專利名稱：具有良好的亮度和色坐標維持能力的燈的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種包含特殊磷光體并具有良好的維持亮度和色坐標能力的燈，并且具體而言，本發(fā)明提供一種使用磷光體的燈，其中，在具有β氧化鋁相的磷光體上外延形成磁鉛石(magnetoplumbite)相。本申請要求韓國專利申請?zhí)?0-2005-0026517的申請目的權(quán)利，其于2005年3月30日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交，本發(fā)明包含其全部公開作為參考。

背景技術(shù)：
通常，鋁酸鋇鎂(BAM；[(Ba，Eu2+)MgAl10O17])磷光體用于LCD的BLU(背光模組)的CCFL(冷陰極螢光燈)或EEFL(外電極熒光燈)，或用于三波長熒光燈。
不同于其它用于三波長燈(CCFL或EEFL)的磷光體(紅色-Y2O3:Eu或綠色-(La，Ce)PO4:Tb)，在制造如熒光燈、CCFL或EEFL的實際應用產(chǎn)品進行熱處理時，由于在700～750℃下燃燒一種用作粘合劑的有機材料的過程中(粘合劑燒盡步驟＝BBO步驟)嚴重地發(fā)生如低發(fā)光性的劣化，所以BAM磷光體受損壞。已知在產(chǎn)品的使用過程中，BAM磷光體的劣化是引起在氣體放電下產(chǎn)生的磷光體的發(fā)光性劣化的主要原因。尤其是，已知BAM磷光體的發(fā)光性的劣化(色坐標變化)極大影響三波長燈的色坐標的變化。
因此，由于磷光體的劣化，燈的亮度和色坐標與最初的光相比逐漸降低。而且，色坐標的變化導致不希望有的變化的燈色溫，因此降低了顯示產(chǎn)品的性能。
因此，為使BAM磷光體本身的劣化最小化，已進行如下深入研究。
日本專利公開號2003-82345公開了一種不使用額外化合物而將Eu2+部分氧化成Eu3+的方法，和一種通過加入Al、Si或La形成氧化物膜或氟化物膜的方法。日本專利公開號2003-82344公開了一種通過用四價元素(Ti、Zr、Hf、Si、Sn、Ge或Ce)代替Al或Mg來增加正電荷，以防止磷光體劣化的方法。另外，日本專利公開號2003-382343公開了一種用如SiO2、Al2O3、ZnO、MgAl2O4、Ln2O3、LaPO4或Zn2SiO4的氧化物，或者如Si(OF)4、La(OF)3或Al(OF)3的氟化物涂敷BAM，然后在空氣中于300～600℃下將這種BAM熱處理，從而防止由于BAM導電層缺氧而吸附水或二氧化碳的方法。
此外，日本專利公開號2002-348570公開了一種用于在空氣中于500～800℃下將含有硅的BAM磷光體熱處理，以防止真空UV光下磷光體的劣化的方法。韓國專利公開號2003-14919公開了一種只對磷光體表面的選擇性部分表面處理，從而使由于涂敷而導致的性能降低最小化。韓國專利公開號2002-0025483公開了一種將BAM磷光體表面用SiO2連續(xù)涂敷至5～40mm的厚度以覆蓋磷光體表面，從而使磷光體不劣化的方法。美國專利號5,998,047公開了一種用鏈狀多磷酸鹽涂敷BAM磷光體表面，以使磷光體不因UV光而劣化的方法。日本專利公開號2000-303065公開了一種用含有Ba或Sr作為陽離子的硼酸鹽、磷酸鹽、硅酸鹽、鹵化物、硝酸鹽、硫酸鹽和碳酸鹽涂敷BAM磷光體(其為在真空UV光中使用的磷光體)，以防止磷光體熱降解的方法。此外，日本專利公開號2002-080843公開了一種用發(fā)出UV光的第二熒光粉涂敷第一BAM磷光體，以防止第一磷光體性能降低的方法。
另外，對用于提高作為特殊應用產(chǎn)品實例的燈的亮度的維持能力的磷光體的性能改善研究如下。
根據(jù)日本專利公開號平11-172244和9-231944、日本專利公開號2002-348570、2003-147350、2003-226872和2004-244604，在用硝酸和如La2O3、Y2O3、SiO2或Gd2O3的金屬氧化物處理磷光體表面，以在磷光體顆粒表面形成厚度為5～100mm的稀土金屬氧化物膜時(日本專利公開號平11-172244)，或在用稀土金屬的碳酸鹽涂敷磷光體表面時(日本專利公開號2003-147350、2003-226872、2004-244604)時，據(jù)報道由于真空UV光的亮度劣化降低。然而，上述專利只報道了亮度的降低程度，而不是由于涂敷引起的磷光體初始亮度的降低，且也未提及維持色坐標的能力。
在磷光體表面形成保護膜的情況下，發(fā)光效率隨膜的厚度變化。當表面處理量較大時，效率的降低同樣也較大，而維持亮度的能力較好。此外，表面處理材料可以由于其作為粘合劑來凝結(jié)磷光體顆粒而具有負面效果，以及作為保護膜而具有正面作用。在實際應用時如此凝結(jié)的磷光體表現(xiàn)出較差的分散性，因此不能形成均勻的涂層膜，從而導致不希望的不均勻色坐標或亮度。


發(fā)明內(nèi)容
技術(shù)問題 因此，鑒于現(xiàn)有技術(shù)領(lǐng)域中出現(xiàn)的上述問題已完成本發(fā)明，本發(fā)明的目的是提供一種使用具有高初始亮度和良好的亮度和色坐標維持能力的磷光體的燈。
技術(shù)方案 本發(fā)明提供一種使用磷光體的燈，其中，在具有β氧化鋁相的磷光體表面外延形成磁鉛石相。
關(guān)于具有β氧化鋁相的磷光體，可以使用BAM磷光體，具體為[(MII，Eu2+)MgAl10O17]或[(MII，Eu2+)(Mg，Mn)Al10O17]，其中MII為Ba、Ca、Sr或其混合物，且部分或全部的Al被Ga取代。
磁鉛石相可以不使用額外的化合物而形成，或通過與具有磁鉛石相(MP)結(jié)構(gòu)的物質(zhì)化學成鍵而形成。
所述燈可用作BLU燈，例如，如螢光顯示板、X-射線攝像管、LCD、PDP和CRT的顯示裝置中所用的CCFL或EEFL；或用作照明系統(tǒng)用燈。
磁鉛石是一種具有與β氧化鋁相十分類似的結(jié)構(gòu)的物質(zhì)，且作為例子，磁鉛石可以是由下面化學式1表示的物質(zhì) 化學式1 M1(II)M′(III)12O19 化學式1中，M1(II)為Ca、Sr、Pb或Eu，且M′(III)為Al、Ga或其混合物。
此外，作為例子，磁鉛石可以由下面化學式2表示 化學式2 M2(III)M″(II)M′(III)11O19 化學式2中，M2(III)為包括La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu或Gd的鑭系元素，M″(II)為Ni、Co、Fe、Mn或Mg，且M′(III)為Al、Ga或其混合物。
此外，作為例子，磁鉛石可以由下面化學式3表示 化學式3 M3(III)M′(III)11O18 化學式3中，M3(III)為La、Ce或其混合物，且M′(III)為Al、Ga或其混合物。
磁鉛石相只對具有β氧化鋁相的磷光體(特別是BAM磷光體)的特定晶面，即平行于其晶體c軸的晶面選擇性地進行化學表面改性。
根據(jù)常規(guī)技術(shù)，對具有改變的組成的BAM磷光體熱處理以只增強維持亮度的能力，或用保護膜對具有原始組成和優(yōu)選的發(fā)射顏色的BAM磷光體簡單地涂覆，從而形成磷光體。然而，本發(fā)明的特征在于使用一種磷光體，其中，用磁鉛石晶體結(jié)構(gòu)對具有β氧化鋁相的磷光體的特定晶面，即平行于其晶體c軸的平面選擇性地進行表面改性，所述磁鉛石晶體結(jié)構(gòu)與具有β氧化鋁相的磷光體化學鍵合(特別是BAM磷光體)且與作為磷光體晶體結(jié)構(gòu)的β氧化鋁相的物理化學類似。本發(fā)明中使用的磷光體的優(yōu)點和效果在下面描述。
第一，本發(fā)明中使用的磷光體具有當該磷光體應用到如CCFL的實際應用產(chǎn)品時，在制造燈過程中需要高溫熱處理時，其劣化較小的性質(zhì)。例如，制造CCFL時，在高溫(700～750℃)下由水滲入磷光體的晶體結(jié)構(gòu)導致磷光體性質(zhì)劣化而引起的發(fā)光效率或發(fā)射顏色純度具有較少的降低。例如，根據(jù)本發(fā)明，發(fā)射顏色不會由深藍色變?yōu)榫G相藍(C.I.E色坐標中的y值增大)。因此，可以制造具有高亮度并且色坐標較小改變的CCFL/EEFL。
第二，在使用上述磷光體制造的應用產(chǎn)品中，其性能與使用常規(guī)BAM磷光體制造的應用產(chǎn)品相比，例如，一段時間后，亮度較少降低且色坐標較少改變，因此可以增加使用上述磷光體制造的產(chǎn)品的壽命。
第三，因為，本發(fā)明中使用的磷光體在用作保護膜的磁鉛石相與磷光體的β氧化鋁相之間具有強的化學鍵合，所以不同于具有簡單保護膜的常規(guī)BAM磷光體，其具有較高的機械破壞抵抗性。因此，伴隨著該磷光體的使用，不存在與機械破壞相關(guān)的問題，從而能夠制造具有高質(zhì)量的應用產(chǎn)品。
根據(jù)下面的工藝制備本發(fā)明中使用的磷光體。為方便起見，盡管下面描述了制備M′(III)為Al的BAM磷光體的方法，但是這些方法可以應用于其它磷光體。
(制備工藝I) 本發(fā)明在不使用額外的物質(zhì)的情況下，通過在氧化氣氛中將具有β氧化鋁相的BAM磷光體熱處理制備磷光體，以在BAM磷光體上形成磁鉛石相，提供一種制備磷光體的方法。
該工藝由下面的反應式1表示 反應式1
在反應式1中，M為Ca、Sr、Ba或其混合物。O2/N2的比率為0.01～100％，優(yōu)選為0.01～10％，且更優(yōu)選為0.1～5％。加熱溫度(T)為800～1200℃，且優(yōu)選為950～1050℃。加熱時間(t)在1分鐘～10小時，且優(yōu)選0.5小時～3小時的范圍內(nèi)。加熱溫度(T)和加熱時間(t)可以根據(jù)將要處理的β氧化鋁相BAM的量、O2/N2的比率和加熱溫度最優(yōu)化。如此形成的磁鉛石相為0.5～5nm厚，且優(yōu)選為0.5～2nm厚。
(制備工藝II)低溫下磁鉛石相的形成 (制備工藝II-1) 本工藝通過混合BAM磷光體與金屬氟化物，然后在O2/N2的比率為0.01～100％的氧化氣氛中、于650～850℃下將該混合物熱處理0.5～2小時，以在BAM磷光體表面上形成磁鉛石相，提供一種制備磷光體的方法。
金屬氟化物的例子包括如MgF2，ZnF2或SnF2的二價金屬氟化物，或如AlF3或GaF3的三價金屬氟化物。基于1g的BAM磷光體，使用0.001～0.02g、且優(yōu)選為0.001～0.01g的量的該金屬氟化物。
(制備工藝II-2) 本發(fā)明提供一種制備磷光體的方法，用能夠形成磁鉛石相的陽離子(M)交換具有β氧化鋁相的BAM磷光體的導電層中存在的Ba或Eu離子，然后將這種磷光體在氧化氣氛中熱處理，以在BAM磷光體表面上形成磁鉛石相，所述β氧化鋁相具有連續(xù)層疊有尖晶石層(spinellayer)(MgAl10O16)和導電層{(MII，Eu2+)O]的分層結(jié)構(gòu)。氧化氣氛中O2/N2的比率優(yōu)選為0.01～100％，且優(yōu)選在650～850℃下熱處理0.5～2小時。在這種情況下，為降低熱處理溫度，在交換離子時，可以使用能夠形成磁鉛石相的陽離子氟化物。在使用陽離子氟化物的情況下，熱處理溫度可以降至650～750℃。
陽離子(M)的例子包括Ca2+、Sr2+、Eu3+、La3+或Gd3+，且基于1g的BAM磷光體，使用的該陽離子氟化物的量為0.001～0.02g。
根據(jù)本工藝，BAM磷光體與例子交換物質(zhì)混合，其后在控制的氧分壓下，以10℃/min的加熱速度，于650～750℃將混合物熱處理1～2小時，然后以10℃/min的速度冷卻，由此制備具有防水性的磷光體。
本工藝由下面的反應式2表示 反應式2 <使用離子交換步驟的制備工藝II-2>

1)以預定比將BAM磷光體與MFx混合，其后將混合物在650～750℃下熱處理，同時維持預定的氧分壓。
2)可以根據(jù)下面的步驟制備1)的MFx M(NO3)xyH2O+xNH4F→MFx+xNH4NO3+yH2O (制備工藝II-3) 本工藝通過混合β氧化鋁相BAM磷光體與金屬氟化物和金屬硝酸鹽，然后在惰性氣氛中，于650～750℃下將混合物熱處理0.5～2小時，以在BAM磷光體表面上形成磁鉛石相，提供一種制備磷光體的方法。
換句話說，本工藝通過同時采用使用金屬氟化物(制備工藝II-1)的工藝和用能夠形成磁鉛石相的陽離子交換BAM磷光體的導電層中存在的Ba或Eu離子的工藝(制備工藝II-2)，提供一種制備具有優(yōu)異的防水性(即發(fā)光性質(zhì)的較低劣化)的磷光體。
所述金屬氟化物以如MgF2，ZnF2或SnF2的二價金屬氟化物或如AlF3或GaF3的三價金屬氟化物為例?；?g的BAM磷光體，優(yōu)選以0.001～0.02g的量使用這種金屬氟化物。在本工藝中，如MgF2或AlF3的MFx的量可以控制，從而改變熱處理溫度。
所述金屬硝酸鹽的金屬(L)包括Ca2+、Sr2+、Eu3+、La3+或Gd3+，且基于1g的BAM磷光體，以0.001～0.02g的量使用該金屬硝酸鹽。
可以使用氮氣、氬氣或其氣體混合物來維持惰性氣氛。
根據(jù)本工藝，將BAM磷光體與添加劑均勻地混合，然后干燥以獲得混合的磷光體，然后于控制的惰性氣氛中、以10℃/min的加熱速度在650～850℃下將混合的磷光體熱處理0.5～2小時，其后以10℃/min的速度冷卻，由此制備本發(fā)明中使用的磷光體。
用于促進磁鉛石相形成的本工藝同時采用了工藝II-1和II-2，其由下面的反應式3表示 反應式3
反應式3中，M為Mg2+或Al3+，L為Ca2+，Sr2+，或如Eu3+、La3+或Gd3+的三價鑭系元素。
1)以預定比率將BAM磷光體與MFx(1～20mmol/g BAM，優(yōu)選18mmol/g BAM)和L(NO3)xyH2O(1～10mmol/g BAM，優(yōu)選6～9mmol/gBAM)混合，且在如氮氣氛的惰性氣氛中，于650～850℃下熱處理該混合物。
2)可以使用下面的儲備液制備1)的MFx和L(NO3)xyH2O M(NO3)xyH2O、x(NH4)F、L(NO3)wzH2O的儲備液。
(制備工藝III) 本工藝通過混合BAM磷光體與具有磁鉛石相的物質(zhì)，然后在惰性氣氛中熱處理該混合物，提供一種制備磷光體的方法。
通過混合M1X3、M2(NO3)2和Al(OR)3制備具有磁鉛石相的物質(zhì)，其中，M1為如Eu3+、Ce3+或La3+的鑭系元素，X為Cl-或NO3-，M2為Mg2+，且OR為醇鹽?；?g的BAM磷光體，優(yōu)選以0.002～0.05mmol的量使用M1。
所述惰性氣氛包括氮氣、氬氣或其氣體混合物，且熱處理溫度為800～1000℃。
如由下面的反應式4簡單地表示的，本工藝包括向磷光體中加入具有磁鉛石相的物質(zhì)以及將該混合物熱處理，以在β氧化鋁相BAM磷光體的表面上形成磁鉛石相保護膜 反應式4
在具有β氧化鋁相的BAM磷光體(尤其是BAM磷光體[(MII，Eu2+)MgAl10O17])上外延形成有磁鉛石相的磷光體可用作藍色磷光體或綠色磷光體。使用根據(jù)本發(fā)明的磷光體的燈可以是只使用上述磷光體的單色燈或另外使用一種或多種其它的磷光體的單色或多色燈。上述磷光體可以使用本領(lǐng)域已知的一般方法應用到燈中。
本發(fā)明的燈可為用于如熒光顯示板、X-射線攝像管、LCD、PDP和CRT的顯示裝置的BLU燈，或用于照明系統(tǒng)的燈。所述BLU燈可以為CCFL或EEFL。
此外，本發(fā)明提供各自包括上述燈的如螢光顯示板、X-射線攝像管、LCD、PDP和CRT的顯示裝置或照明系統(tǒng)。
有益效果 本發(fā)明的燈具有優(yōu)于常規(guī)燈的初始亮度和機械性能。此外，在具有β氧化鋁相的磷光體(尤其是BAM磷光體)表面上外延形成磁鉛石相作為保護膜的磷光體對由燈的制造過程引起的熱劣化和對由于水銀放電產(chǎn)生的真空UV光引起的劣化有較高的抵抗性，因此可以在燈的制造過程和發(fā)光過程中防止燈的亮度降低和燈的色坐標改變。因此，使用上述磷光體制造的燈可以具有良好的維持亮度和色坐標的能力。

具體實施例方式 通過下面的實施例可以獲得對本發(fā)明更好的理解，下面的實施例用以說明本發(fā)明而不應解釋為對發(fā)明的限制。
<制備例1> 以0.9∶0.1∶1.0∶10的摩爾比將Ba、Eu、Mg和Al混合在一起，并向其中加入預定量的AlF3作為熔劑。使該混合物于1400℃下在包含以95∶5的體積比混合的氮氣/氫氣的氣體混合物氣氛中燃燒2小時。
燃燒過程完成后，將磷光體球磨研磨，用水洗滌，然后干燥，從而獲得具有Ba0.9Eu0.1MgAl10O17(BAM:Eu2+)組成的磷光體。
<制備例2> 將200克制備例1中制備的BAM:Eu2+磷光體放入爐中，以5℃/min的加熱速度在950℃保持2小時，同時供應N2+O2的氣體混合物(99.9∶0.1的體積比)，然后以5℃/min的速度冷卻，從而獲得所需磷光體。
<制備例3> 將500克制備例1中制備的BAM:Eu2+磷光體與1.25克AlF3混合，其后將該混合物放入爐中，以5℃/min的加熱速度在750℃保持1小時，同時供應N2+空氣的氣體混合物(2.5wt％的空氣/N2+空氣的氣體混合物)，然后以5℃/min的速度冷卻，從而獲得所需磷光體。
<制備例4> 將1克制備例1中制備的BAM:Eu2+磷光體、0.2975mmol(0.0608g)異丙醇鋁(Al(OiPr)3)、0.0035mmol(0.00152g)硝酸鈰(Ce(NO3)3·(6H2O))和0.0215mmol(0.0093g)硝酸鑭(La(NO3)3·(6H2O))與10ml蒸餾水一起攪拌，然后加熱除去溶劑。在氮氣氛中(加熱速度10℃/min)于900℃下將干燥的磷光體粉末熱處理，從而獲得所需磷光體。
<試驗例1> 單色CCFL因真空UV光的劣化試驗 將本發(fā)明的粉末狀磷光體的色坐標和在通過BBO步驟制造CCFL后其色坐標與沒有保護膜的常規(guī)BAM磷光體的色坐標的改變進行比較，并測量發(fā)光性能的降低程度(熱劣化)。當改變程度(Δx、Δy)降低時，評價磷光體的色坐標的維持能力為優(yōu)異。
制造燈時，使用制備例1和2中制備的磷光體。將500克藍色磷光體與250ml包含以50∶50混合的IPA(異丙醇)和BA(乙酸丁酯)的溶液、40ml粘合劑淤漿以及2ml中和溶液混合，并用NC(硝酸纖維素)溶液將粘度調(diào)至10秒。將該混合物溶液搖晃72小時，然后涂敷于燈上。用于試驗的燈的尺寸設(shè)為Φ＝2.4mm和L＝400mm。
使用制備例1和2中制備的磷光體制造藍色單色CCFL，然后測量其發(fā)光特性。結(jié)果示于下面表1中。從這些結(jié)果可以看出，使用制備例2中制備的磷光體的燈具有優(yōu)于使用常規(guī)BAM磷光體(制備例1)制造的燈的發(fā)光特性。
這些結(jié)果是通過將在燈制成之后立即測得的測量值與粉末狀的磷光體的測量值進行比較而獲得，其不包括在水銀蒸氣下因真空UV光引起的劣化。制備例2的磷光體對由燈的制造過程(BBO步驟)引起的熱劣化的抵抗性比常規(guī)磷光體(制備例1)強。
表1 [注]1.在600℃下熱處理后的相對亮度作為100％ 2.Φ＝2.4mm，L＝400mm， 3.在600℃下熱處理后的粉末狀磷光體的色坐標與在制成燈之后其色坐標的差值。
<試驗例2> 單色CCFL的壽命試驗 進行試驗例1制造的CCFL的壽命試驗(700小時)。結(jié)果示于下面的表2。色坐標的變化(Δx，Δy)由燈的初始色坐標與700小時后燈的色坐標的差值表示。因此，不同于試驗例1，試驗例2中觀察到的色坐標的差值表示由水銀蒸氣下的真空UV光引起的磷光體的劣化。當上述差值降低時，評價維持色坐標的能力為良好。
與常規(guī)BAM磷光體(制備例1)相比，在制備例2中制備的磷光體的性質(zhì)(維持亮度/色坐標的能力)中，亮度維持性增加了13％，色坐標的變化(Δx，Δy)分別為45％和50％。這些結(jié)果證明制備例2的磷光體對在真空UV光中的磷光體的劣化具有抵抗性。
表2 [注]1.在0小時的燈的亮度作為100％(Φ＝2.4mm，L＝400mm，) 2.在0小時的燈的色坐標(x，y)與700小時后燈的色坐標的差值 <試驗例3> 三色CCFL的壽命試驗 為評價根據(jù)本發(fā)明的磷光體和常規(guī)BAM磷光體對三色燈(CCFL)的劣化的影響，使用相同的紅色-Y2O3:Eu和綠色-(La，Ce)PO4:Tb磷光體制造三色燈，并進行壽命試驗(2000小時)。
使用制備例1和2的磷光體作為制造燈的藍色磷光體。使用常規(guī)磷光體(紅色-Y2O3:Eu和綠色-(La，Ce)PO4:Tb)作為紅色和綠色磷光體。三色磷光體的混合比為紅色43.60wt％、綠色33.20wt％和藍色23.20wt％。通過將500克磷光體與250ml包含IPA+BA的溶液、40ml粘合劑淤漿以及2ml中和溶液混合制備淤漿，并用NC(硝酸纖維素)溶液將該混合物的粘度調(diào)至10秒。將該混合物溶液搖晃72小時，然后涂敷于燈上。用于試驗的燈的尺寸設(shè)為Φ＝2.4mm和L＝400mm，且燈的平均色坐標為x＝0.3，且y＝0.3。
在所有試驗中，燈的初始色坐標設(shè)為(x，y＝0.3)。使用相同的紅色/綠色磷光體。因此，基于使用的藍色磷光體性質(zhì)的劣化評價燈的性質(zhì)的劣化。色坐標的變化由燈的初始色坐標與2000小時后燈的色坐標的差值表示。同樣，當差值降低時，評價維持色坐標的能力為良好。
分別使用制備例2的磷光體和常規(guī)BAM磷光體(制備例1)制備的三色CCFL的壽命試驗(2000小時)的結(jié)果示于下面表3中。與常規(guī)BAM磷光體(制備例1)相比，在制備例2中制備的磷光體的性質(zhì)(維持亮度/色坐標的能力)中，亮度維持性增加了4％，色坐標的變化(Δx，Δy)分別為31％和36％。從這些結(jié)果可以證明使用制備例2的磷光體制造的三色CCFL的性質(zhì)(維持亮度/色坐標的能力)優(yōu)于使用常規(guī)BAM磷光體制造的燈的性質(zhì)。
表3 [注]1.在0小時的燈的亮度作為100％(Φ＝2.4mm，L＝400mm，) 2.在0小時的燈的色坐標(x，y)與2000小時后燈的色坐標的差值 <試驗例4> 三色EEFL的壽命試驗 為評價本發(fā)明的磷光體和常規(guī)BAM磷光體對三色燈(EEFL)的劣化的影響，進行類似于試驗例3的對比試驗。
使用制備例1和2的磷光體作為制造燈的藍色磷光體。使用常規(guī)磷光體(紅色-Y2O3:Eu和綠色-(La，Ce)PO4:Tb)作為紅色和綠色磷光體。三色磷光體的混合比為紅色25.8wt％、綠色27.7wt％和藍色45.5wt％。通過將500克磷光體與250ml包含以50∶50混合的IPA+BA的溶液、40ml粘合劑淤漿以及2ml中和溶液混合制備淤漿，并用NC溶液將該混合物的粘度調(diào)至9.6秒。將該混合物溶液搖晃72小時，然后涂敷于燈上。用于試驗的燈的尺寸設(shè)為Φ＝4.0mm和L＝600mm，且燈的平均色坐標為x＝0.248，且y＝0.224。
因為使用相同的紅色/綠色磷光體，所以可以基于使用的藍色磷光體性質(zhì)的劣化評價燈的性質(zhì)的劣化。色坐標的變化由燈的初始色坐標與1000小時后燈的色坐標的差值表示。同樣，當差值降低時，評價維持色坐標的能力為良好。
分別使用制備例2的磷光體和常規(guī)BAM磷光體(制備例1)制備的三色EEFL的壽命試驗(1000小時)的結(jié)果示于下面表4中。與常規(guī)BAM磷光體(制備例1)相比，在制備例2中制備的磷光體的性質(zhì)(維持亮度/色坐標的能力)中，亮度維持性增加了1.6％，且色坐標的變化(Δx，Δy)分別為41.7％和36.4％。從這些結(jié)果可以證明使用制備例2的磷光體制造的三色EEFL的性質(zhì)(維持亮度/色坐標的能力)優(yōu)于使用常規(guī)BAM磷光體制造的燈的性質(zhì)。
表4 [注]1.在0小時的燈的亮度作為100％(Φ＝4.0mm，L＝600mm，) 2.在0小時的燈的色坐標(x，y)與1000小時后燈的色坐標的差值 工業(yè)應用性 本發(fā)明的燈具有優(yōu)于常規(guī)燈的初始亮度和機械性能。此外，在具有β氧化鋁相的磷光體(尤其是BAM磷光體)表面上外延形成有磁鉛石相作為保護膜的磷光體對由燈的制造過程引起的熱劣化，和對由于水銀放電引起的真空UV光導致的劣化有較高的抵抗性，因此可以在燈的制造過程和發(fā)光過程中防止燈的亮度降低和燈的色坐標改變。因此，使用上述磷光體制造的燈可以具有良好的維持亮度和色坐標的能力。這種結(jié)果大大影響了維持使用相同的紅色/綠色磷光體制造的三色CCFL/EEFL的亮度和色坐標的能力。因此，使用所述磷光體的CCFL/EEFL可以具有較高的維持亮度和色坐標的的能力。
雖然已公開了本發(fā)明的優(yōu)選實施方式用于說明性目的，但本領(lǐng)域的技術(shù)人員應該理解，不偏離如所附權(quán)利要求書中所公開的本發(fā)明的范圍和精神的各種修改、添加和替換是可行的。
權(quán)利要求
1.一種燈，該燈使用在具有β氧化鋁相的磷光體表面上外延形成磁鉛石相的磷光體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的燈，其中，所述具有β氧化鋁相的磷光體包括BAM磷光體[(MII，Eu2+)MgAl10O17]或[(MII，Eu2+)(Mg，Mn)Al10O17]，其中MII為Ba、Ca、Sr或其混合物，且部分或全部的Al被Ga取代。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的燈，其中，所述具有β氧化鋁相的磷光體為藍色磷光體或綠色磷光體。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的燈，其為單色燈或多色燈。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的燈，其用于顯示裝置的背光模組。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的燈，其中，所述顯示裝置選自包括熒光顯示板、X-射線攝像管、LCD、PDP和CRT的組。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的燈，其為冷陰極熒光燈或外電極熒光燈。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的燈，其用于照明系統(tǒng)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的燈，其中，所述磁鉛石相包括由下面化學式1、2或3表示的物質(zhì)
化學式1
M1(II)M′(III)12O19
化學式2
M2(III)M″(II)M′(III)11O19
化學式3
M3(III)M′(III)11O18
其中，M1(II)為Ca、Sr、Pb或Eu，
M′(III)為Al、Ga或其混合物，
M2(III)為包括La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu或Gd的鑭系元素，
M″(II)為Ni、Co、Fe、Mn或Mg，以及
M3(III)為La、Ce或其混合物。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的燈，其中，所述磁鉛石相的厚度為0.5～5nm。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的燈，其中，所述磁鉛石相選擇性地化學表面改性平行于具有β氧化鋁相的磷光體晶體的c軸的晶面。
12.一種顯示裝置，該顯示裝置包括如權(quán)利要求1～11中任一項所述的燈。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的顯示裝置，其選自包括熒光顯示板、X-射線攝像管、LCD、PDP和CRT的組。
14.一種照明系統(tǒng)，該照明系統(tǒng)包括如權(quán)利要求1～4和權(quán)利要求9～11中任一項所述的燈。
全文摘要
本發(fā)明公開的為一種包括特殊磷光體并具有良好的維持亮度和色坐標能力的燈。具體而言，本發(fā)明提供一種使用在具有β氧化鋁相的磷光體表面上外延形成磁鉛石相的磷光體的燈。
文檔編號C09K11/80GK101124297SQ200680001090
公開日2008年2月13日 申請日期2006年3月29日 優(yōu)先權(quán)日2005年3月30日
發(fā)明者崔光郁, 金度勛, 郭益淳, 權(quán)泰賢 申請人:Lg化學株式會社