專利名稱：一種具有空穴傳輸層的高分子發(fā)光二極管的制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種光電器件的制造方法，尤其涉及一種發(fā)光二極管的制造方法。
高分子發(fā)光二極管具有材料成本低廉，驅動電壓低，主動發(fā)光，視角寬，能耗低等特點，更有易于大面積成型，發(fā)光波長可通過分子結構設計而進行調節(jié)等優(yōu)勢，可以廣泛應用于高分辨全色平面顯示器，也可以應用于聚合物太陽能電池。
當在高分子發(fā)光二極管兩端加上正向偏壓，空穴由正極注入到高分子發(fā)光層的價帶并向負極遷移，電子由負極注入到高分子發(fā)光層的導帶并向正極遷移?？昭ê碗娮釉谶w移過程中互相俘獲，復合成激子，激子態(tài)的電子發(fā)生輻射躍遷，能量以光子形式釋放出去， 實現(xiàn)電致發(fā)光。但是，現(xiàn)有技術中發(fā)光二極管仍存在一些缺陷，柔性發(fā)光二極管的制備工藝復雜，成本高，制備的發(fā)光二極管的發(fā)光性能不能滿足需要，因此希望研發(fā)一種更好性能的有機/高分子發(fā)光二極管，效率高，制備工藝簡單且成本低。發(fā)明內容
本發(fā)明公開了一種高分子發(fā)光二極管的制造方法，該方法制備工藝簡單、成本低且制得的發(fā)光二極管發(fā)光效率高。
本發(fā)明的高分子發(fā)光二極管的制造方法包括依次制備襯底、陽極、空穴傳輸層、高分子發(fā)光層和陰極，其中，
制備所述高分子發(fā)光層的材料包括如下步驟
(I)式(II)的聚合物
在堿性環(huán)境下與巰基乙酸甲酯發(fā)生環(huán)化反應生成忒(III)的聚合物·
背景技術：
權利要求
1.一種高分子發(fā)光二極管的制造方法，包括依次制備襯底、陽極、空穴傳輸層、高分子發(fā)光層和陰極，其特征在于，制備所述高分子發(fā)光層的方法包括以下步驟(I)式(II)的聚合物 \在堿性環(huán)境下與巰基乙酸甲酯發(fā)生環(huán)化反應生成式(III)的聚合物 )(2)式(III)的聚合物與酰鹵縮合形成式(IV)的聚合物 )(3)式(IV)的聚合物經(jīng)堿去質子化后與碘代物反應得到式(V)的聚合物(V)(4)由(V)的聚合物經(jīng)Suzuki偶聯(lián)反應后用強堿皂化得到式(I)的聚合物作為高分子發(fā)光層其中，R1 選自 C1-C12烷基，C2-C12烯基，C2-C12炔基，C6-C14芳基，C3-C12 雜環(huán)，C3-C18 雜芳基烷基，C6-C18芳基烷基或C3-C7環(huán)烷基；R2選自氫，C1-C12烷基，C2-C12烯基，C2-C12炔基，C3-C12雜環(huán)，C3-C18雜芳基烷基， C6-C18芳基烷基或C3-C7環(huán)烷基；R3 選自氫，鹵素，硝基，-NRaRb, -SO2Rc, -SO2NRdRe, -CONRfRg, -NRhCORi, -NRjSO2Rk,疊氮基， 氰基，二氟甲基，二氟甲氧基，C1-C6燒基或-OR1 ；R4 選自氫，鹵素，硝基，-NRaRb, -SO2Rc, -SO2NRdRe, -CONRfRg, -NRhCORi, -NRjSO2Rk,疊氮基， 氰基，二氟甲基，二氟甲氧基，C1-C6燒基或-OR1 ；R5 選自氫，鹵素，硝基，-NRaRb, -SO2Rc, -SO2NRdRe, -CONRfRg, -NRhCORi, -NRjSO2Rk,疊氮基， 氰基，二氟甲基，二氟甲氧基，C1-C6燒基或-OR1 ；R6選自氫，鹵素，C1-C12烷基，C2-C12烯基，C6-C14芳基，C5-C14雜芳基，C6-C14芳基烷基，C5-C14雜芳基烷基，C3-C12雜環(huán)，C3-C7環(huán)烷基或C3-C7環(huán)烯基；A 選自-NRjSO2Rk, -ORn, -NR0SO2NRpRq ;B 選自-CO-，-SO2-；Ri> R6非氫時可被一種或一種以上的以下基團所任選取代 素，硝基，-NRaRb, -SO2Rc, -SO2NRdRe, -CONRfRg, -NRhCORi, -NRjSO2Rk,疊氮基，氰基，三氟甲基，三氟甲氧基，C1-C6烷基或-OR1 ;R2非氫時可被一種或一種以上的以下基團所任選取代齒素或-ORm;上述中，Ra，Rb，Rc, Rd, Re, Rf, Rg, Rh, Ri, Rj, Rk, R1, Rn, R0, Rp, Rq 獨立地選自氫或 C1-C6 烷基或C6-C14芳基；Rm獨立地選自氫或C1-C6烷基。
2.如權利要求1所述的高分子發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于，所述R1選自 C6-C14芳基，C3-C12雜環(huán)，C3-C18雜芳基烷基，C6-C18芳基烷基或C3-C7環(huán)烷基；R2選自C1-C12烷基，C2-C12烯基，C2-C12炔基，C3-C12雜環(huán)，C3-C18雜芳基烷基， C6-C18芳基烷基或C3-C7環(huán)烷基；R6選自C6-C14芳基，C5-C14雜芳基，C6-C14芳基烷基，C5-C14雜芳基烷基，C3-C12雜環(huán)，C3-C7環(huán)烷基或C3-C7環(huán)烯基；R1^R6可被一種或一種以上的以下基團所任選取代鹵素，硝基，-NRaRb, -SO2Rc, -SO2NRdR e，-CONRfRg, -NRhCORij-NRjSO2Rk,疊氮基，氰基，三氟甲基，三氟甲氧基，C1-C6烷基或-OR1 ；R2 非氫時可被一種或一種以上的以下基團所任選取代齒素或-ORm ；上述中，Ra，Rb，Rc, Rd, Re, Rf, Rg, Rh, Ri, Rj, Rk, R1 獨立地選自氫或 C1-C6 烷基或 C6-C14 芳基；Rm獨立地選自氫或C1-C6烷基。
3.如權利要求1所述的高分子發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于，所述R1選自 C6-C14芳基，C3-C12雜環(huán)，C3-C18雜芳基烷基，C6-C18芳基烷基或C3-C7環(huán)烷基；R2選自C1-C12烷基，C2-C12烯基，C2-C12炔基，C3-C12雜環(huán)，C3-C18雜芳基烷基， C6-C18芳基烷基或C3-C7環(huán)烷基；R6選自C6-C14芳基，C5-C14雜芳基，C6-C14芳基烷基，C5-C14雜芳基烷基，C3-C12雜環(huán)，C3-C7環(huán)烷基或C3-C7環(huán)烯基；R1^R6可被一種或一種以上的以下基團所任選取代鹵素，硝基，-NRaRb, -SO2Rc, -SO2NRdR e，-CONRfRg, -NRhCORij-NRjSO2Rk,疊氮基，氰基，三氟甲基，三氟甲氧基，C1-C6烷基或-OR1 ；R2 非氫時可被一種或一種以上的以下基團所任選取代齒素或-ORm ；A為羥基；上述中，Ra，Rb，Rc, Rd, Re, Rf, Rg, Rh, Ri, Rj, Rk, R1 獨立地選自氫或 C1-C6 烷基或 C6-C14 芳基；Rm獨立地選自氫或C1-C6烷基。
4.如權利要求1 3中任一項所述的高分子發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于，所述步驟⑴中堿性環(huán)境是在具有適量的無機堿，優(yōu)選為二乙胺，三乙胺，二異丙基乙胺，吡唆， 喹啉等，或有機堿，如碳酸鉀，碳酸鈉，碳酸銫，氫氧化鉀或氫氧化鈉等存在的環(huán)境。
5.如權利要求1 3中任一項所述的高分子發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于，所述步驟(3)中堿選自有機堿，優(yōu)選為碳酸鉀，碳酸鈉，碳酸銫，氫氧化鉀，氫氧化鈉，氫化鈉，氫化鉀，丁基鋰，二異丙基氨基鋰，六甲基二硅基胺基鋰，六甲基二硅基胺基鈉或六甲基二硅基胺基鉀。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種高分子發(fā)光二極管的制造方法，該方法制備工藝簡單、成本低且制得的發(fā)光二極管發(fā)光效率高。本發(fā)明的高分子發(fā)光二極管的制造方法包括依次制備襯底、陽極、空穴傳輸層、高分子發(fā)光層和陰極。本發(fā)明的發(fā)光二極管采用的高分子發(fā)光層作為高效的發(fā)光聚合物，發(fā)光二極管的發(fā)光性能得到顯著提高；制備工藝簡單，制作成本低；適合于制備柔性顯示屏的陰極。
文檔編號C08G61/12GK103000825SQ201210499950
公開日2013年3月27日 申請日期2012年11月30日 優(yōu)先權日2012年11月30日
發(fā)明者虞浩輝, 周宇杭, 呂鎖方, 顧忠杰 申請人:江蘇威納德照明科技有限公司