、烯丙氧基乙氧乙氧基、苯氧基、甲苯氧基、二甲苯氧基、2，4，6-三甲苯氧基、異丙苯氧基、甲氧苯氧基、乙氧苯氧基、氯苯氧基、溴苯氧基、乙酰氧基、苯甲酰氧基、萘氧基、苯基磺酰氧基、膦酸氧基、膦酸根氧基等。作為可以含有酰胺基的取代氨基(R°8NH-、(R。9)(R°1Q)N-)，可以使用R°8、f和R,由除了氫原子的一價非金屬原子團構(gòu)成的基團。而R。9和R,也可以結(jié)合形成環(huán)。作為取代氨基的優(yōu)選例子，可以列舉N-烷基氨基、N,N-二垸基氨基、N-芳基氨基、N,N-二芳基氨基、N-垸基-N-芳基氨基、酰氨基、N-垸基酰氨基、N-芳基酰氨基、脲基、N'-烷基脲基、N'，N'-二烷基脲基、N'-芳基脲基、N'，N'-二芳基脲基、N'-烷基-N'-芳基脲基、N-烷基脲基、N-芳基脲基、N'-烷基-N-垸基脲基、N'-烷基-N-芳基脲基、N'，N'-二烷基-N-烷基脲基、N'-烷基-N'-芳基脲基、N'，N'-二垸基-N-烷基脲基、N'，N'-二烷基-N'-芳基脲基、N'-芳基-N-垸基脲基、N'-芳基-N-芳基脲基、N'，N'-二芳基-N-烷基脲基、N'，N'-二芳基-N-芳基脲基、N'-垸基-N'-芳基-N-垸基脲基、N'-烷基-N'-芳基-N-芳基脲基、烷氧基羰基氨基、芳氧基羰基氨基、N-烷基-N-烷氧基羰基氨基、N-烷基-N-芳氧基羰基氨基、N-芳基-N-烷氧基羰基氨基、N-芳基-N-芳氧基羰基氨基等。作為其中的垸基和芳基，可以列舉上述作為垸基、取代烷基、芳基及取代芳基所示的基團。酰氨基、N-烷基酰氨基、N-芳基酰氨基中的?；?R°7C0-)的R。7如前所述。其中作為更優(yōu)選的基團，可以列舉N-垸基氨基、N，N-二垸基氨基、N-芳基氨基、酰氨基。作為優(yōu)選的取代氨基的具體例子，可以列舉甲基氨基、乙基氨基、二乙基氨基、嗎啉代基、哌啶基、吡咯垸基、苯基氨基、苯甲酰氨基、乙酰氨基等。作為取代磺酰基(!T一S02-)，可以使用R。"由一價非金屬原子團而得的基團。作為更優(yōu)選的例子，可以列舉烷基磺?；?、芳基磺?；?。作為其中的烷基和芳基，可以列舉上述作為垸基、取代烷基、芳基和取代芳基所示的基團。作為這樣的取代磺?；木唧w例子，可以列舉丁基磺?；?、苯基磺酰基、氯苯基磺?；??；撬岣?-S(V)，如前所述，是指磺基(-S03H)的共軛堿陰離子基，通常優(yōu)選與平衡陽離子共同使用。作為這樣的平衡陽離子，可以列舉一般己知的物質(zhì)，即各種鑰類(如銨類、锍類、鱗類、碘錄類、疊氮鎗(7^二夕厶)類等)、金屬離子類(如Na+、K+、Ca2+、Zn2+等)。作為取代羰基(R④-CO-)，可以使用R^由一價非金屬原子團而得的基團。作為取代羰基的優(yōu)選例子，可以列舉甲?；?、?；?、羧基、垸氧基羰基、芳氧基羰基、氨基甲?；-垸基氨基甲?；,N-二垸基氨基甲?；-芳基氨基甲?；?、N，N-二芳基氨基甲?；?、N-烷基-N'-芳基氨基甲?；取Ｗ鳛槠渲械嫩头蓟?，可以列舉上述作為垸基、取代烷基、芳基和取代芳基所示的基團。作為其中更優(yōu)選的取代羰基，可以列舉甲?；?、酰基、羧基、垸氧基羰基、芳氧基羰基、氨基甲?；?、N-烷基氨基甲?；?、N,N-二烷基氨基甲?；-芳基氨基甲?；?，更優(yōu)選為甲?；?、酰基、垸氧基羰基、芳氧基羰基。作為優(yōu)選的取代羰基的具體例子，可以列舉甲?；?、乙?；?、苯甲?；Ⅳ然?、甲氧基羰基、乙氧基羰基、烯丙氧基羰基、二甲基氨基苯基乙烯基羰基、甲氧基羰基甲氧基羰基、N-甲基氨基甲?；-苯基氨基甲?；?、N,N-二乙基氨基甲?；?、嗎啉代羰基等。作為取代亞磺酰基(RQ14-SO-)，可以使用R0"由一價非金屬原子團而得的基團。作為優(yōu)選的例子，可以列舉烷基亞磺?；?、芳基亞磺?；眮喕酋；-烷基氨亞磺?；?、N，N-二垸基氨亞磺?；-芳基氨亞磺?；，N-二芳基氨亞磺?；-烷基-N-芳基氨亞磺?；?。作為其中的烷基和芳基，可以列舉上述作為烷基、取代垸基、芳基和取代芳基所示的基團。而作為其中更優(yōu)選的例子，可以列舉烷基亞磺?；?、芳基亞磺酰基。作為這樣的取代亞磺酰基的具體例子，可以列舉己基亞磺?；⑵S基亞磺?；⒓妆交鶃喕酋；取Ｉ鲜鋈〈⑺峄侵胳⑺峄弦换蚨€羥基被其它的有機氧代(oxo)基取代的基團，作為優(yōu)選的例子，可以列舉上述的二烷基膦酸基、二芳基膦酸基、烷基芳基膦酸基、單垸基膦酸基、單芳基膦酸基等。其中更優(yōu)選二烷基膦酸基和二芳基膦酸基。作為這樣的具體例子，可以列舉二乙基膦酸基、二丁基膦酸基和二苯基膦酸基等。膦酸根基(_P03H2'、-P03ff)如前所述，是指來源于膦酸基(-P03H2)的酸一級電離或酸二級電離的共軛堿陰離子基。通常優(yōu)選與平衡陽離子一同使用。作為這樣的平衡陽離子，可以列舉一般已知的物質(zhì)，即各種鐺類(銨類、锍類、鐵類、碘鐺類、疊氮鐺類等)以及金屬離子類(如Na+、K+、Ca2+、Zn2+等)。取代膦酸根基是上述取代膦酸基內(nèi)羥基被一個有機氧代基取代的基團的共軛堿陰離子基，作為具體例子，可以列舉上述的單烷基膦酸基(-P03H(alkyl))、單芳基膦酸基(-P03H(aryl))的共軛堿基。作為上述肟衍生物，更優(yōu)選為下述通式(C)和(D)的任何一個所示的化合物。[化12]上述通式(C)和(D)中，Run表示與通式(A)和(B)中的Y'相同的含義，Y"表示與通式(A)和(B)中的f相同的含義。作為上述R,。,，優(yōu)選為氫原子和脂肪族基中的任何一種，特別優(yōu)選為碳原子數(shù)1至10的脂肪族基。作為上述脂肪族基，可以列舉甲基、乙基、丙基、辛基、烯丙基等。作為上述Y12，特別優(yōu)選為一CO—(脂肪族基)。作為上述Y"中的脂肪族基，優(yōu)選為碳原子數(shù)1至10的脂肪族基。具體優(yōu)選為如甲基、乙基、丙基、丁基、辛基、環(huán)己基、芐基等。作為上述肟衍生物的其它具體例子，可以列舉如特開2001—233842號公報、特表2004—534797號公報和特表2002—519732號公報等公開的化合物，以及下述結(jié)構(gòu)式所示的化合物。[化13]上述結(jié)構(gòu)式中，R表示n—CsH7、n—C8H17、莰基和。一013(:孔的任何種。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage32</formula>上述結(jié)構(gòu)式中，R表示n—C3HjPp—CH3CeH4的任何一種。[化17]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage33</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage34</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage35</formula>上述感光性組合物中的中性自由基發(fā)生劑的含量優(yōu)選為O.125質(zhì)量%，更優(yōu)選為0.520質(zhì)量％，進一步優(yōu)選為0.515質(zhì)量％，特別優(yōu)選為110質(zhì)量份。一一其它的光聚合引發(fā)劑一一作為上述其它的光聚合引發(fā)劑，只要具備引發(fā)上述聚合性化合物聚合的能力，則沒有特別的限制，可以從已知的光聚合引發(fā)劑中適當選擇，但優(yōu)選從紫外線至可見光范圍具有感光性的引發(fā)劑，可以是與光激發(fā)的增感劑起作用，生成活性自由基的活性劑，也可以是根據(jù)單體的種類盡量引發(fā)陽離子聚合的引發(fā)劑。另外，上述光聚合引發(fā)劑優(yōu)選含有至少l種，在約300800nm(更優(yōu)選330500nm)范圍內(nèi)，至少具有約50的分子消光系數(shù)的成分。作為上述其它的光聚合引發(fā)劑，可以列舉如鹵代烴衍生物(如具有三嗪骨架的衍生物、具有噁二唑骨架的衍生物等)、六芳基聯(lián)咪唑、有機過氧化物、硫化合物、酮化合物、吖啶化合物、芳環(huán)烯金屬氧化物等。其中從感光層的感光度、保存性、以及感光層與基板的附著力等觀點考慮，優(yōu)選酮化合物和吖啶化合物。作為上述具有三嗪骨架的鹵代烴化合物，可以列舉如若林等著、Bull.Chem.Soc.Japan,42、2924(1969)所述的化合物、英國專利1388492號說明書所述的化合物、特開昭53—133428號公報所述的化合物、德國專利3337024號說明書所述的化合物、F.C.Schaefer等的J.Org.Chem.;29、1527(1964)所述的化合物、特開昭62—58241號公報所述的化合物、特開平5—281728號公報所述的化合物、特開平5—34920號公報所述的化合物、美國專利第4212976號說明書所述的化合物等。作為上述若林等著、Bull.Chem.Soc.Japan,42、2924(1969)所述的化合物，可以列舉如2—苯基一4，6—二(三氯甲基)一l，3，5—三嗪、2一(4一氯苯基)一4，6—二(三氯甲基)一l，3，5—三嗪、2—(4一甲氧苯基)一4，6—二(三氯甲基)一l，3，5—三嗪、2—(4—甲氧基苯基)一4，6—二(三氯甲基)一l,3，5—三嗪、2—(2，4—二氯苯基)一4，6—二(三氯甲基)一l，3，5—三嗪、2，4，6—三(三氯甲基)一1，3，5—三嗪、2—甲基一4，6—二(三氯甲基)一l，3，5—三嗪、2—n—壬基一4，6—二(三氯甲基)一l，3，5—三嗪和2—(a，a，P—三氯乙基)一4，6—二(三氯甲基)一1，3，5—三嗪等。作為上述英國專利1388492號說明書所述的化合物，可以列舉如2—苯乙烯基一4，6—二(三氯甲基)一1，3，5—三嗪、2—(4一甲基苯乙烯基)一4，6—二(三氯甲基)一l，3，5—三嗪、2—(4一甲氧基苯乙烯基)一4，6—二(三氯甲基)一1，3，5—三嗪、2—(4-甲氧基苯乙烯基)一4一氨基-6—三氯甲基一l，3，5—三嗪等。作為上述特開昭53—13342S號公報所述的化合物，可以列舉如2—(4一甲氧基一萘并一l一基)一4，6—二(三氯甲基)一l，3，5—三嗪、2一(4一乙氧基一萘并一1一基)一4，6—二(三氯甲基)一l，3，5—三嗪、2—(4一(2—乙氧基乙基)一萘并一l一基)一4，6—二(三氯甲基)一l，3，5—三嗪、2—(4，7-二甲氧基一萘并一l一基)一4，6—二(三氯甲基)一l，3，5—三嗪、以及2—(苊并一5—基)一4，6—二(三氯甲基)一l，3,5—三嗪等。作為上述德國專利3337024號說明書所述的化合物，可以列舉如2—(4一苯乙烯基苯基)一4，6—二(三氯甲基)一l，3，5—三嗪、2—(4一(4一甲氧基苯乙烯基)苯基)一4，6—二(三氯甲基)一l，3，5—三嗪、2—(l一萘基亞乙烯基苯基)一4，6—二(三氯甲基)一l，3，5—三嗪、2—氯苯乙烯基苯基一4，6—二(三氯甲基)一l，3，5—三嗪、2一(4一噻吩一2—亞乙烯基苯基)一4，6—二(三氯甲基)一l，3，5—三嗪、2—(4—噻吩一3—亞乙烯基苯基)一4，6—二(三氯甲基)一1，3，5—三嗪、2—(4一呋喃一2—亞乙烯基苯基)一4，6—二(三氯甲基)一l，3，5—三嗪、和2—(4一苯并呋喃一2—亞乙烯基苯基)一4，6—二(三氯甲基)一l，3，5—三嗪等。作為上述F.C.Schaefer等的J.Org.Chem.;29、1527(1964)所述的化合物，可以列舉如2—甲基一4，6—二(三溴甲基)一l，3，5—三嗪、2，4，6—三(三溴甲基)一1，3，5—三嗪、2，4，6—三(二溴甲基)一l，3，5—三嗪、2—氨基一4一甲基一6—三(溴甲基)一l，3，5—三嗪、和2—甲氧基一4一甲基一6—三氯甲基一1，3，5—三嗪等。作為上述特開昭62—58241號公報所述的化合物，可以列舉如2—(4一苯基乙炔基苯基)一4，6—二(三氯甲基)一l，3，5—三嗪、2—(4一萘基一l一乙炔基苯基)一4，6—二(三氯甲基)一l，3，5—三嗪、2一(4一(4一甲苯基乙炔基)苯基)一4，6—二(三氯甲基)一l，3，5一三嗪、2—(4一(4一甲氧基苯基)乙炔基苯基)一4，6—二(三氯甲基)一l，3，5—三嗪、2—(4一(4一異丙基苯基乙炔基)苯基)一4，6一二(三氯甲基)一l，3，5—三嗪、2—(4一(4一乙基苯基乙炔基)苯基)一4，6—二(三氯甲基)一1，3,5—三嗪等。作為上述特開平5—281728號公報所述的化合物，可以列舉如2—(4一三氟甲基苯基)一4，6—二(三氯甲基)一l，3，5—三嗪、2—(2，6一二氟苯基)一4，6—二(三氯甲基)一1，3，5—三嗪、2—(2，6—二氯苯基)一4，6—二(三氯甲基)一l，3，5—三嗪、2—(2，6—二溴苯基)一4，6—二(三氯甲基)一l，3，5—三嗪等。作為上述特開平5—34920號公報所述的化合物，可以列舉如2，4一二(三氯甲基)一6—[4一(N，N—二乙氧基羰基甲基氨基)一3—溴苯基]一l，3，5—三嗪、美國專利第4239850號說明書所述的三鹵甲基一s—三嗪化合物、還有2，4，6—三(三氯甲基)一s—三嗪、2—(4一氯苯基)一4，6—二(三溴甲基)一s—三嗪等。作為上述美國專利第4212976號說明書所述的化合物，可以列舉如具有噁二唑骨架的化合物(如2—三氯甲基一5—苯基一1，3，4一噁二唑、2一三氯甲基一5—(4一氯苯基)一l，3，4一噁二唑、2—三氯甲基一5—(l一萘基)一l，3，4一噁二唑、2—三氯甲基一5—(2—萘基)一l，3，4一噁二唑、2—三溴甲基一5—苯基一1，3,4—噁二唑、2—三溴甲基一5一(2—萘基)一l，3，4一噁二唑；2—三氯甲基一5—苯乙烯基一1，3，4一噁二唑、2—三氯甲基一5—(4—氯苯乙烯基)一l，3,4—噁二唑、2—三氯甲基一5—(4—甲氧基苯乙烯基)一l，3，4一噁二唑、2—三氯甲基一5—(l一萘基)一l，3，4一噁二唑、2—三氯甲基一5—(4一n-丁氧基苯乙烯基)一l，3，4一噁二唑、2—三溴甲基一5—苯乙烯基一1，3，4一噁二唑等)等。作為上述六芳基聯(lián)二咪唑，可以列舉如2，2'—雙(2—氯苯基)一4，4'，5，5'—四苯基聯(lián)二咪唑、2，2'—雙(o—氟苯基)一4，4'，5，5'一四苯基聯(lián)二咪唑、2，2'—雙(2—溴苯基)一4，4，，5，5'—四苯基聯(lián)二咪唑、2，2'—雙(2，4一二氯苯基)一4，4'，5，5'—四苯基聯(lián)二咪唑、2，2'—雙(2—氯苯基)一4，4'，5，5'—四(3—甲氧基苯基)聯(lián)二咪唑、2，2'—雙(2—氯苯基)一4，4'，5，5'—四(4一甲氧基苯基)聯(lián)二咪唑、2，2'—雙(4一甲氧基苯基)一4，4'，5，5'—四苯基聯(lián)二咪唑、2，2'—雙(2，4一二氯苯基)一4，4'，5，5'—四苯基聯(lián)二咪唑、2，2'—雙(2—硝基苯基)一4，4'，5，5，一四苯基聯(lián)二咪唑、2，2'—雙(2一甲基苯基)一4，4'，5，5'—四苯基聯(lián)二咪唑、2，2'—雙(2—三氟甲基苯基)一4，4'，5,5'—四苯基聯(lián)二咪唑、W000/52529號公報所述的化合物等。作為上述聯(lián)二咪唑類，可以通過Bull.Chem.Soc.Japan,33，565(1960)、和J.Org.Chem,36(16)2262(1971)公開的方法容易地合成。作為上述有機過氧化物，可以列舉如3，3'，4，4'一四(t一丁基過氧羰基)二苯甲酮等。作為上述硫化合物，可以列舉如2—苯甲?；鶃喖谆?—甲基萘并噻唑啉等。作為上述酮化合物，可以列舉如二苯甲酮、2—甲基二苯甲酮、3—甲基二苯甲酮、4一甲基二苯甲酮、4一甲氧基二苯甲酮、2—氯二苯甲酮、4一氯二苯甲酮、4一溴二苯甲酮、2—羧基二苯甲酮、2—乙氧基羰基二苯甲酮、二苯甲酮四羧酸或其四甲基酯、4，4'一雙(二垸基氨基)二苯甲酮類(如4，4'一雙(二甲基氨基)二苯甲酮、4，4'一雙(二環(huán)己基氨基)二苯甲酮、4，4'一雙(二乙基氨基)二苯甲酮、4，4'一雙(二羥基乙基氨基)二苯甲酮、4一甲氧基一4'一二甲基氨基二苯甲酮、4，4'一二甲氧基二苯甲酮、4一二甲基氨基二苯甲酮、4一二甲基氨基乙酰基苯乙酮、芐基、蒽醌、2—t一丁基蒽醌、2—甲基蒽醌、菲醌、芴酮、2—芐基一二甲基氨基一l一(4一嗎啉代苯基)一1一丁酮、2—甲基一1一(4一(甲基硫基)苯基)一2—嗎啉代一1一丙酮、2—羥基一2—甲基一(4一(l一甲基乙烯基)苯基)丙醇低聚物、苯偶姻、苯偶姻醚類(如苯偶姻甲基醚、苯偶姻乙基醚、苯偶姻丙基醚、苯偶姻異丙基醚、苯偶姻苯基醚、芐基二甲基縮酮)等。作為上述吖啶化合物，具體可以列舉如9一苯基吖啶、1，7—二(9，9'—吖啶基)庚烷等。作為上述芳環(huán)烯金屬氧化物類，可以列舉如雙(V—2，4一環(huán)戊二烯一1—)一雙(2，6—二氟一3—(1H—吡咯一1一基)—苯基)鈦、1\5—環(huán)戊二烯基一ri6—異丙苯基—鐵(1+)—六氟磷酸酯(l一)等。作為上述以外的光聚合引發(fā)劑，可以列舉N—苯基甘氨酸等、聚卣化合物(如四溴化碳、苯基三溴甲基砜、苯基三氯甲基酮等)、胺類(如4一二甲基氨基安息香酸乙酯、4一二甲基氨基安息香酸n—丁酯、4一二甲基氨基安息香酸苯乙酯、4一二甲基氨基安息香酸2—鄰苯二甲酰亞胺乙酯、4一二甲基氨基安息香酸2—甲基丙烯酰氧乙酯、五亞甲基雙(4一二甲基氨基苯甲酸酯)、3—二甲基氨基安息香酸的苯乙基酯、五亞甲基酯、4一二甲基氨基苯甲醛、2—氯一4一二甲基氨基苯甲醛、4一二甲基氨基芐基醇、乙基(4一二甲基氨基苯甲酰基)乙酸酯、4一1一哌啶基苯乙酮、4一二甲基氨基苯偶姻、N，N—二甲基一4一甲苯胺、N，N—二乙基一3—乙氧基苯胺、三芐基胺、二芐基苯基胺、N—甲基一N—苯基芐基胺、4一溴一N，N—二甲基苯胺、三-十二垸基胺、結(jié)晶紫內(nèi)酯、無色結(jié)晶紫等)、特開昭53—133428號公報、特公昭57—1819號公報、特公昭57—6096號公報及美國專利第3615455號說明書所述的化合物等。含上述中性自由基發(fā)生劑的全部光聚合引發(fā)劑在上述感光層中的含量優(yōu)選為O.130質(zhì)量％，更優(yōu)選為0.520質(zhì)量％、特別優(yōu)選為O.515質(zhì)量％。一增感劑一作為上述增感劑，可以含有增感劑。對上述感光層曝光顯影時，從提高使該感光層的曝光部分的厚度在該曝光及顯影后不發(fā)生變化的上述光的最小能量(感光度)的觀點出發(fā)，優(yōu)選并用上述增感劑。作為上述增感劑，可以按照上述光照射機構(gòu)(如可見光或紫外光及可見光激光等)進行適當選擇。上述增感劑，在活性能量射線的作用下成為激發(fā)狀態(tài)，通過與其它物質(zhì)(如自由基發(fā)生劑、氧發(fā)生劑等)的相互作用(如能量轉(zhuǎn)移、電子轉(zhuǎn)移等)，可以產(chǎn)生自由基或氧等有用基團。作為上述增感劑，可以含有從稠環(huán)類化合物、氨基苯基酮類化合物、多環(huán)芳香族類、具有酸性環(huán)的化合物、具有堿性環(huán)的化合物、具有熒光增白劑環(huán)的化合物中選擇的至少l種化合物，根據(jù)需要，也可以含有其它的增感劑。作為增感劑，從提高感光度的觀點考慮，更優(yōu)選雜稠環(huán)類化合物、氨基二苯甲酮類化合物，特別優(yōu)選雜稠環(huán)類化合物。一稠環(huán)類化合物一作為上述示例化合物中芳香環(huán)或雜環(huán)縮環(huán)而成的化合物(稠環(huán)化合物)，優(yōu)選雜稠環(huán)類化合物。上述雜稠環(huán)類化合物是指環(huán)中具有雜原子的多環(huán)化合物，上述環(huán)中優(yōu)選含有氮原子。作為上述雜稠環(huán)類化合物，可以列舉如雜稠環(huán)類酮化合物。上述雜稠環(huán)類酮化合物中，更優(yōu)選吖啶酮化合物和噻噸酮化合物，其中特別優(yōu)選噻噸酮化合物。作為上述雜稠環(huán)類酮化合物，具體可以列舉如吖啶酮、氯吖啶酮、N一甲基吖啶酮、N—丁基吖啶酮、N—丁基一氯吖啶酮等吖啶酮化合物；噻噸酮、異丙基噻噸酮、2，4一二乙基噻噸酮、l一氯一4一丙氧基噻噸酮、QuantacureQTX等噻噸酮化合物；3—(2—苯并呋喃甲?；?一7—二乙基氨基香豆素、3—(2—苯并呋喃甲?；?一7—(l一吡咯烷基)香豆素、3—苯甲?；?—二乙基氨基香豆素、3—(2—甲氧基苯甲?；?一7—二乙基氨基香豆素、3—(4一二甲基氨基苯甲酰基)一7—二乙基氨基香豆素、3，3，一羰基雙(5，7—二-n—丙氧基香豆素、3，3，一羰基雙(7一二乙基氧氨基香豆素)、3—苯甲?；?—甲氧基香豆素、3—(2—呋喃甲?；?一7—二乙基氨基香豆素、3—(4一二乙基氨基肉桂?；?一7一二乙基氨基香豆素、7—甲氧基一3—(3—吡啶基羰基)香豆素、3—苯甲?；?，7—二丙氧基香豆素、7—苯并三唑一2—基香豆素、7—二乙基氨基一4一甲基香豆素、或特開平5—19475號、特開平7—271028號、特開2002—363206號、特開2002—363207號、特開2002—363208號、特開2002—363209號公報等所述的香豆素化合物等香豆素類，等等。另外可以列舉已知的多環(huán)芳香族類(如芘、茈、三聯(lián)苯)、氧雜蒽類(如熒光素、四溴熒光素、藻紅、若丹明B、孟加拉玫瑰紅)、花青苷類(如印度羰花青、硫代羰基花青苷、氧雜羰花青)、部花青類(如部花青、羰部花青)、噻嗪類(如硫堇、亞甲藍、甲苯胺藍)、蒽醌類(如蒽醌)、斯夸琳(7夕7y々A)類(例如斯夸琳)等。上述增感劑對感光性薄膜用感光性組合物全成分的含量優(yōu)選為0.014質(zhì)量％，更優(yōu)選為0.022質(zhì)量％，特別優(yōu)選為0.051質(zhì)量％。上述含量如果不足0.01質(zhì)量％，感光度會下降，如果超過4質(zhì)量％，圖案的形狀會變差。上述感光性組合物中上述增感劑與光聚合引發(fā)劑的含量的質(zhì)量比優(yōu)選為((增感劑)/(肟衍生物))=1/0.11/100，更優(yōu)選為1/11/50。上述增感劑的含量與上述光聚合引發(fā)劑的含量的質(zhì)量比如果超出上述范圍，感光度會下降，而且感光度的經(jīng)時變化會變差。上述增感劑與上述光聚合引發(fā)劑的組合，從高感光度化考慮，特別優(yōu)選為噻噸酮化合物和肟衍生物的組合。另外，上述躬衍生物也可以和其它的中性自由基發(fā)生劑、部分結(jié)構(gòu)含少量氨基垸基或氨基苯基的光聚合引發(fā)劑類化合物并用。一粘合劑一作為上述粘合劑，優(yōu)選側(cè)鏈含酸性基團和乙烯性不飽和鍵的高分子化合物。作為上述酸性基團，可以列舉羧基、磷酸基、磺酸基等，但從原料的獲得考慮，優(yōu)選為羧基。作為上述粘合劑，優(yōu)選不溶于水、且在堿性水溶液中溶脹或溶解的化合物。另外，作為上述粘合劑，分子內(nèi)可以具有至少l個可以聚合的雙鍵，如(甲基)丙烯酸酯基或(甲基)丙烯酰胺基等丙烯酸基、羧酸的乙烯基酯、乙烯基醚、烯丙醚等各種聚合性雙鍵。更具體地講，可以列舉將含環(huán)狀醚基的聚合性化合物加成于含羧基作為酸性基的丙烯酸樹脂所得的化合物，這些含環(huán)狀醚基的化合物可以是丙烯酸環(huán)氧丙基酯、甲基丙烯酸環(huán)氧丙基酯、肉桂酸等不飽和脂肪酸的環(huán)氧丙基酯或具有脂環(huán)式環(huán)氧基(如同一分子中的環(huán)己烯氧化物等的環(huán)氧基)和(甲基)丙烯?；幕衔锏群h(huán)氧基的聚合性化合物。另外，可以列舉將(甲基)丙烯酸異氰酸酯等含異氰酸酯基的聚合性化合物加成于含酸性基和羥基的丙烯酸樹脂所得的化合物、將(甲基)丙烯酸羥基烷基酯等含羥基的聚合性化合物加成于含酸酐基的丙烯酸樹脂所得的化合物等。還可以列舉使甲基丙烯酸環(huán)氧丙基酯等含環(huán)狀醚基的聚合性化合物與(甲基)丙烯?；榛サ纫蚁┗鶈误w共聚，將(甲基)丙烯酸加成于側(cè)鏈的環(huán)氧基所得的化合物等。這些例子在專利2763775號公報、特開平3-172301號公報、特幵2000-232264號公報等都有列舉。其中上述粘合劑特別優(yōu)選從含環(huán)狀醚基(如部分結(jié)構(gòu)具有環(huán)氧基、氡雜環(huán)丁烷基的基團)的聚合性化合物加成于高分子化合物的一部分酸性基的物質(zhì)、含羧基的聚合性化合物加成于高分子化合物的一部分或全部環(huán)狀醚基的物質(zhì)中選擇的高分子化合物。此時，與具有酸性基和環(huán)狀醚基的化合物的加成反應優(yōu)選在催化劑的存在下進行，該催化劑特別優(yōu)選從酸性化合物和中性化合物中選擇的物質(zhì)。其中，從感光性組合物的經(jīng)時顯影穩(wěn)定性考慮，粘合劑優(yōu)選為側(cè)鏈可以含羧基和雜環(huán)的芳香族基、以及側(cè)鏈含乙烯性不飽和鍵的高分子化合——可以含雜環(huán)的芳香族基——作為上述可以含雜環(huán)的芳香族基(下面簡單地稱為"芳香族基")，可以列舉苯環(huán)、2至3個苯環(huán)形成稠環(huán)的芳香族基、苯環(huán)和5元不飽和環(huán)形成稠環(huán)的芳香族基等。作為上述芳香族基的具體例子，可以列舉苯基、萘基、蒽基、菲基、茚基、苊基、芴基、苯(并)吡咯環(huán)基、苯(并)呋喃環(huán)基、苯并噻吩環(huán)基、吡唑環(huán)基、異噁唑環(huán)基、異噻唑環(huán)基、吲唑環(huán)基、苯并異噁唑環(huán)基、苯并異噻唑環(huán)基、咪唑環(huán)基、噁唑環(huán)基、噻唑環(huán)基、苯并咪唑環(huán)基、苯并噁唑環(huán)基、苯并噻唑環(huán)基、吡啶環(huán)基、喹啉環(huán)基、異喹啉環(huán)基、噠嗪環(huán)基、嘧啶環(huán)基、吡嗪環(huán)基、酞嗪環(huán)基、喹唑啉環(huán)基、喹喔啉環(huán)基、氮丙啶環(huán)基、菲啶環(huán)基、咔唑環(huán)基、嘌呤環(huán)基、吡喃環(huán)基、哌啶環(huán)基、哌嗪環(huán)基、吲哚環(huán)基、吲哚嗪環(huán)基、色烯環(huán)基、肉啉環(huán)基、吖啶環(huán)基、吩噻嗪環(huán)基、四唑環(huán)基、三嗪環(huán)基等。其中優(yōu)選為芳香烴基，更優(yōu)選為苯基、萘基。上述芳香族基可以具有取代基，作為上述取代基，可以列舉如鹵原子、可以具有取代基的氨基、烷氧基羰基、羥基、醚基、硫醇基、硫醚基、甲硅烷基、硝基、氰基、可具有取代基的垸基、可具有取代基的烯基、可具有取代基的炔基、可具有取代基的芳基、可具有取代基的雜環(huán)基等。作為上述垸基，可以列舉如碳原子數(shù)1至20的直鏈型垸基、支鏈型烷基、環(huán)狀垸基等。作為上述烷基的具體例子，可以列舉甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基、十三烷基、十六垸基、十八烷基、二十烷基、異丙基、異丁基、S-丁基、t-丁基、異戊基、新戊基、l-甲基丁基、異己基、2-乙基己基、2-甲基己基、環(huán)己基、環(huán)戊基、2-降冰片垸基等。其中優(yōu)選為碳原子數(shù)1至12的直鏈型烷基、碳原子數(shù)3至12的支鏈型垸基、碳原子數(shù)5至10的環(huán)狀垸基。作為上述烷基可以具有的取代基，可以列舉如除氫原子外的一價非金屬原子團而成的基團。作為這樣的取代基，可以列舉如鹵原子(-F、-Br、-Cl、-1)、羥基、烷氧基、芳氧基、巰基、烷硫基、芳硫基、烷二硫基、芳二硫基、氨基、N-垸基氨基、N，N-二垸基氨基、N-芳基氨基、N,N-二芳基氨基、N-烷基-N-芳基氨基、酰氧基、氨基甲酰氧基、N-垸基氨基甲酰氧基、N-芳基氨基甲酰氧基、N,N-二烷基氨基甲酰氧基、N，N-二芳基氨基甲酰氧基、N-垸基-N-芳基-氨基甲酰氧基、烷基硫氧基(sulfoxy)、芳基硫氧基、?；蚧?、?；被?、N-垸基?；被?、N-芳基酰基氨基、脲基、N'-烷基脲基、N'，N'-二垸基脲基、N'-芳基脲基、N'，N'-二芳基脲基、N'-烷基-N'-芳基脲基、N-垸基脲基、N-芳基脲基、N'-烷基-N-垸基脲基、N'-垸基-N-芳基脲基、N'，N'-二烷基-N-烷基脲基、N'，N'-二烷基-N-芳基脲基、N'-芳基-N-垸基脲基、N'-芳基-N-芳基脲基、N'，N'-二芳基-N-烷基脲基、N'，N'-二芳基-N-芳基脲基、N'-烷基-N'-芳基-N-烷基脲基、N'-烷基_N'-芳基-N-芳基脲基、烷氧基羰基氨基、芳氧基羰基氨基、N-烷基-N-烷氧基羰基氨基、N-烷基-N-芳氧基羰基氨基、N-芳基-N-烷氧基羰基氨基、N-芳基-N-芳氧基羰基氨基、甲?；?、?；Ⅳ然?、烷氧基羰基、芳氧基羰基、氨基甲?；?、N-烷基氨基甲?；?、N,N-二垸基氨基甲?；-芳基氨基甲?；?、N，N-二芳基氨基甲酰基、N-烷基-N-芳基-氨基甲?；?、烷基亞硫?；?、芳基亞硫酰基(sulfmyl)、烷基磺?；⒎蓟酋；⒒腔?-S03H)及其共軛堿基(稱為磺酸根基)、烷氧基磺?；?、芳氧基磺?；眮喕酋；?sulfmamoyl，7A7j于乇^少)、N-垸基氨亞磺?；?、N,N-二烷基氨亞磺酰基、N-芳基氨亞磺?；，N-二芳基氨亞磺酰基、N-垸基-N-芳基氨亞磺?；?、氨磺?；?、N-烷基氨磺?；?、N，N-二烷基氨磺?；-芳基氨磺?；，N-二芳基氨磺酰基、N-垸基-N-芳基氨磺酰基、膦酸基(-P03H2)及其共軛堿基(稱為膦酸根基)、二烷基膦酸基(-P03(alkyl)2)(以下"alkyl"即指垸基)、二芳基膦酸基(-P03(ary1)2)(以下"aryl"即指芳基)、垸基芳基膦酸基(-P03(alkyl)(aryl))、單垸基膦酸基(-P03(alkyl))及其共軛堿基(稱為烷基膦酸根基)、單芳基膦酸基(-P03H(aiy1))及其共軛堿基(稱為芳基膦酸根基)、膦酸氧基(-OP03H2)及其共軛堿基(稱為膦酸根氧基)、二烷基膦酸氧基(-OP03H(alkyl)2)、二芳基膦酸氧基(-OP03(aryl)2)、烷基芳基膦酸氧基(-OP03(alkyl)(aryl))、單烷基膦酸氧基(-OP03H(alkyl))及其共軛堿基(稱為垸基膦酸根氧基)、單芳基膦酸氧基(-OP03H(aryl))及其共軛堿基(稱為芳基膦酸根氧基)、氰基、硝基、芳基、烯基、炔基、雜環(huán)基、甲硅烷基等。作為這些取代基中烷基具體例子，可以列舉上述的垸基。作為上述取代基中芳基的具體例子，可以列舉苯基、聯(lián)苯基、萘基、甲苯基、二甲苯基、2，4，6-三甲苯基、異丙苯基、氯苯基、溴苯基、氯甲基苯基、羥基苯基、甲氧基苯基、乙氧基苯基、苯氧基苯基、乙酰氧基苯基、苯甲酰氧基苯基、甲硫基苯基、苯硫基苯基、甲基氨基苯基、二甲基氨基苯基、乙酰基氨基苯基、羧基苯基、甲氧基羰基苯基、乙氧基苯基羰基、苯氧基羰基苯基、N-苯基氨基甲?；交⑶杌交?、磺基苯基、磺酸根苯基、膦酸基苯基、膦酸根苯基等。作為上述取代基中烯基的具體例子，可以列舉乙烯基、l-丙烯基、1-丁烯基、肉桂基、2-氯-l-乙烯基等。作為上述取代基中炔基的具體例子，可以列舉乙炔基、l-丙炔基、1-丁炔基、三甲基甲硅烷基乙炔基等。作為上述取代基中?；?RQ1CO-)的RQ1，可以列舉氫原子、上述垸基、芳基等。這些取代基中，優(yōu)選鹵原子(一F、"HBr、一C1、一I)、烷氧基、芳氧基、烷硫基、芳硫基、N-烷基氨基、N，N-二烷基氨基、酰氧基、N-垸基氨基甲酰氧基、N-芳基氨基甲酰氧基、酰氨基、甲?；Ⅴ；Ⅳ然⑼檠趸驶⒎佳趸驶被柞；?、N-垸基氨基甲?；?、N,N-二烷基氨基甲?；-芳基氨基甲?；-烷基-N-芳基氨基甲?；?、磺基、磺酸根基、氨磺?；?、N-烷基氨磺酰基、N，N-二烷基氨磺?；?、N-芳基氨磺?；?、N-垸基-N-芳基氨磺酰基、膦酸基、膦酸根基、二垸基膦酸基、二芳基膦酸基、單垸基膦酸基、烷基膦酸根基、單芳基膦酸基、芳基膦酸根基、膦酸根氧基、膦酸氧基、芳基、烯基等。另外，作為上述取代基中的雜環(huán)基，可以列舉吡啶基、哌啶基等，作為上述取代基中的甲硅垸基，可以列舉三甲基甲硅烷基。另一方面，作為上述烷基中的亞烷基，可以列舉除去上述碳原子數(shù)1至20的垸基上任何1個氫原子、成為2價有機殘基的亞烷基，優(yōu)選碳原子數(shù)1至12的直鏈型亞烷基、碳原子數(shù)3至12的支鏈型亞烷基、碳原子數(shù)5至10的環(huán)狀亞烷基等。作為這樣的取代基和亞垸基組合所得取代烷基的具體優(yōu)選例子，可以列舉氯甲基、溴甲基、2-氯乙基、三氟代甲基、甲氧基甲基、異丙氧基甲基、丁氧基甲基、s-丁氧基丁基、甲氧乙氧基乙基、烯丙氧基甲基、苯氧基甲基、甲硫基甲基、甲苯基硫基甲基、吡啶基甲基、四甲基哌啶基甲基、N-乙?；募谆哙せ谆?、三甲基甲硅烷基甲基、甲氧基乙基、乙基氨基乙基、二乙基氨基丙基、嗎啉代丙基、乙酰氧基甲基、苯甲酰氧基甲基、N-環(huán)己基氨基甲酰氧基乙基、N-苯基氨基甲酰氧基乙基、乙酰氨基乙基、N-甲基苯甲酰氨基丙基、2-氧代乙基、2-氧代丙基、羧基丙基、甲氧基羰基乙基、烯丙氧基羰基丁基、氯苯氧基羰基甲基、氨基甲?；谆?、N-甲基氨基甲?；一?、N,N-二丙基氨基甲酰基甲基、N-(甲氧基苯基)氨基甲?；一?、N-甲基-N-(磺基苯基)氨基甲酰基甲基、磺基丁基、磺酸根丁基、氨磺?；』-乙基氨磺?；谆?、N,N-二丙基氨磺?；?、N-甲苯基氨磺酰基丙基、N-甲基-N-(膦酸基苯基)氨磺?；粱?、膦酸基丁基、膦酸根己基、二乙基膦酸基丁基、二苯基膦酸基丙基、甲基膦酸基丁基、甲基膦酸根丁基、甲苯基膦酸基己基、甲苯基膦酸根己基、膦酸氧基丙基、膦酸根氧基丁基、芐基、苯乙基、a-甲基芐基、l-甲基-l-苯基乙基、p-甲基芐基、肉桂基、烯丙基、1-丙烯基甲基、2-丁烯基、2-甲基烯丙基、2-甲基丙烯基甲基、2-丙炔基、2-丁炔基、3-丁炔基等。作為上述芳基，可以列舉如苯環(huán)、2至3個苯環(huán)形成的稠環(huán)、苯環(huán)和5元不飽和環(huán)形成的稠環(huán)等。作為上述芳基的具體例子，可以列舉如苯基、萘基、蒽基、菲基、茚基、苊基、芴基等。其中優(yōu)選為苯基、萘基。上述芳基可以具有取代基，作為這樣的具有取代基的芳基(以下有時稱為"取代芳基"。)，可以列舉在上述芳基的形成環(huán)的碳原子上，作為取代基具有由氫原子以外的一價非金屬原子團構(gòu)成的基團的芳基。作為上述芳基可以具有的取代基，優(yōu)選如上述烷基、取代烷基、作為上述烷基可以具有的取代基所示的基團。作為優(yōu)選的上述取代芳基的具體例子，可以列舉聯(lián)苯基、甲苯基、二甲苯基、2，4，6-三甲苯基、異丙苯基、氯苯基、溴苯基、氟苯基、氯甲基苯基、三氟甲基苯基、羥基苯基、甲氧基苯基、甲氧乙氧基苯基、烯丙氧基苯基、苯氧基苯基、甲基硫基苯基、甲苯基硫基苯基、乙基氨基苯基、二乙基氨基苯基、嗎啉代苯基、乙酰氧基苯基、苯甲酰氧基苯基、N-環(huán)己基氨基甲酰氧基苯基、N-苯基氨基甲酰氧基苯基、乙?；被交?、N-甲基苯甲酰氨基苯基、羧基苯基、甲氧基羰基苯基、烯丙氧基羰基苯基、氯苯氧基羰基苯基、氨基甲?；交?、N-甲基氨基甲?；交?、N，N-二丙基氨基甲?；交?、N-(甲氧基苯基)氨基甲?；交?、N-甲基-N-(磺基苯基)氨基甲酰基苯基、磺基苯基、磺酸根苯基、氨磺酰苯基、N-乙基氨磺酰苯基、N，N-二丙基氨磺酰苯基、N-甲苯基氨磺酰苯基、N-甲基-N-(膦酸基苯基)氨磺酰苯基、膦酸苯基、膦酸根苯基、二乙基膦酸苯基、二苯基膦酸苯基、甲基膦酸苯基、甲基膦酸根苯基、甲苯基膦酸苯基、甲苯基膦酸根苯基、烯丙基膦酸苯基、烯丙基膦酸根苯基、烯丙基苯基、1-丙烯基甲基苯基、2-丁烯基苯基、2-甲基烯丙基苯基、2-甲基丙烯基苯基、2-丙炔基苯基、2-丁炔基苯基、3-丁炔基苯基等。作為上述烯基(-C(R02)=C(R03)(R04))和炔基(-OC(R05))，可以列舉如R，R03、R04、和R05由一價非金屬原子團構(gòu)成的基團。作為上述W2、RQ3、RM、R°5,可以列舉如氫原子、鹵原子、烷基、取代垸基、芳基、取代芳基等。作為它們的具體例子，可以列舉上述作為例子所示的基團。其中優(yōu)選為氫原子、鹵原子、碳原子數(shù)1至10的直鏈型烷基、支鏈型垸基、環(huán)狀烷基。作為優(yōu)選的上述烯基和炔基的具體例子，可以列舉乙烯基、1-丙烯基、1-丁烯基、卜戊烯基、1-己烯基、l-辛烯基、1-甲基-1-丙烯基、2-甲基-1-丙烯基、2-甲基-1-丁烯基、2-苯基-1-乙烯基、2-氯-1-乙烯基、乙炔基、1-丙炔基、1-丁炔基、苯基乙炔基等。作為上述雜環(huán)基，可以列舉如作為取代垸基的取代基所示的吡啶基等。作為上述氧基(R°60—)，可以列舉IT一由除氫原子外的一價非金屬原子團而成的基團。作為這樣的氧基，優(yōu)選如烷氧基、芳氧基、酰氧基、氨基甲酰氧基、N-垸基氨基甲酰氧基、N-芳基氨基甲酰氧基、N，N-二烷基氨基甲酰氧基、N,N-二芳基氨基甲酰氧基、N-垸基-N-芳基氨基甲酰氧基、烷基硫氧基、芳基硫氧基、膦酸氧基、膦酸根氧基等。作為這些中的烷基和芳基，可以列舉作為上述烷基、取代烷基、芳基及取代芳基所示的基團。另外，作為酰氧基中的酰基(RG7CO-)，可以列舉R^為前面所舉例的垸基、取代烷基、芳基和取代芳基的基團。這些取代基中，尤其優(yōu)選垸氧基、芳氧基、酰氧基、芳基硫氧基。作為優(yōu)選的氧基的具體例子，可以列舉甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基、戊氧基、己氧基、十二烷氧基、芐基氧基、烯丙氧基、苯乙氧基、羧乙氧基、甲氧羰基乙氧基、乙氧羰基乙氧基、甲氧乙氧基、苯氧乙氧基、甲氧乙氧乙氧基、乙氧乙氧乙氧基、嗎啉代乙氧基、嗎啉代丙氧基、烯丙氧基乙氧乙氧基、苯氧基、甲苯氧基、二甲苯氧基、2，4，6-三甲苯氧基、異丙苯氧基、甲氧苯氧基、乙氧苯氧基、氯苯氧基、溴苯氧基、乙酰氧基、苯甲酰氧基、萘氧基、苯基磺酰氧基、膦酸氧基、膦酸根氧基等。作為可以含有酰胺基的氨基(R°8NH-、(R。9)(R。1。)N-)，可以列舉如R°8、R°9、和R,由除了氫原子的一價非金屬原子團構(gòu)成的基團。而R。9和R,也可以結(jié)合形成環(huán)。作為上述氨基，可以列舉如N-垸基氨基、N，N-二烷基氨基、N-芳基氨基、N，N-二芳基氨基、N-垸基-N-芳基氨基、酰氨基、N-烷基酰氨基、N-芳基酰氨基、脲基、N'-垸基脲基、N',N'-二烷基脲基、N'-芳基脲基、N'，N'-二芳基脲基、N'-垸基-N'-芳基脲基、N-垸基脲基、N-芳基脲基、N'-垸基-N-垸基脲基、N'-垸基-N-芳基脲基、N'，N'-二垸基-N-烷基脲基、N'-烷基-N'-芳基脲基、N',N'-二垸基-N-烷基脲基、N'，N'-二烷基-N'-芳基脲基、N'-芳基-N-烷基脲基、N'-芳基-N-芳基脲基、N'，N'-二芳基-N-垸基脲基、N'，N'-二芳基-N-芳基脲基、N'-烷基-N'-芳基-N-烷基脲基、N'-烷基-N'-芳基-N-芳基脲基、烷氧基羰基氨基、芳氧基羰基氨基、N-烷基-N-烷氧基羰基氨基、N-烷基-N-芳氧基羰基氨基、N-芳基-N-烷氧基羰基氨基、N-芳基-N-芳氧基羰基氨基等。作為其中的垸基和芳基，可以列舉上述作為垸基、取代垸基、芳基及取代芳基所示的基團。另外，酰氨基、N-烷基酰氨基、N-芳基酰氨基中的酰基(R°7C0_)的R07如前所述。其中特別優(yōu)選N-烷基氨基、N,N-二烷基氨基、N-芳基氨基、酰氨基。作為優(yōu)選的氨基的具體例子，可以列舉甲基氨基、乙基氨基、二乙基氨基、嗎啉代基、哌啶基、吡咯烷基、苯基氨基、苯甲酰氨基、乙酰氨基等o作為上述磺酰基(ir一so2-)，可以列舉如ir由一價非金屬原子團而得的基團。作為這樣的磺?；?，優(yōu)選為烷基磺?；⒎蓟酋；?。作為其中的烷基和芳基，可以列舉上述作為烷基、取代烷基、芳基和取代芳基所示的基團。作為上述磺?；木唧w例子，可以列舉丁基磺?；?、苯基磺?；?、氯苯基磺?；?。上述膦酸根基(-SCV)，如前所述，是指磺基(-S03H)的共軛堿陰離子基，通常優(yōu)選與平衡陽離子共同使用。作為這樣的平衡陽離子，可以適當選擇使用一般已知的物質(zhì)，可以列舉如鎿類(如銨類、锍類、轔類、碘鎿類、疊氮鐺類等)、金屬離子類(如Na+、K+、Ca2+、Zn2，)。作為上述羰基(R^-CO-)，可以列舉RW3由一價非金屬原子團而得的基團。作為這樣的羰基，可以列舉如甲?；Ⅴ；?、羧基、垸氧基羰基、芳氧基羰基、氨基甲?；?、N-烷基氨基甲酰基、N，N-二烷基氨基甲酰基、N-芳基氨基甲酰基、N,N-二芳基氨基甲?；?、N-垸基-N'-芳基氨基甲?；?。作為其中的垸基和芳基，可以列舉上述作為烷基、取代烷基、芳基和取代芳基所示的基團。作為上述羰基，優(yōu)選為甲?；?、?；Ⅳ然?、烷氧基羰基、芳氧基羰基、氨基甲?；-垸基氨基甲?；?、N，N-二垸基氨基甲酰基、N-芳基氨基甲酰基，尤其優(yōu)選為甲酰基、酰基、烷氧基羰基、芳氧基羰基。作為上述羰基的具體例子，可以適當列舉甲?；⒁阴；?、苯甲?；Ⅳ然?、甲氧基羰基、乙氧基羰基、烯丙氧基基羰基、二甲基氨基苯基乙烯基羰基、甲氧基羰基甲氧基羰基、N-甲基氨基甲?；?、N-苯基氨基甲?；，N-二乙基氨基甲?；徇驶?。作為上述亞磺酰基(RG14-SO-)，可以列舉R。"由一價非金屬原子團而得的基團。作為這樣的亞磺?；?，可以列舉如烷基亞磺酰基、芳基亞磺酰基、氨亞磺酰基、N-烷基氨亞磺?；?、N，N-二垸基氨亞磺?；?、N-芳基氨亞磺?；，N-二芳基氮亞磺?；-烷基-N-芳基氨亞磺?；取Ｗ鳛槠渲械耐榛头蓟?，可以列舉上述作為烷基、取代烷基、芳基和取代芳基所示的基團。而其中優(yōu)選為烷基亞磺酰基、芳基亞磺酰基。作為上述取代亞磺酰基的具體例子，可以適當列舉己基亞磺?；?、芐基亞磺酰基、甲苯基亞磺?；?。上述膦酸基是指膦酸基上一至二個羥基被其它的有機氧代(oxo)基取代的基團，優(yōu)選如上述的二烷基膦酸基、二芳基膦酸基、垸基芳基膦酸基、單烷基膦酸基、單芳基膦酸基等。其中尤其優(yōu)選二烷基膦酸基、二芳基膦酸基。作為更優(yōu)選的上述膦酸基的具體例子，可以列舉二乙基膦酸基、二丁基膦酸基、二苯基膦酸基等。上述膦酸根基(-P03H2-、-P03H-)，如前所述，是指來源于膦酸基(-P03H2)的酸一級電離或酸二級電離的共軛堿陰離子基。通常優(yōu)選與平衡陽離子一同使用。作為這樣的平衡陽離子，可以適當選擇一般已知的物質(zhì)，如可以列舉各種鎿類(鉸類、锍類、轔類、碘鐵類、疊氮鎿類等)、金屬離子類(如Na+、K+、Ca2+、ZnD。上述膦酸根基可以是膦酸基內(nèi)羥基被一個有機氧代基取代的基團的共軛堿陰離子基，作為這樣的具體例子，可以列舉上述的單烷基膦酸基(-P03H(alkyl))、單芳基膦酸基(-P03H(aryl))的共軛堿。上述芳香族基可以使含芳香族基的自由基聚合性化合物1種以上與根據(jù)需要作為共聚合成分的其它自由基聚合性化合物1種以上通過一般的自由基聚合法制造得到。作為上述自由基聚合法，可以列舉一般的懸浮聚合法或溶液聚合法作為上述含芳香族基的自由基聚合性化合物，優(yōu)選為如結(jié)構(gòu)式(A)所示的化合物、結(jié)構(gòu)式(B)所示的化合物。[化20]RlR3C=CR2C—O—L—Ar上述結(jié)構(gòu)式(A)中，R,、R2和R3表示氫原子或一價有機基團。L表示有機基團，也可以沒有。Ar表示可以含雜環(huán)的芳香族基。上述結(jié)構(gòu)式(B)中，R"R2、和R3以及Ar表示與上述通式(A)相同的含義。作為上述L的有機基團，可以列舉如由非金屬原子構(gòu)成的多價有機基團，可以列舉由l至60個碳原子、0至10個氮原子、0至50個氧原子、1至100個氫原子和0至20個硫原子形成的有機基團。更具體地講，作為上述L的有機基團，可以列舉下述結(jié)構(gòu)單元組合構(gòu)成的基團、多價萘、多價蒽等。[化22]結(jié)構(gòu)式(A)結(jié)構(gòu)式(B)上述L的連結(jié)基可以具有取代基，作為上述取代基，可以列舉上述的鹵原子、羥基、羧基、磺酸根基、硝基、氰基、酰胺基、氨基、垸基、烯基、炔基、芳基、取代氧基、取代磺?；?、取代羰基、取代亞磺?；?、磺基、膦酸基、膦酸根基、甲硅烷基、雜環(huán)基。上述結(jié)構(gòu)式(A)所示的化合物及結(jié)構(gòu)式(B)所示的化合物中，從感光度考慮，優(yōu)選結(jié)構(gòu)式(A)所示的化合物。另外上述結(jié)構(gòu)式(A)中，從穩(wěn)定性考慮，優(yōu)選具有連結(jié)基的化合物，作為上述L的有機基，從非圖像部分的除去性(顯影性)考慮，優(yōu)選碳原子數(shù)14的亞烷基。上述結(jié)構(gòu)式(A)所示的化合物，生成含下述結(jié)構(gòu)式(I)的結(jié)構(gòu)單元的化合物。上述結(jié)構(gòu)式(B)所示的化合物，生成含下述結(jié)構(gòu)式(II)的結(jié)構(gòu)單元的化合物。其中從保存穩(wěn)定性考慮，優(yōu)選含結(jié)構(gòu)式(I)的結(jié)構(gòu)單元的化合物。[化23]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage52</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage53</formula>結(jié)構(gòu)式(I)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage53</formula>結(jié)構(gòu)式(II)上述結(jié)構(gòu)式(I)和(II)中，R,、R2、R3和Ar表示與上述結(jié)構(gòu)式(A)和(B)相同的含義。上述結(jié)構(gòu)式(I)和(II)中，從非圖像部分的除去性(顯影性)考慮，優(yōu)選R,和R2為氫原子、R3為甲基。上述結(jié)構(gòu)式(I)的L，從非圖像部分的除去性(顯影性)考慮，優(yōu)選碳原子數(shù)14的亞垸基。作為上述結(jié)構(gòu)式(A)所示的化合物或結(jié)構(gòu)式(B)所示的化合物，沒有特別的限制，可以列舉以下的示例化合物(1)(30)。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage54</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage55</formula>上述示例化合物(1)(30)中，優(yōu)選為(5)、(6)、(11)、(14)和(28)，其中，從保存穩(wěn)定性和顯影性考慮，更優(yōu)選為(5)和(6)。上述可以含雜環(huán)的芳香族基在上述粘合劑中的含量沒有特別的限制，將高分子化合物的全部結(jié)構(gòu)單元設為100mol。/。的情況下，優(yōu)選含20mol。/o以上的上述結(jié)構(gòu)式(I)所示結(jié)構(gòu)單元，更優(yōu)選含3045mol%。上述含量如果不足20mol^,保存穩(wěn)定性會下降，如果超過45moW，顯影性會下降。——乙烯性不飽和鍵——作為上述乙烯性不飽和鍵沒有特別的限制，可以根據(jù)需要適當選擇，但優(yōu)選下述結(jié)構(gòu)式(III)(V)所示的鍵。[化27]o—X-1R3R1R2結(jié)構(gòu)式an)—Y-C-C=b&""7結(jié)構(gòu)式(IV)—Z-C:C、"1D結(jié)構(gòu)式(v)上述結(jié)構(gòu)式(III)(IV)中，R,Ru各自獨立地表示一價有機基團。X和Y各自獨立地表示氧原子、硫原子或-N-R4。Z表示氧原子、硫原子、-N-R4、或亞苯基。R4表示氫原子或l價有機基。上述結(jié)構(gòu)式(in)中，作為R,，優(yōu)選為各自獨立的氫原子、可以具有取代基的垸基等，由于氫原子、甲基的自由基反應性高，因而是更優(yōu)選的。作為上述R2和R"可以各自獨立列舉氫原子、鹵原子、氨基、羧基、垸氧基羰基、磺基、硝基、氰基、可以具有取代基的垸基、可以具有取代基的芳基、可以具有取代基的垸氧基、可以具有取代基的芳氧基、可以具有取代基的烷基氨基、可以具有取代基的芳基氨基、可以具有取代基的烷基磺酰基、可以具有取代基的芳基磺?；龋鴼湓?、羧基、垸氧基羰基、可以具有取代基的烷基、可以具有取代基的芳基，由于自由基反應性高，因而是更優(yōu)選的。作為上述R4,優(yōu)選為可以具有取代基的烷基等，由于氫原子、甲基、乙基、異丙基具有高的自由基反應性，因而是更優(yōu)選的。在此，作為可以導入的上述取代基，可以列舉如烷基、烯基、炔基、芳基、烷氧基、芳氧基、鹵原子、氨基、烷基氨基、芳基氨基、羧基、烷氧基羰基、磺基、硝基、氰基、酰胺基、烷基磺?；?、芳基磺?；取Ｗ鳛樯鲜鼋Y(jié)構(gòu)式(IV)中的R,R8，優(yōu)選為氫原子、卣原子、氨基、二烷基氨基、羧基、烷氧基羰基、磺基、硝基、氰基、可以具有取代基的垸基、可以具有取代基的芳基、可以具有取代基的烷氧基、可以具有取代基的芳氧基、可以具有取代基的烷基氨基、可以具有取代基的芳基氨基、可以具有取代基的烷基磺酰基、可以具有取代基的芳基磺?；?，更優(yōu)選為氫原子、羧基、烷氧基羰基、可以具有取代基的烷基、可以具有取代基的芳基。作為可以導入的所述取代基，可以用上述結(jié)構(gòu)式(III)所列舉的基團作為示例。作為上述結(jié)構(gòu)式(V)中的R9，優(yōu)選為氫原子、可以具有取代基的烷基等，由于氫原子、甲基具有高的自由基反應性，因而是更優(yōu)選的。作為上述Ru)、Ru各自獨立，優(yōu)選為氫原子、鹵原子、氨基、二烷基氨基、羧基、垸氧基羰基、磺基、硝基、氰基、可以具有取代基的烷基、可以具有取代基的芳基、可以具有取代基的烷氧基、可以具有取代基的芳氧基、可以具有取代基的烷基氨基、可以具有取代基的芳基氨基、可以具有取代基的垸基磺?；?、可以具有取代基的芳基磺酰基等，由于氫原子、羧基、垸氧基羰基、可以具有取代基的烷基、可以具有取代基的芳基具有高的自由基反應性，因而是更優(yōu)選的。在此，作為可以導入的上述取代基，可以用結(jié)構(gòu)式(ni)所列舉的基團作為示例。上述Z表示氧原子、硫原子、-NR13-、或可以具有取代基的亞苯基。l表示可以具有取代基的烷基等，由于氫原子、甲基、乙基、異丙基具有高的自由基反應性，因而是優(yōu)選的。上述結(jié)構(gòu)式(III)(V)所示的側(cè)鏈乙烯性不飽和鍵中，結(jié)構(gòu)式(III)的鍵由于其高的聚合反應性、高的感光度，因而是更優(yōu)選的。上述乙烯性不飽和鍵在上述高分子化合物中的含量，沒有特別的限制，優(yōu)選為0.53.0meq/g，更優(yōu)選為1.03.Omeq/g，特別優(yōu)選為1.52.8meq/g。上述含量如果不足0.5meq/g，則由于固化反應量少而使感光度變低，如果超過3.0meq/g，則保存穩(wěn)定性會下降。在此，上述含量(meq/g)可以用碘量滴定法測定。作為將上述結(jié)構(gòu)式(III)所示的乙烯性不飽和鍵導入側(cè)鏈的方法沒有特別的限制，如可以將側(cè)鏈含羧基的高分子化合物與含乙烯性不飽和鍵及環(huán)氧基的化合物加成反應而獲得。上述側(cè)鏈含羧基的高分子化合物，可以根據(jù)需要使含羧基的自由基聚合性化合物1種以上與作為共聚合成分的其它自由基聚合性化合物1種以上，用一般的自由基聚合法制造，作為上述自由基聚合法，可以列舉如懸浮聚合法、溶液聚合法等。作為上述含乙烯性不飽和鍵及環(huán)氧基的化合物，沒有特別的限制，但優(yōu)選如下述結(jié)構(gòu)式(V工)所示的化合物和(VII)所示的化合物。U結(jié)構(gòu)式(VI)上述結(jié)構(gòu)式(VI)中，R,表示氫原子或甲基。L,表示有機基。上述結(jié)構(gòu)式(VII)中，R2表示氫原子或甲基。L2表示有機基。W表示47元環(huán)的脂肪族烴基。上述結(jié)構(gòu)式(VI)所示的化合物和結(jié)構(gòu)式(VII)所示的化合物中，優(yōu)選結(jié)構(gòu)式(VI)所示的化合物，上述結(jié)構(gòu)式(VI)中，更優(yōu)選L為碳原子數(shù)14的亞烷基的化合物。作為上述結(jié)構(gòu)式(VI)所示的化合物或結(jié)構(gòu)式(VII)所示的化合物，沒有特別的限制，可以列舉如下示例的化合物(31)(40)。[化30]作為上述含羧基的自由基聚合性化合物，有丙烯酸、甲基丙烯酸、衣康酸、巴豆酸、異巴豆酸、馬來酸、p-羧基苯乙烯等，特別優(yōu)選的酸可以列舉丙烯酸、甲基丙烯酸等。作為向上述側(cè)鏈的導入反應，可以通過使三乙基胺、芐基甲基胺等叔胺、十二烷基三甲基銨氯化物、四甲基銨氯化物、四乙基銨氯化物等季銨鹽、吡啶、三苯基膦等，在作為催化劑的有機溶劑中，于反應溫度50150。C下反應數(shù)小時數(shù)十小時而進行。作為在上述側(cè)鏈具有乙烯性不飽和鍵的結(jié)構(gòu)單元，沒有特別的限制，但優(yōu)選下述結(jié)構(gòu)式(i)所示的結(jié)構(gòu)、結(jié)構(gòu)式(ii)所示的結(jié)構(gòu)以及將它們混合起來所示的結(jié)構(gòu)。[化31]=CH2結(jié)構(gòu)式(i)RaRcI|1^令—0亍H^L廠0^iC^OHO結(jié)構(gòu)式(ii)上述結(jié)構(gòu)式(i)和(ii)中，RaRc表示氫原子或一價有機基。R,表示氫原子或甲基。L表示可以具有連結(jié)基的有機基。上述結(jié)構(gòu)式(i)所示的結(jié)構(gòu)至結(jié)構(gòu)式(ii)所示的結(jié)構(gòu)在高分子化合物中的含量優(yōu)選為20mo化以上，更優(yōu)選2050mol%，特別優(yōu)選2545mol。/。。上述含量如果不足20mol%，則由于固化反應量少而使感光度變低，如果多于50moP/。，則保存穩(wěn)定性會變差。一羧基一本發(fā)明的高分子化合物中，為了提高非圖像部分的去除性等諸性能，可以含有羧基。上述羧基可以通過使含酸性基的自由基聚合性化合物共聚而賦予上述高分子化合物。作為這樣的具有自由基聚合性的酸性基團，可以列舉如羧酸、磺酸、磷酸基等，特別優(yōu)選羧酸。作為含上述羧基的自由基聚合性化合物，沒有特別的限制，可以根據(jù)需要適當選擇，可以列舉如丙烯酸、甲基丙烯酸、衣康酸、巴豆酸、異巴豆酸、馬來酸、p-羧基苯乙烯等，其中，優(yōu)選丙烯酸、甲基丙烯酸、p-羧基苯乙烯等。它們可以l種單獨使用，也可以2種以上并用。上述羧基在粘合劑中的含量為1.04.0meq/g，優(yōu)選為1.53.0meq/g。上述含量如果不足1.0meq/g，顯影性不充分，如果超過4.0meq/g，則堿性水顯影的圖像強度容易受損。為了提高圖像強度等諸性能，本發(fā)明的高分子化合物，除了上述的自由基聚合性化合物，更優(yōu)選其它的自由基聚合性化合物進行共聚。作為上述其它的自由基聚合性化合物，可以列舉從丙烯酸酯類、甲基丙烯酸酯類、苯乙烯類等中選擇的自由基聚合性化合物等。具體地可以列舉丙烯酸垸基酯等丙烯酸酯類、丙烯酸芳基酯、甲基丙烯酸垸基酯等甲基丙烯酸酯類、甲基丙烯酸芳基酯、苯乙烯、垸基苯乙烯等苯乙烯類、烷氧基苯乙烯、卣苯乙烯等。作為上述丙烯酸酯類，優(yōu)選烷基的碳原子數(shù)120的酯類，可以列舉如丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸丙酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸戊酯、丙烯酸乙基己酯、丙烯酸辛酯、丙烯酸一t一辛酯、氯乙基丙烯酸酯、2，2—二甲基羥基丙基丙烯酸酯、5—羥基戊基丙烯酸酯、三羥甲基丙烷單丙烯酸酯、季戊四醇單丙烯酸酯、丙烯酸環(huán)氧丙基酯、芐基丙烯酸酯、甲氧基芐基丙烯酸酯、丙烯酸糠酯、丙烯酸四氫呋喃酯等。作為上述丙烯酸芳基酯，可以列舉如丙烯酸苯酯等。作為上述甲基丙烯酸酯類，優(yōu)選烷基的碳原子數(shù)120的酯類，可以列舉如甲基丙烯酸甲基酯、甲基丙烯酸乙基酯、甲基丙烯酸丙基酯、甲基丙烯酸異丙酯、甲基丙烯酸戊酯、甲基丙烯酸己酯、甲基丙烯酸環(huán)己酯、甲基丙烯酸芐基酯、甲基丙烯酸氯芐基酯、甲基丙烯酸辛酯、甲基丙烯酸4一羥基丁基酯、甲基丙烯酸5—羥基戊基酯、甲基丙烯酸2，2_二甲基一3—羥基丙基酯、三羥甲基丙垸單甲基丙烯酸酯、季戊四醇單甲基丙烯酸酯、甲基丙烯酸環(huán)氧丙基酯、甲基丙烯酸糠酯、甲基丙烯酸四氫呋喃酯等。作為上述甲基丙烯酸芳基酯，可以列舉如甲基丙烯酸苯酯、甲基丙烯酸甲酚酯、甲基丙烯酸萘基酯等。作為上述苯乙烯類，可以列舉如甲基苯乙烯、二甲基苯乙烯、三甲基苯乙烯、乙基苯乙烯、二乙基苯乙烯、異丙基苯乙烯、丁基苯乙烯、己基苯乙烯、環(huán)己基苯乙烯、癸基苯乙烯、芐基苯乙烯、氯甲基苯乙烯、三氟甲基苯乙烯、乙氧基甲基苯乙烯、乙酰氧基甲基苯乙烯等。作為上述烷氧基苯乙烯，可以列舉如甲氧基苯乙烯、4一甲氧基一3—甲基苯乙烯、二甲氧基苯乙烯等。作為上述鹵代苯乙烯，可以列舉如氯苯乙烯、二氯苯乙烯、三氯苯乙烯、四氯苯乙烯、五氯苯乙烯、溴苯乙烯、二溴苯乙烯、碘苯乙烯、氟苯乙烯、三氟苯乙烯、2—溴一4一三氟甲基苯乙烯、4一氟一3—三氟甲基苯乙烯等。這些自由基聚合性化合物可以1種單獨使用，也可以2種以上并用。作為本發(fā)明的高分子化合物合成時使用的溶劑，沒有特別的限制，可以根據(jù)需要適當選擇，可以列舉如二氯化乙烯、環(huán)己酮、丁酮、丙酮、甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、乙二醇單甲基醚、乙二醇單乙基醚、2—甲氧基乙基乙酸酯、l一甲氧基一2—丙醇、1一甲氧基一2—丙基乙酸酯、N，N—二甲基甲酰胺、N，N二甲基乙酰胺、二甲基亞砜、甲苯、醋酸乙酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯等。它們可以1種單獨使用，也可以2種以上混合使用。本發(fā)明的高分子化合物的分子量，優(yōu)選重均分子量為IO，000以上，更優(yōu)選為10，00050，000。上述重均分子量如果低于10，000，則固化膜強度不足，如果超過50，000，則顯影性趨于下降。另外，本發(fā)明的高分子化合物中也可以含未反應的單體。此時上述單體在上述高分子化合物中的含量優(yōu)選為l5質(zhì)量％以下。本發(fā)明中的高分子化合物，可以l種單獨使用，也可以2種以上混合使用。另外，也可以與其它的高分子化合物混合使用。此時，上述其它的高分子化合物在上述本發(fā)明的高分子化合物中的含量優(yōu)選為50質(zhì)量％以下，更優(yōu)選為30質(zhì)量％以下。上述粘合劑在上述感光性組合物中的固體含量優(yōu)選為580質(zhì)量%，更優(yōu)選為l070質(zhì)量％。該固體成分含量如果不足5質(zhì)量％，感光層的膜強度容易變?nèi)?，該感光層表面的粘性會變差，如果超過80質(zhì)量%，曝光感光度會下降?！酆闲曰衔镆蛔鳛樯鲜鼍酆闲曰衔?，沒有特別的限制，可以根據(jù)需要適當選擇，但優(yōu)選分子中至少具有1個可以加成聚合的基團、常壓下沸點在IO(TC以上的化合物，可以適當列舉如從具有(甲基)丙烯酸基的單體中選擇的至少1種化合物。本發(fā)明中的"聚合性化合物"不包含粘合劑中所含的聚合性化合物。作為上述具有(甲基)丙烯酸基的單體，沒有特別的限制，可以根據(jù)需要適當選擇，可以列舉如聚乙二醇單(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇單(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸苯氧基乙酯等單官能丙烯酸酯或單官能甲基丙烯酸酯；聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基乙垸三丙烯酸酯、三羥甲基丙垸三丙烯酸酯、三羥甲基丙烷二丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、己二醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(丙烯酰氧基丙基)醚、三(丙烯酰氧基乙基)三聚異氰酸酯、三(丙烯酰氧基乙基)三聚氰酸酯、(甲基)丙烯酸甘油酯、在將環(huán)氧乙烷或環(huán)氧丙烷加成反應于三羥甲基丙烷或甘油、雙酚等多官能醇類后再(甲基)丙烯酸酯化的單體、特公昭48-41708號、特公昭50-6034號、特開昭51-37193號等各公報記載的氨基甲酸酯丙烯酸酯類；特開昭48-64183號、特公昭49-43191號、特公昭52-30490號等各公報記載的聚酯丙烯酸酯類；環(huán)氧樹脂和(甲基)丙烯酸的反應生成物即環(huán)氧丙烯酸酯類等多官能丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯等。其中特別優(yōu)選為三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯。上述聚合性化合物占上述感光性組合物固體成分的固體成分含量，優(yōu)選為550質(zhì)量。％，更優(yōu)選為1040質(zhì)量％。該固體成分含量如果不足5質(zhì)量％，則會產(chǎn)生顯影性差、曝光感光度低等問題，如果超過50質(zhì)量％，則感光層的粘附性變得過強。一熱交聯(lián)劑一作為上述熱交聯(lián)劑，沒有特別的限制，可以根據(jù)需要適當選擇，為了改善使用上述感光性薄膜形成的感光層固化后的膜強度，在對顯影性等沒有不良影響的范圍內(nèi)，可以使用l分子中至少具有2個環(huán)氧乙烷基的環(huán)氧化合物、1分子中至少具有2個氧雜環(huán)丁垸基的氧雜環(huán)丁烷化合物。作為上述1分子中含至少2個環(huán)氧乙垸基的環(huán)氧化合物，可以列舉聯(lián)二甲苯酚型或聯(lián)苯酚型環(huán)氧樹脂("YX4000日本環(huán)氧樹脂公司制"等)或它們的混合物、具有三聚異氰酸酯骨架等的雜環(huán)式環(huán)氧樹脂("TEPIC;日產(chǎn)化學工業(yè)(股份)制"、"阿拉路戴特(7，少夕'一卜)PT810;汽巴精化制"等)、雙酚A型環(huán)氧樹脂、(線型)酚醛樹脂型環(huán)氧樹脂、雙酚F型環(huán)氧樹脂、氫化雙酚A型環(huán)氧樹脂、雙酚S型環(huán)氧樹脂、苯酚(線型)酚醛樹脂型環(huán)氧樹脂、甲苯酚(線型)酚醛樹脂型環(huán)氧樹脂、鹵化環(huán)氧樹脂(如低溴化環(huán)氧樹脂、高鹵化環(huán)氧樹脂、溴化苯酚(線型)酚醛樹脂型環(huán)氧樹脂等)、含烯丙基的雙酚A型環(huán)氧樹脂、三苯酚甲烷型環(huán)氧樹脂、二苯基二甲醇型環(huán)氧樹脂、苯酚聯(lián)亞苯基型環(huán)氧樹脂、二環(huán)戊二烯型環(huán)氧樹脂("HP-7200，HP7200H;大日本油墨化學工業(yè)(股份)制"等)、環(huán)氧丙胺型環(huán)氧樹脂(二氨基二苯基甲烷型環(huán)氧樹脂、二環(huán)氧丙基苯胺、三環(huán)氧丙基氨基苯酚等)環(huán)氧丙基酯型環(huán)氧樹脂(鄰苯二甲酸環(huán)氧丙基酯、己二酸二環(huán)氧丙基酯、六氫化鄰苯二甲酸二環(huán)氧丙基酯、二聚酸二環(huán)氧丙基酯等)、己內(nèi)酰脲型環(huán)氧樹脂、脂環(huán)式環(huán)氧樹脂(3，4-環(huán)氧基環(huán)己基甲基-3'，4'-環(huán)氧基環(huán)己垸羧酸酯、雙(3，4-環(huán)氧基環(huán)己基甲基)己二酸酯、雙環(huán)戊二烯二環(huán)氧化物、"GT-300、GT-400、ZEHPE3150;DAICEL化學工業(yè)制"等)、(酰)亞胺型脂環(huán)式環(huán)氧樹脂、三羥基苯基甲烷型環(huán)氧樹脂、雙酚A(線型)酚醛樹脂型環(huán)氧樹脂、四苯酚基乙烷型環(huán)氧樹脂、鄰苯二甲酸環(huán)氧丙酯樹脂、四環(huán)氧丙基二甲苯酚基乙垸樹脂、含萘基的環(huán)氧樹脂(萘酚芳烷基型環(huán)氧樹脂、萘酚(線型)酚醛樹脂型環(huán)氧樹脂、4官能萘型環(huán)氧樹脂、市售品有"ESN-190，ESN-360;新日鐵化學(股份)制"、"HP-4032、EXA陽4750，EXA-4700;大日本油墨化學工業(yè)(股份)制"等)、苯酚化合物和二乙烯基苯或雙環(huán)戊二烯等二烯烴化合物進行加成反應所得聚苯酚化合物與表氯醇的反應物、用過乙酸等將4-乙烯基環(huán)己烯-1-氧化物的開環(huán)聚合物環(huán)氧化所得的反應物、具有線狀含磷結(jié)構(gòu)的環(huán)氧樹脂、具有環(huán)狀含磷結(jié)構(gòu)的環(huán)氧樹脂、oc-甲基-l，2-二苯乙烯型液晶環(huán)氧樹脂、二苯甲?；醮叫鸵壕Лh(huán)氧樹脂、苯偶氮型液晶環(huán)氧樹脂、甲亞胺苯基型液晶環(huán)氧樹脂、聯(lián)萘型液晶環(huán)氧樹脂、吖嗪型環(huán)氧樹脂、甲基丙烯酸環(huán)氧丙基酯共聚合類環(huán)氧樹脂("CP-50S,CP-50M;日本油脂(股份)制"等)、環(huán)己基馬來酰亞胺和甲基丙烯酸環(huán)氧丙基酯共聚合環(huán)氧樹脂、雙(環(huán)氧丙基氧代苯基)芴型環(huán)氧樹脂、雙(環(huán)氧丙基氧代苯基)金剛烷型環(huán)氧樹脂等，但并不限于這些物質(zhì)。這些環(huán)氧樹脂，可以1種單獨使用，也可以2種以上并用。另外，除了1分子中具有至少2個環(huán)氧乙烷基的上述環(huán)氧化合物以外，可以使用1分子中至少具有2個p位含烷基的環(huán)氧基的環(huán)氧化合物、特別優(yōu)選含(3位被烷基取代的環(huán)氧基(更具體地講是指p-烷基取代環(huán)氧丙基等)的化合物。上述至少含P位具有烷基的環(huán)氧基的環(huán)氧化合物，1分子中所含2個以上環(huán)氧基可以全部是P-烷基取代環(huán)氧丙基，也可以是至少1個環(huán)氧基為P-烷基取代環(huán)氧丙基。上述含P位具有烷基的環(huán)氧基的環(huán)氧化合物，從室溫下保存穩(wěn)定性的觀點考慮，對于上述感光性組合物中所含全部上述環(huán)氧化合物，全部環(huán)氧基中P-烷基取代環(huán)氧丙基所占比例優(yōu)選為30%以上，更優(yōu)選為40%以上，特別優(yōu)選為50%以上。作為上述l3-烷基取代環(huán)氧丙基，沒有特別的限制，可以根據(jù)需要適當進行選擇，可以列舉p-甲基環(huán)氧丙基、P-乙基環(huán)氧丙基、P-丙基環(huán)氧丙基、P-丁基環(huán)氧丙基等，從提高上述感光性樹脂組合物的保存穩(wěn)定性的觀點和合成容易性的觀點考慮，其中優(yōu)選為p-甲基環(huán)氧丙基。作為上述含P位具有垸基的環(huán)氧基的環(huán)氧化合物，優(yōu)選為由多價苯酚化合物和(3-烷基環(huán)氧鹵丙烷衍生的環(huán)氧化合物。作為上述P-烷基環(huán)氧鹵丙烷，沒有特別的限制，可以根據(jù)需要進行適當?shù)倪x擇，可以列舉(3-甲基環(huán)氧氯丙烷、P-甲基環(huán)氧溴丙烷、(3-甲基環(huán)氧氟丙烷等p-甲基環(huán)氧鹵丙垸；P-乙基環(huán)氧氯丙烷、P-乙基環(huán)氧溴丙烷、(3-乙基環(huán)氧氟丙烷等P-乙基環(huán)氧鹵丙垸；P-丙基環(huán)氧氯丙烷、P-丙基環(huán)氧溴丙烷、(3-丙基環(huán)氧氟丙垸等p-丙基環(huán)氧鹵丙烷；(3-丁基環(huán)氧氯丙烷、P-丁基環(huán)氧溴丙垸、(3-丁基環(huán)氧氟丙烷等p-丁基環(huán)氧鹵丙烷等。從與上述多價苯酚的反應性和流動性的觀點考慮，其中優(yōu)選為p-甲基環(huán)氧鹵丙烷。作為上述多價苯酚化合物，只要是1分子中含2個以上芳香族羥基的化合物，則沒有特別的限制，可以根據(jù)需要進行適當選擇，可以列舉雙酚A、雙酚F、雙酚S等雙酚化合物、聯(lián)苯酚、四甲基聯(lián)苯酚等聯(lián)苯酚化合物、二羥基萘、聯(lián)萘酚等萘酚化合物、苯酚-甲醛縮聚物等苯酚(線型)酚醛樹脂、甲酚-甲醛縮聚物等碳原子數(shù)110的單烷基取代苯酚-甲醛縮聚物、二甲苯酚-甲醛縮聚物等碳原子數(shù)110的二垸基取代苯酚-甲醛縮聚物、雙酚A-甲醛縮聚物等雙苯酚化合物-甲醛縮聚物、苯酚和碳原子數(shù)110的單烷基取代苯酚與甲醛的縮聚物、苯酚化合物和二乙烯基苯的加聚物等。其中，為了提高流動性和保存穩(wěn)定性，優(yōu)選為上述雙苯酚化合物。作為上述含P位具有烷基的環(huán)氧基的環(huán)氧化合物，可以列舉雙酚A的二-(3-烷基環(huán)氧丙基醚、雙酚F的二-p-垸基環(huán)氧丙基醚、雙酚S的二-P-垸基環(huán)氧丙基醚等雙苯酚化合物的二-P-垸基環(huán)氧丙基醚；雙苯酚的二-(3-烷基環(huán)氧丙基醚、四甲基聯(lián)苯酚的二-p-烷基環(huán)氧丙基醚等聯(lián)苯酚化合物的二-卩-烷基環(huán)氧丙基醚、；二羥基萘的二-p-垸基環(huán)氧丙基醚、萘酚的二-P-燒基環(huán)氧丙基醚等萘酚化合物的P-垸基環(huán)氧丙基醚；苯酚-甲醛縮聚物的聚-(3-烷基環(huán)氧丙基醚；甲酚-甲醛縮聚物的聚-P-垸基環(huán)氧丙基醚等碳原子數(shù)110的單烷基取代苯酚-甲醛縮聚物的聚-p-烷基環(huán)氧丙基醚；二甲苯酚-甲醛縮聚物的聚-p-烷基環(huán)氧丙基醚等碳原子數(shù)110的二烷基取代苯酚-甲醛縮聚物的聚-p-烷基環(huán)氧丙基醚；雙酚A-甲醛縮聚物的聚-j3-垸基環(huán)氧丙基醚等雙苯酚化合物-甲醛縮聚物的聚-(3-垸基環(huán)氧丙基醚；苯酚化合物和二乙烯基苯的加聚物的聚-p-烷基環(huán)氧丙基醚等。其中優(yōu)選下述結(jié)構(gòu)式(iii)所示雙苯酚化合物以及由它們和環(huán)氧氯丙烷等所得聚合物衍生的P-垸基環(huán)氧丙基醚、下述結(jié)構(gòu)式(iv)所示苯酚化合物-甲醛縮聚物的聚-(3-垸基環(huán)氧丙基醚。[化32]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage66</formula>結(jié)構(gòu)式(iii)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage66</formula>結(jié)構(gòu)式(iv)上述結(jié)構(gòu)式(iii)中，R表示氫原子和碳原子1~6的烷基的任何一種，n表示0~20的整數(shù)。上述結(jié)構(gòu)式(iv)中R表示氫原子和碳原子16的垸基的任何一種，R〃表示氫原子和CH3的任何一種，n表示020的整數(shù)。這些含I3位具有垸基的環(huán)氧基的環(huán)氧化合物，可以1種單獨使用，也可以2種以上并用。另外，也可以并用l分子中至少含有2個環(huán)氧乙烷環(huán)的環(huán)氧化合物和含P位具有烷基的環(huán)氧基的環(huán)氧化合物作為上述環(huán)氧化合物的骨架，優(yōu)選從雙苯酚型環(huán)氧樹脂、苯酚(線型)酚醛樹脂型環(huán)氧樹脂、含脂環(huán)基的環(huán)氧樹脂、以及難溶性環(huán)氧樹脂中選擇的至少1種樹脂。作為上述氧雜環(huán)丁焼化合物，可以列舉如雙[(3-甲基-3-氧雜環(huán)丁烷基甲氧基)甲基]醚、雙[(3-乙基-3-氧雜環(huán)丁垸基甲氧基)甲基]醚、1，4-二[(3-甲基-3-氧雜環(huán)丁烷基甲氧基)甲基]苯、1，4-二[(3-乙基-3-氧雜環(huán)丁烷基甲氧基)甲基]苯、(3-甲基-3-氧雜環(huán)丁垸基)甲基丙烯酸酯、(3-乙基-3-氧雜環(huán)丁烷基)甲基丙烯酸酯、(3-甲基-3-氧雜環(huán)丁烷基)甲基甲基丙烯酸酯、(3-乙基-3-氧雜環(huán)丁烷基)甲基甲基丙烯酸酯、還有除了它們的低聚物或共聚物等多官能氧雜環(huán)丁烷類外，具有氧雜環(huán)丁烷基的化合物與(線型)酚醛樹脂、聚(p-羥基苯乙烯)、卡爾多(力》K)型雙苯酚類、杯(Calix，力！J:y夕7)芳烴類、杯(Calix，力U、_y夕7)間苯二酚芳烴類、倍半硅氧垸(Silsesquioxane，、乂》ir7年才年廿y)等具有羥基的樹脂的醚化合物，其它還可以列舉具有氧雜環(huán)丁烷環(huán)的不飽和單體與(甲基)丙烯酸垸基酯的共聚物等。為了促進上述環(huán)氧化合物或上述氧雜環(huán)丁烷化合物的熱固化，可以使用如胺化合物(如雙氰胺、芐基二甲基胺、4-(二甲基氨基)-N，N-二甲基芐基胺、4-甲氧基-N，N-二甲基芐基胺、4-甲基-N，N-二甲基芐基胺等)、季銨鹽化合物(如三乙基芐基銨氯化物等)、嵌段異氰酸酯化合物(如二甲基胺等)、咪唑衍生物二環(huán)式脒化合物及其鹽(如咪唑、2-甲基咪唑、2-乙基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基咪唑、4-苯基咪唑、1-氰基乙基-2-苯基咪唑、1-(2-氰基乙基)-2-乙基-4-甲基咪唑等)、磷化合物(如三苯基膦等、鳥糞胺化合物(如三聚氰胺、鳥糞胺、甲基胍胺、苯并鳥糞胺等)、S-三嗪衍生物(如2，4-二氨基-6-甲基丙烯酰氧基乙基-S-三嗪、2-乙烯基-2，4-二氨基-S-三嗪、2-乙烯基-4，6-二氨基-S-三嗪三聚異氰酸加成物、2，4-二氨基-6-甲基丙烯酰氧基乙基-S-三嗪*三聚異氰酸加成物等)等。它們可以l種單獨使用，也可以2種以上并用。只要是上述環(huán)氧樹脂化合物或上述氧雜環(huán)丁烷化合物的固化催化劑，或可以促進它們與羧基的反應的物質(zhì)，則沒有特別的限制，也可以使用上述以外的能促進熱固化的化合物。上述環(huán)氧化合物、上述氧雜環(huán)丁烷化合物、以及可以促進它們與羧酸的熱固化的化合物占上述感光性組合物固體成分的固體含量通常為0.01-15質(zhì)量％。另外，作為上述熱交聯(lián)劑，可以使用特開平5-9407號公報所述的聚異氰酸酯化合物，該聚異氰酸酯化合物可以由至少含2個異氰酸酯基的脂肪族、脂環(huán)族或芳香族基取代脂肪族化合物衍生而來。具體地可以列舉2官能異氰酸酯(如1，3-亞苯基二異氰酸酯和1，4-亞苯基二異氰酸酯的混合物、2，4和2，6-甲苯二異氰酸酯、1，3-和l，4-亞二甲苯基二異氰酸酯、雙(4-異氰酸酯苯基)甲烷、雙(4-異氰酸酯環(huán)己基)甲烷、異氟爾酮二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、三甲基六亞甲基二異氰酸酯等)、該2官能異氰酸酯與三羥甲基丙垸、季戊四醇、甘油等的多官能醇類；該多官能醇類的亞烷基氧化物加成物與上述2官能異氰酸酯的加成物；六亞甲基二異氰酸酯、六亞甲基-1，6-二異氰酸酯及其衍生物等的環(huán)式三聚體；等節(jié)還有，為了提高本發(fā)明的感光性薄膜的保存性，可以使用封端劑與上述聚異氰酸酯及其衍生物的異氰酸酯基反應所得化合物。作為異氰酸酯基封端劑，可以列舉醇類(如異丙醇、tert-丁醇等)、內(nèi)酰胺類(如s-己內(nèi)酰胺等)、苯酚類(如苯酚、甲酚、p-tert-丁基苯酚、p-sec-丁基苯酚、p-sec-戊基苯酚、p-辛基苯酚、p-壬基苯酚等)、雜環(huán)式羥基化合物(如3-羥基吡啶、8-羥基喹啉等)、活性亞甲基化合物(如二烷基丙二酸酯、甲基乙基酮躬、乙?；?、烷基乙酰醋酸酯躬、丙酮后、環(huán)己酮肟等)等。除此以外，還可以使用特開平6-295060號公報所述的分子內(nèi)具有至少一個可以聚合的雙鍵和至少1個封端異氰酸酯基中的任何一個基團的化合物等。作為上述熱交聯(lián)劑，可以使用三聚氰胺衍生物。作為該三聚氰胺衍生物，可以列舉如羥甲基三聚氰胺、垸基化羥甲基三聚氰胺(用甲基、乙基、丁基等將羥甲基醚化的化合物)等。它們可以l種單獨使用，也可以2種以上并用。其中，從保存穩(wěn)定性良好，有效提高感光層的表面硬度或固化膜的膜強度考慮，優(yōu)選為烷基化羥甲基三聚氰胺，特別優(yōu)選為六甲基化羥甲基三聚氰胺。上述感光性組合物固體成分中上述熱交聯(lián)劑的固體含量優(yōu)選為1~50質(zhì)量％，更優(yōu)選為3~30質(zhì)量％。該固體含量如果不滿1質(zhì)量％，則不能提高固化膜的膜強度，如果超過50質(zhì)量％，則顯影性或曝光感光度會下降。一其它成分一作為上述其它成分，可以列舉阻熱聚劑、增塑劑、著色劑(著色顏料或染料)、填充顏料等。還可以與對基材表面的附著促進劑以及其它助劑(如導電性粒子、填充劑、消泡劑、阻燃劑、流平劑、剝離促進劑、防氧化劑、香料、表面張力調(diào)節(jié)劑、鏈轉(zhuǎn)移劑等)并用。通過適當含有這些成分，可以調(diào)整最終感光膜的穩(wěn)定性、照相性、膜物性等性質(zhì)。-阻熱聚劑一為了防止上述感光層中的上述聚合性化合物的熱聚合或經(jīng)時聚合，可以添加上述阻熱聚劑。作為上述阻熱聚劑，可以列舉如4-甲氧基苯酚、氫醌、烷基或芳基取代氫醌、t-丁基兒茶酚、鄰苯三酚、2-羥基二苯甲酮、4-甲氧基-2-羥基二苯甲酮、氯化亞銅、吩噻嗪、四氯醌、萘胺、P-萘酚、2，6-二-t-丁基-4-甲酚、2，2'-亞甲基雙(4-甲基-6-1-丁基苯酚)、吡啶、硝基苯、二硝基苯、苦味酸、4-甲苯胺、亞甲基藍、銅與有機螯合劑反應物、水楊酸甲酯、以及吩噻嗪、亞硝基化合物、亞硝基化合物和Al的螯合物等。作為上述阻熱聚劑的含量，優(yōu)選相對于上述感光層中上述聚合性化合物為0.0015質(zhì)量％，更優(yōu)選0.0052質(zhì)量％，特別優(yōu)選0.011質(zhì)量%。上述含量如果不足0.001質(zhì)量l保存時的穩(wěn)定性會下降，如果超過5質(zhì)量％，對活性能量射線的感光度會下降。一增塑劑一為了調(diào)節(jié)上述感光層的膜的物性(可撓性)，可以添加上述增塑劑。作為上述增塑劑，可以列舉如鄰苯二甲酸二甲酯、鄰苯二甲酸二丁酯、鄰苯二甲酸二異丁酯、鄰苯二甲酸二庚酯、鄰苯二甲酸二辛酯、鄰苯二甲酸二環(huán)己酯、鄰苯二甲酸二(十三垸基)酯、鄰苯二甲酸丁苯酯、鄰苯二甲酸二異癸酯、鄰苯二甲酸二苯基酯、鄰苯二甲酸二烯丙酯、鄰苯二甲酸辛癸酯等鄰苯二甲酸酯類；三乙二醇二乙酸酯、四乙二醇二乙酸酯、二甲基葡萄糖鄰苯二甲酸酯、乙基鄰苯二甲酰乙基乙醇酸酯、甲基鄰苯二甲酰乙基乙醇酸酯、丁基鄰苯二甲酰丁基乙醇酸酯、三乙二醇二癸酸酯等二醇酯類；三甲酚磷酸酯、三苯基磷酸酯等磷酸酯類；4-甲苯磺酰胺、苯砜酰胺、N-n-丁基苯砜酰胺、N-n-丁基乙酰胺等酰胺類；己二酸二異丁酯、己二酸二辛酯、癸二酸二甲酯、癸二酸二丁酯、癸二酸二辛酯、壬二酸二辛酯、馬來酸二丁酯等脂肪族二元酸酯類；檸檬酸三乙酯、檸檬酸三丁酯、甘油三乙酰酯、十二烷酸丁酯、4，5-二環(huán)氧基環(huán)己垸-1，2-二羧酸二辛酯等、聚乙二醇、聚丙二醇等二醇類。上述增塑劑的含量，優(yōu)選占上述感光層的全部成分的O.150質(zhì)量％，更優(yōu)選占O.540質(zhì)量％，特別優(yōu)選占130質(zhì)量％。一著色顏料一作為上述著色顏料，沒有特別的限制，可以根據(jù)需要適當選擇，可以列舉如維多利亞純藍BO(C.1.42595)、(堿性)槐黃(C.1.41000)、脂溶(fat)黑朋(C.I.26150)、莫諾賴特黃-GT(C.1.顏料黃-12)、永久黃-GR(C.I.顏料黃-17)、永久黃-服(C.I.顏料黃-83)、永久胭脂紅FBB(C.I.顏料紅-146)、廣告畫顏料紅ESB(C.I.顏料紫19)、永久紅寶石-FBH(C.I.顏料紅ll)、法斯特爾粉紅B蘇普拉(C.I.顏料紅81)、莫納斯特拉爾堅牢藍(C.I.顏料藍-15)、莫納斯特拉爾堅牢黑B(C.I.顏料黑1)、碳黑、C.I.顏料紅97、C.I.顏料紅122、C.I.顏料紅149、C.I.顏料紅168、C.L顏料紅177、C.I.顏料紅180、C.I.顏料紅192、C.I.顏料紅215、C.I.顏料綠7、C.1.顏料綠36、C.L顏料藍15:1、C.1.顏料藍15:4、C.I.顏料藍15:6、C.L顏料藍22、C.I.顏料藍60、C.L顏料藍64等。這些可以l種單獨使用，也可以2種以上并用。另外，根據(jù)需要，可以使用從已知的染料中適當選擇的染料。上述著色顏料在上述感光性組合物固體成分中的固體含量，可以根據(jù)形成永久圖案時感光層的曝光感光度、解像性等決定，根據(jù)上述著色顏料的種類而有所不同，一般優(yōu)選為0.0110質(zhì)量％，尤其優(yōu)選0.055質(zhì)—i充顏料一在上述感光性組合物中，必要時為了提高永久圖案的表面硬度、或控制成低的線膨脹系數(shù)、或控制成固化膜自身低的介電常數(shù)及電解質(zhì)損耗角正切，可以添加無機顏料或有機微粒子。作為上述無機顏料，沒有特別的限制，可以從已知的物質(zhì)中適當選擇，可以列舉如高嶺土、硫酸鋇、鈦酸鋇、氧化硅粉、微粉狀氧化硅、氣相法二氧化硅、無定形二氧化硅、結(jié)晶性二氧化硅、溶融二氧化硅、球形二氧化硅、滑石粉、粘土、碳酸鎂、碳酸鈣、氧化鋁、氫氧化鋁、云母等。上述無機顏料的平均粒徑優(yōu)選小于10,，更優(yōu)選為3i_un以下。該平均粒徑如果在10pm以上，則由于光彌射會使分辨率變差。作為上述有機微粒子，沒有特別的限制，可以根據(jù)需要適當選擇，可以列舉如三聚氰胺樹脂、苯并鳥糞胺樹脂、交聯(lián)聚苯乙烯樹脂等。另外，可以使用平均粒徑0.015(im、吸油量100200m7g左右的二氧化硅、由交聯(lián)樹脂構(gòu)成的球形多孔質(zhì)微粒子等。上述體質(zhì)顏料的添加量，優(yōu)選為160質(zhì)量％。該添加量如果不足l質(zhì)量％，則不能充分降低線膨脹系數(shù)，如果超過60質(zhì)量％，則在感光層表面形成固化膜時，該固化膜的膜質(zhì)變脆，使用永久圖案形成布線時，作為布線保護薄膜的功能會受到損壞。一粘合促進劑一為了提高各層間的附著力，或上述感光層與基體之間的附著力，各層可以使用已知的所謂粘合促進劑。作為上述粘合促進劑，可以適當列舉如特開平5-11439號公報、特開平5-341532號公報及特開平6-43638號公報等記載的粘合促進劑。具體地講，可以列舉苯并咪唑、苯并噁唑、苯并噻唑、2-巰基苯并咪唑、2-巰基苯并噁唑、2-巰基苯并噻唑、3-嗎啉代甲基-l-苯基-三唑-2-硫酮、3-嗎啉代甲基-5-苯基-噁二唑-2-硫酮、5-氨基-3-嗎啉代甲基-噻二唑-2-硫酮及2-巰基-5-甲硫基-噻二唑、三唑、四唑、苯并三唑、羧基苯并三唑、含氮基的苯并三唑、硅烷偶合劑等。作為上述粘合促進劑的含量，優(yōu)選相對于上述感光層的全部成分為0.001質(zhì)量％20質(zhì)量％，更優(yōu)選0.0110質(zhì)量％，特別優(yōu)選0.1質(zhì)量％5質(zhì)量％。(感光性薄膜)作為本發(fā)明的感光性薄膜，優(yōu)選至少具有支撐體和該支撐體上形成的由上述本發(fā)明的感光性組合物而成的感光層，根據(jù)需要具有合適的熱塑性樹脂層等其它的層。而關(guān)于感光層，則如前所述?！粗误w和保護膜〉作為上述支撐體，沒有特別的限制，可以根據(jù)需要適當選擇，但優(yōu)選可以剝離上述感光層、而且光的透過性良好的支撐體，更優(yōu)選表面的流平性良好的支撐體。作為上述支撐體和保護膜，具體地特開2005-258431號公報的有記載。<其它層>作為上述感光性薄膜中其它的層，沒有特別的限制，可以根據(jù)需要適當選擇，可以具有緩沖層、氧隔斷層(PC層)、剝離層、粘合層、光吸收層、表面保護層等層?？梢詥为毦哂羞@些層中的1種，也可以同時具有2層以上。另外，上述感光層上還可以具有保護膜?！彌_層——作為上述緩沖層沒有特別的限制，可以根據(jù)需要適當選擇，對堿性液可以呈溶脹性或可溶性，也可以為不溶性。上述緩沖層對堿性液呈溶脹性或可溶性時，作為上述熱塑性樹脂，可以列舉如乙烯與丙烯酸酯共聚物的皂化物、苯乙烯與(甲基)丙烯酸酯共聚物的皂化物、乙烯基甲苯與(甲基)丙烯酸酯共聚物的皂化物、聚(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸丁酯與醋酸乙烯酯等的(甲基)丙烯酸酯共聚物等的皂化物、(甲基)丙烯酸酯與(甲基)丙烯酸的共聚物、苯乙烯與(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸的共聚物等。這種情況下的熱塑性樹脂的軟化點(Vicat)沒有特別的限制，可以根據(jù)需要適當選擇，例如優(yōu)選為8(TC以下。作為上述軟化點在8(TC以下的熱塑性樹脂，除了上述的熱塑性樹脂外，可以列舉"塑料性能手冊"(日本塑料工業(yè)聯(lián)盟，全日本塑料成形工業(yè)聯(lián)合會編著，工業(yè)調(diào)查會發(fā)行，1968年10月25日發(fā)行)中軟化點80t;以下的有機高分子中的可溶于堿性液的物質(zhì)。另外，對于軟化點8(TC以上的高分子物質(zhì)，通過向該有機高分子物質(zhì)中添加與該有機高分子物質(zhì)具有相容性的各種增塑劑，可使實際的軟化點降至8(TC以下。另外，上述緩沖層對堿性液呈溶脹性或可溶性的情況下，作為上述感光性薄膜的層間粘接力，沒有特別的限制，可以根據(jù)需要適當選擇，例如，各層的層間粘接力中，上述支撐體與上述緩沖層之間的層間粘接力優(yōu)選為最小。通過設定這樣的層間粘接力，可以只將上述支撐體從上述感光膜剝離，并隔著上述緩沖層使上述感光層曝光，然后使用堿性顯影液使該感光層顯影。還可以在保留上述支撐體的狀態(tài)下將上述感光層曝光后，只將上述支撐體從上述感光膜剝離，使用堿性顯影液使該感光層顯影。作為上述層間粘接力的調(diào)整方法沒有特別的限制，可以根據(jù)需要適當選擇，可以列舉如向上述熱塑性樹脂中添加已知的聚合物、過冷卻物質(zhì)、粘附改性劑、表面活性劑、脫模劑等的方法。作為上述增塑劑沒有特別的限制，可以根據(jù)需要適當選擇，可以列舉如聚丙二醇、聚乙二醇、鄰苯二甲酸二辛酯、鄰苯二甲酸二庚酯、鄰苯二甲酸二丁酯、磷酸三甲苯酯、磷酸甲苯基二苯酯、磷酸聯(lián)苯基二苯酯等醇類或酯類；甲苯磺酰胺等酰胺類等。上述緩沖層對堿性液呈不溶性的情況下，作為上述熱塑性樹脂，可以列舉如主成分為以乙烯為必要共聚合成分的共聚物的樹脂。作為上述以乙烯為必要的共聚合成分的共聚物，沒有特別的限制，可以根據(jù)需要適當選擇，可以列舉如乙烯-醋酸乙烯酯共聚物(EVA)，乙烯-丙烯酸乙酯共聚物(EEA)等。上述緩沖層對堿性液呈不溶性的情況下，作為上述感光膜的層間粘接力，沒有特別的限制，可以根據(jù)需要適當選擇，例如各層的層間粘接力中，上述感光層與上述緩沖層的粘接力優(yōu)選為最小。通過設定這樣的層間粘接力，可以從上述感光膜剝離上述支撐體和緩沖層，使上述感光層曝光后使用堿性顯影液使該感光層顯影。還可以在保留上述支撐體的狀態(tài)下使上述感光層曝光后，將上述支撐體和上述緩沖層從上述感光膜剝離，使用堿性顯影液使該感光層顯影。作為上述層間粘接力的調(diào)整方法沒有特別的限制，可以根據(jù)需要適當選擇，可以列舉如向上述熱塑性樹脂中添加各種聚合物、過冷卻物質(zhì)、粘附改性劑、表面活性劑、脫模劑等的方法、以下說明的調(diào)整乙烯共聚比的方法等。上述以乙烯為必須的共聚成分的共聚物中乙烯的共聚合比，沒有特別的限制，可以根據(jù)需要適當選擇，例如優(yōu)選為6090質(zhì)量％，更優(yōu)選為6080質(zhì)量％，特別優(yōu)選為6580質(zhì)量％。上述乙烯的共聚合比如果不足60質(zhì)量％，上述緩沖層與上述感光層的層間粘接力會變高，該緩沖層與該感光層的界面處難以剝離，如果超過90質(zhì)量％，則由于上述緩沖層與上述感光層的層間粘接力變得過小，使該緩沖層與該感光層之間非常容易剝離，使含上述緩沖層的感光性薄膜的制造變得困難。上述緩沖層的厚度沒有特別的限制，可以根據(jù)需要適當選擇，例如優(yōu)選為550pm，更優(yōu)選為1050^im，特別優(yōu)選為1540|im。上述厚度如果不足5pm，則對基體表面的凹凸或氣泡等的凹凸追隨性下降，不能形成高精度的永久圖案，如果超過50pm，則會產(chǎn)生制造時干燥負載增大等不便。一隔氧層(PC層)一上述隔氧層通常優(yōu)選以聚乙烯醇作為主成分而形成，優(yōu)選為厚度0.55(im左右的被膜。[感光性薄膜的制造方法]上述感光性薄膜可以用如下方法制造。首先將上述感光性組合物所含材料溶解、乳化或分散于水或溶劑，調(diào)制感光性薄膜用感光性組合物溶液。作為上述溶劑沒有特別的限制，可以根據(jù)需要適當選擇，可以列舉如甲醇、乙醇、n-丙醇、異丙醇、n-丁醇、sec-丁醇、n-己醇等醇類；丙酮、丁酮、甲基異丁基酮、環(huán)己酮、二異丁基酮等酮類；醋酸乙酯、醋酸丁酯、醋酸-n-戊酯、硫酸甲酯、丙酸乙酯、鄰苯二甲酸二甲酯、安息香酸乙酯及乙酸甲氧基丙酯等酯類；甲苯、二甲苯、苯、乙基苯等芳香烴類；四氯化碳、三氯乙烯、氯仿、1，1，l-三氯乙烷、二氯甲垸、單氯苯等鹵化烴類;四氫呋喃、二乙醚、乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚、l-甲氧基-2-丙醇等醚類；二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、二甲亞砜、環(huán)丁砜等。它們可以l種單獨使用，也可以2種以上并用。另外還可以添加已知的表面活性劑。接著可以在上述支撐體上涂敷上述感光性組合物溶液，使其干燥形成感光層，制造感光性薄膜。作為上述感光性組合物溶液的涂敷方法，沒有特別的限制，可以根據(jù)需要適當選擇，可以列舉如噴霧法、輥涂法、旋轉(zhuǎn)涂敷法、狹縫涂敷法、擠出涂敷法、簾式淋涂法、模涂法、凹版涂敷法、金屬棒涂敷法、刮涂法等各種涂敷方法。作為上述干燥的條件，根據(jù)各成分、溶劑的種類、使用比例等有所不同，通常在60110。C的溫度下干燥30秒15分鐘左右。上述感光性薄膜，優(yōu)選用圓筒狀的巻芯巻取，以長條狀巻成輥狀保管。上述長條狀感光性薄膜的長度沒有特別的限制，可以在1020，OOOm的范圍適當選擇。另外，為了便于用戶使用，可以實施切割加工，將1001，OOOm范圍的長條體巻成輥狀。這種情況下，優(yōu)選將上述支撐體巻在最外側(cè)。另外，可以將上述輥狀感光性薄膜切成片狀。保管時，從端面的保護、防止熔邊(edgefUsion)的觀點考慮，優(yōu)選在端面設置分離器(separator,特別是防濕性的和放入干燥劑的分離器)，包裝也優(yōu)選使用透濕性低的素材。(感光性層疊體)上述感光性層疊體，基體上至少具有上述感光層，根據(jù)需要，層疊適當選擇的其它的層。<基體>上述基體是形成感光層的被處理基體、或至少是本發(fā)明的感光性薄膜的感光層被轉(zhuǎn)印的被轉(zhuǎn)印體，沒有特別的限制，可以根據(jù)需要適當選擇，例如可以從表面流平性高的基體到表面具有凹凸的基體任意選擇。優(yōu)選板狀的基體，使用所謂的基板。具體地可以列舉公知印刷布線板制造用的基板(印制電路板)、玻璃板(鈉鈣玻璃板等)、合成樹脂性薄膜、紙、金屬板等。作為上述感光性層疊體的制造方法，可以列舉第1實施方式的將上述感光性組合物涂布于上述基體表面并干燥的方法，第2實施方式的至少對本發(fā)明的感光性薄膜中的感光層邊進行加熱和加壓的至少任何一種邊轉(zhuǎn)印層疊的方法。上述第1實施方式的感光性層疊體的制造方法，是在上述基體上涂敷上述感光性組合物并干燥，形成感光層。作為上述涂敷和干燥的方法，沒有特別的限制，可以根據(jù)需要適當選擇，可以列舉如將上述感光性組合物溶解于水或溶劑，使其乳化或分散調(diào)制成感光性組合物溶液，將該溶液直接涂布在上述基體的表面、干燥進行層疊的方法。作為上述感光性組合物溶液的溶劑，沒有特別的限制，可以根據(jù)需要適當選擇，可以列舉與用于上述感光性薄膜的溶劑相同的溶劑。這些溶劑可以l種單獨使用，也可以2種以上并用。另外也可以添加公知的表面活性劑。作為上述涂布方法和干燥條件，沒有特別的限制，可以根據(jù)需要適當選擇，可以在與用于上述感光性薄膜相同的方法和條件下進行。上述第2實施方式的感光性層疊體的制造方法，是將本發(fā)明的感光性薄膜邊進行加熱和加壓的至少任何一種邊層疊于上述基體的表面。上述感光性薄膜具有上述保護薄膜的情況下，優(yōu)選剝離該保護膜，使上述感光層盡量與上述基體重合而層疊的方法。上述加熱溫度沒有特別的限制，可以根據(jù)需要適當選擇，優(yōu)選為15~180°C，尤其優(yōu)選為60140°C。上述加壓的壓力沒有特別的限制，可以根據(jù)需要適當選擇，例如優(yōu)選為0.11.0MPa、尤其優(yōu)選為0.20.8MPa。作為進行上述加熱及加壓中的至少一種的裝置，沒有特別的限制，可以根據(jù)需要適當選擇，可以適當列舉如層壓機(如大成層壓機公司制VP-II、尼其古門特(二于3—乇一卜y)(股份)制VP130)等。為了使用上述本發(fā)明的感光性組合物可以形成感光度良好、且生保存性優(yōu)良、高精度的永久圖案，本發(fā)明的感光性薄膜和上述感光性層疊體可以適當用于保護膜、層間絕緣膜、以及抗焊劑圖案等永久圖案等各種圖案的形成、濾色器、柱材、肋材、墊片(spacer)、隔板等液晶結(jié)構(gòu)構(gòu)件的制造、全息圖、微電機、校樣等的永久圖案的形成，特別是可以適用于印制電路板的永久圖案的形成。特別是由于本發(fā)明的感光性薄膜的厚度均一，在形成永久圖案時，即使將永久圖案(保護膜、層間絕緣膜、抗焊劑等)薄層化，高加速度試驗(HAST)時也不發(fā)生離子遷移，可以得到耐熱性、耐濕性優(yōu)良的高精細的永久圖案，因此可以更精細地向基材層疊。(圖案形成裝置及永久圖案的形成方法)本發(fā)明的圖案形成裝置具備上述感光層，至少具有光照射機構(gòu)和光調(diào)制機構(gòu)。本發(fā)明的永久圖案形成方法至少包含曝光工序，包含適當選擇的顯影工序等其它工序。另外，本發(fā)明的上述圖案形成裝置，通過本發(fā)明的上述永久圖案形成方法的說明，會更加清楚。<曝光工序>上述曝光工序是對本發(fā)明的感光性薄膜中的感光層進行曝光的工序。本發(fā)明的上述感光性薄膜和基材的材料，如上所述。作為上述曝光的對象，只要是上述感光性薄膜的感光層則沒有特別的限制，可以根據(jù)需要適當選擇，如上述，優(yōu)選對層疊體進行曝光，所述層疊體是邊對感光性薄膜進行加熱和加壓中的至少一種邊將其層疊于基材上形成的。作為上述曝光沒有特別的限制，可以根據(jù)需要適當選擇，可以列舉數(shù)碼曝光、模擬曝光等，其中優(yōu)選為數(shù)碼曝光。作為上述數(shù)碼曝光，沒有特別的限制，可以根據(jù)需要適當選擇，優(yōu)選根據(jù)形成的圖案的形成信息生成控制信號，使用根據(jù)該控制信號調(diào)制的光進行曝光，對于上述感光層，優(yōu)選為如下的曝光。艮P，使用具有光照射機構(gòu)、和光調(diào)制機構(gòu)的曝光頭進行如下的操作，所述光調(diào)制機構(gòu)具有接受并射出源于上述光照射機構(gòu)的光的n個(n為2以上的自然數(shù))呈二維形狀排列的描素部，并可以根據(jù)圖案信息對上述描素部進行控制，所述曝光頭被配置成相對于該曝光頭的掃描方向，上述描素部的列方向呈規(guī)定的設定傾斜角度e。上述的操作如下對于上述曝光頭，利用使用描素部指定機構(gòu)，在可以使用的上述描素部中指定用于N重曝光(N為2以上的自然數(shù))的上述描素部，并對于上述曝光頭，利用描素部控制機構(gòu)控制上述描素部，以只使上述使用描素部指定機構(gòu)所指定的上述描素部參與曝光，對于上述感光層，使上述曝光頭在掃描方向上相對移動而進行曝光。本發(fā)明的"N重曝光"是指被設定為如下的曝光，即，在上述感光層的被曝光面上的幾乎全部的曝光區(qū)域內(nèi)，平行于上述曝光頭的掃描方向的直線，與照射于上述被曝光面的N條光點列(像素列)相交。在此"光點列(像素列)"是指作為由上述描素部生成的像素單元的光點(像素)排列中，與上述曝光頭的掃描方向所成的角度較小的方向上的排列。上述描素部的配置不一定是矩形格子狀的，可以是平行四邊形形狀的配置等。在此，敘述為曝光區(qū)域的"幾乎全部的范圍"，是因為在各描素部的兩側(cè)邊緣部位，由于使描素部列傾斜，與上述曝光頭的掃描方向平行的直線交叉的使用描素部的描素部列數(shù)將減少，在這種情況下，即使將多個曝光頭接連使用，因該曝光頭的安裝角度或配置等的誤差，也會使與掃描方向平行的直線交叉的使用描素部的描素部列的數(shù)有些許的增減，另外，在各使用描素部的描素部列間相連結(jié)部分的大小在分辨率程度以下的極其小的部分，也會由于安裝角度或描素部配置等的誤差，導致與掃描方向垂直的方向上的描素部的間距與其它部分描素部的間距不是嚴格地保持一致，與掃描方向平行的直線交叉的使用描素部的描素部列的數(shù)目在土l的范圍內(nèi)有所增減。在以下的說明中，將N為2以上的自然數(shù)的N重曝光總稱為"多重曝光"。進而，在以下的說明中，在作為描繪裝置或描繪方法實施本發(fā)明的曝光裝置或曝光方法的狀態(tài)下，作為對應于"N重曝光"和"多重曝光"的用語，使用了"N重描繪"和"多重描繪"這樣的用語。作為上述N重曝光的N，只要是2以上的自然數(shù)則沒有特別的限制，可以根據(jù)需要適當選擇，但優(yōu)選為3以上的自然數(shù)，尤其優(yōu)選為3以上7以下的自然數(shù)。對于本發(fā)明的圖案形成方法所涉及的圖案形成裝置的一例，參照附圖加以說明。上述圖案形成裝置，被設計成所謂的平板型曝光裝置，如圖1所示，具有平板狀移動平臺14，該移動平臺14表面上吸附、保持有上述感光性薄膜中至少層疊有上述感光層的片狀感光材料12(以下稱為"感光層12")。在被4根腿16支持的厚板狀設置臺18上面，設置有沿平臺移動方向延伸的2條導軌20。平臺14設置為其長度方向與平臺移動方向一致，同時導軌20可以支持其往復移動。在這一圖案形成裝置10上設置有沿導軌20驅(qū)動平臺14的平臺驅(qū)動裝置(沒有圖示)。在設置臺18的中央部分設置有跨過平臺14的移動路線的〕字形的門22?！匙中伍T22的各端部固定于設置臺18的兩側(cè)面。在該門22的兩側(cè)，一側(cè)設置有掃描器24，另一側(cè)設置有檢測感光材料12的前端及后端的多個(如2個)傳感器26。掃描器24和傳感器26分別安裝于門22上，固定配置在平臺14的移動路線的上方。另外，掃描器24和傳感器26連結(jié)于控制它們的沒有圖示的控制器上。在此，為了說明，如圖1所示，在與平臺14的表面平行的平面內(nèi)規(guī)定了相互垂直的X軸和Y軸。平臺14的掃描方向上的上游(以下有時簡單稱"上游側(cè)")的邊緣部分，以等間隔形成有IO條朝X軸方向開口的"<"字型狹縫28。各狹縫28由位于上游的狹縫28a和位于下游的狹縫28b組成。狹縫28a和狹縫28b相互垂直，同時狹縫28a與X軸呈-45度角，狹縫28b與X軸呈+45度角。狹縫28的位置與上述曝光頭30的中心大致一致。另外，各狹縫28的大小被定為能充分覆蓋所對應的曝光頭30的曝光區(qū)域32的寬度的大小。狹縫28的位置，可以與相鄰的已曝光區(qū)域34間的重復部分的中心位置大致一致。這種情況下，各狹縫28的大小定為能充分覆蓋已曝光區(qū)域34間的重復部分的寬的大小。在平臺14內(nèi)部的各狹縫28下方的位置，分別裝入有后述的使用描素部指定處理中作為檢測像素單元即光點的光點位置檢測機構(gòu)的單一單元型的光檢測器(沒有圖示)。另外，各光檢測器連結(jié)于后述的使用描素部指定處理中作為選擇上述描素部的描素部選擇機構(gòu)的演算裝置(沒有圖示)。作為曝光時上述圖案形成裝置的動作形態(tài)，既可以是邊使曝光頭移動邊進行連續(xù)曝光的形態(tài)，也可以是邊使曝光頭分階段地移動邊在各移動停留位置使曝光頭靜止而進行曝光的形態(tài)。<<曝光頭〉>各曝光頭30安裝于掃描器24，使后述的內(nèi)部的數(shù)碼微反射鏡元件(DMD)36的各描素部(微反射鏡)列方向與掃描方向成規(guī)定的設定傾斜角度e。為此，由各曝光頭30形成的曝光區(qū)域32成為對掃描方向成傾斜的矩形形狀的區(qū)域。隨著平臺14的移動，每個曝光頭30都在感光層12形成帶狀的已曝光區(qū)域34。圖2及圖3B所示例子中，呈2行5列的近似矩陣形排列的10個曝光頭被安裝在掃描器24上。以下表示在第m行的第n列排列的各個曝光頭時，記為曝光頭30^，表示在第m行的第n列排列的各個曝光頭的曝光區(qū)域時，記為曝光區(qū)域另外，如圖3A和圖3B所示，呈線狀排列的各行的各曝光頭30，在其排列方向被錯開一定間隔(曝光區(qū)域長邊的自然數(shù)倍，本實施方式中為2倍)配置，以使各帶狀的已曝光區(qū)域34與相鄰的已曝光區(qū)域34部分重疊。因此第1行的曝光區(qū)域32與曝光區(qū)域3212之間不能曝光的部分，可以由第2行的曝光區(qū)域3221曝光。如圖4、圖5A和圖5B所示，各曝光頭30中，作為根據(jù)圖像數(shù)據(jù)針對各描素部調(diào)制入射光的光調(diào)制機構(gòu)(針對每一描素部調(diào)制的空間光調(diào)制元件)具有DMD36(美國德克薩斯州儀器(X年廿7,y義、乂A^乂、7)公司制。這一DMD36與配備了數(shù)據(jù)處^I部分和反射鏡驅(qū)動控制部分的作為描素部控制機構(gòu)的控制器連接。在該控制器的數(shù)據(jù)處理部分，基于所接收的圖像數(shù)據(jù)，針對每個曝光頭30生成用于驅(qū)動控制DMD36上的使用區(qū)域內(nèi)各微反射鏡的控制信號。另外，在反射鏡驅(qū)動控制部分，根據(jù)圖像數(shù)據(jù)處理部分生成的控制信號，針對每個曝光頭30控制DMD36的各微反射鏡的反射面角度。如圖4所示，在DMD36的光入射一側(cè)，依次設置有光纖組光源38、修正由光纖組(fiberarray)光源38射出的激光并集中于DMD上的透鏡系列40、向DMD36反射透過該透鏡系列40的激光的反射鏡42，所述光纖組光源38具有光纖的射出端部分(發(fā)光點)沿與曝光區(qū)域32的長邊方向一致的方向呈一列排列的激光射出部。圖4中粗略表示了透鏡系列40。如圖5A和圖5B詳示，上述透鏡系列40具有使光纖組光源38射出的激光平行化的1對組合透鏡44、修正被平行化的激光的光量分布使其均勻的1對組合透鏡46、及使光量分布被修正了的激光集中于DMD36上的集光透鏡48。另外，在DMD36的光反射側(cè)配置有將DMD36反射的激光在感光層12的被曝光面上成像的透鏡系列50。透鏡系列50由被配置成使DMD36與感光層12的被曝光面成共軛關(guān)系的2個透鏡52和透鏡54組成。本實施方式中，由光纖組光源38射出的激光被實質(zhì)上放大5倍后，來自于DMD36上的各微反射鏡的光線由透鏡系列50縮小至約5)Lim。一光調(diào)制機構(gòu)一作為上述光調(diào)制機構(gòu)，只要具有n個(n為2以上的自然數(shù))呈二維排列的上述描素部并且可根據(jù)圖案信息控制上述描素部，就沒有特別的限制，可以根據(jù)需要適當選擇，例如優(yōu)選為空間光調(diào)制元件。作為上述空間光調(diào)制元件，可以列舉如數(shù)碼微反射鏡元件(DMD)、MEMS(MicroElectroMechanicalSystems)型空間光調(diào)制元件(SLM;SpecialLightModulator)、通過電光學效果調(diào)制透射光的光學元件(PLZT元件)、液晶快門(FLC)等，其中DMD是合適的。另外，上述光調(diào)制機構(gòu)優(yōu)選具有根據(jù)形成的圖案信息生成控制信號的圖案信號生成機構(gòu)。此時，上述光調(diào)制機構(gòu)根據(jù)上述圖案信號生成機構(gòu)生成的控制信號對光進行調(diào)制。作為上述控制信號沒有特別的限制，可以根據(jù)需要適當選擇，可以適當列舉如數(shù)字信號。下面參照附圖對上述光調(diào)制機構(gòu)例加以說明。如圖6所示，DMD36是在SRAM單元(儲存單元)56上，作為構(gòu)成各個像素(pixel)的描素部，將多個微反射鏡58排列成格子狀而成的反射鏡元件。本實施方式中使用的是配備了1024列X768行微反射鏡58的DMD36，其中由連接于DMD36的控制器可以驅(qū)動即可以使用的微反射鏡58，只設定成1024列X256行。DMD36的數(shù)據(jù)處理速度是有限度的，由于每1排的調(diào)制速度與使用的微反射鏡數(shù)成比例，通過這樣只使用一部分微反射鏡就可以加速每1排的調(diào)制速度。各微反射鏡58由支柱支撐，其表面上蒸鍍有鋁等反射率高的材料。本實施形態(tài)中，各微反射鏡58的反射率為90%以上，其縱、橫方向的排列間距均為13.7nm。SRAM單元56是，借助含鉸鏈和軸叉(yoke)的支柱，由通常的半導體儲存器制造線制造的硅柵(silicongate)的CMOS體，全體呈一體(一體型)構(gòu)成。如果將以2值表示構(gòu)成所需2維圖案的各點濃度的圖像信號輸入于DMD36的SRAM單元(儲存單元)56，則被支柱支撐的各微鏡58將以對角線為中心相對于配置有DMD36的基板一側(cè)呈傾斜土a度(如土10度)的任何角度。圖7A表示微鏡58傾斜+a度的狀態(tài)即開通狀態(tài)，圖7B表示微鏡58傾斜-oc度的關(guān)閉狀態(tài)。這樣，根據(jù)圖像信號，通過如圖6所示地控制DMD36的各像素中微鏡58的傾斜，可以將入射到DMD36的激光B向各微鏡58的傾斜方向反射。圖6中擴大了DMD36的一部分，表示將各微鏡58控制在+oc度或-oc度的狀態(tài)的一例。各微鏡58的開關(guān)狀態(tài)的控制是通過連接于DMD36的上述控制器進行的。另外，在關(guān)閉狀態(tài)的微鏡58反射的激光B行進的方向上，配置有光吸收體(沒有圖示)?！庹丈錂C構(gòu)——作為上述光照射機構(gòu)沒有特別的限制，可以根據(jù)需要適當選擇，可以列舉如(超)高壓滎燈、氙燈、碳弧燈、鹵素燈、復印機等用熒光管、LED、半導體激光等已知光源、或可將2種以上的光合成照射的機構(gòu)，其中優(yōu)選可將2種以上的光合成照射的機構(gòu)。作為由上述光照射機構(gòu)照射的光，可以列舉如，在隔著支撐體進行光照射時，透過該支撐體且使所用光聚合引發(fā)劑或增感劑活化的電磁波、紫外線至可見光、電子射線、X射線、激光等，其中優(yōu)選為激光，更優(yōu)選為將2種以上的光合成而成的激光(下面有時稱為"合波激光")。而即使在剝離支撐體后進行光照射的情況下，也可以使用同樣的光。上述紫外至可見光的波長，優(yōu)選為3001，500nm，更優(yōu)選為320800nm，特別優(yōu)選為330650nm。上述激光的波長，優(yōu)選為2001，500nm，尤其優(yōu)選為300800nm，更優(yōu)選為330500nm，特別優(yōu)選為400450nm。作為上述可以照射合波激光的機構(gòu)，優(yōu)選為具有多個激光器、多模式光纖、和將由該多個激光器照射的各種激光束聚光并結(jié)合于上述多模式光纖的聚光光學系統(tǒng)的機構(gòu)。作為可以照射上述合波激光的機構(gòu)(光纖組光源)，可以用特開2005-258431號公報記載的機構(gòu)。<<使用描素部指定機構(gòu)》作為上述使用描素部指定機構(gòu)，優(yōu)選至少具備光點位置檢測機構(gòu)和描素部選擇機構(gòu)，所述光點位置檢測機構(gòu)檢測被曝光面上作為描素單元的光點位置，所述描素部選擇機構(gòu)基于上述光點位置檢測機構(gòu)檢測的結(jié)果，選擇為了實現(xiàn)N重曝光而使用的描素部。下面對利用上述使用描素部指定機構(gòu)的、用于N重曝光的描素部的指定方法的例子加以說明。(1)單一曝光頭內(nèi)的使用描素部的指定方法本實施方式(1)中，對于使用描素部的指定方法加以說明，即，在由圖案形成裝置IO對感光材料12進行2重曝光的情況下，用于減輕各曝光頭30的安裝角度誤差引起的析像度不均勻和濃度不均、實現(xiàn)理想的2重曝光的使用描素部的指定方法加以說明。作為描素部(微鏡58)的列方向?qū)ζ毓忸^30的掃描方向的設定傾斜角度e，與曝光頭30的安裝角度沒有誤差等的理想狀態(tài)下使用可以使用的1024列X256行的描素部正好成為2重曝光的角度01(^相比，采用稍大一些的角度。這一角度eid^由下述式(1)給出，其中N為N重曝光的數(shù)N，s為可以使用的微鏡58的列方向的個數(shù)，p為可以使用的微鏡58的列方向的間隔，5為使曝光頭30傾斜的狀態(tài)下由微鏡形成的掃描線的間距。spsin9ideai^N5(式1)本實施方式中的畫D36，如上所述，由縱橫配置間隔相等的多個微鏡58配置成矩形格子狀而成，因此為式pcos6ideai二5(式2)上述式1成為stan6ideal=N(式3)本實施方式中，如上所述，由于s-256，N=2，由上述式3，角度0idea,約為0.45度。因此，設定傾斜角度e，可以采用0.50度左右的角度。圖案形成裝置10，在可以調(diào)整的范圍內(nèi)被實施初期調(diào)整，以使各曝光頭30即各DMD36的安裝角度接近于該設定傾斜角度e。圖8說明如下的例子，gp，被如上所述地實施初期調(diào)整的圖案形成裝置10中，由于一個曝光頭30的安裝角度誤差和圖案變形的影響，在被曝光面上的圖案上產(chǎn)生斑點的例子。以下的圖及說明中，對于由各描素部(微鏡)生成的、作為構(gòu)成被曝光面上曝光區(qū)域的描素單元的光點，將第m行的光點記為r(m)，第n列的光點記為c(n)，第m行第n列的光點記為P(m，n)。圖8的上段部分表示的是使平臺14處于靜止的狀態(tài)下投影到感光材料12的被曝光面上的、來自于可以使用的微鏡58的光點群的圖案，下段部分表示的是在上段部分所示的光點群圖案所表現(xiàn)的狀態(tài)下，移動平臺14進行連續(xù)曝光時，在被曝光面上形成的曝光圖案的狀態(tài)。圖8中，為說明方便，將可以使用的微發(fā)射鏡58的奇數(shù)列的曝光圖案與偶數(shù)列的曝光圖案分開表示，而實際的被曝光面上的曝光圖案中，這2個曝光圖案是重疊的。圖8的例子中，將設定傾斜角度e采用為比上述的角度eidea!大一些的角度，另外，由于曝光頭30的安裝角度的微調(diào)整難以進行，而實際的安裝角度與上述的設定傾斜角度e具有誤差，其結(jié)果被曝光面上所有區(qū)域都產(chǎn)生了濃度不均。具體地講，奇數(shù)列的微鏡形成的曝光圖案和偶數(shù)列的微鏡形成的曝光圖案中，在由多個描素部列形成的被曝光面上的重復曝光區(qū)域內(nèi)，與理想的2重曝光相比均呈現(xiàn)曝光過度，產(chǎn)生描繪冗長的區(qū)域，生成了濃度不均。進而，圖8也是被曝光面上出現(xiàn)圖案變形的一例，產(chǎn)生了投影到被曝光面上的各像素列的傾斜角度變得不均勻的"角度失真"。作為產(chǎn)生這樣的角度失真的原因，可以列舉DMD36與被曝光面間光學系統(tǒng)的各種像差或定位偏差以及DMD36自身的失真或微鏡的配置誤差等。圖8的例中顯現(xiàn)的角度失真是，相對掃描方向的傾斜角度，比圖左側(cè)的列小、比圖右側(cè)的列大的形態(tài)的失真。作為這一角度失真的結(jié)果，曝光過度的區(qū)域，在靠近圖的左側(cè)的被曝光面上變得更小，靠近圖的右側(cè)的被曝光面上變得更大。如上述，為了減輕多個描素部列形成的被曝光面上的重復曝光區(qū)域中的濃度不均，作為上述光點位置檢測機構(gòu)使用上述狹縫28及光檢測器的組合，對每個曝光頭30設定實際傾斜角度e'，以該實際傾斜角度e'為基礎，使用連接于上述光檢測器的上述演算裝置作為上述描素部檢測機構(gòu)，進行選擇用于實際曝光的微鏡的處理。實際傾斜角度e'，基于光點位置檢測機構(gòu)檢測的至少2個光點位置，由曝光頭傾斜狀態(tài)下被曝光面上光點的列方向與上述曝光頭的掃描方向形成的角度設定。下面用圖9和圖io對上述實際傾斜角度e'的設定及使用像素選擇處理加以說明。——實際傾斜角度e'的特定——圖9是表示1個DMD36的曝光區(qū)域32與對應的狹縫28的位置關(guān)系的仰視圖。狹縫28的大小設為充分覆蓋曝光區(qū)域32的寬的大小。本實施方式(1)的例子中，測定位于曝光區(qū)域32大致中心的第512列的光點列與曝光頭30的掃描方向形成的角度作為上述的實際傾斜角度6'。具體地講，是將DMD36上第1行第512列的微鏡58和第256行第512列的微鏡58設為開通狀態(tài)，檢測與這些分別對應的被曝光面上的光點P(1，512)和P(256，512)的位置，將連接它們的直線與曝光頭的掃描方向形成的角度設定為實際傾斜角度e'。圖10是說明光點P(256，512)的位置的檢測方法的仰視圖。首先，在點亮第256行第512列的微鏡58的狀態(tài)下，緩慢移動平臺14，使狹縫28沿Y軸方向做相對移動，使狹縫28位于使光點P(256，512)移至上游的狹縫28a和下游的狹縫28b之間任意位置的位置。將此時狹縫28a和狹縫28b的交點坐標定為(XO，YO)。這一坐標(XO,YO)的值取決于賦予平臺14的驅(qū)動信號所示的平臺14移動至上述位置的移動距離和已知的狹縫28在X軸方向的位置，并被記錄。其次，移動平臺14，使狹縫28沿Y軸方向向圖IO中的右側(cè)相對移動。然后如圖IO中二點連線所示，在光點P(256，512)的光通過左側(cè)的狹縫28b并被光檢測器檢測的位置停止平臺14。此時狹縫28a和狹縫28b的交點的坐標(X0，Y1)記錄為光點P(256，512)的位置。接著向相反方向移動平臺14，使狹縫28沿Y軸向圖10中左方相對移動。然后如圖IO中二點連線所示，在光點P(256，512)的光通過右側(cè)的狹縫28a并被光檢測器檢測的位置停止平臺14。此時狹縫28a和狹縫28b的交點的坐標(X0,Y2)記錄為光點P(256，512)的位置。由以上的測定結(jié)果，通過X-XO十(Yl-Y2)/2、Y=(Yl+Y2)/2的計算決定表示光點P(256，512)在被曝光面上位置的坐標(X，Y)。也用同樣的方法決定表示P(1，512)位置的坐標，導出連接各個坐標的直線與曝光頭30的掃描方向形成的傾斜角度，將此設定為實際傾斜角度e'?！褂妹杷夭康倪x擇——使用這樣設定的實際傾斜角度e'，連接于上述光檢測器的上述演算裝置導出與滿足下述式4ttane'=N(式4)的關(guān)系的值t最接近的自然數(shù)T，進行選擇DMD36上第1行至第T行的微鏡作為本曝光時實際使用的微鏡的處理。由此，在第512列附近的曝光區(qū)域內(nèi)，可以選擇相對于理想的2重曝光，曝光過度區(qū)域與曝光不足區(qū)域的合計面積為最小的微鏡作為實際使用的微鏡。在此，可以以導出t值以上的最小的自然數(shù)來代替導出最接近上述t值的自然數(shù)。這種情況下，在第512列附近的曝光區(qū)域中，可以選擇相對于理想的2重曝光，曝光過度區(qū)域的面積變得最小而且不產(chǎn)生曝光不足的區(qū)域的微鏡作為實際使用的微鏡。另外，也可以導出t值以下的最大的自然數(shù)。這種情況下，在第512列附近的曝光區(qū)域，可以選擇對于理想的2重曝光，曝光不足區(qū)域的面積變得最小而且不產(chǎn)生曝光過度的區(qū)域的微鏡作為實際使用的微鏡。圖11是只使用通過上述方法被作為實際使用的微鏡所選擇的微鏡生成的光點進行的曝光中，如何改善圖8所示的被曝光面上的不均的說明圖。該例中作為上述自然數(shù)T導出T=253，第1行至第253行的微鏡被選中。對于沒被選擇的第254行至第256行的微鏡，通過上述描素部控制機構(gòu)，輸送設定為平時關(guān)閉狀態(tài)角度的信號，這些微鏡實質(zhì)上沒有參與曝光。如圖11所示，第512列附近的曝光區(qū)域內(nèi)，曝光過度和曝光不足幾乎完全被消除，實現(xiàn)了非常接近于理想的2重曝光的均一的曝光。另一方面，在圖11左側(cè)的區(qū)域(圖中C(1)附近)，由于上述角度失真，被曝光面上光點列的傾斜角度變得比中央附近(圖中c(512)附近)區(qū)域光線列的傾斜角度還小。因此，以c(512)為基準測定實際傾斜角度e'后基于此選擇微鏡，并利用該微鏡進行曝光時，各偶數(shù)列的曝光圖案和奇數(shù)列的曝光圖案，與理想的2重曝光相比，只產(chǎn)生了一點曝光不足的區(qū)域。然而，將圖示的奇數(shù)列曝光圖案和偶數(shù)列曝光圖案重合形成的實際曝光圖案中，曝光量不足的范圍相互被補充，可以通過2重曝光的補償效果使上述角度變形引起的曝光不均成為最小。另外，在圖11右側(cè)的區(qū)域(圖中c(1024)附近)，由于上述角度失真，被曝光面上光線列的傾斜角度變得比中央附近(圖中c(512)附近)區(qū)域光線列的傾斜角度還大。因此，以c(512)為基準測定實際傾斜角度e'后基于此選擇微鏡，并利用該微鏡進行曝光時，如圖所示，與理想的2重曝光相比，只產(chǎn)生了一點曝光過多的區(qū)域。然而，將圖示的奇數(shù)列曝光圖案和偶數(shù)列曝光圖案重合形成的實際曝光圖案中，曝光量過多的區(qū)域相互補充，可以通過2重曝光的補償效果使上述角度失真引起的濃度不均成為最小。本實施方式(1)中，如上所述，測定第512列的光線列的實際傾斜角度e'，用該實際傾斜角度e'，基于由上述式(4)導出的T，選擇使用的微鏡58，作為上述實際傾斜角度e'的設定方法，可以分別測定多個描素部的列方向(光點列)與上述曝光頭的掃描方向形成的多個實際傾斜角度，將它們的平均值、中間值、最大值和最小值中的任一個設定為實際傾斜角度e',根據(jù)上述式4等選擇實際曝光時實際使用的微鏡。若將上述平均值或上述中間值定為實際傾斜角度e'，則可以實現(xiàn)相對于理想的N重曝光而言曝光過度區(qū)域和曝光不足區(qū)域的平衡良好的曝光。例如，可以實現(xiàn)將曝光過度區(qū)域和曝光量不足區(qū)域的合計面積控制到最小、而且曝光過度區(qū)域的描素單元數(shù)(光點數(shù))和曝光不足區(qū)域的描素單元數(shù)(光點數(shù))相等的曝光。另外，若將上述最大值定為實際傾斜角度e'，則可以實現(xiàn)更重視排除相對于理想的N重曝光而言曝光過度的區(qū)域的曝光，例如，可以實現(xiàn)將曝光不足區(qū)域的面積控制為最小且不產(chǎn)生曝光過度區(qū)域的曝光。若將上述最小值定為實際傾斜角度e'，則可以實現(xiàn)更重視排除相對于理想的N重曝光而言曝光不足的區(qū)域的曝光，例如，可以實現(xiàn)將曝光過度區(qū)域的面積控制為最小而且不產(chǎn)生曝光不足區(qū)域的曝光。另一方面，上述實際傾斜角度e'的設定，并不限定于基于同一描素部的列(光點列)中至少2個光點的位置的方法。例如，可以設定從同一描素部列c(n)中1個或多個光點的位置和該c(n)附近的列中1個或多個光點的位置求得的角度作為實際傾斜角度e'。具體地講，檢測c(n)中1個光點的位置和位于沿曝光頭的掃描方向延伸的直線上且含于附近的光點列的1個或多個光點位置，由這些位置信息求得實際傾斜角度e'。進而，也可以設定基于c(n)列附近的光點列中至少2個光點(如跨過c(n)配置的2個光點)的位置求得的角度作為實際傾斜角度e'。如上，根據(jù)使用圖案形成裝置10的本實施方式(1)的使用描素部的指定方法，可以減輕由各曝光頭的安裝角度誤差或圖案失真的影響引起的析像度的不均勻或濃度不均，實現(xiàn)理想的N重曝光。(2)多個曝光頭間使用描素部的指定方法<1>本實施方式(2)說明如下的方法，即利用圖案形成裝置IO對感光材料12進行2重曝光的情況下，由多個曝光頭30形成的被曝光面上的重復曝光區(qū)域即曝光頭間連結(jié)區(qū)域中，由于2個曝光頭(以曝光頭3012和3021作為一例)的與X軸方向有關(guān)的相對位置與理想的狀態(tài)偏離而引起析像度的不均勻和濃度不均的情況下，減輕這些并實現(xiàn)理想的2重曝光的使用描素部的指定方法。作為各曝光頭30即各DMD36的設定傾斜角度e采用如果是曝光頭30沒有安裝角度誤差的理想的狀態(tài)，則使用可以使用的1024列X256行的描素部微鏡58正好成為2重曝光的角度9idea,。該角度6id^，與上述實施方式(1)同樣，由上述式13求得。本實施方式(2)中，圖案形成裝置10被實施初期調(diào)整，以使各曝光頭30即各DMD36的安裝角度成為該角度eid^。圖12是表示如上述地被實施初期調(diào)整的圖案形成裝置10中，由于2個曝光頭(以曝光頭3012和3021作為一例)的與X軸方向有關(guān)的相對位置與理想狀態(tài)偏離的影響，而在被曝光面上的圖案上生成濃度不均的例子的說明圖。各曝光頭的與X軸方向有關(guān)的相對位置的不吻合，是由于曝光頭間的相對位置難以進行微調(diào)整而產(chǎn)生的。圖12的上段部分是表示使平臺14處于靜止的狀態(tài)下投影于感光材料12的被曝光面上的、來自曝光頭3012和3021具有的DMD36的可以使用的微鏡58的光點群圖案的圖。圖12的下段部分表示的是關(guān)于曝光區(qū)域3212和3221，在如上段部分所示的光點群圖案表現(xiàn)出的狀態(tài)下，移動平臺14進行連續(xù)曝光時，在被曝光面上形成的曝光圖案的狀態(tài)。圖12中，為說明方便，將可以使用的微鏡58的每隔一列的曝光圖案分為像素列群A的曝光圖案和像素列群B的曝光圖案表示，但實際被曝光面上的曝光圖案是這2個曝光圖案重合在一起的產(chǎn)物。圖12的例子中，作為上述與乂方向有關(guān)的曝光頭3012和3021間相對位置與理想狀態(tài)偏離的結(jié)果，在像素列群A的曝光圖案和像素列群B的曝光圖案上，在曝光區(qū)域3212和3221的上述曝光頭間連接區(qū)域內(nèi)，均出現(xiàn)了相對于理想的2重曝光的狀態(tài)而言曝光量過多的部分。為了減輕這樣的多個上述曝光頭在被曝光面上形成的上述曝光頭間連接區(qū)域內(nèi)出現(xiàn)的濃度不均，本實施方式(2)中，將狹縫28和光檢測器的組合作為上述光點位置檢測機構(gòu)使用，檢測來自曝光頭3012和3021的光點群中構(gòu)成被曝光面上形成的上述曝光頭間連接區(qū)域的幾個光點的位置(坐標)。基于該位置(坐標)，使用連接于上述光檢測器的演算裝置作為上述描素部選擇機構(gòu)，進行選擇用于實際曝光的微鏡的處理?！恢?坐標)的檢測——圖13是表示與圖12同樣的曝光區(qū)域3212和3221與對應的狹縫28的位置關(guān)系的仰視圖。狹縫28的大小定為充分覆蓋曝光頭3012和3021的已曝光區(qū)域34間重復部分的寬的大小，即充分覆蓋曝光頭3012和3021在被曝光面上形成的上述曝光頭間連接區(qū)域的大小。圖14是作為一個例子說明檢測曝光區(qū)域322,的光點P(256，1024)的位置時的檢測手法的仰視圖。首先，在第256行第1024列的微鏡被點亮的狀態(tài)下，緩慢移動平臺14，使狹縫28沿Y軸方向相對移動，使狹縫28位于使光點P(256，1024)移至上游的狹縫28a和下游的狹縫28b之間任意位置的位置。將此時的狹縫28a和狹縫28b的交點坐標定為(X0，Y0)。這一坐標(X0,Y0)的值取決于賦予平臺14的驅(qū)動信號所示的平臺14移動至上述位置的移動距離和已知的狹縫28在X方向的位置，并被記錄。其次，移動平臺14，使狹縫28沿Y軸方向向圖14中的右側(cè)相對移動。然后如圖14中二點連線所示，在光點P(256，1024)的光通過左側(cè)的狹縫28b并被光檢測器檢測的位置，停止平臺14。此時狹縫28a和狹縫28b的交點的坐標(X0,Y1)記錄為光點P(256，1024)的位置。接著向相反方向移動平臺14，使狹縫28沿Y軸向圖14中左側(cè)相對移動。然后如圖14中二點連線所示，在光點P(256，1024)的光通過右側(cè)的狹縫28a并被光檢測器檢測的位置，停止平臺14。此時狹縫28a和狹縫28b的交點的坐標(X0,Y2)記錄為光點P(256，1024)。由以上的測定結(jié)果，通過乂=乂0+(Yl-Y2)/2、Y=(Yl+Y2)/2的計算決定表示光點P(256，1024)在被曝光面上位置的坐標(X，Y)?！皇褂妹杷夭康脑O定——圖12的例子中，首先用作為上述光點位置檢測機構(gòu)的狹縫28和光檢測器的組合，檢測曝光區(qū)域32^的光點P(256，1)的位置。接著，按照P(256，1024)、P(256，1023)、...的順序檢測曝光區(qū)域3221的第256行的光點行r(256)上各光點的位置，表示比曝光區(qū)域32u的光點P(256，1)還要大的X坐標的曝光區(qū)域32^的光點P(256，n)被檢測時，結(jié)束檢測動作。接下來，設定與構(gòu)成曝光區(qū)域3221的光點列c(n+l)至c(1024)的光點對應的微鏡，作為本曝光時不使用的微鏡(不使用描素部)。例如，圖12中，如果曝光區(qū)域3221的光點？(256，1020)表示比曝光區(qū)域32,2的光點P(256，l)還要大的X坐標，該曝光區(qū)域322的光點P(256，1020)被檢測后檢測動作結(jié)束，則對應于構(gòu)成曝光區(qū)域3221的第1021行至第1024行(相當于圖15中斜線覆蓋部分70)的光點的微鏡，被設定為本曝光時不使用的微鏡。其次，對于N重曝光的數(shù)N，檢測曝光區(qū)域32i2的光點P(256，N)的位置。本實施方式(2)中，由于N-2，檢測光點P(256，2)的位置。接著，曝光區(qū)域3221的光點列中，除去與被設定為上述本曝光時不使用的微鏡對應的光點列，從P(1，1020)起，按照P(1，1020)、P(2，1020)...的順序檢測構(gòu)成最右側(cè)的第1020列的光點的位置，表示比曝光區(qū)域32,2的光點P(256，2)還要大的X坐標的光點P(m，1020)被檢測后，結(jié)束檢測動作。其后，連接于上述光檢測器的演算裝置中，比較曝光區(qū)域3212的光點P(256，2)的X坐標和曝光區(qū)域322!的光點P(m，1020)及P(m-l，1020)的X坐標，在曝光區(qū)域322,的光點P(m，1020)的X坐標接近于曝光區(qū)域32,2的光點P(256，2)的X坐標的情況下，設定對應于曝光區(qū)域32^的光點P(1，1020)至P(m-1,1020)的微鏡作為本曝光時不使用的微鏡。另外，曝光區(qū)域32^的光點P(m-l，1020)的X坐標接近于曝光區(qū)域32,2的光點P(256，2)的X坐標的情況下，設定對應于曝光區(qū)域3221的光點P(1，1020)至P(m-2，1020)的微鏡作為不用于本曝光的微鏡。還有，對于曝光區(qū)域32u的光點P(256，N-l)即光點P(256，1)的位置和構(gòu)成曝光區(qū)域3221的次列即第1019列的各光點的位置，也進行同樣的檢測處理及不使用的微鏡的設定。其結(jié)果，如圖15中，構(gòu)成由網(wǎng)線覆蓋的區(qū)域72的光點所對應的微鏡，作為實際曝光時不使用的微鏡被加以追加。將平時把該微鏡的角度設定至關(guān)閉狀態(tài)角度的信號送至這些微鏡，這些微鏡實際上不用于曝光。這樣，設定實際曝光時不使用的微鏡，通過選擇除去該不使用的微鏡的微鏡作為實際曝光時使用的微鏡，在曝光區(qū)域3212和3221的上述曝光頭間的連接區(qū)域內(nèi)，可以將相對于理想的2重曝光而言曝光過度的區(qū)域及曝光不足的區(qū)域的合計面積變?yōu)樽钚。鐖D15的下段所示，可以實現(xiàn)非常接近于理想的2重曝光的均一的曝光。上述的例子中，設定構(gòu)成圖15中由網(wǎng)線覆蓋的區(qū)域72的光點時，可以不進行曝光區(qū)域32^的光點P(256，2)的乂坐標與曝光區(qū)域3221的光點P(m,1020)及P(m-l，1020)的X坐標的比較，直接設定對應于曝光區(qū)域32^的光點P(1，1020)至P(m-2,1020)的微鏡作為本曝光時不使用的微鏡。這種情況下，可以選擇上述曝光頭間連接區(qū)域內(nèi)相對于理想2重曝光而言曝光過度的區(qū)域的面積變得最小、而且不產(chǎn)生曝光不足區(qū)域的微鏡作為實際使用的微鏡。另外，可以設定曝光區(qū)域32^的光點P(1，1020)至P(m-l，1020)所對應的微鏡作為不用于本曝光的微鏡，這種情況下，可以選擇上述曝光頭間連接范圍內(nèi)相對于理想的2重曝光而言曝光不足的區(qū)域的面積變得最小、而且不產(chǎn)生曝光過度區(qū)域的微鏡作為實際使用的微鏡。進而，還可以以在上述曝光頭間連接區(qū)域內(nèi)相對于理想的2重描繪而言曝光過度的區(qū)域的描素單元數(shù)(光點數(shù))和曝光不足區(qū)域內(nèi)的描素單元數(shù)(光點數(shù))相等的方式選擇實際使用的微鏡。如上所述，根據(jù)使用圖案形成裝置10的本實施方式(2)的使用描素部的指定方法，可以減輕多個曝光頭的與X軸方向有關(guān)的相對位置的錯位引起的析像度的不均勻和濃度不均，實現(xiàn)理想的N重曝光。(3)多個曝光頭間的使用描素部的指定方法<2>本實施方式(3)中說明如下指定方法，即利用圖案形成裝置10對感光材料12進行2重曝光的情況下，由多個曝光頭30形成的被曝光面上的重復曝光區(qū)域即曝光頭間連結(jié)區(qū)域中，減輕由2個曝光頭(以曝光頭3012和3021作為一例)的與X軸方向有關(guān)的相對位置與理想的狀態(tài)偏離、各曝光頭的安裝角度誤差以及2個曝光頭間的相對安裝角度誤差而引起的析像度的不均勻和濃度不均，用于實現(xiàn)理想的2重曝光的使用描素部的指定方法。作為各曝光頭30即各DMD36的設定傾斜角度，采用比角度eidea!稍大一些的角度，所述eid^為如果是沒有曝光頭30的安裝角度誤差等的理想狀態(tài)則使用可以使用的1024列X256行的描素部(微鏡58)正好成為2重曝光的角度。該角度6^31是與上述(1)的實施方式同樣用上述式13求得的值，本實施方式中，如上所述，由于^256、N二2，所以角度0ideai約為O.45度。因此，作為設定傾斜角度e，可以采用如0.50度左右的角度。圖案形成裝置10，在可以調(diào)制的范圍內(nèi)可以被實施初期調(diào)整，以使各曝光頭30即各DMD36的安裝角度成為接近于該設定傾斜角度e的角度。圖16是表示說明如下例子的圖，g卩，各曝光頭30即各DMD36的安裝角度被如上所述地初期調(diào)整的圖案形成裝置10中，由于2個曝光頭(以曝光頭3012和3021作為一例)的安裝角度誤差以及各曝光頭3012和3021間的相對安裝角度誤差和相對位置不吻合的影像，于被曝光面的圖案上產(chǎn)生斑的例子。圖16的例子中，作為與圖12的例子同樣的、與X軸方向有關(guān)的曝光頭3012和3021的相對位置不吻合的結(jié)果，在每隔一列光點群(像素列群A和B)的曝光圖案上，在曝光區(qū)域3212和3221的被曝光面上的與上述曝光頭的掃描方向垂直的坐標軸上重復的曝光區(qū)域內(nèi)，均產(chǎn)生了相對于理想的2重曝光狀態(tài)曝光量過多的區(qū)域74，由此引起了濃度不均。進而，圖i6的例子中，將各曝光頭的設定傾斜角度e設定為比滿足上述式(1)的角度ew^稍大一些，同時由于各曝光頭的安裝角度難以進行微調(diào)整，實際的安裝角度與上述設定傾斜角度e不吻合，其結(jié)果，即使在被曝光面上的與上述曝光頭的掃描方向垂直的坐標軸上重復的曝光區(qū)域以外的區(qū)域，在每隔一列光點群(像素列群A和B)的曝光圖案上，在由多個描素部列形成的、被曝光面上的重復曝光區(qū)域即描素部列間連接區(qū)域內(nèi)，也均會產(chǎn)生相對于理想的2重曝光的狀態(tài)呈曝光過度的區(qū)域76，這進一步引起了濃度不均。本實施方式(3)中，首先，為了減輕各曝光頭3012和3021的安裝角度誤差及由于相對安裝角度不吻合的影響而引起的濃度不均，進行使用像素選擇處理。具體是，使用狹縫28及光檢測器的組合作為上述光點位置檢測機構(gòu)，對各曝光頭3012和3021分別設定實際傾斜角度9'，基于該實際傾斜角度e、作為上述描素部選擇機構(gòu)使用連接于光檢測器的演算裝置，進行選擇用于實際曝光的微鏡的處理。——實際傾斜角度e'的設定——實際傾斜角度e'的設定中，利用上述實施方式(2)中所用的狹縫28和光檢測器的組合，分別檢測曝光頭3012的曝光區(qū)域3212內(nèi)的光點P(l，l)和P(256，1)的位置、以及曝光頭3021的曝光區(qū)域3221內(nèi)的光點P(1，1024)和P(256，1024)的位置，測定連接它們的直線的傾斜角度和與曝光頭的掃描方向所成的角度?！皇褂妹杷夭康脑O定——連接于光檢測器的演算裝置，使用這樣設定的實際傾斜角度e'，與上述實施方式(1)的演算裝置同樣，針對曝光頭302和3021分別導出最接近于滿足下述式4的關(guān)系的t值的自然數(shù)T，ttan9'二N(式4)進行設定DMD36上第(T+l)行至第256行的微鏡作為不用于本曝光的微鏡的處理。例如，如果導出曝光頭3012的1=254，曝光頭3021的1=255，則設定與構(gòu)成圖17中被斜線覆蓋的部分78和80的光點相對應的微鏡作為不用于本曝光的微鏡。由此，可以將曝光區(qū)域3212和3221中曝光頭間連接區(qū)域以外的各區(qū)域中，相對于理想的2重曝光而言曝光過度的區(qū)域和曝光不足區(qū)域的合計面積變?yōu)樽钚?。在此，可以用導出t值以上的最小自然數(shù)的步驟取代導出上述最接近于t值的自然數(shù)的步驟。這種情況下，曝光區(qū)域3212和3221的由多個曝光頭形成的被曝光面上的重復曝光區(qū)域即曝光頭間連接區(qū)域以外的各區(qū)域內(nèi)，可以使相對于理想的2重曝光而言曝光量過多的面積變得最小，而且不產(chǎn)生曝光量不足的面積?；蛘呖梢远閷С鰐值以下的最大自然數(shù)。這種情況下，曝光區(qū)域3212和3221的由多個曝光頭形成的被曝光面上的重復曝光區(qū)域即曝光頭間連接區(qū)域以外的各區(qū)域內(nèi)，可以使相對于理想的2重曝光而言曝光不足的面積變得最小，而且不產(chǎn)生曝光量過多的區(qū)域。也可以如下所述地設定不用于本曝光的微鏡，即，由多個曝光頭形成的被曝光面上的重復曝光區(qū)域即曝光頭間連接區(qū)域以外的各區(qū)域內(nèi)，相對于理想的2重曝光而言曝光過度的區(qū)域的描素單元數(shù)(光點數(shù))和曝光不足區(qū)域的描素單元數(shù)(光點數(shù))趨于相等。其后，對與構(gòu)成圖17中被斜線覆蓋的區(qū)域78和80的光點以外的光點相對應的微鏡，進行與用圖12至圖15說明的本實施方式(3)同樣的處理，設定與構(gòu)成圖17中斜線覆蓋區(qū)域82和網(wǎng)線覆蓋區(qū)域84的光點相對應的微鏡，并作為本曝光時不使用的微鏡追加。對于這些作為曝光時不使用的微鏡而被設定的微鏡，通過上述描素部控制機構(gòu)，輸送平時設定為關(guān)閉狀態(tài)角度的信號，這些微鏡實質(zhì)上不參與曝光。如上所述，根據(jù)使用圖案形成裝置10的本實施方式(3)的使用描素部的指定方法，可以減輕多個曝光頭的與X軸方向有關(guān)的相對位置的不吻合以及各曝光頭的安裝角度誤差和曝光頭間的相對安裝角度誤差引起的析像度的不均勻和濃度不均，實現(xiàn)理想的N重曝光。以上對圖案形成裝置10的使用描素部指定方法進行了詳細的說明，但上述實施方式(1)(3)只不過是例子，不脫離本發(fā)明的范圍的種種變化也是可以的。另外，上述實施方式(1)(3)中，使用狹縫28和單一單元型光檢測器的組合作為檢測被曝光面上光點位置的機構(gòu)，但不限于此，也可以使用任何形態(tài)，例如可以使用2維檢測器。還有，上述實施方式(1)(3)中，由狹縫28和光檢測器的組合所得的被曝光面上的光點的位置檢測結(jié)果求得實際傾斜角度e'，并基于該實際傾斜角度9、選擇了使用的微鏡，但也可以不借助實際傾斜角度e'的導出而直接選擇可以使用的微鏡。本發(fā)明的范圍也可以包含如下的形態(tài)，如，使用所有可以使用的微鏡進行參照曝光，通過對參照曝光結(jié)果由目視確認析像度或濃度不均，由操作者通過手動指定所使用的微鏡的形態(tài)。另外，被曝光面上產(chǎn)生的圖案變形，除了上述例子說明的角度失真，還存在各種的形態(tài)。作為一例，如圖18A所示，有來自DMD36上的各微鏡58的光線以不同倍率到達被曝光面上曝光區(qū)域32的倍率失真的形態(tài)。另外，作為其它的例子，如圖18B所示，有來自DMD36上各微鏡58的光線，以不同光束徑到達被曝光面上曝光區(qū)域32的光束徑失真的形態(tài)。這些倍率失真和光束徑失真主要起因于DMD36和被曝光面間光學系統(tǒng)的各種像差或定位不準。作為另外的例子，有來自DMD36上各微鏡58的光線以不同光量到達被曝光面上曝光區(qū)域32的光量失真的形態(tài)。該光量失真，除了各種像差或定位不準，還起因于DMD36與被曝光面間光學因素(如作為l個透鏡的圖5A和圖5B的透鏡52和54)的透過率的位置依賴性或DMD36自身的光量斑。這些形態(tài)的圖案失真也會在形成于被曝光面上的圖案上生成析像度不均或濃度不均。根據(jù)上述實施方式(1)(3)，選擇實際用于本曝光的微鏡后的、這些形態(tài)的圖案失真的殘留要素，也同上述角度失真的殘留要素，可以由多重曝光的補償效果使之變均勻，可以在各曝光頭的全部曝光區(qū)域減輕析像度不均或濃度不均?！秴⒄掌毓狻纷鳛樯鲜鰧嵤┓绞?1)(3)的變更例，實施如下例子。即，在可以使用的微鏡中，只使用每隔(N—l)列的微鏡列、或者全光點行中構(gòu)成相當于1/N行的相鄰行的微鏡群，進行參照曝光，并以能夠?qū)崿F(xiàn)均一的曝光的方式，從用于所述參照曝光的微鏡中設定實際曝光時不使用的微鏡。采樣輸出上述參照曝光機構(gòu)產(chǎn)生的參照曝光結(jié)果，對該輸出的參照曝光結(jié)果，確認析像度的不均勻或濃度不均，進行推定實際傾斜角度等的分析。對于上述參照曝光結(jié)果的分析可以通過操作者的目視進行。圖19A和圖19B是表示使用單一的曝光頭并只使用每隔(N—l)列的微鏡進行參照曝光的形態(tài)的一例的說明圖。該例中，本曝光時定為2重曝光，因此N二2。首先只使用圖19A中用實線表示的奇數(shù)列的光點列所對應的微鏡進行參照曝光，將參照曝光結(jié)果采樣輸出。以上述采樣輸出的參照曝光結(jié)果為基礎，確認析像度的不均勻或濃度不均，推定實際傾斜角度，由此可以指定本曝光時使用的微鏡。例如，圖19B中以斜線覆蓋表示的光點列對應的微鏡以外的微鏡被指定為構(gòu)成奇數(shù)列的光點列的微鏡中，實際用于本曝光的微鏡。對于偶數(shù)列的光點列，可以同樣進行參照曝光來指定本曝光時使用的微鏡，也可以適用與對應于奇數(shù)列的光點列的圖案同樣的圖案。通過如此指定本曝光時使用的微鏡，使用奇數(shù)列和偶數(shù)列雙方的微鏡的本曝光中，可以實現(xiàn)接近于理想的2重曝光的狀態(tài)。圖20是表示用多個曝光頭并只使用每隔(N—l)列的微鏡進行參照曝光的形態(tài)之一例的說明圖。該例中，本曝光時定為2重曝光，因此N二2。首先，只使用圖20中實線所示的在X軸方向上相鄰的2個曝光頭(例如曝光頭3012和3021)的奇數(shù)列的光點列所對應的微鏡，進行參照曝光，將參照曝光結(jié)果采樣輸出。以上述輸出的參照曝光結(jié)果為基礎，確認2個曝光頭在被曝光面上形成的曝光頭間連接區(qū)域以外的區(qū)域內(nèi)析像度的不均勻或濃度不均、或推定實際傾斜角度，由此可以指定本曝光時使用的微鏡。例如，圖20中以斜線覆蓋表示的區(qū)域86和網(wǎng)線表示的區(qū)域88內(nèi)的光點列所對應的微鏡以外的微鏡，被指定為構(gòu)成奇數(shù)列的光點的微鏡中，實際用于本曝光的微鏡。對于偶數(shù)列的光點列，可以同樣進行參照曝光來指定本曝光時使用的微鏡，也可以適用與對應于奇數(shù)列的像素列的圖案同樣的圖案。通過如此指定本曝光時使用的微鏡，使用奇數(shù)列和偶數(shù)列雙方的微鏡的本曝光中，在由2個曝光頭于被曝光面上形成的上述曝光頭間連接區(qū)域以外的區(qū)域，可以實現(xiàn)接近于理想的2重曝光的狀態(tài)。圖21A和圖21B是表示用單一曝光頭并只使用構(gòu)成相當于全光點行數(shù)的1/N行的相鄰行的微鏡群進行參照曝光的形態(tài)之一例的說明圖。該例中，本曝光時定為2重曝光，因此N=2。首先，只使用圖21A中實線所示的第1行至第128(=256/2)行的光點所對應的微鏡，進行參照曝光，將參照曝光結(jié)果采樣輸出。以上述輸出的參照曝光結(jié)果為基礎，可以指定本曝光時使用的微鏡。例如，圖21B中以斜線覆蓋表示的光點群所對應的微鏡以外的微鏡，可以被指定為第1行至第128行的微鏡中，實際用于本曝光時的微鏡。對于第129行至第256行的微鏡，可以同樣進行參照曝光來指定本曝光時使用的微鏡，也可以適用與對應于第1行至第128行的微鏡的圖案同樣的圖案。通過如此指定本曝光時使用的微鏡，在使用全部微鏡的本曝光，可以實現(xiàn)接近于理想的2重曝光的狀態(tài)。圖22是表示用多個曝光頭，對于X軸方向上相鄰的2個曝光頭(例如曝光頭3012和3021)，只使用分別構(gòu)成相當于全光點行數(shù)的1/N行的相鄰行的微鏡群進行參照曝光的形態(tài)之一例的說明圖。該例中，本曝光時定為2重曝光，因此N-2。首先，只使用圖22中實線所示的第1行至第128(=256/2)行的光點所對應的微鏡，進行參照曝光，將參照曝光結(jié)果采樣輸出。以上述輸出的參照曝光結(jié)果為基礎，可以指定本曝光時使用的微鏡，以實現(xiàn)由2個曝光頭于被曝光面上形成的曝光頭間連接區(qū)域以外的區(qū)域中的析像度的不均勻或濃度不均被控制為最小的本曝光。例如，圖22中以斜線覆蓋表示的區(qū)域90和網(wǎng)線表示的區(qū)域92內(nèi)的光點列所對應的微鏡以外的微鏡被指定為第1行至第128行的微鏡中，實際用于本曝光時的微鏡。對于第129行至第256行的微鏡，可以同樣進行參照曝光來指定本曝光時使用的微鏡，也可以適用與對應于第1行至第128行的微鏡的圖案同樣的圖案。通過如此指定本曝光時使用的微鏡，在由2個曝光頭于被曝光面上形成的上述曝光頭間連接區(qū)域以外的區(qū)域，可以實現(xiàn)接近于理想的2重曝光的狀態(tài)。以上實施方式(1)(3)及變更例中，任何一個都是將本曝光定為2重曝光的情況加以說明，但并不限于此，可以定為2重曝光以上的任何多重曝光。特別是通過定為3重至7重左右的曝光，可以實現(xiàn)確保高析像度、析像度的不均勻和濃度不均被減輕的曝光。另外，上述實施方式及變更例所涉及的曝光裝置中，為了使圖像數(shù)據(jù)表示的2維圖案的規(guī)定部分的尺寸、與由所選擇的使用像素可以實現(xiàn)的對應部分的尺寸一致，優(yōu)選設置變換圖像數(shù)據(jù)的裝置。通過如此變換圖像數(shù)據(jù)，可以在被曝光面上形成如所需2維圖案的高精細的圖案。[顯影工序]上述顯影工序，是通過除去上述感光層的未曝光部分而進行的。作為上述未固化部分的除去方法沒有特別的限制，可以根據(jù)需要適當選擇，可以列舉如使用顯影液除去的方法。作為上述顯影液沒有特別的限制，可以根據(jù)需要適當選擇，可以列舉如堿性水溶液、水系顯影液、有機溶劑等，其中優(yōu)選為弱堿性水溶液。作為該弱堿性水溶液的堿成分，可以列舉如氫氧化鋰、氫氧化鈉、氫氧化鉀、碳酸鋰、碳酸鈉、碳酸鉀、碳酸氫鋰、碳酸氫鈉、碳酸氫鉀、磷酸鈉、磷酸鉀、焦磷酸鈉、焦磷酸鉀、硼砂等。上述弱堿性水溶液的PH值優(yōu)選為如約812，更優(yōu)選為約911。作為上述弱堿性水溶液，可以列舉如0.15質(zhì)量％的碳酸鈉水溶液或碳酸鉀水溶液等。上述顯影液的溫度可以根據(jù)上述感光層的顯影性適當選擇，例如優(yōu)選為約2540°C。上述顯影液可以與表面活性劑、消泡劑、有機堿(如乙二胺、乙醇胺、氫氧化四甲基銨、二亞乙基三胺、三亞乙基五胺、嗎啉、三乙醇胺等)或促進顯影的有機溶劑(如醇類、酮類、酯類、醚類、酰胺類、內(nèi)酯類等)等并用。另外，上述顯影液可以是將水或堿水溶液與有機溶劑混合而成的水系顯影液，也可以是單獨的有機溶劑。上述圖案的形成可以包含固化處理工序、蝕刻工序、電鍍工序等。它們可以l種單獨使用，也可以2種以上并用?！垂袒幚砉ば颉瞪鲜鰣D案的形成方法為形成保護膜、層間絕緣膜、抗焊劑圖案等永久圖案或濾色片的永久圖案形成方法的情況下，優(yōu)選在上述顯影工序后，對感光層進行固化處理的固化處理工序。作為上述固化處理工序，沒有特別的限制，可以根據(jù)需要適當選擇，可以適當列舉如全面曝光處理、全面加熱處理等。作為上述全面曝光處理的方法，可以列舉如上述顯影后，使形成上述永久圖案的上述層疊體的整個面曝光的方法。通過該全面曝光，可促進形成上述感光層的感光性組合物中樹脂的固化，使上述永久圖案的表面固作為進行上述全面曝光的裝置，沒有特別的限制，可以根據(jù)需要適當選擇，可以適當列舉如超高壓汞燈等UV曝光機、使用氤燈的曝光機、激光曝光機等。曝光量通常為102，000mj/cm2。作為上述全面加熱處理的方法，可以列舉如上述顯影后，加熱形成有上述永久圖案的上述層疊體的整個面的方法。通過該全面加熱，可提高上述永久圖案表面的膜強度。上述全面加熱中的加熱溫度優(yōu)選為120250。C，尤其優(yōu)選為120200°C。該加熱溫度如果低于120°C，則不能通過加熱處理提高膜強度，如果超過25(TC，則上述感光性組合物中的樹脂發(fā)生分解，膜質(zhì)變?nèi)踝兇唷Ｉ鲜鋈婕訜嶂械募訜釙r間優(yōu)選為10120分鐘，尤其優(yōu)選為1560分鐘。作為進行上述全面加熱的裝置沒有特別的限制，可以從己知的裝置中適當選擇，可以列舉如干燥烘箱、(電)熱板、IR加熱器等。上述圖案形成方法可以用于對于405nni的激光曝光的直接描繪中，為防止由于氧而使感光層的感光度下降所必需的各種圖案的形成等，也可適當用于兼顧高密度化和高生產(chǎn)性的圖案的形成。上述永久圖案形成方法中，如果由上述永久圖案形成方法形成的永久圖案是上述保護薄膜或上述層間絕緣膜，則能夠保護布線免受外部的沖擊或折彎，特別是為上述層間絕緣膜的情況下，有利于將半導體或部件以高密度安裝于多層布線基板或組合布線基板等上。本發(fā)明的永久圖案形成方法中，由于使用了本發(fā)明的上述感光性組合物，因此可以適用于保護薄膜、層間絕緣膜、抗焊劑圖案等永久圖案等各種圖案的形成、濾色器、柱材、肋材、墊片、隔板等液晶結(jié)構(gòu)件的制造、全息圖、微電機、校樣等的制造，特別適用于印制電路板的永久圖案的形成。實施例以下通過實施例對本發(fā)明進行更具體的說明，但本發(fā)明并不只限于此。(合成例1)向lOOOmL三口燒瓶中加入1-甲氧基-2-丙醇159g，在氮氣氣流下加熱至85°C。在2小時內(nèi)向其中滴加甲基丙烯酸芐酯63.4g、甲基丙烯酸72.3g，V-601(和光純制藥)4.15g的l-甲氧基-2丙醇159g溶液。滴加結(jié)束后再加熱5小時使其反應。接下來停止加熱，得到甲基丙烯酸芐酯/甲基丙烯酸(30/70moW。比)的共聚物。其次，將上述共聚物溶液中的120.0g移至300mL三口燒瓶中，加入甲基丙烯酸縮水甘油酯16.6g、p-甲氧基苯酚0.16g，攪拌使其溶解。溶解后加入三苯基膦3.0g，加熱至10(TC，進行加成反應。用氣相色譜確認甲基丙烯酸縮水甘油酯消失后，停止加熱。加入l-甲氧基-2-丙醇，調(diào)制固體成分30質(zhì)量％的下述表1所示高分子化合物1的溶液。用將聚苯乙烯作為標準物質(zhì)的凝膠滲透色譜法(GPC)測定所得高分子化合物的重均分子量(Mw)，結(jié)果為15，000。另外，用氫氧化鈉滴定，得出固體成分酸值為2.2meq/g。還有，由碘值滴定求得的固體成分平均乙烯性不飽和鍵的含量(C=C價)為2.lmeq/g。(合成例227)為了獲得所需的高分子化合物，除了將合成例1中的甲基丙烯酸芐酯、甲基丙烯酸和甲基丙烯酸縮水甘油酯變成合適的任意單體外，其它與合成例1相同，分別調(diào)制表1表5所示的高分子化合物227。[表l]<table>tableseeoriginaldocumentpage102</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage103</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage104</column></row><table>[表4]<table>tableseeoriginaldocumentpage105</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage106</column></row><table>表15中，*1表示下述結(jié)構(gòu)式(a)所示的結(jié)構(gòu)和(b)所示的結(jié)構(gòu)的混合(混合比不明)，*2表示下述結(jié)構(gòu)式(c)所示的結(jié)構(gòu)和(d)的混合(混合比不明)。[化34]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage106</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage107</formula>結(jié)構(gòu)式(c)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage107</formula>結(jié)構(gòu)式(d)(合成例28)向1000mL三口燒瓶中加入1-甲氧基-2-丙醇159g，在氮氣氣流下加熱至85°C。在2小時內(nèi)向其中滴加甲基丙烯酸甲酯36g、甲基丙烯酸72.3g，V-601(和光純制藥)4.15g的l-甲氧基-2丙醇159g溶液。滴加結(jié)束后再加熱5小時使其反應。接下來停止加熱，得到甲基丙烯酸甲酯/甲基丙烯酸(30/70mol。/。比)的共聚物。其次，將上述共聚物溶液中的120.0g移至300mL三口燒瓶中，加入甲基丙烯酸縮水甘油酯16.6g、p-甲氧基苯酚0.16g，攪拌使其溶解。溶解后加入三苯基膦2.4g，加熱至10(TC，進行加成反應。用氣相色譜確認甲基丙烯酸縮水甘油酯消失后，停止加熱。加入l-甲氧基-2-丙醇，調(diào)制固體成分30質(zhì)量％的下述結(jié)構(gòu)式所示高分子化合物28的溶液。用將聚苯乙烯作為標準物質(zhì)的凝膠滲透色譜法(GPC)測定所得高分子化合物的重均分子量(Mw)，結(jié)果為15，000。另外，用氫氧化鈉滴定，得出固體成分酸值為2.3meq/g。還有，由碘值滴定求得的固體成分平均乙烯性不飽和鍵的含量(C=C價)為2.6meq/g。[化36]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage107</formula>(實施例1)——感光性組合物的調(diào)制將各成分以下述的量配合，調(diào)制感光性組合物溶液。[感光性組合物溶液的各成分量]上述高分子化合物1(上述l-甲氧基-2-丙醇溶液中固體成分質(zhì)量30質(zhì)量％)87.4質(zhì)量份二季戊四醇六丙烯酸酯(聚合性化合物)13質(zhì)量份下述式I一l所示的光聚合引發(fā)劑2.6質(zhì)量份下述式S-l所示增感劑0.5質(zhì)量份'艾普道特(工求卜一卜)YD—8125(環(huán)氧當量170g/eq.東都化成公司制、雙酚A類環(huán)氧樹脂)，*8質(zhì)量份*熱固化劑(雙氰胺)*，*0.77質(zhì)量份*氟類表面活性劑(麥嘎發(fā)庫(乂力'7t^夕)F-176、大日本油墨化學工業(yè)(股份)制、30質(zhì)量％2-丁酮溶液)'0.2質(zhì)量份*硫酸鋇分散液(堺化學工業(yè)公司制、B-30)80質(zhì)量份丁酮15質(zhì)量份上述硫酸鋇分散液，是將硫酸鋇(堺化學工業(yè)(股份)制、B-30)30質(zhì)量份、PCR—1157H二乙二醇單甲基醚乙酸酯61.2質(zhì)量％的溶液34.29質(zhì)量份和醋酸正丙基酯35.71質(zhì)量份預混合后，用電動攪拌機M-200(艾嘎(T一^一)公司制)，使用直徑1.0mm的氧化鋯珠，以周速9m/s分散3.5小時來調(diào)制的。另外，熱交聯(lián)劑的環(huán)氧當量通過JISK7236測定。[化37]—感光性薄膜的制造一將所得的感光性組合物溶液用棒涂法涂敷于作為支撐體的厚16to!、寬300mm、長200m的PET(聚對苯二甲酸乙二醇酯)薄膜(東麗公司制、16FB50)上，在8(TC的熱風循環(huán)式干燥機中干燥，形成厚30Wn的感光層。然后在該感光層上，用層壓法層疊膜厚20toi、寬310mm、長210m的聚丙烯薄膜(王子制紙公司制、E—200)作為保護膜，制造感光性薄膜。_一感光性薄膜巻的制作一—用巻繞機巻取上述感光性薄膜，制作感光性薄膜巻。用同軸切割機切割所得上述感光性薄膜巻，將寬250mm、長150m的薄膜巻巻取于長300mm、內(nèi)徑76mm的ABS樹脂制圓筒狀巻芯，制作感光性薄膜輥。用黑色聚乙烯制的筒狀袋(膜厚80toi、水蒸氣透過率25g/m2.24hr以下)包裹所得上述感光性薄膜輥，將聚丙烯制襯套壓入巻芯的兩端。一感光性層疊體的調(diào)制一接下來，對于作為印制電路板的已形成布線的鍍銅層疊板(沒有通孔、銅厚12um)的表面實施化學研磨處理來調(diào)制上述基體。剝離上述感光性薄膜的保護膜，同時用真空層壓機(尼次古莫坦(二于rf、一乇一卜>0(股份)公司制、VP130)層疊于該鍍銅層疊板上，使上述感光性薄膜的感光層與上述鍍銅層疊板相接，調(diào)制成按上述鍍銅層疊板、上述感光層和上述聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜(支撐體)的順序?qū)盈B的感光性層疊體。壓接條件為，抽真空時間40秒、壓接溫度7(TC、壓接壓力0.2Mpa、加壓時間10秒。對于上述感光性層疊體進行最短顯影時間、感光度、分辨率、生保存性和生保存后分辨率的評價。最短顯影時間以外的結(jié)果示于表6。<最短顯影時間的評價>將聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜(支撐體)從上述感光性層疊體上剝離，對上述鍍銅層疊板上的上述感光層的全表面用3(TC的1質(zhì)量％的碳酸鈉水溶液在0.15MPa的壓力下進行噴霧，測定從碳酸鈉水溶液的噴霧開始到鍍銅層疊板上的感光層溶解除去所需時間，以此定為最短顯影時間。上述最短顯影時間為15秒。<感光度的評價>對于上述調(diào)制的感光性層疊體中感光性薄膜的感光層，從上述支撐體一側(cè)，用以下說明的圖案形成裝置，照射從O.lmj/cm2開始以2"2倍間隔至100mJ/cm2的能量不同的光，進行2重曝光，使上述感光層的一部分區(qū)域固化。在室溫靜置10分鐘，然后從上述感光性層疊體剝離上述支撐體，對鍍銅層疊板上的感光層的全表面用3(TC的1質(zhì)量％的碳酸鈉水溶液在噴霧壓0.15MPa的壓力下進行噴霧，噴霧時間為上述最短顯影時間的2倍，溶解除去未固化的區(qū)域，測定殘留的固化區(qū)域的厚度。接著繪制光的照射量與固化層厚度的關(guān)系曲線，得到感光度曲線。由該感光度曲線，將固化區(qū)域的厚度與曝光前感光層的35^相同時的光能量設定為使感光層固化所必須的能量?！秷D案形成裝置》使用了具備曝光頭30的圖案形成裝置10，而曝光頭30中作為上述光照射機構(gòu)具有特開2005—258431號公報記載的合波激光光源，作為光調(diào)制機構(gòu)具有DMD36、和圖5A及圖5B所示的使光成像于上述感光性薄膜的光學系統(tǒng)，DMD36控制為只驅(qū)動在圖6所示概略圖的主掃描方向上微反射鏡58被排列1024個而成的微反射鏡列在副掃描方向排列768組而成的微反射鏡陣列中的1024個X256列。作為各曝光頭30即各DMD36的設定傾斜角度，采用了比角度8i一大一些的角度，ei^為使用可以使用的1024列X256行的微反射鏡58正好成為2重曝光的角度。該角度e^，可由N重曝光的數(shù)N、可以使用的微反射鏡58的列方向的個數(shù)s、可以使用的微反射鏡58的列方向的間隔p、以及使曝光頭30傾斜的狀態(tài)下由微反射鏡形成的掃描線的間距S，通過下式1給出，spsin0ideal^NS(式1)如上述，由于本實施方式中的DMD36是縱橫的配置間隔相等的多個微反射鏡58呈矩形格子狀排列的，所以pcos9ideal=S(式2)上述式1為stain9ideal二N(式3)由于s二256、N=2，所以角度ei^約為0.45度。因此采用例如0.50度作為設定傾斜角度e。首先，為了修正2重曝光中的分辨率的不均勻和曝光斑，調(diào)整被曝光面的曝光圖的狀態(tài)。結(jié)果示于圖16。圖16表示的是在使平臺14處于靜止的狀態(tài)下投影于感光性薄膜12的被曝光面上的、源于曝光頭3012和3021具有的DMD36的可以使用的微反射鏡58的光點群的圖案。另外，在下段部分針對曝光區(qū)域3212和3221表示了如上段部分所示的光點群的圖案顯現(xiàn)的狀態(tài)下，移動平臺14進行連續(xù)曝光時被曝光面上形成的曝光圖案的狀態(tài)。另外，為了說明方便，圖16中，將可以使用的微反射鏡58的每隔一列的曝光圖案，分為像素列群A的曝光圖案和像素列群B的曝光圖案表示，而實際的被曝光面上的曝光圖案是這兩個曝光圖案重合的圖案。如圖16所示，作為曝光頭302和3021間的相對位置與理想的狀態(tài)不吻合的結(jié)果，判明在像素列群A的曝光圖案和像素列群B的曝光圖案上，在曝光區(qū)域3212和3221的與上述曝光頭的掃描方向垂直的坐標軸上重復的曝光區(qū)域內(nèi)，均產(chǎn)生了相對于理想的2重曝光的狀態(tài)而言曝光過度的區(qū)域。作為上述光點位置檢測機構(gòu)，使用狹縫28及光檢測器的組合，檢測曝光頭30,2的曝光區(qū)域32,2內(nèi)的光點P(1，1)和P(256，1)的位置、曝光頭3021的曝光區(qū)域3221內(nèi)的光點？(1,1024)和P(256，1024)的位置，測定連接它們的直線的傾斜角度和與曝光頭的掃描方向形成的角度。用實際傾斜角度e'，針對于曝光頭3012和3021分別導出與滿足下述式4的關(guān)系的t值最接近的自然數(shù)T。ttan9'=N(式4)對曝光頭3012，導出了T-254，對曝光頭3021導出了，T=255。結(jié)果，圖17中構(gòu)成斜線覆蓋部分78和80的微反射鏡被設定為本曝光時不使用的微反射鏡。其后，關(guān)于構(gòu)成圖17中斜線覆蓋的區(qū)域78和80的光點以外的光點所對應的微反射鏡，同樣設定構(gòu)成圖17中斜線覆蓋的區(qū)域82和網(wǎng)線覆蓋的區(qū)域84的光點所對應的微反射鏡，追加為本曝光時不使用的微反射鏡。對于這些設定為曝光時不使用的微反射鏡，通過上述描素部控制機構(gòu)輸送平時設定為關(guān)閉狀態(tài)的角度的信號，這些微反射鏡實質(zhì)上被控制為不參與曝光。由此，曝光區(qū)域3212和3221中，在由多個上述曝光頭形成的被曝光面上的重復曝光區(qū)域即曝光頭間連接區(qū)域以外的各區(qū)域內(nèi)，相對于理想的2重曝光，曝光過度區(qū)域和曝光不足區(qū)域的合計面積可以設為最小。<分辨率的評價>以與上述最短顯影時間的評價方法相同的方法和條件制作上述感光性層疊體，在室溫(23°C、55%RH)下靜置10分鐘。使用上述圖案形成裝置，從所得感光性層疊體的聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜(支撐體)上，以線/間隙=1/1、lum刻度的條件，從線寬10100um進行各線寬的曝光。此時的曝光量為使上述感光度評價中的上述感光性薄膜的感光層固化所必需的光能量的量。在室溫靜置10分鐘后，從上述感光性層疊體剝離聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜(支撐體)。將3(TC的1質(zhì)量％碳酸鈉水溶液，以O.15Mpa的噴霧壓，用上述最短顯影時間2倍的時間，噴霧于鍍銅層疊板上的感光層的全表面，溶解除去未固化區(qū)域。用光學顯微鏡觀察這樣得到的帶有固化樹脂圖案的鍍銅層疊板的表面，測定固化樹脂圖案的線上沒有堵塞、鈹?shù)犬惓Ｇ铱梢孕纬砷g隙的最小線寬，以此作為分辨率。該分辨率的數(shù)值越小越好。<生保存性的評價>'將通過上述感光度評價所得使感光層固化所必需的光能量的量設定為感光性層疊體調(diào)制后于24'C避光保存30分鐘后的光的最小能量(EQ)，將上述感光性層疊體在24'C、60。XRH下密閉于防濕袋(黑色聚乙烯制的筒狀袋、膜厚80um、水蒸氣透過率25g/m、24hr以下)，在40。C保存3天，然后用與上述感光度的評價相同的方法測定使上述感光層固化所必需的光能量的量(E,)，通過logl。(E/E。)，求得上述E,對上述E。的變化率。所得值越小，上述保存后越能維持高的感光度，生保存性也越優(yōu)良。<生保存后分辨率的評價>與上述生保存性的評價同樣，將上述感光性層疊體密閉，在40'C保存3天，然后用與上述分辨率的評價相同的方法測定分辨率。(實施例2實施例7)除了用下述表6所示的高分子化合物分別取代實施例1中的上述高分子化合物外，與實施例1同樣調(diào)制感光性層疊體，用與實施例1同樣的方法對感光度、分辨率、生保存穩(wěn)定性和生保存后的分辨率進行評價。結(jié)果示于表6。(比較例1)除了將實施例1中的肟衍生物變成依路嘎庫阿(Y》力'年-7)369(堿性型光聚合引發(fā)劑、汽巴精化公司制)外，與實施例1同樣調(diào)制感光性層疊體，對感光度、分辨率、生保存性和生保存后的分辨率進行評價。結(jié)果示于表6。(比較例2)除了將實施例1中的肟衍生物變成依路嘎庫阿907(堿性型光聚合引發(fā)劑、汽巴精化公司制)夕卜，與實施例1同樣調(diào)制感光性層疊體，對感光度、分辨率、生保存性和生保存后的分辨率進行評價。結(jié)果示于表6。高分子化合物感光度分辨率生保存性生保存后的分(mj/cm2)(Wn)Logio(Ei/Eo)辨率(Pffl)實施例1115250.1025實施例2217300.1230實施例3321360.1536實施例4422360.1536實施例5518350.1335實施例6617300.1330實施例72825400.2045比較例1140400.50不分辯比較例2143400.5075(實施例8)除了將實施例1中的光聚合引發(fā)劑變成下述結(jié)構(gòu)式所示的化合物，顯影后用超高壓水銀燈在50mJ/cm2下對全表面曝光外，與實施例1同樣調(diào)制感光性層疊體，對感光度、分辨率、生保存性和生保存后的分辨率進行評價。另外，用下述的方法對非電解鍍金耐性進行評價。將這些結(jié)果示于表7。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage114</formula><非電解鍍金耐性的評價>用后述工序?qū)ι鲜鲈囼灮暹M行非電解鍍金，對該試驗基板進行外觀變化和使用玻璃紙膠帶的剝離試驗，用以下的標準評價抗蝕被膜的剝離狀態(tài)。——評價標準——0:外觀沒有變化，抗蝕被膜完全沒有剝離A:外觀雖沒有變化，但抗蝕被膜稍有剝離X:抗蝕被膜出現(xiàn)脫皮，存在鍍不上現(xiàn)象，由剝離試驗進行的抗蝕被膜的剝離大——非電解鍍金工序——'將形成抗焊劑圖案(永久圖案)的實驗基板浸漬于3(TC的酸性脫脂液(日本馬庫達米特(7夕夕、'一L乂卜)公司制、MetexL-5B的20質(zhì)量％水溶液)3分鐘，然后于流水中浸漬3分鐘進行水洗。接著，在14.3質(zhì)量%過硫酸銻水溶液中于室溫浸漬3分鐘后在流水中浸漬3分鐘進行水洗，再將試驗基板在10質(zhì)量%硫酸水溶液中于室溫浸漬l分鐘后，在流水中浸漬30秒1分鐘進行水洗。然后，將該基板在3(TC的催化劑液(麥魯太庫斯(乂》于^夕7)公司制、金屬片催化劑-350的10質(zhì)量%水溶液)中浸漬7分鐘后，在流水中浸漬3分鐘進行水洗，再在85t:的鍍鎳液(麥魯太庫斯公司制、麥魯普來特(^少7。k一卜)鎳-865M_20容量％水溶液、pH4.6)中浸漬20分鐘進行非電解鍍鎳后，在10質(zhì)量%硫酸水溶液中于室溫浸漬1分鐘，然后在流水中浸漬30秒1分鐘進行水洗。將試驗基板在75'C的鍍金液(奧野制藥工業(yè)公司制、OPC穆丹古嚕達(厶，、yrf—AK)、pH1213、鍍金厚度O.3^im)中浸漬4分鐘進行非電解鍍金，然后在流水中浸漬3分鐘，再在6(TC的溫水中浸漬3分鐘進行充分的水洗，然后干燥，得到非電解鍍金試驗基板。(實施例9)除了將實施例8中的光聚合引發(fā)劑變成下述結(jié)構(gòu)式所示的化合物外，與實施例8同樣調(diào)制感光性層疊體，對感光度、分辨率、非電解鍍金耐性、生保存性和生保存后的分辨率進行評價。結(jié)果示于表7。(實施例10)除了將實施例8中的光聚合引發(fā)劑變成下述結(jié)構(gòu)式所示的化合物外，與實施例8同樣調(diào)制感光性層疊體，對感光度、分辨率、非電解鍍金耐性、生保存性和生保存后的分辨率進行評價。結(jié)果示于表7。[化40](實施例11)除了將實施例8中的光聚合引發(fā)劑變成下述結(jié)構(gòu)式所示的化合物外，與實施例8同樣調(diào)制感光性層疊體，對感光度、分辨率、非電解鍍金耐性、生保存性和生保存后的分辨率進行評價。結(jié)果示于表7。[化41](實施例12)除了將實施例8中的光聚合引發(fā)劑變成下述結(jié)構(gòu)式所示的化合物外，與實施例8同樣調(diào)制感光性層疊體，對感光度、分辨率、非電解鍍金耐性、生保存性和生保存后的分辨率進行評價。結(jié)果示于表7。[化42](比較例3)除了將實施例1中的高分子化合物變成賽庫咯馬(廿^f夕口7—)P(ACA200M、DAICEL化學工業(yè)公司制)，顯影后用超高壓水銀燈在50mJ/cm2下對全表面曝光外，與實施例1同樣調(diào)制感光性層疊體，對感光度、分辨率、非電解鍍金耐性、生保存性和生保存后的分辨率進行評價。結(jié)果示于表7。<table>tableseeoriginaldocumentpage116</column></row><table>(實施例13)除了將實施例1中的艾普道特YD—81258質(zhì)量份變成艾普道特YDF一2001(環(huán)氧當量450g/eq.、東都化成公司制、雙酚F類環(huán)氧樹脂)16質(zhì)量份外，與實施例1同樣調(diào)制感光性層疊體，對感光度、分辨率、非電解鍍金耐性、生保存性和生保存后的分辨率進行評價。結(jié)果示于表8。(實施例14)除了將實施例1中的艾普道特YD—81258質(zhì)量份變成NC—3000(環(huán)氧當量280g/eq.、日本化藥公司制、聯(lián)苯型環(huán)氧樹脂)9質(zhì)量份外，與實施例1同樣調(diào)制感光性層疊體，對感光度、分辨率、非電解鍍金耐性、生保存性和生保存后的分辨率進行評價。結(jié)果示于表8。(實施例15)除了將實施例1中的艾普道特YD—81258質(zhì)量份變成艾普道特YDCN一704L(環(huán)氧當量210g/eq.、東都化成公司制、線型酚醛樹脂型環(huán)氧樹脂)IO質(zhì)量份外，與實施例1同樣調(diào)制感光性層疊體，對感光度、分辨率、非電解鍍金耐性、生保存性和生保存后的分辨率進行評價。結(jié)果示于表8。(實施例16)除了將實施例1中的艾普道特YD—81258質(zhì)量份變成XD—1000L(環(huán)氧當量250g/eq.、日本化藥公司制、含脂環(huán)基團的環(huán)氧樹脂)10質(zhì)量份外，與實施例1同樣調(diào)制感光性層疊體，對感光度、分辨率、非電解鍍金耐性、生保存性和生保存后的分辨率進行評價。結(jié)果示于表8。(實施例17)除了將實施例1中的艾普道特YD—81258質(zhì)量份變成艾皮庫特(工匕°〕一卜)YX—4000(環(huán)氧當量187g/eq.、日本環(huán)氧樹脂公司制、難溶性環(huán)氧樹脂)IO質(zhì)量份外，與實施例1同樣調(diào)制感光性層疊體，對感光度、分辨率、非電解鍍金耐性、生保存性和生保存后的分辨率進行評價。結(jié)果示于表8。(實施例18)除了將實施例1中的艾普道特YD—81258質(zhì)量份變成TEPC—S(環(huán)氧當量100g/eq.、日產(chǎn)化學公司制、難溶性環(huán)氧樹脂)7質(zhì)量份外，與實施例1同樣調(diào)制感光性層疊體，對感光度、分辨率、非電解鍍金耐性、生保存性和生保存后的分辨率進行評價。結(jié)果示于表8。(比較例4)除了將實施例8中的上述高分子化合物的種類變?yōu)槿绫?所示，光聚合引發(fā)劑變?yōu)橐缆犯聨彀?69(堿性型光聚合引發(fā)劑)1.3質(zhì)量份和CGI一325(肟衍生物)1.3質(zhì)量份(都為汽巴精化公司制)夕卜，與實施例8同樣調(diào)制感光性層疊體，對感光度、分辨率、非電解鍍金耐性、生保存性和生保存后的分辨率進行評價。結(jié)果示于表8。<table>tableseeoriginaldocumentpage117</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage118</column></row><table>(實施例19)除了將實施例1中的光聚合引發(fā)劑變?yōu)閷嵤├?所述式I一l所示的光聚合引發(fā)劑1.3質(zhì)量份和實施例8所述結(jié)構(gòu)式所示的化合物1.3質(zhì)量份，與實施例1同樣調(diào)制感光性層疊體。另外制作具有與實施例1同樣圖案的玻璃制負片，將該負片與上述感光性層疊體接觸，用超高壓水銀燈以20mJ/cm2的曝光量曝光。然后用與實施例8同樣的方法顯影，進行分辨率、生保存性和生保存后分辨率的評價。結(jié)果示于表9。(比較例5)與比較例1同樣調(diào)制感光性層疊體，用與實施例19同樣的方法進行曝光和顯影，對分辨率、生保存性和生保存后的分辨率進行評價。結(jié)果示于表9。<table>tableseeoriginaldocumentpage118</column></row><table>由表69的結(jié)果可以判斷，由實施例119的感光性組合物形成的感光層，在規(guī)定期間保存后的感光度變化率logw(E1/E。)在0.3以內(nèi)，因此生保存性優(yōu)良、生保存后的分辨率也良好，可以形成高精度的圖案。特別是使用側(cè)鏈具有酸性基、可以含雜環(huán)的芳香族基和乙烯性不飽和鍵的高分子化合物的實施例16以及實施例819的感光性組合物形成的感光層，在規(guī)定期間保存后的感光度變化率log,o(E!/Eo)不足0.2，生保存性非常優(yōu)秀。產(chǎn)業(yè)上利用的可能性由于感光度良好、而且生保存性優(yōu)良、可以形成高精度的永久圖案，本發(fā)明的感光性組合物和感光性薄膜可以適當用于保護膜、層間絕緣膜、以及抗焊劑圖案等永久圖案等各種圖案的形成、濾色器、柱材、肋材、墊片(spacer)、隔板等液晶結(jié)構(gòu)構(gòu)件的制造、全息圖、微電機、校樣等的永久圖案的形成，特別是可以適用于印制電路板的永久圖案的形成。由于使用本發(fā)明的上述感光性組合物，本發(fā)明的永久圖案形成方法可以適當用于保護膜、層間絕緣膜、以及抗焊劑圖案等永久圖案等各種圖案的形成、濾色器、柱材、肋材、墊片(spacer)、隔板等液晶結(jié)構(gòu)構(gòu)件的制造、全息圖、微電機、校樣等的永久圖案的形成，特別是可以適用于印制電路板的永久圖案的形成。權(quán)利要求1.一種感光性組合物，其特征在于，含有粘合劑、聚合性化合物、光聚合引發(fā)劑和熱交聯(lián)劑，對已形成的感光層進行曝光顯影時，將所述感光層層疊于基體，用于使在24℃、60％RH下密閉后在40℃下保存3天后的所述感光層的曝光部分的厚度不在該曝光及顯影后發(fā)生變化的所述曝光的光的最小能量(E1)相對用于在24℃的暗處保存30分鐘后的所述曝光的光的最小能量(E0)的變化率log10(E1/E2)在±0.3以內(nèi)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的感光性組合物，其中，光聚合引發(fā)劑中含有中性自由基發(fā)生劑。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的感光性組合物，其中，光聚合引發(fā)劑中含有肟衍生物。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的感光性組合物，其中，肟衍生物具有下述通式(A)和下述通式(B)中的任何一種所示部分其中，所述通式(A)和(B)中，Ar表示芳香族基和雜環(huán)基中的任何一種，Yi表示氫原子和一價取代基中的任何一種，￥2表示脂肪族基、芳香族基、雜環(huán)基、COY3、C02Y3和CONY4y5中的任何一種，Y3、Y"和Y5表示脂肪族基、芳香族基和雜環(huán)基中的任何一種，m表示l以上的整數(shù)。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的感光性組合物，其中，通式(A)和(B)中的Ar具有苯基和萘基中的任何一種。6.根據(jù)權(quán)利要求45中任一項所述的感光性組合物，其中，通式(A)和(B)中的Ar具有萘基。結(jié)構(gòu)，[化l][化2]7.根據(jù)權(quán)利要求46中任一項所述的感光性組合物，其中，通式(A)還由下述通式(C)禾卩(D)中的任何一種表示，[化3]通式(C)通式(D)其中，所述通式(C)和(D)中，R則與通式(A)和(B)中的￥1含義相同，Y'2與通式(A)和(B)中的￥2含義相同。8.根據(jù)權(quán)利要求17中任一項所述的感光性組合物，其中，粘合劑中含有在側(cè)鏈具有酸性基和乙烯性不飽和鍵的高分子化合物。9.根據(jù)權(quán)利要求18中任一項所述的感光性組合物，其中，粘合劑中含有在側(cè)鏈具有酸性基、可以含雜環(huán)的芳香族基和乙烯性不飽和鍵的高分子化合物。10.根據(jù)權(quán)利要求19中任一項所述的感光性組合物，其中，熱交聯(lián)劑中含有環(huán)氧化合物，該環(huán)氧化合物是從雙酚型環(huán)氧樹脂、線型酚醛型環(huán)氧樹脂、難溶性環(huán)氧樹脂和含脂環(huán)基的環(huán)氧樹脂中選擇的至少1種化合物。11.根據(jù)權(quán)利要求110中任一項所述的感光性組合物，其中，含有增感劑。12.根據(jù)權(quán)利要求ll所述的感光性組合物，其中，增感劑中含有雜稠環(huán)類化合物。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的感光性組合物，其中，雜稠環(huán)類化合物為噻噸酮化合物。14.一種感光性薄膜，其特征在于，具有支撐體和該支撐體上的由權(quán)利要求113中任一項所述的感光性組合物形成的感光層。15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的感光性薄膜，其中，所述感光性薄膜為長條狀，并且?guī)喅奢仩睢?6.—種永久圖案形成方法，其特征在于，包含對由權(quán)利要求113中任一項所述的感光性組合物形成的感光層進行曝光的工序。17.—種印制電路板，其特征在于，利用權(quán)利要求16所述的永久圖案形成方法形成永久圖案。全文摘要本發(fā)明的目的在于通過使用肟衍生物和特定的增感劑，提供一種感光度良好、而且生保存性優(yōu)良的感光性組合物、感光性薄膜、使用上述感光性組合物的永久圖案形成方法、以及由上述永久圖案形成方法形成永久圖案的印制電路板。因此可以提供一種感光性組合物，其含有粘合劑、聚合性化合物、光聚合引發(fā)劑和熱交聯(lián)劑，對形成的感光層進行曝光顯影時，將上述感光層層疊于基體，用于使在24℃、60％RH下密閉后在40℃保存3天后的上述感光層的曝光部分的厚度不在曝光及顯影后發(fā)生變化的上述曝光的光的最小能量(E₁)相對用于在24℃的暗處保存30分鐘后的上述曝光的光的最小能量(E₀)的變化率log₁₀(E₁/E₂)在±0.3以內(nèi)。文檔編號C08F2/50GK101438210SQ20068005452公開日2009年5月20日申請日期2006年11月24日優(yōu)先權(quán)日2006年3月8日發(fā)明者池田貴美,藤田明德申請人:富士膠片株式會社