體溶液的上述膜在l〇〇°C下進行5分鐘干燥。
[0072] 對實施了干燥處理的上述膜，使用紫外線照射裝置(Pusion Uv Systems公司制）， 在照射強度為200mW/cm2、搬運速度為15m/分鐘的條件下照射紫外線（照射量為400mJ/ cm 2)。按照該樣操作，在使樹脂組合物前體固化的同時進行使光半導體激發(fā)的處理，調制了 本實施例的樹脂組合物。
[0073] 另外，兼作銅化合物的穩(wěn)定性的確認及薄膜的養(yǎng)護，在室溫（25°C)下靜置1周后， 實施W下的評價試驗。
[0074] [實施例引
[0075] 除了將硫酸銅（II)的添加量變更為5質量份、將光聚合引發(fā)劑的添加量變更為2 質量份、將樹脂組合物前體溶液的極限平均粒徑設為140nm W外，按照與實施例1同樣的步 驟，調制了本例的樹脂組合物前體溶液。
[0076] [實施例引
[0077] 除了將硫酸銅（II)的添加量變更為0. 1質量份、將樹脂組合物前體溶液的極限平 均粒徑設為140nm W外，按照與實施例1同樣的步驟，調制了本例的樹脂組合物前體溶液。 [007引[實施例句
[0079] 除了將UV固化型樹脂的添加量變更為83質量份、將光聚合引發(fā)劑的添加量變更 為0. 5質量份、將樹脂組合物前體溶液的極限平均粒徑設為140nm W外，按照與實施例1同 樣的步驟，調制了本例的樹脂組合物前體溶液。
[0080] [實施例引
[0081] 除了將UV固化型樹脂的添加量變更為333質量份、將光聚合引發(fā)劑的添加量變更 為2質量份、將樹脂組合物前體溶液的極限平均粒徑設為170nm W外，按照與實施例1同樣 的步驟，調制了本例的樹脂組合物前體溶液。
[00間[實施例6]
[0083] 除了將光聚合引發(fā)劑的添加量變更為20質量份W外，按照與實施例1同樣的步 驟，調制了本例的樹脂組合物前體溶液。
[0084] [實施例7]
[0085] 除了將光聚合引發(fā)劑的添加量變更為0. 1質量份W外，按照與實施例1同樣的步 驟，調制了本例的樹脂組合物前體溶液。
[0086] [實施例8]
[0087] 除了將硫酸銅（II)變更為醋酸銅（II)(化(0C0CH3)2)) W外，按照與實施例1同樣 的步驟，調制了本例的樹脂組合物前體溶液。
[00能][實施例9]
[0089] 除了將硫酸銅（II)變更為醋酸銅（II)、將樹脂組合物前體溶液的極限平均粒徑 設為190nm W外，按照與實施例1同樣的步驟，調制了本例的樹脂組合物前體溶液。
[0090] [實施例 10]
[0091] 除了將硫酸銅（II)變更為碳酸銅（II)(化C〇3)、將UV固化型樹脂的添加量變更為 172質量份W外，按照與實施例1同樣的步驟，調制了本例的樹脂組合物前體溶液。
[009引[實施例11]
[009引除了將硫酸銅（II)變更為醋酸銅（II)、將UV固化型樹脂的添加量變更為170質 量份W外，按照與實施例1同樣的步驟，調制了本例的樹脂組合物前體溶液。
[0094] [比較例U
[0095] 除了將硫酸銅（II)變更為醋酸鑲（II) (Ni(OCOCH3)2)) W外，按照與實施例1同樣 的步驟，調制了本例的樹脂組合物前體溶液。
[0096] [比較例引
[0097] 除了將硫酸銅（II)的添加量變更為10質量份、將樹脂組合物前體溶液的極限平 均粒徑設為140nm W外，按照與實施例1同樣的步驟，調制了本例的樹脂組合物前體溶液。 [009引[比較例引
[0099] 除了將硫酸銅（II)的添加量變更為0. 05質量份、將樹脂組合物前體溶液的極限 平均粒徑設為140nm W外，按照與實施例1同樣的步驟，調制了本例的樹脂組合物前體溶 液。
[0100] [比較例4]
[0101] 除了將UV固化型樹脂的添加量變更為833質量份、將光聚合引發(fā)劑的添加量變更 為5質量份、將樹脂組合物前體溶液的極限平均粒徑設為140nm W外，按照與實施例1同樣 的步驟，調制了本例的樹脂組合物前體溶液。
[0102] [比較例引
[010引除了將UV固化型樹脂的添加量變更為17質量份、將光聚合引發(fā)劑的添加量變更 為0. 1質量份、將樹脂組合物前體溶液的極限平均粒徑設為170nm W外，按照與實施例1同 樣的步驟，調制了本例的樹脂組合物前體溶液。
[0104] [比較例6]
[0105] 除了將光聚合引發(fā)劑的添加量變更為50質量份W外，按照與實施例1同樣的步 驟，調制了本例的樹脂組合物前體溶液。
[0106] [比較例7]
[0107] 除了將光聚合引發(fā)劑的添加量變更為0.05質量份W外，按照與實施例1同樣的步 驟，調制了本例的樹脂組合物前體溶液。
[010引[比較例8]
[0109] 除了將樹脂組合物前體溶液的極限平均粒徑設為190nm，進而沒有實施紫外線照 射處理W外，按照與實施例1同樣的步驟，調制了本例的樹脂組合物前體溶液。目P，在本例 中，將附著了樹脂組合物前體溶液的膜在l〇〇°C下進行5分鐘的干燥后，實施W下的評價試 驗。
[0110] 將上述實施例及比較例中的氧化鐵的含量、銅化合物的種類及含量、活性能量射 線固化性樹脂的含量、光聚合引發(fā)劑的含量、極限平均粒徑、W及紫外線照射的有無示于表 1中。
[0111]
【主權項】
1. 一種光半導體分散樹脂組合物，其特征在于，其含有： 光半導體、 相對于所述光半導體100質量份為0. 1?5質量份的銅化合物、 相對于所述光半導體100質量份為50?350質量份的活性能量射線固化性樹脂、以及 相對于所述活性能量射線固化性樹脂100質量份為〇. 1?20質量份的光聚合引發(fā)劑， 所述光半導體分散樹脂組合物是通過利用活性能量射線的照射進行所述活性能量射 線固化性樹脂的聚合和所述光半導體的激發(fā)而制作的。
2. 根據(jù)權利要求1所述的光半導體分散樹脂組合物，其特征在于，所述光半導體的粒 徑小于可見光線的波長。
3. -種光半導體分散樹脂組合物的制造方法，其特征在于，其具有以下工序： 將光半導體、相對于所述光半導體100質量份為〇. 1?5質量份的銅化合物、相對于所 述光半導體100質量份為50?350質量份的活性能量射線固化性樹脂、相對于所述活性能 量射線固化性樹脂100質量份為〇. 1?20質量份的光聚合引發(fā)劑以及液體分散介質混合， 調制樹脂組合物前體溶液的工序；以及 通過對所述樹脂組合物前體溶液照射活性能量射線，從而進行所述活性能量射線固化 性樹脂的聚合和所述光半導體的激發(fā)的工序。
4. 根據(jù)權利要求3所述的光半導體分散樹脂組合物的制造方法，其特征在于，所述銅 化合物為2價的化合物。
5. 根據(jù)權利要求3或4所述的光半導體分散樹脂組合物的制造方法，其特征在于，所述 樹脂組合物前體溶液中的所述光半導體的粒徑為l〇nm?200nm。
6. -種抗菌性部件，其特征在于，其具有： 基材、以及 設置于所述基材上且含有權利要求1或2所述的光半導體分散樹脂組合物的被膜。
7. 根據(jù)權利要求6所述的抗菌性部件，其特征在于，每1小時的抗菌活性值為3以上。
【專利摘要】本發(fā)明的光半導體分散樹脂組合物含有：光半導體、相對于光半導體100質量份為0.1～5質量份的銅化合物、相對于光半導體100質量份為50～350質量份的活性能量射線固化性樹脂、以及相對于活性能量射線固化性樹脂100質量份為0.1～20質量份的光聚合引發(fā)劑。并且，樹脂組合物是通過利用活性能量射線的照射進行活性能量射線固化性樹脂的聚合和光半導體的激發(fā)而制作的。
【IPC分類】A01N25-10, A01N59-20, A01P3-00, C08F290-06, C08K3-30, C08L101-00, C08K3-24, C08K3-22
【公開號】CN104603208
【申請?zhí)枴緾N201380045892
【發(fā)明人】植田剛士, 絹川謙作, 山科大悟
【申請人】松下知識產權經營株式會社
【公開日】2015年5月6日
【申請日】2013年11月18日
【公告號】EP2924075A1, US20150223467, WO2014080606A1