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      一種多晶硅廢水處理裝置的制作方法

      文檔序號(hào):3663016閱讀:236來源:國知局
      專利名稱:一種多晶硅廢水處理裝置的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本實(shí)用新型涉及一種廢水處理裝置,具體涉及一種多晶硅廢水處理裝置,屬于廢水回收利用領(lǐng)域。
      背景技術(shù)
      硅單質(zhì)作為重要的光電材料、半導(dǎo)體材料,其戰(zhàn)略資源的地位日益明顯,其全球需求量亦不斷增大。在光電、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中,需要將單質(zhì)硅體切割成符合要求的硅片,目前多晶硅主要是采用多線切割技術(shù),在切割過程中約50%的硅料混進(jìn)由聚乙二醇(PEG)切削液和碳化硅粉(SiC)磨料組成的切削液中,使得切削液中微粉的組成、粒徑、硬度均不滿足標(biāo)準(zhǔn),造成切削性能下降,不能重復(fù)利用,因此在切割過程中需要不斷地排出舊切削液,并不斷補(bǔ)充新切削液,這樣就產(chǎn)生了大量的切割廢液。切削廢液為黑色粘稠狀懸浮液,主要組分及含量為:聚乙二醇(PEG),40% 50%;碳化硅(SiC),23% 33%;硅(Si),20% 24%;鐵屑(Fe) ,2.5% 3.0%。其中,PEG的原料是石油中提煉出來的,再聚合而成,分子結(jié)構(gòu)穩(wěn)定,不易分解,極易溶于水,生物耗氧量低,在自然界中不易降解,其C0D(化學(xué)需氧量)值大大超過廢水排放標(biāo)準(zhǔn),如不經(jīng)過特殊處理,流入自然環(huán)境將會(huì)造成巨大污染。SiC和Si都是重要的工業(yè)原料,均屬于不可再生資源。生產(chǎn)SiC原料過程中要消耗巨大能源,國家現(xiàn)已對(duì)此新工業(yè)項(xiàng)目進(jìn)行限制。其中的Si為切磨下來的高純硅粉,若直接排放會(huì)造成環(huán)境污染和硅材料的浪費(fèi)。目前對(duì)于這種廢水的處理,有兩種思路:一種是處理達(dá)標(biāo)后排放。常用方法有微生物法、高級(jí)氧化法等,對(duì)于這種重要含PEG的廢水,微生物法工藝復(fù)雜,處理效率低,處理效果差,幾乎不可能達(dá)標(biāo);高級(jí)氧化法處理效果較好,但運(yùn)行費(fèi)用較高,工藝控制復(fù)雜;其它的常用污水處理方法也很難適用;另一種思路是將廢液分級(jí)回收處理,因?yàn)閺U水中的PEG、SiC和Si都是重要的工業(yè)原料,其中聚乙二醇(PEG)市場價(jià)12元每公斤,SiC市場價(jià)24元每公斤,Si市場價(jià)140元每公斤。因`此,分級(jí)回收和利用硅切割廢液對(duì)于節(jié)約資源、保護(hù)環(huán)境、提高經(jīng)濟(jì)效益具有重要意義,國外已經(jīng)有相對(duì)較為成熟的處理回收技術(shù),國內(nèi)這方面技術(shù)還不成熟,大多處于研究階段。國內(nèi)現(xiàn)有的處理回收技術(shù),如:一種光伏廢水零排放工藝(CN 102557291A),系統(tǒng)流程過長、工藝復(fù)雜、投資過大,難以實(shí)現(xiàn)工程實(shí)際應(yīng)用;一種處理含聚乙二醇廢水的方法(CN 1023722388A),采用絮凝沉淀、Fendon氧化技術(shù),處理后廢水需再進(jìn)入廢水處理廠處理,要使用費(fèi)用較高,且并不適合多晶硅廢水的處理;從硅片切割加工副產(chǎn)品中回收碳化硅的方法(CNlO 1244823A),該專利裝置采用離心固液分離,只回收廢液中的碳化硅,聚乙二醇、和回收價(jià)值更高的硅并未涉及;現(xiàn)有的回收技術(shù)主要問題在于:①固液分離效果不佳,往往需要經(jīng)過多級(jí)分離,如:離心分離、斜板沉淀、過濾、壓濾等,分離出的PEG液體含部分輕質(zhì)的雜質(zhì),需要經(jīng)過進(jìn)一步的提純才能回用SiC和Si分離過程復(fù)雜且效果欠佳,需要使用多種化學(xué)藥劑或經(jīng)過多種物理過程,缺少一種簡單有效的分離裝置。發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是高效的處理回用技術(shù),能徹底解決固液分離效果不佳問題,為此,提供了一種多晶硅廢水處理裝置。本實(shí)用新型解決上述技術(shù)問題所采取的技術(shù)方案如下:一種多晶硅廢水處理裝置,包括:陶瓷膜系統(tǒng);其中,所述陶瓷膜系統(tǒng),包括料液箱、供料泵、循環(huán)泵、陶瓷膜、透過液箱以及多個(gè)連接管道,其中,料液箱的上開口通過連接管道與循環(huán)泵相連接,料液箱的下端與供料泵相連接,且供料泵又通過連接管道與所述循環(huán)泵與料液箱的上開口之間的連接管道相連接,且循環(huán)泵又通過連接管道與陶瓷膜相連接,陶瓷膜又通過連接管道與所述透過液箱的上開口相連接,且在連接管道上還設(shè)有壓力調(diào)節(jié)閥門和/或儀器儀表。進(jìn)一步地,優(yōu)選的是,所述陶瓷膜的形狀為管式多段彎曲中空結(jié)構(gòu),膜孔小于I μ m0 進(jìn)一步地,優(yōu)選的是,所述陶瓷膜由由二氧化鈦和二氧化鋯料制成。進(jìn)一步地,優(yōu)選的是,通過管道還連接有液體分離器,包括:分離腔體和與其相連接的流體儲(chǔ)箱、流量供給泵,其中,所述流量供給泵設(shè)于分離腔體和所述流體儲(chǔ)箱之間。進(jìn)一步地,優(yōu)選的是,所述分離腔體的液體進(jìn)口開于所述分離腔體的下方位置處。進(jìn)一步地,優(yōu)選的是,所述液體為純水或氯化1丐或者氯化鈉溶液。本實(shí)用新型采取了上述方案以后,具有以下優(yōu)越性:① 原廢液不經(jīng)任何處理,直接加壓分離,不需添加任何化學(xué)品,分離出的PEG純度達(dá)99.7%,過程簡單可靠,一次便可完成PEG分離和經(jīng)提純過程,PEG回收率達(dá)92% ;②創(chuàng)新性的SiC和Si流體分離器技術(shù),不僅操作簡單,且有良好的分離效果,Si回收率最高可達(dá)85%,SiC回收率90%以上。因?yàn)榉蛛x界面的SiC和Si混合物可在下次分離中繼續(xù)分離,理論上分離次數(shù)越多,分離率越高。③本實(shí)用新型將需處理的廢液變廢為寶,不僅實(shí)現(xiàn)了污染物的“零”排放,同時(shí)又有很高的經(jīng)濟(jì)效益。本實(shí)用新型的其它特征和優(yōu)點(diǎn)將在隨后的說明書中闡述,并且,部分地從說明書中變得顯而易見,或者通過實(shí)施本實(shí)用新型而了解。本實(shí)用新型的目的和其他優(yōu)點(diǎn)可通過在所寫的說明書、權(quán)利要求書、以及附圖中所特別指出的結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)和獲得。
      以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)的描述,以使得本實(shí)用新型的上述優(yōu)點(diǎn)更加明確。其中,


      圖1是配合本實(shí)用新型的多晶硅廢水處理裝置的流程示意圖;圖2是本實(shí)用新型多晶硅廢水處理裝置的陶瓷膜系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖;圖3是本實(shí)用新型多晶硅廢水處理裝置的流體分離器的結(jié)構(gòu)示意圖。
      具體實(shí)施方式
      [0026]以下將結(jié)合附圖及實(shí)施例來詳細(xì)說明本實(shí)用新型的實(shí)施方式,借此對(duì)本實(shí)用新型如何應(yīng)用技術(shù)手段來解決技術(shù)問題,并達(dá)成技術(shù)效果的實(shí)現(xiàn)過程能充分理解并據(jù)以實(shí)施。需要說明的是,只要不構(gòu)成沖突,本實(shí)用新型中的各個(gè)實(shí)施例以及各實(shí)施例中的各個(gè)特征可以相互結(jié)合,所形成的技術(shù)方案均在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。另外,在附圖的流程圖示出的步驟可以在諸如一組計(jì)算機(jī)可執(zhí)行指令的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中執(zhí)行,并且,雖然在流程圖中示出了邏輯順序,但是在某些情況下,可以以不同于此處的順序執(zhí)行所示出或描述的步驟。如
      圖1所示,所述多晶硅廢水處理裝置,依下述步驟進(jìn)行:(I)將多晶硅廢液經(jīng)過增壓后進(jìn)入為陶瓷膜系統(tǒng),在0.20MPa-0.55MPa壓力下進(jìn)行固液分離,分離出聚乙二醇液體儲(chǔ)存以備回用生產(chǎn),分理處出的固液混合物進(jìn)入步驟
      (2);(2)將陶瓷膜系統(tǒng)分離出的固液混合物用純水沖洗干凈,得到包括:SiC、S1、Fe和雜質(zhì)的固體混合物,將此固體混合物加入鹽酸中進(jìn)行攪拌和清洗,分離出固體SiC、固體Si和雜質(zhì)的混合顆粒物;(3)將所述固體SiC和Si混合顆粒物加入流體分離器,控制流體分離器流速,使SiC和Si分層,并分別收集分層的SiC和Si,部分處于混合狀態(tài)的固體SiC、固體Si和雜質(zhì)則不分離。進(jìn)一步地,優(yōu)選的是,步驟(3)以后,還包括:對(duì)分離后的Si熔鑄提純,以得到太陽能級(jí)多晶硅;和/或;對(duì)分離后的SiC干燥后并進(jìn)行微粉分級(jí)分離,按粒徑大小選擇回用。進(jìn)一步地,優(yōu)·選的是,步驟(2)中,所述鹽酸的溫度30°C -45°C,濃度10%_30%,并且,步驟(2)中還要進(jìn)行攪拌30-90分鐘。進(jìn)一步地,優(yōu)選的是,步驟(3)中,所述流體分離器流速為40m/h_60 m/h。其中,在一個(gè)比較具體的實(shí)施例中,依據(jù)下面的步驟進(jìn)行操作:第一步:將廢液經(jīng)過增壓后進(jìn)入為陶瓷膜系統(tǒng),在0.20MPa-0.55MPa壓力下進(jìn)行固液分離,陶瓷膜系統(tǒng)為微孔過濾技術(shù),有效過濾孔徑小于I μ m,在壓力驅(qū)動(dòng)下,廢液中的PEG液體通過微孔,而廢液中的固體顆粒則無法通過,分離過程在常溫下進(jìn)行,也不需要添加任何化學(xué)藥劑,整個(gè)過程不發(fā)生任何相變,分離出的PEG液體純度達(dá)99.7%,完全達(dá)到切割生產(chǎn)要求,可直接儲(chǔ)存以備回用生產(chǎn),PEG回收率大于92% ;第二步:將陶瓷膜系統(tǒng)分離出的濃縮泥漿用純水沖洗干凈,得到SiC、S1、Fe和極少量雜質(zhì)的固體,將此固體物加入溫度30°C -45°C,濃度10%-30%的鹽酸中攪拌清洗30-90分鐘,F(xiàn)e和少量的雜質(zhì)與鹽酸反應(yīng),溶解于鹽酸中而被除去,經(jīng)過酸洗后,用純水沖洗干凈,所得固體顆粒為SiC和Si ;第三步:將上步中得到的混合顆粒物加入流體分離器,控制流體分離器流速為40m/h-60 m/h,其中流體分離器中所用液體為純水或氯化鈣、氯化鈉溶液,由于SiC和Si密度不同(SiC 3.2g/cm3, Si 2.4g/cm3),當(dāng)流體分離器中的液體由下向上以一定的流速流動(dòng)時(shí),混合顆粒物整體處于懸浮狀態(tài),密度小Si懸浮于上層,密度大的SiC懸浮于下層,這時(shí)停止流體流動(dòng),懸浮的混合顆粒便分層沉降下來,可完成分離,分別收集SiC、Si,流體分離器分離層中間有少量SiC和Si的混合物,這部分混合物可另外收集,待下次混合物分離時(shí)再分離,這樣可以保證收集到的SiC和Si純度,同時(shí)多次分離后,分離率將提高;[0039]第四步:將收集的Si溶鑄提純,可得到太陽能級(jí)多晶娃,Si回收率最聞可達(dá)85% ;第五步:將SiC干燥后進(jìn)行微粉分級(jí)分離,按粒徑大小選擇回用,回收率90%以上。其中,如圖2和3所示,本實(shí)施例還公開了一種多晶硅廢水處理裝置,其中,本實(shí)施例的實(shí)用新型點(diǎn)主要在于陶瓷膜系統(tǒng)和流體分離器,因此,主要在圖2和圖3中示例了其結(jié)構(gòu),其他的部件可以采用現(xiàn)有的部件,在此不進(jìn)行詳細(xì)說明,這些都是本領(lǐng)域技術(shù)人員所能夠知曉的。如圖2所示,所述陶瓷膜系統(tǒng),包括料液箱11、供料泵12、循環(huán)泵13、陶瓷膜14、透過液箱15以及多個(gè)連接管道,其中,在連接管道上還設(shè)有壓力調(diào)節(jié)閥門和/或儀器儀表。進(jìn)一步地,優(yōu)選的是,所述陶瓷膜的形狀為管式多段彎曲中空結(jié)構(gòu),膜孔小于
      Iμ m0進(jìn)一步地,優(yōu)選的是,所述陶瓷膜由由二氧化鈦和二氧化鋯料制成。進(jìn)一步地,優(yōu)選的是,通過管道還連接有液體分離器,包括:分離腔體31和與其相連接的流體儲(chǔ)箱33、流量供給泵32,其中,所述流量供給泵設(shè)于分離腔體和所述流體儲(chǔ)箱之間。進(jìn)一步地,優(yōu)選的是,所述分離腔體的液體進(jìn)口開于所述分離腔體的下方位置處,其中,小密度分離物34在上方,大密度分離物35在下方,在最下方會(huì)存在未分離完全的混合物。進(jìn)一步地,優(yōu)選的是,所述液體為純水或氯化鈣或者氯化鈉溶液,更具體地說,所述流體分離器中,所用液體由下至上進(jìn)入分離器,通過調(diào)節(jié)流體分離器內(nèi)液體流速,是待分離混合物處于懸浮狀態(tài),且流體分離器所用液體為純水或一定濃度的氯化鈣、氯化鈉溶液。
      ·[0048]
      以下結(jié)合附圖敘述兩個(gè)實(shí)施例,對(duì)本實(shí)用新型做詳細(xì)敘述。實(shí)施例1、處理裝置之一,依以下述步驟進(jìn)行:第一步:將收集的廢液經(jīng)過進(jìn)料泵供給陶瓷膜系統(tǒng),開啟循環(huán)泵,通過調(diào)節(jié)進(jìn)料泵后閥門、循環(huán)泵后閥門和濃縮液回流閥,控制陶瓷膜系統(tǒng)進(jìn)口壓力為0.55MPa,陶瓷膜系統(tǒng)出口壓力為0.40MPa,陶瓷膜系統(tǒng)填裝膜過濾孔徑為0.14 μ m,在壓力驅(qū)動(dòng)下,廢液中的PEG液體通過陶瓷膜微孔,廢液中的固體顆粒無法通過,將透過的PEG液體收集儲(chǔ)存,在無PEG液體透出后,收集濃縮料衆(zhòng);第二步:將陶瓷膜系統(tǒng)分離出的濃縮料漿用純水沖洗干凈,得到SiC、S1、Fe和極少量雜質(zhì)的固體,將此固體物加入溫度30°C,濃度10%的鹽酸中攪拌清洗90分鐘,除去Fe和少量的雜質(zhì),經(jīng)過酸洗后,用純水沖洗干凈,所得固體顆粒為SiC和Si ;第三步:將上步中得到的混合顆粒物加入流體分離器,控制流體分離器流速為60m/h,其中流體分離器中所用液體為純水,當(dāng)混合顆粒物全部處于懸浮狀態(tài)時(shí),快速停止流體分離器進(jìn)水,使混合物快速沉降下來,分別收集上層的Si和下層的SiC ;第四步:將收集的Si熔鑄提純,可得到太陽能級(jí)多晶硅;第五步:將SiC干燥后進(jìn)行微粉分級(jí)分離,按粒徑大小選擇回用;實(shí)施例2、處理裝置之二,依以下述步驟進(jìn)行:第一步:將收集的廢液經(jīng)過進(jìn)料泵供給陶瓷膜系統(tǒng),開啟循環(huán)泵,通過調(diào)節(jié)進(jìn)料泵后閥門、循環(huán)泵后閥門和濃縮液回流閥,控制陶瓷膜系統(tǒng)進(jìn)口壓力為0.35MPa,陶瓷膜系統(tǒng)出口壓力為0.2MPa,陶瓷膜系統(tǒng)填裝膜過濾孔徑為0.3 μ m,在壓力驅(qū)動(dòng)下,廢液中的PEG液體通過陶瓷膜微孔,廢液中的固體顆粒無法通過,將透過的PEG液體收集儲(chǔ)存,在無PEG液體透出后,收集濃縮料漿;第二步:將陶瓷膜系統(tǒng)分離出的濃縮料漿用純水沖洗干凈,得到SiC、S1、Fe和極少量雜質(zhì)的固體,將此固體物加入溫度40°C,濃度20%的鹽酸中攪拌清洗60分鐘,除去Fe和少量的雜質(zhì),經(jīng)過酸洗后,用純水沖洗干凈,所得固體顆粒為SiC和Si ;第三步:將上步中得到的混合顆粒物加入流體分離器,控制流體分離器流速為50m/h,其中流體分離器中所用液體為20%氯化鈉溶液,當(dāng)混合顆粒物全部處于懸浮狀態(tài)時(shí),快速停止流體分離器進(jìn)水,使混合物快速沉降下來,分別收集上層的Si和下層的SiC ;第四步:將收集的Si熔鑄提純,可得到太陽能級(jí)多晶硅;第五步:將SiC干燥后進(jìn)行微粉分級(jí)分離,按粒徑大小選擇回用;實(shí)施例3、處理裝置之三,依以下述步驟進(jìn)行:第一步:將收集的廢液經(jīng)過進(jìn)料泵供給陶瓷膜系統(tǒng),開啟循環(huán)泵,通過調(diào)節(jié)進(jìn)料泵后閥門、循環(huán)泵后閥門和濃縮液回流閥,控制陶瓷膜系統(tǒng)進(jìn)口壓力為0.25MPa,陶瓷膜系統(tǒng)出口壓力為0.1MPa,陶瓷膜系統(tǒng)填裝膜過濾孔徑為0.8 μ m,在壓力驅(qū)動(dòng)下,廢液中的PEG液體通過陶瓷膜微孔,廢液中的固體顆粒無法通過,將透過的PEG液體收集儲(chǔ)存,在無PEG液體透出后,收集濃縮料漿;第二步:將陶瓷膜系統(tǒng)分離出的濃縮料漿用純水沖洗干凈,得到SiC、S1、Fe和極少量雜質(zhì)的固體,將此固體物加入溫度45°C,濃度30%的鹽酸中攪拌清洗30分鐘,除去Fe和少量的雜質(zhì),經(jīng)過酸洗后,用純水沖洗干凈,所得固體顆粒為SiC和Si ;第三步:將上步中得到的混合顆粒物加入流體分離器,控制流體分離器流速為40m/h,其中流體分離器中所用液體為30%氯化鈣溶液,當(dāng)混合顆粒物全部處于懸浮狀態(tài)時(shí),快速停止流體分離器進(jìn)水,使混合物快速沉降下來,分別收集上層的Si和下層的SiC ;第四步:將收集的Si熔鑄提純,可得到太陽能級(jí)多晶硅;第五步:將SiC干燥后進(jìn)行微粉分級(jí)分離,按粒徑大小選擇回用;本實(shí)用新型有以下優(yōu)越性:陶瓷膜固液分離技術(shù),原廢液不經(jīng)任何處理,直接加壓分離,不需添加任何化學(xué)品,分離出的PEG純度達(dá)99.7%,過程簡單可靠,一次便可完成PEG分離和經(jīng)提純過程,PEG回收率達(dá)92% ;②創(chuàng)新性的SiC和Si流體分離器技術(shù),不僅操作簡單,且有良好的分離效果,Si回收率最高可達(dá)85%,SiC回收率90%以上。因?yàn)榉蛛x界面的SiC和Si混合物可在下次分離中繼續(xù)分離,理論上分離次數(shù)越多,分離率越高。
      ③本實(shí)用新型將需處理的廢液變廢為寶,不僅實(shí)現(xiàn)了污染物的“零”排放,同時(shí)又有很聞的經(jīng)濟(jì)效益:
      權(quán)利要求1.一種多晶硅廢水處理裝置,其特征在于,包括:陶瓷膜系統(tǒng); 其中,所述陶瓷膜系統(tǒng),包括料液箱、供料泵、循環(huán)泵、陶瓷膜、透過液箱以及多個(gè)連接管道,其中,料液箱的上開口通過連接管道與循環(huán)泵相連接,料液箱的下端與供料泵相連接,且供料泵又通過連接管道與所述循環(huán)泵與料液箱的上開口之間的連接管道相連接,且循環(huán)泵又通過連接管道與陶瓷膜相連接,陶瓷膜又通過連接管道與所述透過液箱的上開口相連接,且在連接管道上還設(shè)有壓力調(diào)節(jié)閥門和/或儀器儀表。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅廢水處理裝置,其特征在于,所述陶瓷膜的形狀為管式多段彎曲中空結(jié)構(gòu),膜孔小于 μπι。
      3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅廢水處理裝置,其特征在于,通過管道還連接有液體分離器,包括: 分離腔體和與其相連接的流體儲(chǔ)箱、流量供給泵,其中,所述流量供給泵設(shè)于分離腔體和所述流體儲(chǔ)箱之間。
      4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的多晶硅廢水處理裝置,其特征在于,所述分離腔體的液體進(jìn)口開于所述分離腔體的下方位置處。
      5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的多晶硅廢水處理裝置,其特征在于,所述液體為純水或氯化I丐或者氯化鈉溶液?!?br> 專利摘要本實(shí)用新型公開了一種多晶硅廢水處理裝置,裝置包括陶瓷膜系統(tǒng);其中,所述陶瓷膜系統(tǒng),包括料液箱、供料泵、循環(huán)泵、陶瓷膜、透過液箱以及多個(gè)連接管道,其中,在連接管道上還設(shè)有壓力調(diào)節(jié)閥門和/或儀器儀表。通過管道還連接有液體分離器,包括分離腔體和與其相連接的流體儲(chǔ)箱、流量供給泵,其中,所述流量供給泵設(shè)于分離腔體和所述流體儲(chǔ)箱之間。其中,該裝置能夠?qū)⒃械奈廴疚锾幚磙D(zhuǎn)換為工業(yè)資源回收利用,變廢為寶,有極高的經(jīng)濟(jì)價(jià)值和環(huán)境效益。
      文檔編號(hào)C08L71/08GK203128312SQ20122074406
      公開日2013年8月14日 申請(qǐng)日期2012年12月29日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月29日
      發(fā)明者劉少鋒, 范小青, 許增團(tuán), 李小鋼, 李軍, 李建軍, 武紅艷, 張鈺彩, 李濤, 周鵬飛, 劉戰(zhàn)虎 申請(qǐng)人:陜西華浩科技有限公司
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